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UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA Amplificadores de Potencia Electrónica Analógica II INTEGRANTES: Berenice Arguero T. Armando Alomoto Danilo Sigcha T. Vinicio Méndez. Guillermo Quinteros. 5to Ingeniería Electrónica Quito, 11 de Marzo del 2010

Amplificadores de Potencia

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Page 1: Amplificadores de Potencia

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA

Amplificadores de Potencia

Electrónica Analógica II

INTEGRANTES: Berenice Arguero T. Armando Alomoto Danilo Sigcha T. Vinicio Méndez. Guillermo Quinteros.

5to Ingeniería Electrónica

Quito, 11 de Marzo del 2010

Page 2: Amplificadores de Potencia

Introducción

REQUERIMIENTOS EN ETAPAS DE SALIDA

La etapa de salida debe:

Entregar una potencia apreciable.

Ser capaz de manejar cargas de baja impedancia.

La distorsion de la señal debe ser baja.

La distorsion se mide con un factor de calidad TDH (distorsion armónica total).

El TDH de los amplificadores de alta fidelidad es inferior a 0,1%.

TDH es el valor rms de los componentes armónicos de la señal de salida

REQUERIMIENTOS EN POTENCIA DE cd

La potencia dc debe ser lo mas pequeña posible para que la eficiencia sea muy grande

El aumento en eficiencia disminuye la potencia entregada por la fuente y la potencia disipada por el transistor

Baja potencia de cd minimiza el tamaño de disipadores y puede eliminar la necesidad de ventiladores.

Los requerimientos de los amplificadores de potencia son distintos a los amplificadores de baja potencia

Page 3: Amplificadores de Potencia

Clasificación de los amplificadores de Potencia

CLASE C

El transistor conduce un

intervalo menor que un semiciclo.

El ángulo de conduccion es Ɵ=180º

ic=Ip senwt

Las mitades negativas de la corriente del colector son aportadas por otro

transistor.

La corriente del colector tiene

distorsión mucho mayor que la corriente generada por los otros

amplificadores.

Son utilizados en amplificadores de radiofrecuencia.

CLASE AB

El transistor está polarizado con una

corriente cd distinta de cero mucho menor a la amplitud pico de la corriente de salida

ca.

Conduce poco más de la mitad de un ciclo de

la señal de entrada.

El ángulo de conducción es mayor a 180º y mucho

menor a 360º.

180<Ɵ<<360º

ic=Ic+Ip senwt

Ic<Ip

Las mitades negativas de la onda senoidal son aportadas

por otro transistor que funciona como clase AB y

conduce un intervalo ligeramente superior al

semiciclo negativo.

Las corrientes de ambos transistores forman las

corrientes de carga por eso conduce durante un

intervalo cercano a cero.

CLASE B

El transistor está polarizado con

una corriente de cd igual a 0.

Conduce solo medio ciclo de

la señal de entrada.

El ángulo de conducción es

Ɵ=180º.

ic=Ip senwt

Las mitadesnegativas de la ondasenoidal sonaportadas por otrotransistor quefunciona en tipo B yconduce durante lossemiciclos alternos.

CLASE A

La corriente de polarización cd del colector Ic es mayor que la amplitud de la corriente de salida de ca Ip.

El transistor de un amplificador clase A conduce durante todo el ciclo de señal de entrada.

El ángulo de conducción es:

Ɵ =wt =360º.

ic=Ic+Ip senwt

Ic>Ip

La clasificacion se basa en la forma de onda de corriente del colector producida por una señal

senoidal de entrada

Page 4: Amplificadores de Potencia

Seguidores de Emisor

CARACTERISTICAS

Impedancia de salida baja.

Impedancia de entrada muy grande.

Ganacia en voltaje casi unitaria.

Valor grande de la resistencia de carga.

FORMAS DE LA SEÑAL

Despreciando el voltaje de

saturación el voltaje de salida Vo puede variar desde -Vcc hasta

Vcc.

