Capitolul 7

Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

1.1p

Simbolul unui tiristor este prezentat în figura notată:

a) b) c) d)

2.1p

Simbolul unui triac este prezentat în figura notată:

a) b) c) d)

3.1p

Simbolul unei diode Shockley este prezentat în figura notată:

a) b) c) d)

127

Elemente de electronică analogică - teste

4.1p

Simbolul unui diac este prezentat în figura notată:

a) b) c) d)

5.3p

Structura unui tiristor este prezentată în figura notată:

a) b) c) d)

6.3p

Structura unui triac este prezentată în figura notată:

a) b) c) d)

128

Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

7.3p

Structura unei diode Shockley este prezentată în figura notată:

a) b) c) d)

8. 2p

În funcţionare normală, tiristorul prezintă:

a) două stări, ambele instabile;b) două stări, una stabilă, una instabilă;c) trei stări, toate trei stabile;d) două stări, ambele stabile.

9.2p

În funcţionare normală, tiristorul prezintă două stări:

a) stare de conducţie, stare în care tiristorul se comportă ca un scurtcircuit, şi starea de blocare stare în care tiristorul se comportă ca un circuit întrerupt;

b) stare de conducţie, stare în care tiristorul se comportă ca un scurtcircuit, şi starea instabilă stare în care tiristorul se comportă ca o rezistenţă negativă;

c) starea de blocare stare în care tiristorul se comportă ca un circuit întrerupt, şi starea instabilă stare în care tiristorul se comportă ca o rezistenţă negativă;

d) stare de conducţie, stare în care tiristorul se

129

Elemente de electronică analogică - teste

comportă ca un amplificator, şi starea de blocare stare în care tiristorul se comportă ca un circuit întrerupt;

10.2p

Procesul de amorsare al tiristorului reprezintă:

a) tranziţia de la starea de blocare la starea în care tiristorul se comportă ca o rezistenţă negativă;

b) tranziţia de la starea de conducţie la starea în care tiristorul se comportă ca o rezistenţă negativă;

c) tranziţia de la starea de conducţie la starea de blocare;

d) tranziţia de la starea de blocare la starea de conducţie.

112p

Procesul de amorsare al tiristorului reprezintă tranziţia de la starea de blocare la starea de conducţie. Pentru a se realiza această tranzitie este necesar:

a) să fie îndeplinite una dintre următoarele condiţii: polarizare directă a tiristorului sau comandă pe poartă;

b) să fie îndeplinite simultan două condiţii: polarizare directă a tiristorului şi comandă pe poartă;

c) şi suficient ca tiristorul să fie polarizat direct;d) şi suficient să existe comandă pe poartă.

12.2p

Tiristorul poate fi conceput având în structura sa două tranzistoare conectate ca în figura:a) b) c) d)

13.2p

Tiristorul poate fi conceput având în structura sa două tranzistoare conectate ca în figura 7.1. Amorsarea tiristorului poate fi explicată prin faptul că modul de conectare al celor două tranzistoare permite declanşarea unui proces regenerativ în structură prezentat în figura:

130

Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

Figura 7.1

a)

b)

c)

d)

14.3p

Tiristorul poate fi conceput având în structura sa două tranzistoare conectate ca în figura 7.1. Amorsarea tiristorului poate fi explicată prin faptul că modul de conectare al celor două tranzistoare permite declanşarea unui proces regenerativ în structură prezentat în figura7.2. Mecanismul este :

a) pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin blocarea celor două tranzistoare;

b) pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin blocarea tranzistorului T1 şi saturarea tranzistorului T2;

c) pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin saturarea celor două tranzistoare;

d) pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin blocarea tranzistorului T1 şi saturarea tranzistorului T2.

