AC/DC Converter 一次電源デバイスカタログ · 2019. 8. 29. · 03 一次電源デバイスカタログ一次電源製品マトリックス電力別ラインアップ入力

A C / D C C o n v e r t e r

一次電源デバイスカタログVer.1.1

01 一次電源デバイスカタログ

セットの省エネ化が求められるなかで、今まではアプリケーション回路や二次

側電源を中心に見直されて来ましたが、近年は一次電源も含めて「高効率

化」や「低消費電力化」を実現する電源設計が各電器製品メーカーで課題と

なっています。また、Energy StarやCoC、DoEなどの法規制により、電源

設計への関心がかつてないほどに高まっています。

ロームは今まで培った電源テクノロジをもとに一次電源ICと周辺ディスク

リート部品を含めたトータルソリューションを提案しています。より安定性、

安全性が求められる一次電源システムを高次元で提供します。

一次電源ICには、高効率・低待機電力・低ノイズを実現する多くの特長ある

回路設計技術が内蔵されています。

ロームでは、お客様のさまざまなご要望におこたえできる、ICやディスクリート

製品を取り揃えています。また、製品ラインアップの詳細と新規電源の特性が

確認できる各種アプリケーションサポートツール*を準備しています。

（例） ●Xコンデンサ放電回路　　　　●軽負荷時バースト動作●軽負荷時音鳴り改善回路　　●VCCリチャージ回路●低電流シャントレギュレータ　●ピークドライブ回路　　など

INDEX 電源方式別製品概要

ローム一次電源トータルソリューション

一次電源製品マトリックス

AC/DCコンバータ製品開発ポリシー

MOS内蔵シリーズ（バックコンバータ方式）

MOS内蔵シリーズ（PWMフライバック方式）

MOS外付けシリーズ

PFCシリーズ

二次側同期整流ICシリーズ

SiC MOSFET内蔵AC/DCシリーズ

P.02

P.03

P.04

P.05

P.09

P.13

P.15

P.16

P.17

一次電源の技術動向

*P20参照

02一次電源デバイスカタログ

電源ブロックの効率化、待機電力等の特性面や高い信頼性を確保するためには、IC単体のみでなく、ディスクリート製品やその他周辺アイテムを含んだ電源ブロック全体の検討が必要不可欠です。ロームでは、ICやディスクリート製品に加え、電源特性や高信頼化に必要な周辺アイテムをトータルソリューションによってご提案しています。ロームが提供するトータル電源ブロック回路を、是非一度ご検討ください。

ロームのトータルソリューション提案

IC

ディスクリート

その他

F1

C8

LF1

BD1D6

C11

R9

R7

R6R10C6

IC2

PC1

14

C4R3

23

R8

R4 C2

D3

T1

C1

C20

4 1

5 7 8

AC IN

IN1

IN2

D

S

GND FB

VCC R5

C3

C7

D4

VOUT

GND

VOUT

IC1BM2P0**

第4世代ファストリカバリダイオード RFS/RFLシリーズ

第3世代ファストリカバリダイオード RFNL/RFVシリーズ

ツェナーダイオード

シャント抵抗器

高信頼性抵抗器製品別特長とラインアップ

第3世代トレンチ構造 SiC MOSFET

第3世代 SiC ショットキーバリアダイオード

第2世代スーパージャンクションMOSFET（600V、650V）

方式別回路図

PFC IC（力率改善IC）

アプリケーションサポート

ロームグループ主要拠点

P.18

P.20

P.20

P.21

P.23

P.25

P.29

P.30

P.31

P.33

P.35

P.37

絶縁回路例

ロームのAC/DCコンバータシステムは、トータル電源ソリューションとして提案いたします


一次電源製品マトリックス電力別ラインアップ

電力入力セットITEM

AC/DC PFC 同期整流 MOSFET ファストリカバリダイオード/ツェナーダイオード抵抗器

30W以下

家電産業機器

MOS内蔵BM2Pxxxシリーズ

MOS（SiC）内蔵BM2SCQ12xTシリーズ

BD7690FJBD7691FJBD7692FJ



30～75Wプリンタ産業機器他

MOS外付けBM1Q104（擬似共振）

BM1P101（PWM）MOS（SiC）内蔵

BM2SCQ12xTシリーズ

－

開発中

開発中

1chBM1R001xxFシリーズ

75～150WTV

Audio産業機器


BM1P101（PWM）BM1C102（PFC+QR）

150～300Wレーザープリンタ他

－

300～500W ゲーム機他


BM1P101（PWM）BM1C102（PFC+QR）

2chBD85506F

500～1,000W以上

産業機器他－

100V系

200V系

▶P.21～28 ▶P.29～32 ▶P.33～36

ローム一次電源は、電力/セット/ITEM別の提案が可能です


高効率高信頼性

待機時低消費電力

一次電源でもっとも重要なポイントです。AC/DCコンバータ ICは、高耐圧起動回路/コントローラ/スイッチングMOSFETのマルチチップ構成としています。

Xコンデンサ放電機能、低電流シャントレギュレータ内蔵等の回路技術とディスクリートを含むトータル電源提案により、お客様のセットの待機時低消費電力実現に貢献します。

ローム独自のスーパージャンクションMOSFETを内蔵することに加えて、IC回路電流削減、二次側同期整流技術、その他各種回路技術により高効率を実現し、市場の強いニーズにおこたえします。

高耐圧ブロックと低耐圧ブロックの分離

外部からの過電圧、サージ破壊に強い、信頼性の高い製品

3つのキーワード（高信頼性・高効率・待機時低消費電力）

②650V/800V 起動チップ①650V/800V MOSFET　

③コントロールLSI

◆ 650V/800V ローム独自のMOSFET内蔵◆ 軽負荷時オリジナルバースト回路◆ 高効率擬似共振回路◆ 二次側同期整流

◆ Xコンデンサ放電回路◆ 低消費起動回路◆ 低消費電力回路技術

一次電源の特長・開発ポリシーは、高信頼性・高効率・待機時低消費電力です。この３つのキーワードは、近年市場で一番強く求められています。

高信頼性

高効率

待機時低消費電力

AC/DCコンバータ製品開発ポリシー


挿入部品

面実装部品

バックコンバータ方式の特長

フライバック方式との比較

豊富なラインアップを取り揃えています。■パッケージ：SOP8/DIP7/TO220

■出力電力：45Wクラスまで（電源仕様による）■周波数：65kHz～130kHz

■各種保護回路内蔵

■ 概要

フライバック方式バックコンバータ方式

■ 技術トレンド待機時消費電力削減が大きなテーマとなっています。高効率を実現するためIC内部回路電流を抑えた各種ラインアップを取り揃えています。

電源回路部トランス

フライバックAC/DC

MOSFET

LDO

電源回路部コイル

スイッチングDC/DC

バックコンバータAC/DC

MOSFET

挿入部品が多い挿入部品が少ない

1pcs

5pcs

6pcs

0pcs ▼1pcs削減

2pcs ▼3pcs削減

2pcs ▼4pcs削減

挿入部品

面実装部品

MOS内蔵シリーズMOS内蔵シリーズ

（バックコンバータ方式）MOS内蔵シリーズ

（PWMフライバック方式） MOS外付けシリーズ PFCシリーズ二次側同期整流ICシリーズ


1

4 5

7

8VCC

GND_IC

DRAIN

22μF/450VD1

600V/0.8A

D2600V/0.2A

L

6

2

3

Filter

330μH

100μF 10kΩ

1.0μF

VOUT

GND

該当デバイス

アプリケーション

BM2Pxxxシリーズ

家電製品産業機器TV

AC/DC

バックコンバータ方式

トランス

コンデンサ

抵抗器

コンデンサ

抵抗器

トランス


回路技術

基板スペース大幅削減　バックコンバータ（トランスレス回路を実現）

●電流センス抵抗を内蔵することにより、オープン・ショート時の信頼性向上

●外付け部品の大幅削減により、基板面積の削減と設計容易性を実現

●コイルに流れる電流は、MOSFETのON時しかモニタできない→ローム独自の保護回路により、破壊防止

●コントロール電圧とコイル電流が固定→コントロール電圧、コイル電流、パッケージ　ごとの豊富なラインアップを提供

部品点数を大幅に削減

（大電力 < 15W） (小電力 < 5W)

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

2.0

10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25

Coik peakCurrent(A)

Coik Voltage(V)

0.3

0.60.45

0.9

1.2

1.5

2.0

10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25

Coik peakCurrent(A)

Coik Voltage(V)

Planning DS MP

Current SenseResistor

Fuse

エラーアンプ

VIN VOUT

GND

CNT

VCC

FB

GND

DRAINSOURCE

FUSE

BM2Pxx1

GND

VIN

GND

VOUT

GND

CNT

DRAIN

GND_IC

VCC

BM2PxxP

DIPパッケージ

メリット

デメリットへの対策

SOPパッケージ



●フォトカプラレス：AC/DC

●スイッチング周波数：100kHz/65kHz

●PWM カレントモード●周波数ホッピング機能●バースト動作

●ドレイン定格電圧：～650V/800V

●動作時回路電流：0.40mA(Typ)

●バースト時回路電流：0.25mA(Typ)

●スイッチング周波数：100kHz(Typ)

特性

●650V/800V 起動回路内蔵●650V/800V スーパージャンクションMOSFET内蔵●VCC端子低電圧保護/過電圧保護●パルスバイパルスの過電流リミッタ●ソフトスタート●エラーアンプ内蔵による部品点数削減

SOP8W(Typ) × D(Typ) × H(Typ)

5.00mm × 6.20mm × 1.71mm

DIP7KW(Typ) × D(Typ) × H(Typ)

9.27mm × 6.35mm × 8.63mm

pitch：2.54mm(Typ)

特長

アプリケーション回路図パッケージ

ブロック図

S

QR

+ー

7

41

VCC

VCC UVLOStarter

DRAIN

VCC OVP

OLP64ms/512ms

Timer

BurstComparator

100μsFilter

InternalRegulator

Internal Block

DRIVER

Super JunctionMOSFET

ThermalProtection

+ー

+ー

+ー

+ー

ReferenceVoltage

PWMComparator

+ー

PWM Contorol

OSC

MAXDUTY

FrequencyHopping

ReferenceVoltage

CurrentLimitter

+ー

ReferenceVoltage

+ー

Dynamic CurrentLimitterLogic

&Timer

Soft Start

Leading-EdgeBlanking Time

CurrentSensing

GND_IC

1

4 5

7

8VCC

GND_IC

DRAIN

D1

D2

L

6

2

3

FilterAC

Input

330μHVOUT

GND


MOS内蔵シリーズ（PWMフライバック方式） MOS外付けシリーズ PFCシリーズ二次側同期整流

ICシリーズSiC MOSFET内蔵

AC/DCシリーズ

MOS内蔵シリーズバックコンバータ方式


PackagePart No.BreakDownVoltage(V)

On resistanse(Typ)(Ω)

On resistanse(Max)(Ω)

Frequency(kHz)

FrequencyReduction

VCC OVPOutput Voltage

(V)Peak Current

(A)X-Cap.

