Upload
others
View
5
Download
0
Embed Size (px)
Citation preview
Basic electronics previous year question
1.
Which of the following has four valance electron.
рдХреМрди тАУ рд╕реЗ рддрддреНтАНрд╡ рдореЗрдВ 4 рд╡рд▓реЗреИрдиреНтАНрд╕реА рдЗрд▓реЗрдХреНтАНрдЯтАНрд░реЙрди рд╣реЛрддреЗ рд╣реИрдВ тАУ
a. рд╕рд╕рд╕рд▓рдХреЙрди
b. рдЬрд░рдореЗрдирдирдпрдо
c. рд╕рд╕рд╕рд▓рдХреЙрди рдПрд╡рдВ рдЬрд░рдордиреЗрдирдпрдо рджреЛрдиреЛрдВ d. рдЙрдкрд░реЛрдХреНтАНрдЯрдд рдореЗрдВ рд╕реЗ рдХреЛрдИ рдирд╣ рдВ
2.
After Doping of Antimoney and phosphorus which type of
semiconductor we get.
рдПрдиреНтАНрдЯ рдордиреА рддрдерд╛ рдлреЙрд╕реНтАНрдлреЛрд░рд╕ рдЕрд╢рджреБреНрдзрд┐рдпреЙ рдВрд╕рдорд▓рд╛рдиреЗ рдкрд░ рдЕрджреНреНрд┐рдЪрд╛рд▓рдХ рд╣реЛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ рдХреНрд░рдорд╢:
a. Donor, acceptor
b. Acceptor, donor
c. Donor, donor
d. Acceptor, donor
3.
рдПрдХ PN рдЬрдВрдХреНтАНрдЯтАНрд╢рди рдХреЗ рдбрд┐рдкрд▓ рд╢рди рдХреЗреНрд╖рддреНрд░ рдореЗрдВ -
a. P рд╕рд╛рдЗрд┐ рдкреЙрдЬрдЬрдЯрдЯрд╡ рддрдерд╛ N рд╕рд╛рдЗрд┐ рдирдирдЧреЗрдЯрдЯрд╡ рдЪрд╛рд░реНрдЬтАНрд┐ реН(charged) рд╣реЛ рдЬрд╛рддреА рд╣реИред b. N рд╕рд╛рдЗрд┐ рдкреЙрдЬрдЬрдЯрдЯрд╡ рддрдерд╛ P рд╕рд╛рдЗрд┐ рдирдирдЧреЗрдЯрдЯрд╡ рдЪрд╛рд░реНрдЬтАНрд┐ реНрд╣реЛ рдЬрд╛рддреА рд╣реИред c. P рд╕рд╛рдЗрд┐ рдореЗрдВ рд╣реЛрд▓ рдХрдиреНтАНрд╕рдиреИреНтАНрд░реЗрд╢рди рддрдерд╛ N рд╕рд╛рдЗрд┐ рдореЗрдВ рдЗрд▓реЗрдХреНтАНрдЯтАНрд░реЙрди рдХрдиреНтАНрд╕рдХреИреНтАНрдЯтАНрд░реЗрд╢рди рдЕрдзрд┐рдХ рд╣реЛ
рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред d. рдЙрдкрд░реЛрдХреНтАНрдЯтАНрдд рдореЗрдВ рд╕реЗ рдХреЛрдИ рдирд╣ рдВ
4.
рдЗрдЬрдиреНрд░рдЬрдиреНрдЬрдХ рдЕрджреНреНрд┐рдЪрд╛рд▓рдХ рдХреЗ рд╕рд▓рдП тАШFalseтАЩ рд╣реИ тАУ
a. рд╣реЛрд▓реНтАНрд╕ рдХреА рд╕рдВрдЦреНтАНрдпрд╛, рдЗрд▓реЗрдХреНтАНрдЯтАНрд░реЙрдиреЛрдВ рдХреА рд╕рдВрдЦреНтАНрдпрд╛ рд╕реЗ рдХрдо рд╣реЛрддреА рд╣реИ
b. рд╣реЛрд▓реНтАНрд╕ рдХрдиреНтАНрд╕рдиреИреНтАНрд░реИрд╢рди (p) рддрдерд╛ рдЗрд▓реЗрдХреНтАНрдЯтАНрд░реЙрди рдХрдиреНтАНрд╕рдиреИреНтАНрд░реИрд╢рди (n) рдХрд╛ рдЧрдгреБрдирдлрд▓ рдЬрд╕реНрдерд░ (Constant) рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИред
c. рдкрджрд╛рде реНрдХреА тАШnet charge densityтАЩ рд╢рдиреВреНтАНрдп рд╣реЛрддреА рд╣реИ
d. рдЙрдкрд░реЛрдХреНтАНрдЯтАНрдд рд╕рднреА
5.
How much energy required to break covalent bond
рдПрдХ рдЕрд┐ реНрдЪрд╛рд▓рдХ рдореЗрдВ рд╕рд╣рд╕рдВрдпреЛрдЬреА рдмрдиреНтАНрд┐ рдХреЛ рддреЛрдбрд╝рдиреЗ рдХреЗ рд╕рд▓рдпреЗ рдЖрд╡рд╢реНтАНрдпрдХ рдКрдЬрд╛реН тАУ
a. рдХрдВрд┐рдХреНтАНрдЯтАНрд╢рди рдмреИрдВрд┐ рдХреЗ рдКрдЬрд╛реН рдХреЗ рдмрд░рд╛рдмрд░ рд╣реЛрддреА рд╣реИ
b. рдлрдореА рд╕реНтАНрддрд░ рдХреА рдКрдЬрд╛реН рдХреЗ рдмрд░рд╛рдмрд░ рд╣реЛрддреА рд╣реИред c. рдмрдиреИреНтАНрд┐ рдЧреИрдк рдХреА рдКрдЬрд╛реН рдХреЗ рдмрд░рд╛рдмрд░ рд╣реЛрддреА рд╣реИред d. 2eV. рд╕реЗ рдЕрдзрд┐рдХ рд╣реЛрддреА рд╣реИред
6.