POTENCIA DE SALIDA Y EFICENCIA

La eficiencia y potencia de

salida vienen dadas porlas

formulas:

CARACTERISTICA DE TRANSFERENCIA

Cuando V1=0 es decir Vo=-VBE la

caracteristica tiene un voltaje de offset por lo

tanto para Ic>0 q esta activado y

se desactiva cuando Ic=0 e

Io=-IR

Un seguidor de emisor es un amplificador tipo A.

Page 5: Amplificadores de Potencia

Amplificador Clase A

Caracteristicas

Carece de estabilidad en su

polarizacion

No es adecuada para

amplificadores de potencia

Se utiliza para deducir la eficiencia

en potencia

La eficiencia puede incrementar hasta 50% con una carga

acoplada por transformador

Conduce una corriente continua de polarización. La eficiencia máxima en potencia es solo del 25% de la cifra de merito que

es la relación de la disipación máxima de potencia de colector

respecto a la potencia de salida máxima .

Características de trasferencia:

El Vin esta relacionada

ala Ic

La Potencia de salida y eficiencia esta dada

por:

Ps =Vcc.Ic

La eficiencia de la conversión

η=Pl/Psx100%

Carga promedio o potencia de salida PL=VpIp/2 ,Vp e Ip

son valores pico

Vpl=(np/ns)Vsl Ipl=(ns/np)Isl

ns, np son los devanados

Page 6: Amplificadores de Potencia

Calidad Del Amplificador

Fm=Pc(máx)/Pl (máx) y esta dada

por:

Pc=VccIc/2Fm=

(VccIc/2)/

(VccIc)

ηmáx=

2Vcc(2Ic)/8VccIc=50%

Amplificador de emisor= Vcc/2

Caracaterísticas De Transferencia

Vo=Rl(Ir-ic1)

Se tiene que:

Vo=RlIr=Rl=(Vcc-VBE2)/R1

Vo < V salida +

máx (Vcc-Vce(sat))

y Rl≥R1

Aumenta el Vin e

Iq se incrementa

Page 7: Amplificadores de Potencia

Amplificador Clase B en contrafase

Un amplificador clase b en

contrafase tiene un transistor pnp y un npn seguidos

uno de otro

La eficiencia de potencia máxima es

78.5%

La cifra de merito máxima es de solo

20%

La corriente de polarización de cd es

cero

Conduce solo en 180º, es

decir, medio ciclo

Características

Vi>0 Vce(max)=Vcc-VcE1(sat)

El transistor Qp se

mantiene desactivado

Qn opera como

seguidor de emisor

Vi<0

-VcE(max)=-(Vcc-VcE(sat))=

-Vcc+VcE2(sat)

Qn se mantiene desactivado y Qp

funciona como seguidor de emisor

Page 8: Amplificadores de Potencia

Minimización De La Zona

Muerta

Mediante una retroalimentación con un amplificador operacional

Se limita la I extraída del amplificador operacional

Conexión de serie y paralelo sin que Vo y Vi difieren en

VbE/A=10⁵

Se reduce a 7uV R1

Forma De Onda De La Señal

2Pc=Pcd-Pl

Fm=Pc(max)/Pl(max)

Vcc²/Π²R’l/Vcc²/2Rl

=20%

La recta de carga de ca Icd=2(Ic1)=2Ip/Π

R’l0(np/ns)²Rl

η(max)=Pl(max)/Pdc=78.5%

Page 9: Amplificadores de Potencia

Eficiencia potencial

η=Pl/Ps=(Π/4)(Vp/Vcc)

η=50% cuando Vp=2Vcc/Π

η=78.5% cuando Vp=Vcc

La potencia esta dada por:

PL(max)=I²pRl/2=V²cc/2Rl

Polarización

Etapa de ganancia Q1 yQ2 voltaje de polarización VbE

Vi<0 Q2 desactivado Q1 funciona como

amplificador

Vi>0 Q1 desactivado Q2 funciona como

amplificador

Se utiliza la fuente de alimentación Vcc

como un divisor de voltaje

La caída de voltaje del diodo es similar

al voltaje base-emisor del transistor

Page 10: Amplificadores de Potencia

Amplificador Clase AB complementarios

en contrafase

Características

Es similar al amplificador

clase B

Tiene una polarización de cd aun cuando

el voltaje de entrada es cero

Comúnmente el amplificador se

polariza con diodos y con una fuente activa

de corriente

Los amplificadores de clase AB exhiben un voltaje de salida de

desvío

Cuando el voltaje de

entrada es cero

Se puede aplicar retroalimentación para reducir el voltaje offset

Page 11: Amplificadores de Potencia

Amplificadores clase AB en

cuasicomplementarios en contrafase

Debido a que los transistores pnp tienen una capacidad limitada de corriente, la etapa de salida complementaria sólo es adecuada para entregar una potencia de carga de unos cuantos cientos de miliwatts o menos.

Si se requiere una potencia de salida de varios watts o más, deberán utilizarse transistores npn

Partiendo de un transistor pnp QP y de un transistor npn de alta potencia QN1, se puede fabricar un transistor pnp compuesto. Esta configuración, se conoce como etapa de salida cuasicompletaria

Etapa de salida de clase AB cuasicomplementaria

El amplificador cuasicomplementario utiliza un transistor pnp, que puede entregar una potencia de salida más grande que un dispositivo pnp normal.

Transistor pnp equivalente

Estrucutura

El par formado por QP y QN1 es equivalente a un transistor pnp. La corriente del colector de

QP ésta dada por: T

EBPSCP

V

VII exp

La corriente compuesta del colector IC es la corriente del emisor de QN1

P

EBP

SfeCPfeCV

VIhIhI exp)1()1(

El transistor pnp compuesto puede ser remplazado por una combinación MOS-bipolar que se conoce como PMOS compuesto. La característica de transferencia total del PMOS compuesto está dada por:

2)(2

)1()1( tGS

on

feDPfeD VVL

WChIhI

Por tanto, el PMOS compuesto tiene una relación W/L que es (1+ hfe ) veces mas grande que la correspondiente a un dispositivo PMOS normal.

PMOS equivalente

Page 12: Amplificadores de Potencia

Amplificador clase AB acoplado por transformador, con

retroalimentación en serie-paralelo

DEFINICIÓN

Amplificadores clase AB en contrafase

acoplados por transformador

CIRCUITO

El circuito amplificador clase AB es

idéntico al de clase B, excepto en

que se polariza ligeramente hacia la

conducción, de manera que por Q1

y Q2 fluya una corriente de

polarización IQ

CARACTERISTICAS DE CIRCUITO

*La corriente IQ se obtiene haciendo que VBB sea un poco mayor que VBE=VBE1(=VBE2≈0.7V).

*Se pueden seleccionar los resistores R1 y R2 para obtener el valor deseado de VBB.

*Los amplificadores acoplados por transformador ofrecen una elevada eficiencia en potencia, sufren de no linealidades y de distorsión por las características no lineales de los transformadores.

*Etapa de salida para una salida de alta potencia.

*Un seguidor de emisor para acoplamiento de impedancia

*Etapa de emisor común para ganancia de voltaje

*El amplificador tiene

3 etapas:

*Los efectos no lineales y la distorsión se pueden eliminar aplicando una retroalimentación negativa en serie – paralelo.

La retroalimentación en serie –paralelo

le da al amplificador las características

deseables de una baja impedancia de

salida y una elevada impedancia de

entrada. La ganancia total en voltaje

Af. Depende en gran parte de la red de

retroalimentación, por lo que;

Page 13: Amplificadores de Potencia

Protección contra cortocircuito y

protección térmica

La etapa de salida normalmente está protegida contra cortocircuito y contra una elevación excesiva de la temperatura.

Protección Térmica Protección contra cortocircuito

Transistor y un resistor

Si ocurre un cortocircuito en la carga , una gran corriente fluirá por ,produciendo un alto voltaje . El transistor se activa llevándose una gran corriente de polarización , reduciendo la corriente de base de

a un nivel seguro.

caídas de voltaje de los resistores

de emisor disminuirán el voltajes

de salida ; estabilizan la

corriente de polarización

protegiendo a , y contra el

embalamiento térmico.