Discharge Function

BM2P109TFBM2P129TFBM2P139TFBM2P135TFBM2P137TKFBM2P159PFBM2P159T1FBM2P189TFBM2P209TFBM2P249TFBM2P137QKFBM2P134QFBM2P107QKFBM2P104QFBM2P249QBM2P137QKBM2P134QBM2P107QKBM2P104QBM2P101VBM2P101WBM2P101XBM2P121WBM2P121XBM2P131WBM2P131XBM2P141WBM2P141XBM2P151WBM2P151XBM2P181WBM2P061FKBM2P061GKBM2P101FKBM2P101GKBM2P131FKBM2P131GKBM2P133EKBM2P061EBM2P101EBM2P131EBM2P064EBM2P104EBM2P134EBM2P064EFBM2P104EFBM2P134EF

DIP7K

DIP7K

DIP7K

DIP7AK

SOP8

650

800

650

650 1.00

8001.60

3.30

0.955

3.00

3.00

650

650

800

650

800

650

650

800

650

800

650

9.50

4.50

7.50

9.50

9.50

9.50

9.50

9.50

7.50

4.00

7.50

4.00

9.50

7.50

4.00

7.50

4.00

2.00

2.15

4.80

1.35

4.00

4.00

12.50

6.50

10.50

12.50

12.50

12.50

12.50

12.50

10.50

4.50

10.50

4.50

12.50

10.50

4.50

10.50

4.50

10.00

12.00

13.00

14.20

15.00

18.00

20.00

24.80

13.00

10.00

24.80

13.00

10.00

0.80

10.00

12.00

13.00

14.00

15.00

18.00

0.45

0.45

0.45

0.45

0.45

0.30

0.45

0.45

0.45

0.45

0.80

0.80

0.80

0.80

0.80

0.80

1.10

1.50

1.10

1.50

1.10

1.50

1.10

1.50

1.10

1.50

1.10

SSOP8S

65

65

65

100

130

65

100

130

65

100

130

100

130

100

100

Auto Restart

Auto Restart

Auto Restart

ExternalSetting

ExternalSetting

External Setting

Auto Restart

Auto Restart

バックコンバータ方式ラインアップ


Power

～70W

～25W

Time

650V starter650V MOSFET(Ron = 1.4Ω)PWM typeFsw = 65kHz

STBY<25mW

BM2P01xT

低オン抵抗

低ノイズ

高速周波数

オリジナルバースト機能

入力ブラウンインアウト

Xコンデンサ放電機能

など

次世代

650V/800V starter650V/800V MOSFETPWM typeFsw = 65kHz

STBY<25mW

BM2Pxx1シリーズ

650V/800V starter650V/800V MOSFETPWM typeFsw = 65kHz/100kHzFor non-isolated type

STBY<25mW

BM2PxxxPシリーズ

650V/800V starter650V/800V MOSFETPWM typeFsw =65kHz,100kHz,130kHz

STBY<25mW

BM2PxxxEシリーズ650V starter650V/800V MOSFETPWM typeFsw = 100kHzXコンデンサ放電機能

STBY<15mW

BM2PxxxCシリーズ

1,700V 1.4ΩSiC MOSFET InsideQR Linear typeFsw = 120kHz (Max)690VAC入力対応内部ゲートクランパ回路

▶P.17

BM2SCQ12xTシリーズ

フライバック

TO220-7

フライバック

DIP7SOP8

PWMフライバック方式の特長

以下のさまざまなラインアップを取り揃えています。■パッケージ：SOP8/DIP7K/TO220

■出力電力：45Wクラスまで（電源仕様による）■周波数：65kHz～130kHz

■さまざまな保護回路内蔵

■ 概要 ■ 技術トレンド待機電力の削減が大きなテーマとなっています。高効率を実現する回路電流を絞った各種ラインアップを取り揃えています。

F1

C8

LF1

BD1D6

C11

R9

R7

R6R10C6

IC2PC1

14

C4R3

23

R8

R4 C2

D3

T1

C1

C20

4 1

5 7 8

AC IN

IN1

IN2

D

SGND FB

VCCR5

C3

C7

D4

VOUT

GND

VOUT

AC/DCコンバータロードマップ（MOSFET内蔵 PWMフライバック方式）

バック

MOS内蔵シリーズ（PWMフライバック方式）

該当デバイス


BM2Pxxxシリーズ


AC/DC

MOS内蔵シリーズ PWMフライバック方式

MOS内蔵シリーズ（バックコンバータ方式） MOS外付けシリーズ PFCシリーズ二次側同期整流


AC/DCシリーズ


回路技術

CH4:VOUT

1.0V/div

CH3:VCC

2.5V/div

CH2:VH50V/div

CH1:Vac50V/div

Time100ms/div

Evaluation Result（AC264V/IO=0A/Cx=4.0μF）

Xコンデンサ放電機能内蔵AC/DC　　　

外付けの放電抵抗なしでXコンデンサを放電　Xコンデンサ容量値　最大6.8μF放電可能

待機時低消費電力に大きく貢献

放電必要放電抵抗削除放電時の電流経路

放電制御

起動回路制御

+

ー

起動回路

AC電圧検出

放電1

放電2

AB


Pin No.

1

2

3

4

5

6

7

VCC

FB

GND

LATCH

VH

DRAIN

DRAIN

I

I

I/O

I

I

I/O

I/O

Power supply input pin

Feedback signal input pin

GND pin

External latch pin

AC voltage startup pin

MOSFET DRAIN pin

MOSFET DRAIN pin

Oin Name I/O Funcution

PWMフライバック方式（Xコンデンサ放電【待機時低消費電力】）

●PWM ピーク電流制御

●軽負荷時バースト動作

●650V 起動回路内蔵●800V スーパージャンクション MOSFET内蔵●高電圧センス回路内蔵●VCC端子 OVP/UVLO 保護●AC電圧補正過電流保護●外部LATCH機能(LATCH端子)

●Xコンデンサ放電機能

●VCC電圧範囲：1.9V～26.0V

●スイッチング周波数：100kHz

●動作時回路電流：700μA(Typ.)

●動作温度範囲：－40℃～＋105℃●ドレイン定格電圧：800V

●最大ドレイン電流（パルス）：8.0A

特性

DIP7KW(Typ.) × D(Typ.) × H(Typ.)

9.27mm × 6.35mm × 8.63mm

pitch：2.54mm(Typ.)

特長

アプリケーション回路図

PIN配置/パッケージ

ブロック図


MOS内蔵シリーズ（PWMフライバック方式） MOS外付けシリーズ PFCシリーズ二次側同期整流


AC/DCシリーズ

MOS内蔵シリーズ PWMフライバック方式

ACInput

FilterFuse

DiodeBridge

DRAIN

VCC FB GND LATCH

DRAIN HV

ErrorAMP

ACInput

Filter

HV

FuseDiodeBridge

+ー

+ー

+ー

+ー

ClampCircuit

InternalRegulator

+ー

+ー

ErrorAMP

+ー

5VCC

VCC UVLO

VCC OVP

CVCC

1DRAIN

6.7

StartupCircuit

GND

3

SuperJundtionMOSFET

Driver

S

R Q

Filter

Filter

Filter

InternalRegulator

Burst Comparator

PWMComparator

OSCFrequenoyHopping

PWMControl

LATCH

4

FB FB CLP

2

1/4

RA

MaxmumDuty

Soft Start AC inputCompensation

Leading EdgeBlanking

CurrentDetection

Intemal Block

SlopeCompensation


PackagePart No.

Part No.

BreakDownVoltage(V)



Frequency(kHz)

FrequencyReduction

VCC OVP BR UVLO BR OVPX-Cap.

Discharge Function

BM2P26CKBM2P011BM2P012BM2P013BM2P014BM2P031BM2P032BM2P033BM2P034BM2P051BM2P052BM2P053BM2P054BM2P091BM2P092BM2P093BM2P094BM2P0141BM2P0322BM2P039BM2P0391BM2P051FBM2P052FBM2P053FBM2P054FBM2P091FBM2P092FBM2P093FBM2P094FBM2P0522FBM2P0922FBM2P074KFBM2P012TBM2P014T

DIP7K

DIP7K

DIP7K

SOP8

SOP8

TO220

SOP8

1.40

2.40

4.00

8.50

External Setting

External Setting

External Setting

External Setting

DIP7K

650

650

1.40

4.00

4.00

8.50

6.70

650 2.40

External Setting

Internal

Auto Restart External Setting

External Setting

External Setting

External Setting

External Setting

External Setting

External Setting

External Setting

External Setting

External Setting

External Setting

External Setting

External Setting

External Setting

External Setting

Auto Restart

4.00

8.50

650

650

650 1.40

2.00

4.00

5.40

12.00

2.00

5.40

5.40

12.00

8.50

4.00

5.40

12.00

2.00

800

650

800

65

65

65

65

65

65

100

100

65

Latch

Latch

Auto Restart

Latch

Auto Restart

Latch

Auto Restart

Latch

Auto Restart

Latch

Auto Restart

Latch

Auto Restart

Latch

Auto Restart

Latch

Auto Restart

Auto Restart

Auto Restart

Latch

Auto Restart

Latch

Auto Restart

Latch

Auto Restart

Latch

Auto Restart

Auto Restart

Auto Restart

Auto Restart

PackageBreakDownVoltage(V)



Frequency(kHz)

FrequencyReduction

VCC OVP BR UVLO BR OVPX-Cap.

Discharge Function

BM2P016BM2P0161BM2P0361BM2P015BM2P0151BM2PA15BM2PA35BM2PA55BM2P0161KBM2P095FBM2PA96FBM2P016T

1.40

1.00

3.00

1.40

1.00

1.40

2.40

8.50

1.60

DIP7K

DIP7K

SOP8

TO220

800

650

650

8.50

1.40

2.00

2.00

4.80

2.00

1.35

2.00

4.00

12.00

2.15

12.00

2.00

650

65

65

65

65

Auto Restart

Latch

Auto Restart

Latch

Auto Restart

Auto Restart

PWMフライバック方式ラインアップ

6.00 8.40


Power～400W

～200W

Time

BCM Mode PFC Auxiliary Winding type

CCM Mode PFCGate ClamperBCM PFC

Resister type

650V StarterBCM Mode PFCLinear type QRX-cap DischargePFC Auto ON/OFFPFC Voltage Valuable

Linear type650V Starter Gate ClamperFsw = 120kHz

ボトムスキップLinear type650V Starter Gate ClamperFsw = 110kHz

for SiC MOSFET DriveLinear typeGate ClamperFsw = 120kHz(Max.)

低ノイズ、高高効率Switch Clamp

650V Starter Gate ClamperFsw = 65kHz/120kHz

650V Starter Gate ClamperMinus Current SenseExternal Latch FunctionFsw = 5kHz/100kHz/130kHz

Gate ClamperX-Cap Discharge FunctionLow Stand-by Power Function

Fsw = 300kHz(Max.)