PN рдЬрдВрдХреНтАНрдЯтАНрд╢рди рдкрд░ рд░рд░рд╡рд╕ реНрдмрд╛рдпрд╕ рдПрдкреНтАНрд▓рд╛рдИ рдХрд░рди реЗрдкрд░ тАУ
a. рдмрд░реИрд░рдпрд░ рдкреЛрдЯреЗрдЬрдиреНрд╢рдпрд▓ рдШрдЯ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ
b. рдордЬреИреЙрд░рд░рдЯ рдХреИрд░рд░рдпрд╕ реНрдкреЛрдЯреЗрдЬрдиреНрд╢рдпрд▓ рдмрд░реИрд░рдпрд░ рдкрд░ рдиреАрдЪ реЗрдХреА рдУрд░ рдЪрд▓реЛ (flow down)
рдХрд░рдд реЗрд╣реИ
c. рдЙрд╖реНтАНрдореАрдп рд╡рд╡рдХреНрд╖реЛрдн рдХреЗ рдХрд╛рд░рдг рдЙрддреНтАНрдкрдиреНтАНрди (thermally generated) рдорд╛рдЗрдирдиреЙрд░рд░рдЯ рдХреИрд░рд░рдпрд╕ реНрдХреЗ рдХрд╛рд░рдг рд╕реЗрдЪрд░реЗреБрд╢рди рд┐рд╛рд░рд╛ рдкреНрд░рд╡рд╛рдЯрд╣рдд рд╣реЛрддреА рд╣реИ
d. P рд╕рд╛рдЗрд┐ рдореЗрдВ рдорд╛рдЗрдиреЙрд░рд░рдЯ рдХреИрд░рд░рдпрд╕ реНрд╣реЛрд▓реНтАНрд╕ N рд╕рд╛рдЗрд┐ рдХреА рдУрд░ рдЪрд▓рддреЗ рд╣реИрдВред
7.
рдЬреАрдирд░ рд┐рд╛рдпреЛрд┐ рдореЗрдВ тАУ
a. рдХреЗрд╡рд▓ P тАУ рдХреЗреНрд╖рддреНрд░ Heavily doped рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИред b. рдХреЗрд╡рд▓ N тАУ рдХреЗреНрд╖рддреНрд░ Heavily doped рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИред c. рджреЛрдиреЛрдВ P рддрдерд╛ N рдХреЗреНрд╖рддреНрд░ Heavily doped рд╣реЛрдд реЗрд╣реИред d. рджреЛрдиреЛрдВ P рддрдерд╛ N рдХреЗреНрд╖рддреНрд░ Lightly doped рд╣реЛрддреЗ рд╣реИред
8.
In P тАУ type semiconductors, number of holes is _____ the number of
electrons.
рдПрдХ P тАУ рдкреНрд░рдХрд╛рд░ рдХреЗ рдЕрд┐рдЪреНрд╛рд▓рдХ рдореЗрдВ рд░рд░рдЬрдХреНтАНрдЯрддрдпреЛрдВ рдХреА рд╕рдВрдЦреНтАНрдпрд╛, рдЗрд▓реЗрдХреНтАНрдЯтАНрд░реЙрдиреНтАНрд╕ рдХреА рд╕рдВрдЦреНтАНрдпрд╛ рд╕реЗ
......... рд╣реЛрддреА рд╣реИред
a. Equal to
рдмрд░рд╛рдмрд░
b. Greater than
рдЕрдзрд┐рдХ
c. Less than
рдХрдо
d. Twice
рджрдЧреБреБрдиреА
9.
In the tunnel diodes the tunneling phenomenon is based on the behavior
of тАУ
рдЯрдирд▓ рд┐рд╛рдпреЛрд┐ рдореЗрдВ, рдЯрдирд╕рд▓рдЧрдВ рдХреА рдШрдЯрдирд╛ рдХрдХрд╕ рд╡реНтАНрдпрд╡рд╣рд╛рд░ рдкрд░ рдЖрд┐рд╛рд░рд░рдд рд╣реИ тАУ
a. Lenz mechanical behavior
рд▓реЗрдиреНтАНрдЬ рдпрд╛рдЬрдиреНрддреНрд░рдХ рд╡реНтАНрдпрд╡рд╣рд╛рд░ b. Quantum mechanical behavior
рдХреНтАНрдЯтАНрд╡рд╛рдВрдЯрдо рдпрд╛рдЬрдиреНрддреНрд░рдХ рд╡реНтАНрдпрд╡рд╣рд╛рд░
c. Potential energy behavior
рдЬрд╕реНрдердирдд рдКрдЬрд╛реН рд╡реНтАНрдпрд╡рд╣рд╛рд░
d. Peak energy behavior
рд╕рд╢рдЦрд░ рдКрдЬрд╛реН рд╡реНтАНрдпрд╡рд╣рд╛рд░
10.