Dos transistores y tres resistores y un diodo

zener

El transistor esta desactivado. Si la temperatura aumenta , el voltaje

disminuye, por el coeficiente negativo de temperatura de , y el voltaje zener aumenta. El voltaje en el emisor de se eleva y el voltaje de la base de también aumenta. Si la elevación de la temperatura es adecuada, se activa y se desvía la corriente de referencia del amplificador, desconectándolo .

La elevación máxima permisible de temperatura esta dada por:

Funcionamiento

Funcionamiento

Formado

Formado

Page 14: Amplificadores de Potencia

Amplificadores operacionales de

Potencia

Tiene una ganancia de lazo abierto muy grande( > )

La impedancia de entrada muy alta ( hasta )

Corriente de polarización de entrada muy baja

La potencia de salida ca por lo general es baja

Consiste de los transistores ; polarizan a

las transistores El transistor proporciona corriente positiva de la carga hasta que el voltaje de ,lo que activa a quien proporciona corriente adicional de la carga. La etapa formada por y Alimenta la corriente a la carga, y actúa como elevador de corriente.

y estabilizan la polarización .

Los amplificadores de potencia de circuito integrado se conocen como amplificadores operacionales de potencia. Están conformados por una etapa diferencial, una etapa de ganancia y una etapa de salida con un elevador de corriente.

Los amplificadores operacionales de potencia normalmente se utilizan con retroalimentación, y están compensados para la respuesta en frecuencia mediante una capacitancia interna en la ganancia.

Características

Estructura

Amplificadores de potencia de circuito integrado

Existe una gran cantidad de amplificadores de potencia que combinan una pastilla convencional de amplificador operacional con un elevador de corriente. Algunos ya cuentan con una retroalimentación negativa interna que da una ganancia en voltaje de lazo cerrado fija, otras no cuentas con la retroalimentación en el circuito integrado. Analizaremos dos de estos amplificadores operacionales representativos: el LH0021 y el LM380 fabricados por National Semiconductor.

Page 15: Amplificadores de Potencia

Amplificador operacional de potencia LH0021

Está diseñado para funcionar con una fuente de alimentación de +/- 25V, que es capaz de proporcionar una excursión de voltaje de salida pico de aproximadamente 12V a una carga de 10Ω en todo el rango de frecuencia, hasta 15 KHz.

El circuito puede dividirse en tres etapas:

Formada por los transistores Q1 a Q4

polarizados por Q7, que consumen corrientes de base de Q3 y Q4. Los transistores Q5 y Q6 constituyen una carga activa de espejo de corriente

Es una configuración de emisor

común y formado por Q9y Q10

conectado como par Darlington. El

transistor Q8 sirve como una fuente

activa de corriente para esta etapa

.El capacitor C1 es el capacitor de

compensación para separar los

polos, conectado en una

retroalimentación en paralelo -

paralelo

Es un circuito de clase AB complementario en contrafase. Está formada por los transistores Q13, Q14, Q15, Q16,

Q17 y Q18.Los diodos D3 y D4 proporcionan el voltaje de polarización.

Etapa de entrada diferencial Etapa de Ganancia Etapa de salida

Los transistores Q13, Q14 actúan como elevador de corriente. Los resistores RC1 y RC2 limitan las corrientes a través de Q13 y Q14

respectivamente activando Q15, Q16.

Page 16: Amplificadores de Potencia

Amplificador Operacional de potencia LM380

Está diseñado para funcionar con una sola fuente de alimentación, en un rango de 12-22V. La potencia de salida pude ser tan alto como 5W con una carga de 10Ω.la distorsión de salida es menor al 3%. El circuito puede dividirse en tres etapas:

Etapa de entrada diferencial

Formada por los transistores pnp Q3 a Q6, el

transistor Q3 está polarizado por Q10, el transistor Q4 esta polarizado a través de R2 por una corriente de cd que proviene de la terminal de salida

Q5 y Q6 sirven para la carga

activa de espejo de

corriente para esta etapa.