PFC

PFC+QR

QR

PWM

MOS外付けシリーズの特長

フライバック回路（PWM/QR）MOSFET外付け。以下のさまざまなラインアップを取り揃えています。■パッケージ：SOP-J8/SOP-J7

■出力電力：150Wクラスまで（電源仕様による）

■ 概要 ■ 技術トレンド高効率・待機時低消費電力が技術のトレンドです。待機電力削減やトランス音鳴り低減など、さまざまな機能を搭載したIC

を取り揃えています。

ロードマップ

14

23

ACIN_L

ACIN_IN ＋

＋

＋

＋

VOUT

GND

2

1

3

4

5

1

ACMONI FB CS GND

VH NC VCC OUT

2 3 4

8 7 6 5

BCM Mode PFC Resister type

BD7691FJ（SOP-J8）

BD7690FJ（SOP-J8）

BD76xxFJBD7692FJ（SOP-J8）

BM1C101/102F（SOP18）

BM1Q001/002FJ（SOP-J8） BM1Q104FJ（SOP-J8） BD768xFJ（SOP-J8） BMxFJ（SOP-J8）

BM1P061/062FJBM1P101/102FJ

BM1PxxBFJ（SOP-J7） BM1PxxCFJ（SOP-J7）

BMxFJ（SOP-J8）（SOP-J8）

MOS外付けシリーズMOS内蔵シリーズ




該当デバイス


BM1Pxxxシリーズ（PWM）BM1Qxxxシリーズ（QR）


AC/DC

R65xxKNX（650V）R80xxKNX（800V）

MOSFET

*QR：Quasi-Resonant


PWM

QR（疑似共振）

AC/DC + PFC

PackagePart No.

Part No.

Part No.

Frequency(kHz)

FrequencyReduction

FrequencyJitter VCC OVP BR UVLO FBOLP ZTOVP TSD

Burst Freq.Control

X-Cap.Discharge Function

BD7671FJBD7672BGBD7673AGBD7679GBD7678FJBM1P061FJBM1P062FJBM1P065FJBM1P066FJBM1P067FJBM1P068FJBM1P101FJBM1P102FJBM1P105FJBM1P107FJBM1P10CFJBM1P06CFJ

Latch

Latch

Latch

AR

Latch

AR

Latch

AR

Latch

AR

Latch

AR

Latch

AR

AR

SOP-J8

SSOP6

SSOP6

SSOP6

SOP-J8

SOP-J8

SOP-J8

SOP-J7

65

65

65

65

65

65

65

100

100

65

AR

AR

Latch

AR

AR

AR

AR Latch

AR

AR

Latch

AR

AR

Latch

AR

AR

AR

AR

AR

AR

AR

Package Control methodMax Frequency

(kHz)FrequencyReduction

ZTTimeout

VCC

OVPBurst Freq.

ControlBurst Freq.

ControlGain

change2stage Timeout

BD7681FJBM1Q001FJBM1Q002FJBM1Q011FJBM1Q021FJBM1Q103FJBM1Q104FJ

120

120

120

116

15μs AR

15μs

15μs

15μs

Latch

AR

Latch

AR

AR

BR UVLO

AR

AR

AR

Latch

Latch

AR

Latch

FBOLP ZTOVP

SOP-J8

SOP-J8

SOP-J8

SOP-J7

SOP-J8

Max. frequency

Max. frequency

Max. frequency

Bottom Skip

PackageQR Control

methodMax Frequency

(kHz)QR FrequencyReduction

PFC Controlmethod

PFC MaxFrequency

PFC frequencyjitter

VCC OVP

BD7690FJBD7691FJBD7692FJBM1050AFBM1051FBM1C101FBM1C102F

120

BCM

BCM

BCM

65kHzFixed

220kHz

220kHz

400kHz

500kHzVoltagemode

Peakcurrent

120

Latch/AR

Latch

QR FBOLP

AR

AR

PFC VoltageSwitch

X-CAPDischarge

SOP24

SOP-J8

SOP-J8

SOP-J8

SOP18

Max. frequency

Max. frequency

MOS外付けシリーズラインアップ


BD7692FJBCM ZCD 抵抗検出

CCM PFC IC（開発中）

●最大周波数制御（可変）により軽負荷時の効率改善●高精度過電流検出内蔵●VS端子ダイナミックOVPとスタティックOVP

●各種保護機能の充実（過電流保護、エラーアンプ入力ショート保護）● IC回路電流低減による低消費電力実現●ゲートドライバのHigh側電圧にクランパを内蔵

●補助巻線によるゼロ電流検出（BD7690FJ）●抵抗によるゼロ電流検出（BD7691FJ、BD7692FJ）● IS-GND ショート時保護（BD7692FJ）●起動時オーバーシュート低減機能（BD7692FJ）

▶LED照明・家電等に採用

SOP-J8 SOP-J8 SOP-J8

1 2

8 7 6 5

3 4

DiodeBridge

400V

VS

OVP

VCC OUT GND IS

VS

VS

EO RT OVP

OVP

VCC

BD7691FJBD7692FJ

●VCC動作電源電圧範囲：10.0V～26.0V

●動作電流：380μA (BD7690FJ)

　　　　　 540μA (BD7691FJ)

　　　　　 530μA (BD7692FJ)

●最大周波数：220kHz (BD7690FJ)

　　　　　　 220kHz (BD7691FJ)

　　　　　　 450kHz (BD7692FJ)

●動作温度範囲：－40°C～＋105°C

特性概要

ロードマップ

PFC回路の特長

■ 概要

■ 技術トレンド高効率・待機時低消費電力が技術トレンドです。

電圧モード臨界動作PFCです。トランスの巻き線検知タイプとセンス抵抗検知タイプをラインアップしています。特に抵抗検知タイプでは、トランスでなくコイルの使用が可能なため、巻き線ショートが無くなり、高信頼性を実現します。RT端子で最大周波数を設定でき、待機電力削減に対応することが可能です。

BD7690FJBCMZCD 補助巻線検出

▶TV・家電等に採用 ▶より高負荷のセットに

PFCシリーズMOS内蔵シリーズ




TV

LED照明

OA機器

アプリケーション該当デバイス

BD7690FJ（巻き線検知）BD7691FJ（抵抗検知）BD7692FJ（抵抗検知）

AC/DC

R60xxシリーズMOSFET


低消費電力

低消費シャントレギュレータを内蔵し、待機電力削減。

オートシャットダウン機能により、軽負荷時の回路電流を削減。

待機時低消費電力化と省スペース化に貢献

CCM(Current Continuous Mode)

対応回路従来のCCM対応回路は一次→二次側へ信号の伝達素子が必要。

ロームは抵抗一本で対応。セットの省スペース化・低コスト化に貢献。

幅広い出力電圧に対応 (BM1R001xxFシリーズ)

AC/DC出力電圧が二次側同期整流

ICの電源となる。

ロームは3.3V系～24.0V系まで幅広く動作可能。

+

同期整流

VOUT

GND

SHUNTREG

0.1mA

二次側同期整流回路の特長

■ 概要

■ 技術トレンド高効率・待機電力削減、高信頼性、省スペースが技術トレンドです。

低消費シャントレギュレータを内蔵し、待機時低消費電力化と省スペース化に貢献します。オートシャットダウン機能により、軽負荷時の回路電流を削減。また、従来のCCM対応回路は一次→二次側へ信号の伝達素子が必要でしたが、ロームは抵抗一本で対応可能となり、セットの省スペース化・低コスト化に貢献します。3.3V系～24.0V系まで幅広い出力電圧に対応可能です。 LLC向けBD85506FはMOSFETのゲートオープン保護機能を持ち、MOSFETの発熱対策が可能です。

1 2 3

二次側同期整流ICシリーズMOS内蔵シリーズ




TV

アダプタ

OA機器

アプリケーション該当デバイス

BM1R001xxFシリーズLLC向けBD85506F

二次側同期整流

RxxxシリーズMOSFET 出力電圧/出力電流に応じて選択


電源電圧範囲(V)(Max)品名通常時動作電流

(μA)(Typ)

BM2SCQ121T-LBBM2SCQ122T-LBBM2SCQ123T-LBBM2SCQ124T-LB

VCC:15.0～27.5DRAIN:1,700

2,000

バースト時動作電流(μA)(Typ)

500

最大動作周波数(kHz)(Typ)

120

FB OLP

Auto Restart

Latch

Auto Restart

Latch

VCC OVP

Latch

Latch

Auto Restart

Auto Restart

動作温度範囲(℃)

－40～＋105

0 10 20 30

Output Power(W)P

ow

er

Co

nvers

ion E

ffecie

ncy(%

)

40 50 60 70 80

75

80

85

90

大きな信頼性の向上、部品点数削減を実現

部品点数

効率

体積

安全性

20

××△

5

◎○◎

1

◎◎◎

0 200 400 600

VIN(VDC)

Effi

cie

ncy(%

)

800 1,000 1,20074

76

78

80

82

84

86

90

88

84.484.4

83.483.4

83.683.6

82.882.8

82.282.2

81.081.0

81.181.1

80.480.4

80.280.2

79.479.4

PWM

Quasi-Resonance

最大6%最大6%

SiC MOSFET

Si MOSFET

●世界初*

1,700V/4A SiC MOSFET内蔵AC/DC

高効率、大幅な部品点数の削減を実現

●低ノイズ、高効率な擬似共振方式

●三相690VACまで対応可能なさまざまな保護回路を内蔵

特長

ラインアップ

1,700V SiC MOSFET内蔵擬似共振AC/DC BM2SCQ12xT シリーズ

SiC MOSFET内蔵 AC/DCシリーズの特長

インバータ産業機器向け電源すべてサーバ

従来品のソリューション新製品のソリューション

++

Si＋従来制御IC

SiC＋特化型制御IC

SiC内蔵制御IC

BD768xFJ-LB BM2SCQ121T-LB*制御ICの性能は同等とする（ローム調べ）*制御ICの性能は同等とする（ローム調べ）

AC/DCコンバータにおけるSi対SiC効率比較

部品点数の削減と実装面積の大幅削減


SiC MOSFET内蔵 1,700V耐圧AC/DCコンバータシリーズMOS内蔵シリーズ




SiCに変えるだけで最大6%効率改善可能に！

*2019年5月ローム調べ

SiC

VCC

新製品AC/DC

コンバータIC（BM2SCQ12xT-LB）

新製品AC/DC


Isolator

Error Amp.

3 p

hase

AC

40

0V

to

69

0V

Dio

de B

rid

ge

DriverGate

Clamper

1,700V耐圧SiC MOSFETを内蔵

Snubber

Si

Snubber

Si

VCCController

従来品AC/DC

コンバータ制御IC

従来品AC/DC


高電圧用クランプ回路

Isolator

Error Amp.

800V耐圧シリコンMOSFET

3 p

hase

AC

40

0V

to

69

0V

Dio

de B

rid

ge

800V耐圧シリコンMOSFET

ドライブ回路ドライブ回路


■ LLC

■ フォワード

■ フルブリッジ

■ シングルPFC

■ 部分SW方式PFC

二次側同期整流IC：BD85506F

MOSFET：R60xxシリーズ 600V耐圧

スーパージャンクション MOSFET - SJ MOS 2nd gen.

R60xxKNX ・Low A*Ron

・Fast switching

・High efficiency

IGBT：・Low SW Loss & Low SW Noise

・Low Gate Charge

・Built-in Very Fast & Soft Recovery FRD

IGBT： RGTHシリーズ・Trench Gate & Thin Wafer Technology (2nd gen.)