рдХрдХрд╕реА рдкрд░рд░рдкрде рдореЗрдВ рдЬреАрдирд░ рд┐рд╛рдпреЛрд┐ (Zener Diode) рд╕рджреИрд╡ рдХрдХрд╕ рддрд░рд╣ рдЬрдбреБрд╝рд╛ рд░рд╣рддрд╛ рд╣реИ ?
a. рдЕрдЧреНрд░ рд╡рд╛рдпрд╕рд╕рдд
Forward biased
b. рдкрд╢реНрд░рдЪтАН рд╡рд╛рдпрд╕рд╕рдд
Reverse biased
c. рд╕рдорд╛рдиреНтАНрддрд░ Parallel
d. рд╢реЗреНрд░рдгреА рдмрджреНрд┐
Series
11.
LED is power ratted in
LED рдХреА рдкреЙрд╡рд░ рд░реЗрдЯрдЯрдЧрдВ......... рдореЗрдВ рд╣реЛрддреА рд╣реИ ред
a. Watts
рд╡рд╛рдЯ рдореЗрдВ b. Miliwatt
рд╕рдорд▓ рд╡рд╛рдЯ
c. Kilowatt
рдХрдХрд▓реЛрд╡рд╛рдЯ
d. Megawatt
рдореЗрдЧрд╛рд╡рд╛рдЯ
12.
The potential barrier existing across P тАУ N Junction.
P тАУ N рдЬрдВрдХреНтАНрдЯтАНрд╢рди рдкрд░ рдореМрдЬреВрдж рд╡рд╡рднрд╡ рдкреНрд░рд╛рдЪреАрд░
a. Prevents flow of minority carriers
рдЕрд▓реНтАНрдкрд╕рдВрдЦреНтАНрдпрдХ рд╡рд╛рд╣рдХреЛрдВ рдХреЗ рдкреНрд░рд╡рд╛рд╣ рдХреЛ рд░реЛрдХрддрд╛ рд╣реИред b. Prevents flow of majority carriers
рдмрд╣реБрд╕рдВрдЦреНтАНрдпрдХ рд╡рд╛рд╣рдХреЛрдВ рдХреЗ рдкреНрд░рд╡рд╛рд╣ рдХреЛ рд░реЛрдХрддрд╛ рд╣реИред c. Prevents total recombination of holes and electrons
рдирд┐рджреНрд░реЛрдВ рдФрд░ рдЗрд▓реЗрдХреНтАНрдЯтАНрд░рд╛рдиреЛрдВ рдХреЗ рдкрдгреВ реНрдкрдиреБ: рд╕рдВрдпреЛрдЬрди рдХреЛ рд░реЛрдХрддрд╛ рд╣реИред d. Prevents neutralisation of acceptor and donor ions
рдЧреНрд░рд╛рд╣ рдФрд░ рджрд╛рддрд╛ рдЖрдпрдиреЛрдВ рдХреЗ рдирдирд╖реНтАНрдкреНрд░рднрд╛рд╡рди рдХреЛ рд░реЛрдХрддрд╛ рд╣реИред
13.
A LED emits light in _____ condition.
рдПрдХ рдПрд▓реж рдИреж рд┐реАреж ........... рдЕрд╡рд╕реНтАНрдерд╛ рдореЗрдВ рдкреНрд░рдХрд╛рд╢ рдЙрддреНтАНрд╕рдЬрдЬрддреН рдХрд░рддрд╛ рд╣реИред
a. Forward biased
рдЕрдЧреНрд░ рд╡рд╛рдпрд╕рд╕рдд
b. Reversed biased
рдкрд╢реНтАНрдЪ рд╡рд╛рдпрд╕рд╕рдд
c. Unbiased
рдЕрд╡рд╛рдпрд╕рд╕рдд
d. Unknown
рдЕрдЬреНрдЮрд╛рдд
14.
When pure semiconductor is heated, the resistance :
рдЬрдм рд╢рджреБреНрд┐ рдЕрд┐рдЪреНрд╛рд▓рдХ рдЧрд░рдо рдХрдХрдпрд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ, рдкреНрд░рдирддрд░реЛрд┐:
a. Increase
рдмрдврд╝рддрд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред b. Becomes Zero
рд╢рдиреВреНтАНрдп рд╣реЛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред c. Becomes Infinity
рдЗрдЬрдиреНрдлрдирдирдЯ рд╣реЛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред d. Decrease
рдХрдо рд╣реЛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред
15.
The PN junction behaves like a :
рдПрдХ PN рдЬрдВрдХреНтАНрдЯтАНрд╢рди рдмрддрд╛реНрд╡ рдХрд░рддреА рд╣реИ :
a. Limit Switch
рд╕рд▓рд╕рдордЯ рдЬрд╕реНрд╡рдЪ рдХреА рддрд░рд╣
b. Bidirectional Switch
рдмрд╛рдпрд┐рд╛рдпрд░реЗрдХреНтАНрдЯтАНрд╢рдирд▓ рдЬрд╕реНрд╡рдЪ рдХреА рддрд░рд╣
c. Control Switch
рдХрдВрд░реЛрд▓ рдЬрд╕реНрд╡рдЪ рдХреА рддрд░рд╣
d. Unidirectional Switch
рдпрдиреВрдирд┐рд╛рдпрд░реЗрдХреНтАНрдЯтАНрд╢рдирд▓ рдЬрд╕реНрд╡рдЪ рдХреА рддрд░рд╣
16.
The reverse breakdown phenomenon in a zenerdiode is known as :
рдЬреЗрдирд░ рд┐рд╛рдпреЛрд┐ рдореЗрдВ рдЙрддреНтАНрдХреНрд░рдо рднрдВрдЬрди рдкреНрд░рдХрдХрдпрд╛ рдХреЛ ............. рдХрд╣рддреЗ рд╣реИрдВ -
a. Avalanche effect
рдПрд╡рд▓рд╛рдВрдЪ рдкреНрд░рднрд╛рд╡
b. Hall effect
рд╣реЙрд▓ рдкреНрд░рднрд╛рд╡
c. Tunnel effect
рдЯрдирд▓ рдкреНрд░рднрд╛рд╡
d. Seebeck effect
рд╕реАрдмреЗрдХ рдкреНрд░рднрд╛рд╡
17.