Q1 y Q2 actúan como

seguidores de emisor. R1 y

R2 proporcionan

trayectorias de cd parar las

corrientes de base Q3 y Q4

Etapa de Ganancia

Formado por Q12 tiene una

configuración de emisor-común.

Q11 sirve como carga activa de

fuente de corriente para la etapa

de ganancia.

El capacitor Ces el capacitor de

compensación para separar los

polos y su función es dar un

ancho de banda amplio.

Etapa de salida

Es un circuito de clase AB complementario en contrafase. Está formada por los transistores Q8, Q9, Q´9.

Los diodos D1 y D2 proporcionan el voltaje de polarización para la operación de clase AB.

Los resistores de emisor R6 y

R7 dan estabilidad a la

polarización, R2 proporciona

la retroalimentación de cd del

voltaje de salida de cd Vo al

emisor de Q4.

Page 17: Amplificadores de Potencia

Consideraciones Térmicas

Los transistores de potencia disipan grandes

cantidades de potencia. La disipación de

potencia en calor que provoca el aumento de

temperatura de la unión de colector.

RESISTENCIA TÉRMICA

DISIPADOR DE CALOR Y FLUJO DE CALOR

DISIPACIÓN DE POTENCIA EN FUNCIÓN DE LA TEMPERATURA

Es una medida de

transferencia de calor.

Sus unidades son C/W

Con el fin de mantener

la temperatura de la

unión por debajo de

Tj(max), el transistor se

monta sobre un

disipador de calor que

facilita la eliminación de

calor del dispositivo

La temperatura ambiente en

el TA y la temperatura en el

encapsulado TC se relacionan

con la disipación de Potencia

PD

1. Conducción desde la unión hasta el

encapsulado a través de una resistencia

térmica y del encapsulamiento al disipador

de calor

2. Convención desde el en ambiente a

través de una resistencia térmica y del

disipador de calor al ambiente a través de

una resistencia

3. Radiación de transferencia de

calor dependerá de la capacidad de

emisión de la superficie y del área

El calor se transfiere del dispositivo al aire mediante uno de tres métodos

Page 18: Amplificadores de Potencia

Diseño de Amplificadores de

Potencia

El diseño de un amplificador de potencia

consiste principalmente en el diseño de la

etapa de salida que involucra

1.Identificar las

especificaciones de la

etapa de salida de

resistencia de carga

RL y los voltajes de

alimentación

2. Seleccionar el

tipo de operación

de salida: por lo

general, operación

clase B o clase AB.

3. Determinar los

valores nominales de

voltaje y de corriente

de todos los

transistores.

4. Determinar los

valores nominales. Y la

potencia de todos los

resistores

5.Seleccionar el tipo

de circuito de

polarización de

cd.Determinar las

especificaciones de los

componentes activos y

pasivos

6.Seleccionar los

transistores de

potencia que cumplen

con los

requerimientos de

voltaje, corriente y

potencia. Determinar

su temperatura

máxima de unión

7.Determinar la

disipación de potencia

de los transistores y la

resistencia térmica

deseada del disipador

de calor.

8.Utilizar

PSpice/SPICE para

simular y verificar el

diseño, utilizando los

valores estándar de

los componentes

junto con sus

tolerancias

Page 19: Amplificadores de Potencia

CONCLUSIONES:

En este capítulo pudimos entender las principales características de los

amplificadores de potencia.

Los amplificadores operacionales de potencia son compensados mediante la

respuesta en frecuencia de la capacitancia interna.

Los Requerimientos de los Amplificadores de Potencia son distintos los

requerimientos de los amplificadores de baja señal de potencia.

Nos dimos cuenta que las disipaciones máximas de potencia viene especificada

por el fabricante que por lo general es 25° C.

La eficiencia de un Amplificador clase A es de 25% comparada con la de un

amplificador clase B que es de 50%

BIBLIOGRAFÍA:

Muhammad H.Rashid / Circuitos Micro Electrónicos/ Quinta Edición /

Editorial Thompson/ Capitulo 14 / Paginas: 723-764