・Low VCE(sat.) 1.6V Typ

・High Speed SW tf 50ns Typ

PFC：BD7690FJ（巻き線検知） BD7691FJ（抵抗検知） BD7692FJ（抵抗検知）

IGBT： RGCLシリーズ・Trench Gate & Thin Wafer 　・Low VCE(sat.) 1.4V Typ

・Low SW Noise

方式別回路図

方式対象デバイス/アプリケーション

84.4

83.4

83.6

82.8

82.2

81.0

81.1

80.4

80.2

79.4

最大6%

V1 C1

Q1

P1

TR

S1D1

C3

C2

Q2

S2

V1 C1

P1

TRD2

D3 C2

L1

S1

P2

Q1

D1

V1C1

Q1

Q2

Q3

Q4

P1

TR

D1

S1

S2

D2

C2

L1

PS1


*制御ICの性能は同等とする（ローム調べ）

IGBT：RGTVシリーズ・Trench Gate & Thin Wafer Technology (3rd gen.)

・Short Circuit SOA 2µs Min



IGBT：RGWシリーズ・Trench Gate & Thin Wafer Technology (3rd gen.)



家電製品 TV 産業機器

アプリケーション産業機器家電製品 TV

産業機器家電製品 TVアプリケーション

アプリケーション各種産業機器

アプリケーション照明機器

エアコン

各種産業機器TVOA

1 2

8 7 6 5

3 4

Dio

de

Brid

ge

400V

VS

OVP

VCC

VS

VCC OUT GND IS

VS EO

BD7691FJBD7692FJ

RT OVP

新製品AC/DC


従来品AC/DC


ドライブ回路


■ インターリーブPFC

■ トーテムポール型DiブリッジレスPFC

■ トーテムポール型Diブリッジレス PFC(同期整流型)

IGBT：・Low SW Loss & Low SW Noise

・Low Gate Charge


IGBT：RGTHシリーズ・Trench Gate & Thin Wafer Technology (2nd gen.)



IGBT：RGTVシリーズ・Trench Gate & Thin Wafer Technology (3rd gen.)

・Short Circuit SOA 2μs Min



IGBT：RGWシリーズ・Trench Gate & Thin Wafer Technology (3rd gen.)



スイッチング側IGBT：RGTシリーズ・Trench Gate & Thin Wafer Technology (2nd gen.)

・Short Circuit SOA 5μs Min

・Low VCE(sat) 1.65V Typ

・High Speed SW

・Low SW Loss & Low SW Noise

・Low Gate Charge


スイッチング側Presto MOS：R60xxJNxシリーズFast- Recovery Body Diode Super Junction MOSFET

Presto MOS 2nd gen. R60xxMNx

　　　・Fast trr/Low Rds(on)

　　　・Improvement for Efficiency about Motors.

　　　・Able to remove parallel diode

整流側　SJ-MOS：Low Noise Super Junction MOSFET

　　　　　SJ MOS 2nd gen. R60xxENx

方式別回路図

方式対象デバイス/アプリケーション

PS1

PS1

PS1

PS1

アプリケーション家電製品 TV 産業機器




高効率低ノイズ

軽負荷高効率

軽負荷高効率

各種産業機器エアコン


高効率化

2017 2018 2019～

●低損失：switching=20mW

●12V FET駆動電圧制御 (FET駆動のスイッチングロスを軽減)

高信頼性●各種保護内蔵 (OVP, VCC UVLO, OUT short, IS short )

●外部FET保護内蔵 (12V CLAMP) (外部FET保護用ツェナーダイオードの削減可能)

開発工数削減 ●市場での標準ピン配置を採用し、基板そのままでの検討可能。

PFC IC（力率改善IC）

アプリケーションサポート

以下の特長を持った製品を提案・開発

SOP-J8BD7691FJBCMZCD is detected by resister

MP

SOP-J8BD7692FJBCM (resister)BD7691FJ+more protection

より高信頼性・低ノイズに

MP

SOP-J8BD76xxFJCCMSOP-J8

BD7690FJBCMZCD is detected by auxiliary winding

MP

3TInsulation tape

NP1 NP2NS1 NS2 NS3ND

1T

ロームでは各種アプリケーションサポートを取り揃えてお客様の電源ブロック回路の検討依頼をお待ちしております。

回路図提案　トランス仕様作成　特性（比較）評価　ノイズ特性評価　発熱評価　基板レイアウトのご相談

IC、ディスクリート含め実機やシミュレーションによる各種技術サポートにてお客様の電源ブロックのさらなる開発をサポートします。

Circuit Evaluation・efficiency Noise Evaluation

Trans Design Application Evaluation Layout

M

M

M


第3世代トレンチ構造 SiC MOSFET

Si IGBT（左）と比較してトレンチ構造SiC MOSFET（右）はスイッチング時の損失を大幅に低減

第2世代MOS（青）と比較して第3世代MOS（赤）はさらに低オン抵抗を実現

ローム独自のダブルトレンチ構造

Loss comparison

Si IGBT SiC MOSFET

誘導損失

オフ損失

オン損失

30kHz駆動時

0

20

40

60

80

100

120

Lo

ss(W

)

スイッチング時の損失をIGBT比73％削減


オン損失オフ損失誘導損失

160140120100806040200

Trade-off curve between RDS(on) and Ciss

Cis

s(p

F)

RDS(on) @ 25℃(mΩ)

at same chip areaCiss 35%⇩


at same chip Ron,Ciss 70%⇩


Trench MOS40mΩ 1,200V

Trench MOS80mΩ 1,200V

2G DMOSSCR2080KE 80mΩ 1,200V

Metal

Metal

Gate trenchP+

N+

P

Sourcetrench SiC n-Drift layer

SiC sub

SiC UMOS

Poly-Si

スイッチング時の損失を大幅低減

SiC MOSFET製品特長とラインアップ

さらなる低オン抵抗化を実現構造

アプリケーション太陽光パワーコンディショナー電源


第2世代（プレーナ構造）

第3世代（トレンチ構造）

製品ラインアップ




品名極性(ch)

VDSS

(V)ID(A)

PD(W)(TC=25℃)

RDS(on)

(Typ)(mΩ)

Qg(Typ)(nC)

駆動電圧(V)VGS=18V

パッケージ車載対応AEC-Q101

SCT2120AFSCH2080KESCT2080KESCT2160KESCT2280KESCT2450KESCT2750NYSCT2H12NYSCT2H12NZ

N

N

N

N

N

N

N

N

N

650

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,700

1,700

1,700

29

40

40

22

14

10

5.9

4

3.7

165

262

262

165

108

85

57

44

35

120

80

80

160

280

450

750

1,150

1,150

61

106

106

62

35

27

17

14

14

18

18

18

18

18

18

18

18

18

TO-220AB

TO-247

TO-268-2L

TO-3PFM

YES

SCT3017ALSCT3022ALSCT3030ALSCT3060ALSCT3080ALSCT3120ALSCT3022KLSCT3030KLSCT3040KLSCT3080KLSCT3105KLSCT3160KL

N

N

N

N

N

N

N

N

N

N

N

N

650

650

650

650

650

650

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

118

93

70

39

30

21

95

72

55

31

24

17

427

339

262

165

134

103

427

339

262

165

134

103

17

22

30

60

80

120

22

30

40

80

105

160

172

133

104

58

48

38

178

131

107

60

51

42

18

18

18

18

18

18

18

18

18

18

18

18

TO-247(TO-247N)

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

Note：パッケージはJEDEC表記です。（　）内はROHMパッケージを示します。


第3世代 SiCショットキーバリアダイオード低VFと高速リカバリにより電源装置の小型化かつ高効率化を実現

第2世代（左下）では低VF、さらに第3世代で低VF・高サージ電流耐量を実現

第3世代ショットキーバリアダイオードでは常温から高温領域まで低VFを実現

1.3 1.4 1.5 1.61.230

40

50

60

70

80

90

100

110

IFMS ＠

10m

sec

half-

sinu

soid

alw

ave s

ing

le p

uls

(A)

ローム第3世代Low VF and High IFSM

good

(Ref. 650V 10A)

VF@10A(V)

Characteristics of Competitors’ devices

ローム第1世代ショットキーバリアダイオードSCS110A


ローム第2世代ショットキーバリアダイオードSCS210ALow VF


ローム第3世代ショットキー

バリアダイオードSCS310A

25℃

0

0 0.5 1 1.5 2 2.5

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

I F(A

)

VF(V)

I F(A

)

150℃

0

0 0.5 2 3 4

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

VF(V)

Compompany By B Company B

SiCショットキーバリアダイオード製品特長とラインアップ

太陽光パワーコンディショナー電源PFC 充電ステーションアプリケーション

低VF・高サージ電流耐量

世代進化とともに高温時の低VFを実現

Compompany A ACompany A

ローム第3世代ショットキー

バリアダイオードSCS310A

BC A

Compompany C CCompany C

Compompany By B Company B

Compompany A ACompany A

Compompany C CCompany C


SiCショットキーバリアダイオード




Company B

Company A

品名

絶対最大定格(Ta=25℃) 電気的特性(Ta=25℃)

VRM

(V)VR

(V)IF

(A)IF(A)

VF

(Typ)(V) VR(A)

IR(Max)(μA)

パッケージ等価回路図車載対応AEC-Q101

SCS206AGSCS208AGSCS210AGSCS212AGSCS215AGSCS220AGSCS206AGHRSCS208AGHRSCS210AGHRSCS212AGHRSCS215AGHRSCS220AGHRSCS302AHGSCS304AHGSCS306AHGSCS308AHGSCS310AHGSCS312AHGSCS315AHGSCS320AHGSCS206AMSCS208AMSCS210AMSCS212AMSCS215AMSCS220AMSCS304AMSCS306AMSCS308AMSCS310AMSCS312AMSCS315AMSCS320AMSCS215AESCS220AESCS220AE2SCS230AE2SCS240AE2SCS220AE2HRSCS230AE2HRSCS240AE2HRSCS205KGSCS210KGSCS215KGSCS220KGSCS205KGHRSCS210KGHRSCS215KGHRSCS220KGHRSCS210KE2SCS220KE2SCS230KE2SCS240KE2SCS210KE2HRSCS220KE2HR

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.35

1.4

1.4

1.4

1.4

1.4

1.4

1.4

1.4

1.4

1.4

1.4

1.4

1.4

1.4

6

8

10

12

15

20

6

8

10

12

15

20

2

4

6

8

10

12

15

20

6

8

10

12

15

20

4

6

8

10

12

15

20

15

20

10

15

20

10

15

20

5

10

15

20

5

10

15

20

5

10

15

20

5

10

120

160

200

240

300

400

120

160

200

240

300

400

10

20

30

40

50

60

75

100

120

160

200

240

300

400

20

30

40

50

60

75

100

300

400

200

300

400

200

300

400

100

200

300

400

100

200

300

400

100

200

300

400

100

200

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

650

650

650

650

650

650

650

650

600

600

600

600

600

600

650

650

650

650

650

650

650

600

600

600

600

600

600

600

600

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

1,200

6

8

10

12

15

20

6

8

10

12

15

20

2

4

6

8

10

12

15

20

6

8

10

12

15

20

4

6

8

10

12

15

20

15

20

10/20*

15/30*

20/40*

10/20*

15/30*

20/40*

5

10

15

20

5

10

15

20

5/10*

10/20*

15/30*

20/40*

5/10*

10/20*

22

29

38

42

52

67

22

29

38

42

52

67

19

27

47

67

82

96

112

123

22

29

38

42

52

67

27

47

67

82

96

112

123

52

67

38/76*

52/104*

67/135*

38/76*

52/104*

67/135*

22

42

62

78

22

42

62

78

22/45*

42/84*

62/124*

78/157*

22/45*

42/84*

TO-220AC

TO-220FM

TO-247

TO-220AC

TO-247

TO-220AC(TO-220ACP)