In a junction diode :
рд╕рдВрдзрд┐ рд┐рд╛рдпреЛрд┐ рдореЗрдВ -
a. The depletion capacitance increase with the increase in the reverse
bias
рд╡реНтАНрдпрддреБрдХреНрд░рдореАрдп рдЕрд╕рднрдирдирдд рдореЗрдВ рд╡рджреГреНрдзрд┐ рдХреЗ рд╕рд╛рде рдЕрд╡рдХреНрд╖рдп рд╕рдВрд┐рд╛рд░рд░рдд рдмрдврд╝ рдЬрд╛рддреА рд╣реИред b. The depletion capacitance decrease with the increase in the reverse
bias
рд╡реНтАНрдпрддреБреНтАНрдХреНрд░рдореАрдп рдЕрд╕рднрдирдирдд рдореЗрдВ рд╡рджреГреНрдзрд┐ рдХреЗ рд╕рд╛рде рдЕрд╡рдХреНрд╖рдп рд╕рдВрд┐рд╛рд░рд░рддрд╛ рдШрдЯ рдЬрд╛рддреА рд╣реИред c. The depletion capacitance increase with the increase in the forward
bias
рдЕрдЧреНрд░ рдЕрд╕рднрдирдирдд рдореЗрдВ рд╡рджреГреНрдзрд┐ рдХреЗ рд╕рд╛рде рдЕрд╡рдХреНрд╖рдп рд╕рдВрд┐рд╛рд░рд░рддреНрд░ рдмрдврд╝ рдЬрд╛рддреА рд╣реИред d. None of these
рдЗрдирдореЗрдВ рд╕реЗ рдХреЛрдИ рдирд╣ рдВ
18.
The conduction of charge in N тАУ type semiconductors majority depends
upon :
N тАУ рдкреНрд░рдХрд╛рд░ рдХреЗ рдЕрд┐рдЪреНрд╛рд▓рдХреЛрдВ рдХреА рдЪрд╛рд▓рдХрддрд╛ рдордЦреБреНтАНрдпрдд: рдХрдХрди рдкрд░ рдирдирднрд░реН рдХрд░рддреА рд╣реИред
a. Electrons
рдЗрд▓реЗрдХреНтАНрдЯтАНрд░реЙрди
b. Holes
рд╣реЛрд▓
c. External pressure
рдмрд╛рд╣рд╛ рджрд╛рд╡
d. Electrons and holes both
рдЗрд▓реЗрдХреНтАНрдЯтАНрд░реЙрди рдПрд╡рдВ рд╣реЛрд▓ рджреЛрдиреЛрдВ
19.
The efficiency of a half wave rectifier is about :
рдЕрджреНреНрд┐ рддрд░рдВрдЧ рд░реЗрдЬрдХреНтАНрдЯрдЯрдлрд╛рдпрд░ рдХреА рджрдХреНрд╖рддрд╛ рд╣реЛрддреА рд╣реИ рд▓рдЧрднрдЧ:
a. 20%
b. 40%
c. 60%
d. 80%
20.
рд╕рд╕рд╕рд▓рдХреЙрди PN рдЬрдВрдХреНтАНрдЯтАНрд╢рди рд┐рд╛рдпреЛрд┐ рдХреА 25┬░C рддрд╛рдкрдорд╛рди рдкрд░ рдмрд░реИрд░рдпрд░ рд╡реЛрд▓реНтАНрдЯрддрд╛ рд╣реЛрддреА рд╣реИ тАУ
a. 0.3 рд╡реЛрд▓реНтАНрдЯ
b. 0.5 рд╡реЛрд▓реНтАНрдЯ
c. 0.7 рд╡реЛрд▓реНтАНрдЯ
d. рд╡реЛрд▓реНтАНрдЯ
21.
рдХрдХрд╕ рддрд░рд╣ рдХрд╛ рдЙрдкрдХрд░рдг рд┐рд╛рдпреЛрд┐ рд╣реИрдВ ?
a. рд░реЗрдЦреАрдп
b. рдПрдХрдзреНрд░рд╡реБреАрдп
c. рдЕрд░реЗрдЦреАрдп
d. рдЙрдкрдпреБрдХреНреНтАНрдЯтАНрдд рдореЗрдВ рд╕рднреА
22.
рдЗрдВрдЯрд░рдЬрдЬрдВрдХ рдЕрджреНреНрд┐рдЪрд╛рд▓рдХ рдХрд╛ рддрд╛рдк тАУ рдЧрдгреБрд╛рдХрдВ рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ тАУ
a. рдЛрдгрд╛рддреНтАНрдордХ
b. рд┐рдирд╛рддреНтАНрдордХ
c. рд╢рдиреВреНтАНрдп
d. рдЕрд┐рд╛рддреБрдУрдВ рдХреА рддрд░рд╣
23.
