INFORMACION GENERALDDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), significa transmisin doble de datos cuarta generacin: se trata de el estndar desarrollado por la firma Samsung para el uso con futuras tecnologas. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso de tecnologa tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cules tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta, y segn las imgenes liberadas por el sitio Web, 240 terminales, las cules estn especializadas para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generacin. Tambin se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con conectores fsicamente independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM.DDR4 entrega mayor rendimiento, capacidades DIMM ms elevadas, una mejora en la integridad de los datos y ofrece un menor consumo de energa.Llegando a ms de 2 Gbps por pin y con menor consumo de energa que DDR3L, (DDR3 de Bajo Voltaje), DDR4 proporciona aumento en el rendimiento y un ancho de banda de hasta 50%, mientras disminuye el consumo de energa de su entorno de informtica en general. Esto representa una mejora significativa sobre las tecnologas de memoria anteriores y un ahorro de energa de hasta 40%.Adems de un rendimiento optimizado y ms ecolgico, computacin de bajo costo, DDR4 tambin proporciona controles de redundancia cclica (CRC) para mejorar la confiabilidad de los datos, deteccin de la paridad en el chip para la verificacin de la integridad de transferencias de comando y direccin sobre un enlace, una mayor integridad de la seal y otras robustas caractersticas RAS.

PARTES DE UNA MEMORIA DDR4

1.- Tarjeta:es una placa plstica sobre la cul estn soldadas los componentes de la memoria.2.-Chips:son mdulos de memoria voltil.3.- Conector de 240 terminales:base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR4.4.- Muesca:indica la posicin correcta dentro de la ranura de memoria DDR4.

CARACTERISTICAS

Cuentan con 288 terminales para la conexin a la Motherboard. Cuentan con una muesca en un lugar estratgico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta para evitar que se inserten en ranuras inadecuadas. Como sus antecesores, pueden estar no ocupadas todas sus ranuras para memoria. Utiliza la tecnologa de 30 nanmetros para su fabricacin. Los mdulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288 pinesDIMM. La velocidad de datos por pin, va de un mnimo de 1,6 GT/s hasta un objetivo mximo inicial de 3,2 GT/s. Las memorias DDR4 SDRAM tienen un mayor rendimiento y menor consumo que las memorias DDR predecesoras.Tienen un gran ancho de banda en comparacin con sus versiones anteriores.

VOLTAJE DE ALIMENTACIN DE UNA MEMORIA DDR4 Tiene un voltaje de alimentacin de 1.2 Volts, menor a las anteriores por lo que segn la firma, es ms ecolgica.

FUNCIONAMIENTO DE LA MEMORIA DDR4

1. La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica el valor 1.2. La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo indica el valor 0.3. Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la informacin se pierde.4. Este tipo de celdas tienen un fenmeno de recarga constante ya que tienden a descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 un 1, esto se le llama "refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente poco eficaces.

CAPACIDAD DE UNA MEMORIA DDR4

DDR4 con 240 terminales en un solo mdulo su capacidad puede ser de las siguientes: 2 GB, 4 GB, 8 GB y 16 GB

Tambien hay kids de 2 y 4 mdulos y su capacidad seria de 32GB Y 64GB respectivamente.

PRECIOS

Como es evidente, es el proceso que seguirn las memorias DDR4, en cuanto a la evolucin de su precio en el mercado. No obstante, teniendo en cuenta que actualmente superan en un 50% de media el precio de las DDR3, no sera complicado que a finales del prximo ao 2015, finalmente, se alcance la diferencia esperada inicialmente de tan solo el 30% de sobrecoste con respecto a la tecnologa ms generalizada de ahora, una generacin de memorias anterior que, tambin debe sealarse, continuar bajando de precio a un ritmo similar.

VentajasSus principales ventajas en comparacin conDDR2yDDR3son una tasa ms alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos (2133 a 4266 MT/s en comparacin con DDR3 de 800M a 2.133MT/s),la tensin es tambin menor a sus antecesoras (1,2 a 1,05 para DDR4 y 1,5 a 1,2 para DDR3) DDR4 tambin apunta un cambio en la topologa descartando los enfoques de doble y triple canal, cada controlador de memoria est conectado a un mdulo nico.DesventajasNo es compatible con versiones anteriores por diferencias en los voltajes, interfaz fsica y otros factores.Bibliografia1. http://media.kingston.com/pdfs/HX_Predator_DDR4_US.pdf2. http://www.informaticamoderna.com/Memoria_DDR4.htm3. http://www.kingston.com/latam/memory/ddr44. http://computadoras.about.com/od/memorias/a/Ddr-4.htm

ANEXOS

DescripcinDDR3DDR4Beneficio

Densidades del chip512Mb a 8Gb4Gb a 16GbMayores capacidades en mdulos DIMM

Data Rates800Mb/s 2133Mb/s1600Mb/s 3200Mb/sMigration to Higher-Speed I/O

Voltaje1.5V1.2VReduccin de la demanda de energa para la memoria

Norma de voltaje bajoS (DDR3L a 1.35V)Anticipado a 1.1VReducciones de energa para la memoria

Bancos internos816Ms bancos

Grupos de bancos (BG)04Accesos de rfaga ms rpidos

Entradas VREF2 DQs y CMD/ADDR1 CMD/ADDRVREFDQ Ahora interno

tCK habilitado con DLL300MHz a 800MHz667MHz a 1.6GHzMayores velocidades de transmisin de datos

tCK deshabilitado con DLL10MHz 125MHz (opcional)Indefinido para 125MHzDLL-off es ahora totalmente compatible

Latencia en lecturaAL + CLAL + CLValores ampliados

Latencia en escrituraAL + CWLAL + CWLValores ampliados

Controlador DQ (ALT)40 48 ptimo para aplicaciones PtP

Bus DQSSTL15POD12Menos ruido y energa de E/S

Valores RTT (en )120, 60, 40, 30, 20240, 120, 80, 60, 48, 40, 34Compatible con velocidades de transmisin de datos ms elevadas

No se permite RTTRfagas de READDesactiva durante rfagas de lecturaFacilidad de uso

Modos ODTNominal, DinmicoNominal, Dinmico, EstacionarModo de control adicional; Cambio de Valor OTF

Control ODTSe requiere sealizacin ODTNO se requiere sealizacin ODTFacilidad de control ODT; Permite enrutamiento qye no es ODT, Aplicaciones PtP

Registro multi-propsitoCuatro registros - 1 Definido, 3 RFUCuatro registros - 3 Definido, 1 RFUProporciona lectura especializada adicional

Tipos de DIMMRDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMMRDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM

Contactos DIMM240 (R, LR, U); 204 (SODIMM)288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)

RASECCCRC, Paridad, Direccionabilidad, GDMMs caractersticas RAS; integridad de datos mejorada

ESCUELA SUPERIOR POLITCNICA DE CHIMBORAZOFACULTAD: INFORMTICA Y ELECTRNICAESCUELA: INGENIERIA ELECTRONICA EN CONTROL Y REDES INDUSTRIALESCARRERA: INGENIERIA EN ELECTRONICA, CONTROL Y REDES INDUSTRIALES

CONSULTA DE INVESTIGACIN DE ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS.QUINTO B

TEMA: (MEMORIA DDR4)

DATOS GENERALES:

NOMBRE: Roberto Crdova 427

FECHA DE REALIZACIN: FECHA DE ENTREGA: 01/07/2015 8/07/2015