――――――

YES

YES

YES

YES

YES

YES

――――――――――――――――――――――――――

YES

YES

YES

――――

YES

YES

YES

YES

――――

YES

YES

IFSM(A)50Hz.1

Note：パッケージはJEDEC表記です。（　）内はROHMパッケージを示します。　*1端子/パッケージ

Company C

Company B

Company A

Company C


ノイズ評価

プレーナMOSに対して、第1世代スーパージャンクションMOSFETでは65％、第2世代スーパージャンクションMOSFETでは、オン抵抗を80％低減

KNシリーズは特に効率に特化した製品であり、ENシリーズよりもスイッチング損失を40％低減

ENシリーズ（赤）は特にノイズが非常に小さくノイズ対策が必要な回路に推奨

Planar 第1世代スーパージャンクションMOSFET

第2世代スーパージャンクションMOSFET

100

80

(%)

60

40

20

0

80%低減

65%低減

ON-Resistance Comparison (TO-220 Package)

100

35

20

Evaluation Circuit : PFC Circuit Critical Mode

IC

Input100V/60Hz

Output120W

0.00

0.20

0.40

0.60

0.80

1.00

1.20

1.40

1.60

R6020ENX(Low Noise)

R6020KNX(High Efficiency)

Company B(High Efficiency)

Lo

ss(W

)

0.34 0.380.36

1.14

1.501.50

0.680.82

1.02

1.20

40%

スイッチング損失

低減高速スイッチングが特長のR60xxKNx、R65xxKNxシリーズは低損失・高効率に特化した電源回路におすすめ

Limit (Quasi Peak)

R6020ENX (Low Noise Type)

R6020KNX (High Efficiency Type)

Competitor A

Frequency (MHz)

Rad

iate

d E

mis

sio

n (H

)(d

BμV

)

30030

0

10

20

30

40

50

60RADIATED EMISSION H (dBμV/m) 100V/60Hz Input 146W

Switching Loss

Conduction Loss

スーパージャンクションMOSFET製品特長とラインアップ

第2世代スーパージャンクションMOSFET（600V、650V）電源回路全般アプリケーション

低オン抵抗実現

効率評価

R60xxENx、R65xxENxシリーズは非常にノイズが小さく、ノイズ対策が必要な電源回路におすすめ



1.50

低ノイズタイプ

パッケージ用途PD(W)

(Tc=25℃)

RDS(on)(Ω)

VGS=10V

Typ Max

Qg (nC)VGS=10V

駆動電圧(V)

R6011END3R6009END3R6007END3R6004END3R6002END3R6511END3R6509END3R6507END3R6504END3R6502END3R6024ENJR6020ENJR6015ENJR6011ENJR6009ENJR6007ENJR6004ENJR6524ENJR6520ENJR6515ENJR6511ENJR6509ENJR6507ENJR6504ENJR6030ENXR6024ENXR6020ENXR6015ENXR6011ENXR6009ENXR6007ENXR6004ENXR6530ENXR6524ENXR6520ENXR6515ENXR6511ENXR6509ENXR6507ENXR6504ENXR6035ENZR6030ENZR6024ENZR6020ENZR6015ENZR6535ENZR6530ENZR6524ENZR6520ENZR6515ENZR6076ENZ4R6047ENZ4R6035ENZ4R6030ENZ4R6024ENZ4R6020ENZ4R6576ENZ4R6547ENZ4R6535ENZ4R6530ENZ4R6524ENZ4R6520ENZ4

☆☆☆☆☆

☆☆☆☆

☆☆☆☆☆

0.390

0.535

0.620

0.980

3.400

0.400

0.585

0.665

1.050

3.300

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0.196

0.290

0.390

0.535

0.620

0.980

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0.315

0.400

0.585

0.665

1.050

0.130

0.165

0.196

0.290

0.390

0.535

0.620

0.980

0.140

0.185

0.205

0.315

0.400

0.585

0.665

1.050

0.102

0.130

0.165

0.196

0.290

0.115

0.140

0.185

0.205

0.315

0.042

0.072

0.102

0.130

0.165

0.196

0.046

0.080

0.115

0.140

0.185

0.205

0.340

0.500

0.570

0.900

2.800

0.360

0.530

0.605

0.955

3.000

0.150

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0.260

0.340

0.500

0.570

0.900

0.160

0.185

0.280

0.360

0.530

0.605

0.955

0.115

0.150

0.170

0.260

0.340

0.500

0.570

0.900

0.125

0.160

0.185

0.280

0.360

0.530

0.605

0.955

0.095

0.115

0.150

0.170

0.260

0.098

0.125

0.160

0.185

0.280

0.038

0.066

0.095

0.115

0.150

0.170

0.040

0.070

0.098

0.125

0.160

0.185

124

94

78

59

26

124

94

78

59

24

245

231

184

124

94

78

58

245

231

184

124

94

78

58

86

74

68

60

53

48

46

35

86

74

68

60

53

48

46

35

102

86

74

68

60

102

86

74

68

60

735

481

379

305

245

231

735

481

379

305

245

231

ID(A)

11

9

7

4

1.7

11

9

7

4

1.7

24

20

15

11

9

7

4

24

20

15

11

9

7

4

30

24

20

15

11

9

7

4

30

24

20

15

11

9

7

4

35

30

24

20

15

35

30

24

20

15

76

47

35

30

24

20

76

47

35

30

24

20

VDSS

(V)

600

600

600

600

600

650

650

650

650

650

600

600

600

600

600

600

600

650

650

650

650

650

650

650

600

600

600

600

600

600

600

600

650

650

650

650

650

650

650

650

600

600

600

600

600

650

650

650

650

650

600

600

600

600

600

600

650

650

650

650

650

650

極性(ch)

形名

品名包装記号

N

N

N

N

N

TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTL―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

C8C8C8C8C8C8C8C8C8C8C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13

スイッチング

TO-252〔DPAK〕

TO-263S(LPTS)[SC-83]〔D2PAK〕

TO-220FM

TO-3PF

TO-247

32

23

20

15

6.5

32

24

20

15

6.5

70

60

40

32

23

20

15

70

61

40

32

24

20

15

85

70

60

40

32

23

20

15

90

70

61

40

32

24

20

15

110

85

70

60

40

113

90

70

61

40

260

145

110

85

70

60

260

145

110

85

70

60

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

☆：開発中Note：パッケージはJEDEC表記です。(　)内はROHMパッケージ、[　]内はJEITAコード、〔　〕内はGENERALコードを示します。 *包装仕様C7 G(チューブ)も可

M


高速スイッチングタイプ

スーパージャンクションMOSFET製品特長とラインアップ


(Tc=25℃)

RDS(on)(Ω)

VGS=10V

Typ Max

Qg (nC)VGS=10V

駆動電圧(V)

R6011KND3R6009KND3R6007KND3R6006KND3R6003KND3R6511KND3R6509KND3R6507KND3R6504KND3R6024KNJR6020KNJR6015KNJR6011KNJR6009KNJR6007KNJR6004KNJR6524KNJR6520KNJR6515KNJR6511KNJR6509KNJR6507KNJR6504KNJR6030KNXR6024KNXR6020KNXR6015KNXR6011KNXR6009KNXR6007KNXR6006KNXR6004KNXR6530KNXR6524KNXR6520KNXR6515KNXR6511KNXR6509KNXR6507KNXR6504KNXR6035KNZR6030KNZR6024KNZR6020KNZR6015KNZR6535KNZR6530KNZR6524KNZR6520KNZR6515KNZR6076KNZ4R6047KNZ4R6035KNZ4R6030KNZ4R6024KNZ4R6020KNZ4R6576KNZ4R6547KNZ4R6535KNZ4R6530KNZ4R6524KNZ4R6520KNZ4R6535KNX1R6530KNX1R6524KNX1R6520KNX1R6515KNX1

☆☆☆☆☆

0.390

0.535

0.620

0.830

1.500

0.400

0.585

0.665

1.050

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0.390

0.535

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0.400

0.585

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1.050

0.130

0.165

0.196

0.290

0.390

0.535

0.620

0.830

0.980

0.140

0.185

0.205

0.315

0.400

0.585

0.665

1.050

0.102

0.130

0.165

0.196

0.290

0.115

0.140

0.185

0.205

0.315

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0.130

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0.140

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0.205

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0.605

0.955

0.115

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0.170

0.260

0.340

0.500

0.570

0.720

0.900

0.125

0.160

0.185

0.280

0.360

0.530

0.605

0.955

0.095

0.115

0.150

0.170

0.260

0.098

0.125

0.160

0.185

0.280

0.040

0.070

0.095

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0.040

0.070

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0.125

0.160

0.185

0.098

0.125

0.160

0.185

0.280

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94

78

70

44

124

94

78

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245

231

184

124

94

78

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245

231

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124

94

78

58

86

74

68

60

53

48

46

40

35

86

74

68

60

53

48

46

35

102

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74

68

60

102

86

74

68

60

735

481

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305

245

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735

481

379

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245

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86

74

68

60

ID(A)

11

9

7

6

3

11

9

7

4

24

20

15

11

9

7

4

24

20

15

11

9

7

4

30

24

20

15

11

9

7

6

4

30

24

20

15

11

9

7

4

35

30

24

20

15

35

30

24

20

15

76

47

35

30

24

20

76

47

35

30

24

20

35

30

24

20

15

VDSS

(V)

600

600

600

600

600

650

650

650

650

600

600

600

600

600

600

600

650

650

650

650

650

650

650

600

600

600

600

600

600

600

600

600

650

650

650

650

650

650

650

650

600

600

600

600

600

650

650

650

650

650

600

600

600

600

600

600

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

極性(ch)

形名

品名包装記号

N

N

N

N

N

N

TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTL―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

―*

C8C8C8C8C8C8C8C8C8C8C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C10C10C10C10C10

スイッチング

TO-252〔DPAK〕


TO-220FM

TO-3PF

TO-247

TO-220AB

22

16.5

15

12

8

22

16.5

15

10

46

40

30

22

16.5

15

10

46

40

30

22

16.5

15

10

56

46

40

30

22

16.5

15

12

10

56

46

40

30

22

16.5

15

10

72

56

46

40

30

72

56

46

40

30

165

100

72

56

46

40

165

100

72

56

45

40

72

56

45

40

27.5

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

☆：開発中Note：パッケージはJEDEC表記です。(　)内はROHMパッケージ、[　]内はJEITAコード、〔　〕内はGENERALコードを示します。 *包装仕様C7 G(チューブ)も可

☆☆☆☆

☆☆☆☆☆

7

B


高速trrタイプ〈PrestoMOSTM〉


(Tc=25℃)

RDS(on)(Ω)

VGS=10V

Typ Max

Qg (nC)VGS=10V

駆動電圧(V)

R6009JND3R6007JND3R6006JND3R6004JND3R6020JNJR6018JNJR6012JNJR6009JNJR6007JNJR6006JNJR6004JNJR6025JNXR6020JNXR6018JNXR6012JNXR6009JNXR6007JNXR6006JNXR6004JNXR6050JNZ