P тАУ N рдЬрдВрдХреНтАНрдЯтАНрд╢рди рд┐рд╛рдпреЛрд┐ рдореЗрдВ рдХреМрди рд╕рд╛ рдХрдерди рд╕рддреНтАНрдп рд╣реИ ?
a. рдлрд╛рд░рд╡рд┐ реНрдмрд╛рдпрд╕реНтАНрд┐ рд╣реЛрдиреЗ рдкрд░ рдпрд╣ рдЙрдЪтАНрдЪ рдкреНрд░рдирддрд░реЛрд┐ рдкреНрд░рд╕реНтАНрддрд╛рд╡рд╡рдд рдХрд░рддрд╛ рд╣реИред b. рдлрд╛рд░рд╡рд┐ реНрдмрд╛рдпрд╕реНтАНрд┐ рд╣реЛрдиреЗ рдкрд░ рдпрд╣ рдирдирдореНтАНрди рдкреНрд░рдирддрд░реЛрд┐ рдкреНрд░рд╕реНтАНрддрд╛рд╡рд╡рдд рдХрд░рддрд╛ рд╣реИред c. рд░рд░рд╡рд╕ реНрдмрд╛рдпрд╕реНтАНрд┐ рд╣реЛрдиреЗ рдкрд░ рдпрд╣ рдирдирдореНтАНрди рдкреНрд░рдирддрд░реЛрд┐ рдкреНрд░рд╕реНтАНрддрд╛рд╡рд╡рдд рдХрд░рддрд╛ рд╣реИред d. рдмрд╛рдпрд╕рд╕рдЧрдВ рдХрд╛ рд░рд╛рдВрдЬрдЬрд╕реНтАНрдЯрд░ рдХреЗ рдкреНрд░рдирддрд░реЛрд┐ рдкрд░ рдХреЛрдИ рдкреНрд░рднрд╛рд╡ рдирд╣ рдВ рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИред
24.
The number of junctions in a semiconductor diode is :
рдЕрджреНреНрд┐рдЪрд╛рд▓рдХ рд┐рд╛рдпреЛрд┐ рдХреЗ рдХрдХрддрдиреА рд╕рдВрдзрд┐ рд╣реЛрддреА рд╣реИ
a. Two
b. Four
c. Three
d. One
25.
A simple half wave rectifier made with a single diode and a single load
resistor converts an AC voltage to тАУ
рдПрдХ рд╕рд╛рд┐рд╛рд░рдг рддрд░рдВрдЧ рдЯрджрд╖реНтАНрдЯрдХрд╛рд░ рдПрдХ рдПрдХрд▓ рд┐рд╛рдпреЛрд┐ рд╕реЗ рдирдирд╕рдорддреН рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ рдФрд░ рдПрдХ рдПрдХрд▓
рднрд╛рд░ рдкреНрд░рдирддрд░реЛрд┐ рдПрдХ AC рд╡рд╡рднрд╡ рдХреЛ рдкрд░рд░рд╡рдирддрддреН рдХрд░рддрд╛ рд╣реИ -
a. An essentially constant dc voltage
рдПрдХ рдЕрдирдирд╡рд╛рдп реНрд░реВрдк рд╕реЗ рдЬрд╕реНрдерд░ рд┐реАрд╕реА рд╡реЛрд▓реНтАНрдЯреЗрдЬ
b. A sinusoidal voltage which has a DC shift (offset)
рдПрдХ рд░реНрдЬтАНрдпрд╛ рд╡реНрд░рдХреАрдп рд╡рд╡рднрд╡ рдЬрдЬрд╕рдореЗрдВ DC рд╕рд╢рдлреНрдЯ рд╣реЛ (рдкреНрд░рдирдд рд╕рдВрддреБрд▓рди)
c. A waveform that has only the positive or the negative half of the input
sinusoidal
рдПрдХ рддрд░рдВрдЧ рд░реВрдк рдЬрдЬрд╕рдореЗрдВ рдЖрдЧрдд рд░реНрдЬтАНрдпрд╛ рд╡рдХреНрд░ рдХреЗ рдХреЗрд╡рд▓ рд┐рдирд╛рддреНтАНрдордХ рдпрд╛ рдЛрдгрд╛рддреНтАНрдордХ рднрд╛рдЧ рд╣реЛ d. Another ac voltage that is phase shifted by 180 degrees from the
original voltage
рдПрдХ рдЕрдиреНтАНрдп AC рд╡рд╡рднрд╡ рдЬреЛ рдорд▓реВ рд╡рд╡рднрд╡ рд╣реЛ 180 рдЕрдВрд╢ рдХрд▓рд╛рдВрддрд░ рдореЗрдВ рд╣реЛ
26.
In a bridge rectifier, the minimum number of diodes is
рдмреНрд░рд┐рдЬ рд░реЗрдХреНтАНрдЯтАНрдЯ рдлрд╛рдпрд░ рдореЗрдВ рд┐рд╛рдпреЛрд┐реЛрдВ рдХреА рдиреНтАНрдпрдиреВрддрдо рд╕рдВрдЦреНтАНрдпрд╛ рдХреНтАНрдЯтАНрдпрд╛ рд╣реЛрдирд╛ рдЪрд╛рдЯрд╣рдП ?
a. One
b. Two
c. Three
d. Four
27.
Which of the following devices can c0nvert ac power to dc power ?
рдирдирдореНтАНрдирд╕рд▓рдЦрдЦрдд рдореЗрдВ рд╕реЗ рдХреМрди рд╕реА рдпрдЬреБрдХреНтАНрдЯрдд рдкреНрд░рддреНтАНрдпрд╛рд╡рддреА рд┐рд╛рд░рд╛ рдХреЛ рдЯрджрд╖реНтАНрдЯ рд┐рд╛рд░рд╛ рдореЗрдВ рдкрд░рд░рд╡рдирддрддреН рдХрд░ рд╕рдХрддреА рд╣реИ ?
a. Alternator
рдЕрд▓реНтАНрдЯрд░рдиреЗрдЯрд░
b. Generator
рдЬреЗрдирд░реЗрдЯрд░ c. Rectifier
рд░реЗрдХреНтАНрдЯтАНрдЯ рдлрд╛рдпрд░ d. Transformer
рд░рд╛рдВрд╕рдлрд╛рдорд░реН
28.