R6030JNZ

R6025JNZ

R6020JNZR6070JNZ4R6050JNZ4R6042JNZ4R6030JNZ4R6025JNZ4R6020JNZ4

☆

☆☆☆☆☆☆

0.585

0.780

0.936

1.430

0.260

0.286

0.390

0.585

0.780

0.936

1.430

0.182

0.260

0.286

0.390

0.585

0.780

0.936

1.430

0.083

0.143

0.182

0.234

0.058

0.083

0.104

0.143

0.195

0.234

0.450

0.600

0.720

1.100

0.200

0.220

0.300

0.450

0.600

0.720

1.100

0.140

0.200

0.220

0.300

0.450

0.600

0.720

1.100

0.064

0.110

0.140

0.180

0.045

0.064

0.080

0.110

0.150

0.180

125

96

86

60

252

220

160

125

96

86

60

85

76

72

60

53

46

43

35

120

93

85

76

770

615

495

370

306

252

ID(A)

9

7

6

4

20

18

12

9

7

6

4

25

20

18

12

9

7

6

4

50

30

25

20

70

50

42

30

25

20

VDSS

(V)

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

極性(ch)

形名

品名包装記号

N

N

N

N

N

TL1TL1TL1TL1TLTLTLTLTLTLTL

C7 GC7 GC7 GC7 GC7 GC7 GC7 GC7 GC8

C8

C8

C8C13C13C13C13C13C13

スイッチング

TO-252〔DPAK〕


TO-220FM

TO-3PF

TO-247

22

17.5

15.5

10.5

50

42

28

22

17.5

15.5

10.5

57

45

42

28

22

17.5

15.5

10.5

120

75

65

50

160

120

100

74

65

45

trr(Typ.)(ns)

65

60

58

45

85

80

70

65

60

58

45

90

85

80

70

65

60

58

45

120

100

90

85

135

120

110

100

90

85

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

15

☆：開発中Note：パッケージはJEDEC表記です。 (　)内はROHMパッケージ、[　]内はJEITAコード、〔　〕内はGENERALコードを示します。

7


第4世代ファストリカバリダイオード


第4世代は、ノイズレスリカバリ性能を実現。共に低VF化した2シリーズ、RFS（高速trrタイプ）シリーズ、RFL（低VFタイプ）シリーズを展開。

使用回路例

Switching Waveform Comparison RFS vs RFUH

Tj=125℃ VR=400V

IF=30A

di/dt=-500A/μs

50ns

10A100V

超低リカバリノイズを実現

RFS30TZ6S第4世代

RFUH30TS6S(3rd Gen.)

PFC For Power Supply FWD For Inverter OBC For Diode Bridge

Motor

VF-trr Trade-off Figure

1.3 1.5 1.8 2.0 2.2 2.4 2.8 3.0

20

30

40

50

60

70

80

trr(ns)

HighEfficiency

HighEfficiency

RFLシリーズ

RFSシリーズ

第4世代第4世代

第3世代RFNLシリーズ(Ultra Low VF Type)

RFNシリーズ(Low VF Type)

RFUHシリーズ(Soft Recovery Type)

RFVシリーズ(Hard Recovery Type)

0

RFS : High Speed Type

RFL : Low VF Type

VF(V)

Tj=25℃

ファストリカバリーダイオード製品特長とラインアップ

第4世代ファストリカバリダイオード RFS/RFLシリーズノイズレスリカバリ性能を実現！！

PFC回路（エアコン、サーバ、UPSなど）、インバータ回路（モータ）、2次側整流回路（OBC、充電ステーション）アプリケーション

ノイズレスリカバリ性能に加え、リカバリ速度(trr)同等で低VF化を実現

IO*1

(A)

パッケージスケジュール等価回路図

RFS20TJ6SRFS60TZ6SRFL60TZ6SRFS30TZ6SRFL30TZ6SRFS30TS6DRFL30TS6DRFS60TS6DRFL60TS6D

TO-220ACFP

TO-247-2L

2019年後半民生・産機向け量産開始2019年後半民生・産機向け量産開始2019年後半民生・産機向け量産開始2019年後半民生・産機向け量産開始2019年後半民生・産機向け量産開始2020年前半民生・産機向け量産開始2020年前半民生・産機向け量産開始2020年前半民生・産機向け量産開始2020年前半民生・産機向け量産開始

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

650

20

60

60

30

30

15×2

15×2

30×2

30×2

120

180

200

160

180

80

100

160

180

VR

(V)VRM

(V)

絶対最大定格(TC=25℃)

品名

Note：開発中につき予告なく仕様変更することがあります。 *１1素子あたりの出力平均電流は、Io(１素子入り)もしくは1/2 Io(2素子入り)です。 *21素子あたりの規格です。

IFSM(A)*2

60Hz.1


第3世代ファストリカバリダイオード


第3世代は、超高速trrのRFVシリーズと、超低VFのRFNLシリーズを展開

HighEfficiency

第4世代

trr

VF

低電流アプリケーション向け（200W～300W以下）

高電流アプリケーション向け（200W～300W以上）

RFNLシリーズ超低VFタイプ

RFNシリーズ低VFタイプ

RFVシリーズ超高速trrタイプ

ハードリカバリタイプ

DCM向け

CCM向け

全てのアプリケーションに最適なVF-trrトレードオフを提供

RFUHシリーズ高速trrタイプ

ソフトリカバリタイプノートPC タブレット

エアコン

LCD-TV

産機モジュールサーバー

ゲーム

VF-IF特性

I F(A

)VF(mV)

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500

0.1

1

10

100

RFNLシリーズ

RFVシリーズRFUHシリーズRFNシリーズ

Tj=25℃Tj=25℃

50ns

5A200V RFVシリーズ

RFUHシリーズ

IF

VR

ファストリカバリーダイオード製品特長とラインアップ

第3世代ファストリカバリダイオード RFNL/RFVシリーズPFC回路向けに特化した特性ラインアップを拡充！！

電源PFC回路（エアコン、サーバ、ゲーム、TV）アプリケーション

超高速trr、超低VFタイプを展開

品名包装記号

車載対応AEC-Q101製品性能コ―ド

一般品車載品

形名絶対最大定格(TC＝25℃) 電気的特性(Tj＝25℃)*2

RFNL5BGE6S

RFNL5BM6SRFV5BM6SRFV8BM6SRFNL5TJ6SRFVS8TJ6SRFV8TJ6SRFNL10TJ6S*3

RFV12TJ6SRFV15TJ6SRFNL15TJ6SRFNL20TJ6SRFVS8TG6SRFV8TG6SRFV12TG6SRFV15TG6SRFV30TG6S

＊

―＊＊GGGGGGGGGGGGG

FH

FHFHFH

FHG――

FHG――

FHGFHG―――――

TL

TLTLTLC9C9C9C9C9C9C9C9C9C9C9C9C9

VRM

(V)VF(V)(Max)

IF(A)

IR(μA)(Max)

VR

(V)trr(ns)(Max)

IF(A)

IR(A)

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

VR

(V)

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

IO*1

(A)

5

5

5

8

5

8

8

10

12

15

15

20

8

8

12

15

30

50

50

60

100

50

60

100

120

120

150

160

200

60

100

120

150

200

1.3

1.3

2.8

2.8

1.3

3

2.8

1.25

2.8

2.8

1.3

1.3

3

2.8

2.8

2.8

2.8

5

5

5

8

5

8

8

8

12

15

15

20

8

8

12

15

30

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

60

60

20

25

60

20

25

65

25

30

65

70

20

25

25

30

40

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

TO-252GE〔DPAK〕

TO-252〔DPAK〕

TO-220ACFP

TO-220AC

―

YES

YES

YES

YES

――

YES

――

YES

YES

―――――

＊：一般品の製品性能コードは空白です。 *11素子あたりの出力平均電流は、Io(１素子入り)もしくは1/2 Io(2素子入り)です。 *21素子あたりの規格です。 *3VF保証をIF 2水準でしています。 Note：パッケージはJEDEC表記です。〔　〕内はGENERALコードを示します。

IFSM(A)*2

60Hz.1

パッケージ等価回路図

DCM ： Dicontinuous Current Mode

CCM : Continuous Current Mode

LCD TV

アン

ノトPC ゲ

ルサーバー照明


オーバーシュートノイズが小さい（UDZFV/UDZGV）

Cuフレームガルウイング端子(UDZGV)

Power dissipation

端子形状DS

MP

400mW

ガルウイング開発中開発中

250mW

フラットリードOK

2019年/夏～

UDZGV UDZFV

UDZGVシリーズ

Cuフレーム

UDZFVシリーズ

Fe-Niフレーム

ツェナーダイオード特長とラインアップ

シリーズ回路2 2.2 2.4 2.7 3 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91 100 110 120 130 150

Vzランク

JEDEC(ROHM)

パッケージ許容損失(mW)

SDZ

CDZV

EDZV

UFZV

UDZV

UDZLV

UDZFV

UDZGV

TFZV

YFZV

TDZV

YDZV

BZX84B

BZX84C

KDZV

KDZLV

PDZV

PTZ

シングル

シングル

シングル

シングル

シングル

シングル

シングル

シングル

シングル

シングル

シングル

シングル

シングル

シングル

シングル

シングル

シングル

シングル

DSN0603-2(SMD0402)SOD-923(VMN2M)SOD-523(EMD2)SOD-323FL(UMD2)SOD-323FL(UMD2)SOD-323FL(UMD2)SOD-323FL(UMD2M)SOD-323(UMD2GM)SOD-323HE(TUMD2M)SOD-323HE(TUMD2M)SOD-323HE(TUMD2M)SOD-323HE(TUMD2M)SOT-23(SSD3)SOT-23(SSD3)SOD-123FL(PMDU)SOD-123FL(PMDU)SOD-128(PMDTM)DO-214AC(PMDS)(SMA)

100

100

150

500

200

200

250

400

500

500

500

500

250

250

1000

1000

1000

1000

パッケージ許容損失アップ品も登場ますます選定の幅が広がります

新シリーズの特長①

ツェナーダイオード

温度サイクルに強いCuフレームのガルウィング端子を採用。動作温度環境が厳しい自動車用途にも適しています。

ブレークダウン時に発生する電圧変動は既存のシリーズと比較して大幅に減少。サージ保護用途としてより安全に使用する事が出来ます。

豊富なパッケージラインアップと高信頼性が特長

ブレークダウン時に発生する電圧変動は、既存のシリーズと比較して大幅に減少しており、サージ保護としてより安全に使用出来ます。

Comparison of Breakdown Noise7

5.3

3.5

1.8

0

UDZVxx UDZFVxx UDZGVxx

60%Down60%Down

80%Down80%Down

車載対応

☆：開発中

☆

新シリーズの特長②

ツェナー DIブレークダウン波形Vertical100.0μA/div

Horizontal5.00V/div

Step Gen(A/V）50.0nA/Step

Step Offset0.00A

AUX SUPPLY0.00V V

cl(V

)

30

25

20

15

10

5

0

－5

time(ms)

15 20 25 30 35 40 45 50－10 －5 0 5 10

Vcl-time CHARACTERISTICS

Bre

ak d

ow

n n

ois

e(V

)

Vz

Iz


UDZFVシリーズ

UDZGVシリーズ

新シリーズ製品ラインアップ

形名（一般品）

Vz(V)

スケジュール

スケジュール

Min Typ Max 一般品車載対応品一般品車載対応品

DS CSMP

UDZFVTE-173.6BUDZFVTE-173.9BUDZFVTE-174.3BUDZFVTE-174.7BUDZFVTE-175.1BUDZFVTE-175.6BUDZFVTE-176.2BUDZFVTE-176.8BUDZFVTE-177.5BUDZFVTE-178.2BUDZFVTE-179.1BUDZFVTE-1710BUDZFVTE-1711BUDZFVTE-1712BUDZFVTE-1713BUDZFVTE-1715BUDZFVTE-1716BUDZFVTE-1718BUDZFVTE-1720BUDZFVTE-1722BUDZFVTE-1724BUDZFVTE-1727BUDZFVTE-1730BUDZFVTE-1733BUDZFVTE-1736B

形名(車載対応品)

Pd(W)

Iz(mA)

UDZFVFHTE-173.6BUDZFVFHTE-173.9BUDZFVFHTE-174.3BUDZFVFHTE-174.7BUDZFVFHTE-175.1BUDZFVFHTE-175.6BUDZFVFHTE-176.2BUDZFVFHTE-176.8BUDZFVFHTE-177.5BUDZFVFHTE-178.2BUDZFVFHTE-179.1BUDZFVFHTE-1710BUDZFVFHTE-1711BUDZFVFHTE-1712BUDZFVFHTE-1713BUDZFVFHTE-1715BUDZFVFHTE-1716BUDZFVFHTE-1718BUDZFVFHTE-1720BUDZFVFHTE-1722BUDZFVFHTE-1724BUDZFVFHTE-1727BUDZFVFHTE-1730BUDZFVFHTE-1733BUDZFVFHTE-1736B

0.252019年/夏

開発中

3.6

3.89

4.17

4.55

4.98

5.49

6.06

6.65

7.28

8.02

8.85

9.77

10.76

11.74

12.91

14.34

15.85

17.56

19.52

21.54

23.72

26.19

29.19

32.15

35.07

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

3.845

4.16

4.43

4.75

5.2

5.73

6.33

6.93

7.6

8.36

9.23

10.21

11.22

12.24

13.49

14.98

16.51

18.35

20.39

22.47

24.78

27.53

30.69

33.79

36.87

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

―OK

OK

OK

OK

OK

―OK

OK

OK

―――OK

―OK

OK

――――――――OK

OK

OK

―――OK

OK

――

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

OK

形名（一般品）

Vz(V)

Min Typ Max

UDZGVTE-173.6BUDZGVTE-173.9BUDZGVTE-174.3BUDZGVTE-174.7BUDZGVTE-175.1BUDZGVTE-175.6BUDZGVTE-176.2BUDZGVTE-176.8BUDZGVTE-177.5BUDZGVTE-178.2BUDZGVTE-179.1BUDZGVTE-1710BUDZGVTE-1711BUDZGVTE-1712BUDZGVTE-1713BUDZGVTE-1715BUDZGVTE-1716BUDZGVTE-1718BUDZGVTE-1720BUDZGVTE-1722BUDZGVTE-1724BUDZGVTE-1727BUDZGVTE-1730BUDZGVTE-1733BUDZGVTE-1736B

☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆

☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆

形名(車載対応品)

Pd(W)

Iz(mA)

UDZGVFHTE-173.6BUDZGVFHTE-173.9BUDZGVFHTE-174.3BUDZGVFHTE-174.7BUDZGVFHTE-175.1BUDZGVFHTE-175.6BUDZGVFHTE-176.2BUDZGVFHTE-176.8BUDZGVFHTE-177.5BUDZGVFHTE-178.2BUDZGVFHTE-179.1BUDZGVFHTE-1710BUDZGVFHTE-1711BUDZGVFHTE-1712BUDZGVFHTE-1713BUDZGVFHTE-1715BUDZGVFHTE-1716BUDZGVFHTE-1718BUDZGVFHTE-1720BUDZGVFHTE-1722BUDZGVFHTE-1724BUDZGVFHTE-1727BUDZGVFHTE-1730BUDZGVFHTE-1733BUDZGVFHTE-1736B

0.4

3.47

3.76

4.17

4.61

5

5.49

6.08

6.66

7.35

8.04

8.92

9.8

10.78

11.76

12.74

14.7

15.68

17.64

19.6

21.56

23.52

26.33

29.25

32.18

35.1

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

3.73

4.04

4.43

4.79

5.2

5.71

6.32

6.94

7.65

8.36

9.28

10.2

11.22

12.24

13.26

15.3

16.32

18.36

20.4

22.44

24.48

27.68

30.75

33.83

36.9

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

5

2

2

2

2

60%Down

80%Down

☆：開発中


抵抗体に特殊合金を採用！独自のトリミングレス構造で熱集中を回避し表面温度上昇を低減

独自の精密溶接技術により抵抗体金属と厚い銅電極を接合し高い放熱性と熱容量を持った構造を実現

ローム独自のトリミングレス構造抵抗体に特殊合金採用

短辺電極熱

長辺電極熱

放熱性アップ！放

熱

● 3W～5Wクラスの大電力独自の精密溶接技術により抵抗体金属と厚い銅電極を接合し高い放熱性と熱容量を持った構造を実現

● 0.1mΩ～の超低抵抗抵抗体金属に高機能合金材料を採用し超低抵抗領域でも低TCR（抵抗温度係数）を達成

● 凸型形状を採用抵抗体金属と基板の間に距離が出来るため、基板への熱ストレスを低減

抵抗体金属(Ni-Cr/Cu-Mn系合金)

溶接部

電極（Cu）電極（Cu）

特殊金属を採用し低TCRを実現更にローム独自の新構造により優れた放熱性能を実現

他社よりも優れた放熱性を実現＜Top＞＜Bottom＞

＜Side＞

各種電流検出用車載（EPS、バッテリ監視ユニット他）エネルギー関係（パワーコンディショナー）大型電気機器（エアコン、冷蔵庫）

各種電流検出用車載（ECU，モータ周辺回路，他）産機（汎用インバータ）蓄電関係（パワコン）大型電気機器（エアコン，冷蔵庫）各種電源

シャント抵抗器特長とラインアップ

トリミングレスにより熱集中を避け、表面温度上昇を低減！

ROHM

(88.7ºC) (98.8ºC)

他社

サイズ：6432印加電力：1W

ローム：PMR他社：金属板タイプ

表面温度上昇比較

各種電流検出用ノートPC 携帯電話充電器ＤＣ/ＤＣコンバータ小型バッテリ制御過電流検知HDD

各種電流検出用ノートPC 携帯電話充電器ＤＣ/ＤＣコンバータ小型バッテリ制御過電流検知HDD

長辺電極構造採用により電極強度と放熱性を向上定格電力比較

PML100 (1.0 to 2.2mΩ)

PMR100

周囲温度(ºC)-55 25 70 155

0

1

2

3

4

定格電力

(W)

3264サイズ3W at 25ºC保証！

表面温度比較外観

＜107℃ at 3W＞

＜GMR100/10mΩ＞

＜140℃ at 3W＞

＜Competitor/10mΩ＞

超低抵抗金属板/汎用タイプ PMRシリーズ

低抵抗金属板/高電力タイプ GMRシリーズ

超低抵抗金属板/高電力タイプ PSRシリーズ

超低抵抗金属板/長辺電極品 PMLシリーズ

内部電極（Cu）中間電極（Ni）外部電極（Sn）

保護膜（樹脂）

金属抵抗体


超低抵抗シャント抵抗器（金属板タイプ）裏面電極タイプチップ抵抗器（厚幕タイプ）

超低抵抗シャント抵抗器 /長辺電極品（金属板タイプ）

高電力超低抵抗シャント抵抗器（金属板タイプ）

高電力超低抵抗シャント抵抗器（金属板タイプ）

高電力チップ抵抗器/長辺電極品（厚幕タイプ）

品名外観サイズmm(inch)

定格電力(W)

抵抗値許容差

抵抗値範囲(mΩ)

抵抗温度係数(ppm/℃)

使用温度範囲(℃)

PMR01

PMR03

PMR10

PMR18

PMR25

PMR50

1005（0402） 0.2

0.25

0.5

1

1

1

2

J(±5%)

J (±5%)F (±1%)

1608（0603）

2012（0805）

3216（1206）

3225（1210）

5025（2010）

10

10(☆5)

2,3,4,5,6,7,8,9,10

1,2,3,4,56,7,8,9,10(☆:1.2,2.5)

1,2,3,4,5

1,2,3,4,5,6,7,8,9,10

(☆:1.2,1.5,2.5)

1,2,(☆:1.5)3,4,5,67,8,9,10

1,2

±150

±100

±150

6432（2512）

☆3

0～200

0～150

±150

±100

±100

±100

－55～＋155

－55～＋170

サイズmm(inch)

定格電力(W)

品名外観

0603（0201）

1005（0402）

1608（0603）

2012（0805）

1220（0508）

1632（0612）

2550（1020）

3264（1225）

3216（1206）

UCR006

UCR01

UCR03

UCR10

UCR18

0.1

0.125

0.25

0.33

0.5


定格電力(W)

抵抗値許容差




1220（0508）

1632（0612）

2550（1020）

3264（1225）

PML10

PML18

PML50

PML100

1.0, 1.5,2.0, 2.5

J(±5%)G(±2%)

J(±5%)G(±2%)

J(±5%)

J(±5%)

0.5, 1.0,1.5, 2.0, 2.5

0.5, 2.2

1.0, 1.5,2.0, 2.2

0.5

±200

±150

±200

±100

±150

0.66

1

2

2

2(3W at 25℃)

－55～＋155


定格電力Tk=110℃

(W)

抵抗値許容差




0.3

0.5

1.0

2.0, 3.0

☆0.2

0.3, 0.5

1.0, 2.0, 3.0

☆0.1

0.2

0.3, 0.4, 0.5

1.0, 2.0

±150

±115

±100

±50

125±50

±175

±75

200±50

±225

±150

±75

F(±1%)

F(±1%)

F(±1%)

6432(2512)

10×5.2(3921)

15×7.75(5931)

PSR100

PSR400

PSR500

3

4

5

－55～＋170



(W)

抵抗値許容差




5025(2010)

F(±1%)

2

3

GMR50

GMR100

GMR320

6432 (2512)

7142(2817)

5,10～220(E6)

5,10～220(E6)10/15/20/22/33/39/40/47/50/56/100/

220mΩ

5,10～100(E6)

±20(at ＋20℃～＋60℃)

±50(at ＋20℃～＋60℃)

－55～＋170

サイズmm(inch)

定格電力(W)

品名外観

☆

LTR10

LTR18

LTR50

LTR100

0.5

1.0

2.0

PMR100

5


(W)

6

12

15

☆

☆

☆


(W)