What will be the output frequency of full wave rectifier, if the input
frequency is 50 Hz ?
рдкрдгреВ реНрддрд░рдВрдЧ рдЯрджрд╖реНтАНрдЯрдХрд╛рд░ рдХреА рдЙрддреНтАНрдкрд╛рджрди рдЖрд╡рдиреГрдд рдХреНтАНрдЯтАНрдпрд╛ рд╣реЛрдЧреА, рдЕрдЧрд░ рдЗрдирдкрдЯреБ рдЖрд╡рдиреГрдд 50 Hz рд╣реИ
?
a. 25 Hz
b. 50 Hz
c. 75 Hz
d. 100 Hz
29.
The electrical circuit used in a rectifier circuit in order to achieve a
constant DC supply is called as
рдПрдХ рд╕рдорд╛рди рд╕рдкреНтАНрд▓рд╛рдИ рдкреНрд░рд╛рдкреНтАНрдд рдХрд░рди реЗрдХреЗ рд╕рд▓рдП рд░реЗрдЬрдХреНтАНрдЯрдЯрдлрд╛рдпрд░ рдкрд░рд░рдкрде рдореЗрдВ рдкреНрд░рдпрдХреБреНтАНрдЯтАНрдд рдкрд░рд░рдктАНрде
рдХрд╣рд▓рд╛рддрд╛ рд╣реИ ред
a. Oscillator
рдУрдВрд╕реАрд▓реЗрдЯрд░ b. Filter
рдХрдлрд▓реНтАНрдЯрд░
c. Amplifier
рдкреНрд░рд╡рд┐рдХреН
d. Logic gate
рд▓реЙрдЬрдЬрдХ рдЧреЗрдЯ
30.
рдпрдЯрдж рдлреБрд▓ рд╡реЗрд╡ рд░реЗрдЬрдХреНтАНрдЯрдЯрд╛рдпрд░ рдореЗрдВ рдЗрдирдкрдЯреБ рд╕рд╕рдирд╕реБреЛрдИрд┐рд▓ рд╡реЛрд▓реНтАНрдЯреЗрдЬ рдХреА рдЖрд╡рдиреГрдд f рд╣реИ, рддреЛ рдиреНтАНрдпрдиреВрддрдо
рд░рд░рдкреНтАНрдкрд▓ рдЖрд╡рдиреГрдд рд╣реЛрдЧреА :
a. f
b. 2f
c. 3f
d. f/2
31.
A ______ is used to convert AC to DC and it has ____ broad
classifications.
______AC рдХреЛ DC рдореЗрдВ рдкрд░рд░рд╡рдирддрддреН рдХрд░рддрд╛ рд╣реИ рдФрд░ рдЗрд╕рдХреЗ _____ рдордЦреБреНтАНрдп рдкреНрд░рдХрд╛рд░ рд╣реИрдВ -
a. Oscillator, 2
рджреЛрд▓рдХ, 2
b. Amplifire, 3
рдПрдореНтАНрдкреНтАНрд▓ рдлрд╛рдпрд░, 3
c. Amplifire,4
рдПрдореНтАНрдкреНтАНрд▓ рдлрд╛рдпрд░, 4
d. Rectifire, 2
рд░реЗрдЬрдХреНтАНрдЯрдЯрдлрд╛рдпрд░,2
32.
рдХрдХрд╕реА рд░рд╛рдЬрдВрдЬрд╕реНтАНрдЯрд░ рдХрд╛ рдЙрдкрдпреЛрдЧ рд╣реЛ рд╕рдХрддрд╛ рд╣реИ -
a. рдкреНрд░рд╡рджреНреНрд┐рдХ рдХреЗ рд░реВрдк рдореЗрдВ b. рдЬрд╕реНрд╡рдЪ рдХреЗ рд░реВрдк рдореЗрдВ
c. (a) рддрдерд╛ (b) рджреЛрдиреЛрдВ рдХреЗ рд░реВрдк рдореЗрдВ
d. рдЙрдкрд░реЛрдХреНтАНрдЯтАНрдд рд╕рднреА
33.
Which one of the following transistor circuit has the lowest voltage gain ?
рдирдирдореНтАНрдирд╕рд▓рдЦрдЦрдд рдореЗрдВ рд╕реЗ рдХрдХрд╕ рд░рд╛рдВрдЬрдЬрд╕реНтАНрдЯрд░ рдкрд░рд░рдкрде рдореЗрдВ рд╡реЛрд▓реНтАНрдЯреЗрдЬ рдЧреЗрди рдирдирдореНтАНрдирддрдо рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ ?
a. Common collector
рд╕рд╛рдорд╛рдиреНтАНрдп рд╕рдВрдЧреНрд░рд╛рд╣рдХ
b. Common base
рд╕рд╛рдорд╛рдиреНтАНрдп рдЖрд┐рд╛рд░ c. Common emitter
рд╕рд╛рдорд╛рдиреНтАНрдп рдЙрддреНтАНрд╕рдЬрдХреН
d. Common collector тАУ emitter
рд╕рд╛рдорд╛рдиреНтАНрдп рд╕рдВрдЧреНрд░рд╛рд╣рдХ тАУ рдЙрддреНтАНрд╕рдЬрдХреН
34.
Which of the following is not a part of transistor ?