3

5

7

☆

☆

☆

☆

☆

☆：開発中

2.0

3.0

☆：開発中Note：抵抗値範囲のExxシリーズについては製品によって範囲がことなりますので、データシートにてご確認ください。


第2世代耐硫化チップ抵抗器 SFRシリーズ

高い耐サージ特性を実現

■Standard Type

Internal Electrode

Current flow

Resistive ElementLaser Trim Current flow Resistive Element

■Anti-Surge Resistance Type

独自の抵抗体パターン設計で、耐サージ特性を汎用品より大幅に向上

●従来のシリーズと比較して高電力に対応しセットの省スペース化に貢献●静電気耐圧2kV～5kVを保証

断面図

試験条件・温度：110℃・硫黄粉末：10g・デシケータ使用・判定値：ΔR≧100%

Sulfur(10g) Specimen

Desiccator

Oven 110℃

100

90

80

70

60

50

40

30

20

1

00 500 1000 1500 2000 2500 3000

Time(h)

汎用チップ

第1世代耐硫化品

SFRシリーズ

1st GenAnti- SulfurationProduct Lifetime : 750hrs

SFR Series : Over 3000hrs

Burn

out

Ratio

(%)

Sn層 Ni層

硫化ガス進入箇所

抵抗体

上面電極（Ag系）

②硫化保護層（樹脂）

①側面電極（Ni-Cr系）

オーバーコート（樹脂）

アプリケーション車載全般産業機器全般通信インフラ関係

高信頼性抵抗器特長とラインアップ

サイズmm(inch)

1005(0402)

1608(0603)

2012(0805)

3216(1206)

3225(1210)

5025(2010)

6432(2512)

MCR01

MCR03

MCR10

MCR18

MCR25

MCR50

MCR100

0.063W

0.10W

0.125W

0.25W

0.25W

0.50W

1.0W

ESR01

ESR03

ESR10

ESR18

ESR25

――

0.20W

0.25W

0.40W

0.5W

0.66W

――

―SDR03

SDR10

――――

―0.3W

0.5W

――――

――

LTR10

LTR18

―LTR50

LTR100

――

0.25W

0.75W

―1.0W

2.0W

シリーズ MCRシリーズ(Standard)

ESRシリーズ（High power）

SDRシリーズ（High power）（Anti-surge）

LTRシリーズ（High power）（Wide terminal）

●長辺電極構造の採用により定格電力を汎用品に比べて大幅アップ●電極間距離が短くなることにより接合信頼性を大幅に向上　●静電気耐圧3kVを保証

●過酷な硫化環境での使用が想定される各種アプリケーションに対応●従来の耐硫化品と比較して耐硫化性能を劇的に改善（ローム標準試験にて3倍以上の実力を確認）

硫化特性構造

静電気破壊試験結果

1MΩ100KΩ10KΩ1KΩ100Ω10Ω

5%

0%

–5%

–10%

–15%

–20%

–25%Resis

tan

ce C

han

ge R

ate

(⊿

R /

R )

MMCRCR03MCR03

ESESR03ESR03

SDR03SDR03耐サージ性能を更に向上

Test Condition

DC V (Applied Voltage) 3kV

No. of Cycles ±10

C (Capacitor) 100pF

R (Discharge Resistor) 1.5kΩ

R1

DCV SampleC

●独自の抵抗体パターン、トリミング技術により、耐サージ特性を大幅に向上

高い定格電力保証を実現WideTerminal LTRシリーズ Conventional MCRシリーズ

Electrode Size

Heat Dissipation to Substrate

Rated Power ◎ ○

Large Small

heatheat

Superior Standard

耐サージチップ抵抗器 ESRシリーズ長辺電極チップ抵抗器ＬＴＲシリーズ

高耐サージチップ抵抗器ＳＤＲシリーズ

☆

☆：開発中


耐サージチップ抵抗器（高信頼タイプ）

高電力チップ抵抗器 /長辺電極品（高信頼タイプ）

高耐圧チップ抵抗器（高信頼タイプ）

耐硫化チップ抵抗器（高信頼タイプ）


定格電力(W)

抵抗値許容差抵抗値範囲（Ω）



ESR01

ESR03

ESR10

ESR18

ESR25

1005(0402)

1608(0603)

2012(0805)

3216(1206)

3225(1210)

0.2

0.25

0.4

0.5

0.66

J (±5%)

F (±1%)

J (±5%)

F (±1%)

D(±0.5%)

J (±5%)

F (±1%)

D(±0.5%)

J (±5%)

F (±1%)

D(±0.5%)

10～1M

1～30M

1～10M

10～1M

1～15M

1～10M

10～1M

±100

±200

±100

±100

±200

±100

±100

J (±5%)F (±1%)

D(±0.5%)

J,F:1～10M Ｄ:10～1M

J：±200F,Ｄ：±100

1～9.110～10M

1～9.7610～10M

±200±100

＋500/－250±200


定格電力(W)

抵抗値許容差抵抗値範囲（Ω）



LTR10

LTR18

LTR50

1220(0508)

1632(0612)

2550(1020)

3264(1225)

0.25

0.75

1.0

2.0

J (±5％)F(±1％)

D(±0.5％)

1～1M(D:10～1M)

J:±200F,D:±100

10～2.2M

1～10M

±100

±200

☆：開発中Note：（E24）標準品（E96）注文生産品

－55～＋155

SDR03

SDR10☆

1608(0603)

2012(0805)

0.3

0.5

±100

±100

±200

±200±100

±200±100

±200

10～1M(E24/96)

10～1M(E24/96)

1～10M(E24)

1～9.76(E24/96)10～10M(E24/96)

1～9.76(E24/96)10～10M(E24/96)

1～10M(E24)

D（±0.5％）

D（±0.5％）J（±5％）

F（±1％）

F（±1％）

J（±5％）

－55～＋155

品名外観サイズ

mm(inch)定格電力

(W) 抵抗値許容差抵抗値範囲（Ω）



SFR01

SFR03

SFR10

SFR18

SFR25

1005(0402)

1608(0603)

2012(0805)

3216(1206)

3225(1210)

0.063

0.1

0.125

0.25

0.5

F(±1％)

J(±5％)

F(±1％)

J(±5％)

F(±1％)

J(±5％)

F(±1％)

J(±5％)

F(±1％)

J(±5％)

1～9.1(E24)

10～10M(E24)

10～2.2M(E24/96)

1～9.1(E24)

10～10M(E24)

10～10M(E24/96)

1～9.1(E24)

10～10M(E24)

10～2.2M(E24/96)

1～9.1(E24)

10～10M(E24)

10～2.2M(E24/96)

1～1M(E24)

10～1M(E24/96)

＋500/－250

±200

±100

±400

±200

±100

±400

±200

±100

±400

±200

±100

±200

±100

－55～＋155

－55～＋155

品名外観サイズ

mm(inch)定格電力

(W) 抵抗値許容差抵抗値範囲（Ω）



KTR03

KTR10

KTR18

1608(0603)

2012(0805)

3216(1206)

3225(1210)

0.1

0.125

0.25

0.33

素子最高電圧(V)

350

400

500

J (±5%)F (±1%)

1～10M

J:1 ～30MF:1～10M

J:1 ～15MF:1～10M

1～10M

J:±200F:±100

－55～＋155

LTR100

KTR25 600

MCR03

ESR03

SDR03


ロームグループ主要拠点（Japan）

京都本社京都本社京都テクノロジーセンター京都テクノロジーセンター横浜テクノロジーセンター横浜テクノロジーセンターラピズセミコンダクタ宮崎ラピズセミコンダクタ宮崎

ラピズセミコンダクタ宮城ラピズセミコンダクタ宮城

● ●

● ●

営業拠点生産拠点R&D拠点物流拠点

京都東京横浜

名古屋松本水戸

西東京仙台高崎

宇都宮

● 営業拠点

ローム株式会社ローム滋賀株式会社ローム浜松株式会社ローム・ワコー株式会社ローム・アポロ株式会社ローム・メカテック株式会社ラピスセミコンダクタ株式会社ラピスセミコンダクタ宮城株式会社ラピスセミコンダクタ宮崎株式会社

● 生産拠点

京都テクノロジーセンター（本社）京都テクノロジーセンター（京都駅前）横浜テクノロジーセンターラピスセミコンダクタ株式会社(新横浜)ラピスセミコンダクタ株式会社宮崎デザインセンター

ローム・ロジステック株式会社

● 物流拠点

● R&D拠点

仙台

西東京

高崎松本

ローム浜松(静岡)

名古屋ローム滋賀(滋賀)

ローム(本社)京都

ローム・メカテック(京都)

ローム・ワコー(岡山)

ローム・ロジステック(岡山)

ローム・アポロ(福岡)

ラピスセミコンダクタ宮城(宮城)

水戸

東京ラピスセミコンダクタ(本社)横浜

ラピスセミコンダクタ宮崎(宮崎) ラピスセミコンダクタ宮崎デザインセンター

(宮崎)

宇都宮


ロームグループ主要拠点（Global）

京都本社京都テクノロジーセンター横浜テクノロジーセンターラピズセミコンダクタ宮崎

ラピズセミコンダクタ宮城

● 営業拠点

ROHM Semiconductor Korea CorporationROHM Semiconductor Trading (Dalian) Co., Ltd.ROHM Semiconductor Trading (Beijing) Co., Ltd.ROHM Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.ROHM Semiconductor (Shenzhen) Co., Ltd.ROHM Semiconductor Hong Kong Co., Ltd.ROHM Semiconductor Taiwan Co., Ltd.ROHM Semiconductor Singapore Pte. Ltd.ROHM Semiconductor Philippines CorporationROHM Semiconductor (Thailand) Co., Ltd.ROHM Semiconductor Malaysia Sdn. Bhd.ROHM Semiconductor India Pvt. Ltd.ROHM Semiconductor U.S.A., LLCROHM Semiconductor GmbH

AMERICAEUROPE

ASIA

● 開発拠点

Korea Technical CenterBeijing Technical Center Shanghai Technical Center Shenzhen Technical Center Taiwan Technical CenterIndia Technical Center/India Design Center Americas Technical Center (Santa Clara)Europe Technical CenterFinland Software Development Center

AMERICAEUROPE

ASIA

● 生産拠点

ROHM Korea CorporationROHM Electronics Philippines, Inc.ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.ROHM Electronics Dalian Co., Ltd.ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.ROHM Mechatech Philippines, Inc.ROHM Mechatech (Thailand) Co., Ltd.Kionix, Inc.SiCrystal GmbH

AMERICAEUROPE

ASIA

● QAセンター

Korea QA Center Shanghai QA Center Shenzhen QA Center Taiwan QA CenterThailand QA Center America QA CenterEurope QA Center

AMERICAEUROPE

ASIA

営業拠点生産拠点R&D拠点QAセンター

GermanySiCrystal

India

ROHM Integrated Systems (Thailand)ROHM Mechatech (Thailand)

Thailand

ROHM-Wako Electronics (Malaysia)PhilippinesTaiwanShanghai

Korea

ROHM Electronics DalianROHM Semiconductor (China)

Finland

ROHM Mechatech PhilippinesMalaysiaSingapore

ShenzhenHong Kong

KionixDetroit

ROHM Electronics Philippines

U.S.A.Santa Clara

Beijing

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Catalog No.62P7223J-B 08.2019 PDF © 2019 ROHM Co., Ltd.

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AC/DC Converter 一次電源デバイスカタログ · 2019. 8. 29. · 03 一次電源デバイスカタログ 一次電源製品マトリックス 電力別ラインアップ 入力

AC/DC Converter 一次電源デバイスカタログ · 2019. 8. 29. · 03 一次電源デバイスカタログ一次電源製品マトリックス電力別ラインアップ入力