рд░рд╛рдВрдЬрдЬрд╕реНтАНрдЯрд░ рдХрд╛ рднрд╛рдЧ рдирдирдореНтАНрдирд╕рд▓рдЦрдЦрдд рдореЗрдВ рд╕реЗ рдХреМрди рд╕рд╛ рдирд╣ рдВ рд╣реИ ?
a. Collector
рд╕рдВрдЧреНрд░рд╛рд╣рдХ
b. Emitter
рдЙрддреНтАНрд╕рдЬрдХреН
c. Anode
рдПрдиреЛрд┐
d. Base
рдЖрд┐рд╛рд░
35.
Conventional flow of current in a P тАУ N тАУ P transistor is from :
P тАУ N тАУ P рд░рд╛рдВрдЬрдЬрд╕реНтАНрдЯрд░ рдореЗрдВ рд┐рд╛рд░рд╛ рдХрд╛ рдкреНрд░рд╡рд╛рд╣ ......... рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИред
a. Emitter to Base
рдЙрддреНтАНрд╕рдЬрдХреН рдореЗрдВ рдЖрд┐рд╛рд░ рдХреА рддрд░рдл
b. Base to Emitter
рдЖрд┐рд╛рд░ рд╕реЗ рдЙрддреНтАНрд╕рдЬрдХреН рдХреА рддрд░рдл
c. Base to Collector
рдЖрд┐рд╛рд░ рд╕реЗ рд╕рдВрдЧреНрд░рд╛рд╣рдХ рдХреА рддрд░рдл
d. Emitter to Collector
рдЙрддреНтАНрд╕рдЬрдХреН рд╕реЗ рд╕рдВрдЧреНрд░рд╛рд╣рдХ рдХреА рддрд░рдл
36.
Both current gain and voltage gain is more than unity in -
рд┐рд╛рд░рд╛ рддрд░рдл (Current gain) рддрдерд╛ рд╡рд╡рднрд╡ рд▓рд╛рдн (Voltage gain) рджреЛрдиреЛрдВ рдЗрдХрд╛рдИ рд╕реЗ
рдЕрдзрд┐рдХ рд╣реЛрддреЗ рд╣реИрдВ -
a. CB configuration
CB рд╡рд╡рдиреНтАНрдпрд╛рд╕ рдореЗрдВ b. CE configuration
CE рд╡рд╡рдиреНтАНрдпрд╛рд╕ рдореЗрдВ c. CC configuration
CC рд╡рд╡рдиреНтАНрдпрд╛рд╕ рдореЗрдВ d. Voltage and current gain cannot be more than unity.
рд╡рд╡рднрд╡ рддрдерд╛ рд┐рд╛рд░рд╛ рд▓рд╛рдн рдЗрдХрд╛рдИ рд╕реЗ рдЕрдзрд┐рдХ рдирд╣ рдВ рд╣реЛ рд╕рдХрддреЗред
37.
On increasing temperature, the collector current
рддрд╛рдкрдХреНрд░рдо рдмрдврд╝рди реЗрдкрд░, рдХрд▓реЗрдХреНтАНрдЯтАНрдЯрд░ рд┐рд╛рд░рд╛:
a. Increase
рдмрдврд╝рддреА рд╣реИред b. Decrease
рдШрдЯрддреА рд╣реИ
c. Becomes zero
рд╢рдиреВреНтАНрдп рд╣реЛ рдЬрд╛рддреА рд╣реИред d. Remains unchanged
рдЬрд╕реНрдерд░ рд░рд╣рддреА рд╣реИред
38.
In comm0n base (CB) NPN transistor circuit, the value of current gain
(╬▒) is :
рдорд▓реВ рдЖрд┐рд╛рд░ (CB) NPN рд░рд╛рдЬрдВрдЬрд╕реНтАНрдЯрд░ рд╕рдХрдХреНрдЯ рдореЗрдВ, рд┐рд╛рд░рд╛ (╬▒) рдХрд╛ рдорд▓реВреНтАНрдп рд╣реИ:
a. Unity
рдЗрдХрд╛рдИ
b. Less than unity
рдЗрдХрд╛рдИ рд╕реЗ рдХрдо
c. More than unity
рдЗрдХрд╛рдИ рд╕реЗ рдЕрдзрд┐рдХ
d. Zero
рд╢рдиреВреНтАНрдп
39.
рдПрди.рдкреА.рдПрди (NPN) рд░рд╛рдЬрдВрдЬрд╕реНтАНрдЯрд░ рдХреЛ рдкреА.рдПрди.рдкреА (PNP) рд░рд╛рдВрдЬрдЬрд╕реНтАНрдЯрд░ рдХреА рддреБрд▓рдирд╛ рдореЗрдВ рд╡рд░ рдпрддрд╛ рдж рдЬрд╛рддреА рд╣реИ, рдЗрд╕рдХрд╛ рдХрд╛рд░рдг рд╣реИ тАУ
a. рдЙрдЪтАНрдЪ рдЗрд▓реЗрдХреНтАНрдЯтАНрд░реЙрди рдЧрдирдд рдХреЗ рдХрд╛рд░рдг
b. рдЙрдЪтАНрдЪ рд╣реЛрд▓ рдЧрдирдд рдХреЗ рдХрд╛рд░рдг
(a) рддрдерд╛ (b) рджреЛрдиреЛрдВ
d. рдЗрдирдореЗрдВ рд╕реЗ рдХреЛрдИ рдирд╣ рдВ
40.
рдПрдХ рд░рд╛рдЬрдВрдЬрд╕реНтАНрдЯрд░ рдореЗрдВ рд╣реЛрддреЗ рд╣реИ
a. рдПрдХ PN рдЬрдВрдХреНтАНрдЯтАНрд╢рди
b. рджреЛ PN рдЬрдВрдХреНтАНрдЯтАНрд╢рди
c. рддреАрди PN рдЬрдВрдХреНтАНрдЯтАНрд╢рди
d. рдЪрд╛рд░ PN рдЬрдВрдХреНтАНрдЯтАНрд╢рди
41.
Which of the following is a faster device ?
рдирдирдЬрдореНтАНрдитАНрд▓рдЦрдЦрдд рдореЗрдВ рд╕реЗ рдХреМрди рд╕рдмрд╕реЗ рдЕрдзрд┐рдХ рддреАрд╡реНрд░ (Faster) рдЬрд╕реНрд╡рдзрдЪрдЧрдВ рдбрд┐рд╡рд╛рдЗрд╕ рд╣реИ тАУ
a. UJT
b. JFET
c. MOSFET
d. Triode value
42.
An FET has
рдПрдХ FET рдореЗрдВ -
a. Two terminals
b. Four terminals
c. Three terminals
d. No terminals
43.
Silicon controller rectifier is a device of
рд╕рд╕рд╕рд▓рдХреЙрди рдирдирдпрддреНрд░рдВрдХ рд░реЗрдХреНтАНрдЯтАНрдЯ рдлрд╛рдпрд░ рдирдирдореНтАНрдирд╕рд▓рдЦрдЦрдд рдХреА рдПрдХ рдпрдЬреБрдХреНтАНрдЯрдд рд╣реИред
a. Two layer and one junction
b. Three layer and two junction
c. Four layers and three junction
d. Five layers and four junction
44.
MOSFET stands for
MOSFET рд╣реИ -
a. Mercury oxide silicate field effect Transistor
b. Magnesia Oxide Silicate Full effect Transistor
c. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
d. Mercury Oxide Semiconductor Full effect Transistor
45.
рдПрдХ рдПрдХрд▓рд╕рдВрдзрд┐ рд░рд╛рдЬрдВрдЬрд╕реНтАНрдЯрд░ (unijunction transistor ) рдореЗрдВ рдХреНтАНрдЯтАНрдпрд╛ рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ ?
a. рдПрдиреЛрд┐, рдХреИрдереЛрд┐ рдФрд░ 2 рдЧреЗрдЯ
b. рджреЛ рдПрдиреЛрд┐
c. рджреЛ рдЖрд┐рд╛рд░ рдПрдХ рдПрд╕рдордЯрд░ d. рдПрдХ рдПрдиреЛрд┐, рдПрдХ рдХреИрдереЛрд┐, рдПрдХ рдЧреЗрдЯ
46.
P type semiconductor is -
P рдЯрд╛рдЗрдк рдЕрджреНреНрд┐рдЪрд╛рд▓рдХ рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ тАУ
a. Positively charge
рдкреЙрдЬрдЬрдЯрдЯрд╡рд▓ рдЪрд╛рдЬ реН
b. Negatively charge
рдирдирдЧреЗрдЯрдЯрд╡рд▓ рдЪрд╛рдЬ реН
c. Neutral
рдЙрджрд╛рд╕реАрди
d. None
рдХреЛрдИ рдирд╣ рдВ
47.
Which of following is a resistance component :
рдирдирдореНтАНрдирд╕рд▓рдЦрдЦрдд рдореЗрдВ рд╕реЗ рдХреМрди тАУ рд╕рд╛ рдкреНрд░рдирддрд░реЛрд┐рдХ рдШрдЯрдХ рд╣реИ -
a. LED
b. Photo diode
c. LDR
d. SCR
48.
рдЗрд▓реЗрдХреНтАНрдЯтАНрд░реЙрдирдирдХреНтАНрдЯтАНрд╕ рдореЗрдВ рдкреНрд░рдпрдХреБреНтАНрдЯтАНрдд рд╢рдмреНтАНрдж тАШPCBтАЩ рдХрд╛ рддрддреНтАНрдкрдп реНрд╣реИ тАУ
a. рдкреЙрдЬрдЬрдЯрдЯрд╡ рдХрд░рдВрдЯ рд╡рд╛рдпрд░рд░рдЧрдВ
b. рдкрд╕рдиреНрд▓ рдХрдореНтАНрдпрдиреВрдирдХреЗрд╢рди рдмреЙрдХреНтАНрдЯтАНрд╕
c. рд╡рдкреНрд░рдЯреЗрдВрд┐ рд╕рдХрдХреНрдЯ рдмреЛрд┐ реН
d. рдкрд╕рдиреНрд▓ рдХрдореНтАНрдкреНрдпрдЯреВрд░ рдмреЙрдХреНтАНрдЯтАНрд╕
49.
Which one of the following is a passive device ?
рдирдирдореНтАНрдирд╕рд▓рдЦрдЦрдд рдореЗрдВ рдирдирдЬрд╖реНрдХреНрд░рдп рд╕рд╛рд┐рди рдХреМрди рд╕рд╛ рд╣реИ ?
a. FET
b. SCR
c. BJT
d. Air core inductor
50.
FET рдХрдХрд╕ рдкрд░ рдкрд░рд░рдЪрд╛рд╕рд▓рдд рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ ?
FET Operating on -
a. рдХреЗрд╡рд▓ рдордЦреБреНтАНрдп рд╡рд╛рд╣рдХ
Only Mejority carrier
b. рдкреЙрдЬрдЬрдЯрдЯрд╡ рд░реВрдк рд╕реЗ рдЖрд╡рд╕реЗрд╢рдд рдЖрдпрди
Positively charge Ion
c. рдХреЗрд╡рд▓ рдЕрд▓реНтАНрдк рд╕рдВрдЦреНтАНрдпрд╛ рд╡рд╛рд╣рдХ
Only Minority Carrier
d. рдЙрдкрдпреБрдХреНреНтАНрдЯтАНрдд рд╕рднреА All of these
THANK YOU