131

Elemente de electronică analogică - teste

15.3p

În practică există posibilitatea apariţiei aşa numitelor amorsări parazite, amorsări ce trebuie evitate. Există în principal doi factori care pot da naştere acestor amorsări:

a) dispersia parametrilor sau efectul ;

b) dispersia parametrilor sau efectul ;

c) temperatura sau efectul ;

d) temperatura sau efectul ;

16.2p

Procesul de dezamorsare al tiristorului reprezintă:

a) tranziţia de la starea de conducţie la starea în care tiristorul se comportă ca o rezistenţă negativă;

b) tranziţia de la starea de conducţie la starea în care tiristorul se comportă ca o rezistenţă negativă;

c) tranziţia de la starea de conducţie la starea de blocare;

d) tranziţia de la starea de blocare la starea de conducţie.

17.2p

Procesul de dezamorsare al tiristorului reprezintă tranziţia de la starea de conducţie la starea de blocare. Pentru a se realiza această tranzitie este necesar:

a)

b)

c)

d)

unde: iH poartă numele de curent de menţinereiA curent anodiciG curent de grilă

18.2p

Blocarea tiristorului clasic se realizează practic prin două metode. Una dintre ele este:

a) polarizarea inversă a tiristorului;

132

Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

b) injectarea unui curent pe poartă;c) polarizarea inversă a joncţiunii poartă catod;d) comandă pe poartă şi polarizare inversă a tiristorului.

19.2p

Blocarea tiristorului clasic se realizează practic prin două metode. Una dintre ele este:

a) proiectarea unui circuit special de stingere;b) injectarea unui curent pe poartă;c) polarizarea inversă a joncţiunii poartă catod;d) comandă pe poartă şi polarizare inversă a tiristorului.

20.3p

În cazul unui tiristor clasic:

a) grila comandă atât amorsarea cât şi dezamorsarea; b) după amorsare grila îşi pierde rolul;c) uneori grila comandă amorsarea alteori

dezamorsarea;d) rolul grilei este dictat de circuitul exterior.

21.2p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura notată:

a) b)

c) d.)

22.2p

Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura notată:

133

Elemente de electronică analogică - teste

a) b)

c) d.)

23.2p

Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura notată:a) b)

c) d.)

24.2p

Caracteristica statică a unui triac este prezentată în figura notată:

a) b)

134

Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

c) d.)

25.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 1 este notată:

Figura 7.2

a) regiune de străpungere; regiune nefolosită în funcţionare normală întrucât tiristorul se distruge dacă punctul de funcţionare ajunge în această regiune.

b) regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea de blocare la polarizare directă constituie una dintre cele două stări stabile ale tiristorului

c) regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea de blocare la polarizare invesă constituie una dintre cele două stări stabile ale tiristorului

d) regiune de rezistenţă negativă; stare instabilă;

135

Elemente de electronică analogică - teste

neutilizată în mod normal.

25.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 2 este notată:

a) regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea de blocare la polarizare directă constituie una dintre cele două stări stabile ale tiristorului

b) regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea de blocare la polarizare invesă constituie una dintre cele două stări stabile ale tiristorului

c) regiune de rezistenţă negativă; stare instabilă; neutilizată în mod normal.

d) regiune de conducţie; constituie una dintre cele două stări stabile ale tiristorului

26.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 3 este notată:

a) regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea de blocare la polarizare directă constituie una dintre cele două stări stabile ale tiristorului

b) regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea de blocare la polarizare invesă constituie una dintre cele două stări stabile ale tiristorului

c) regiune de rezistenţă negativă; stare instabilă; neutilizată în mod normal.

d) regiune de conducţie; constituie una dintre cele două stări stabile ale tiristorului

27.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 4 este notată:

a) regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea de blocare la polarizare directă constituie una dintre cele două stări stabile ale tiristorului

b) regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea de blocare la polarizare invesă constituie una dintre cele două stări stabile ale tiristorului

c) regiune de rezistenţă negativă; stare instabilă; neutilizată în mod normal.

d) regiune de conducţie; constituie una dintre cele două stări stabile ale tiristorului

136

Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

28.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 5 este notată:

a) regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea de blocare la polarizare directă constituie una dintre cele două stări stabile ale tiristorului

b) regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea de blocare la polarizare invesă constituie una dintre cele două stări stabile ale tiristorului

c) regiune de rezistenţă negativă; stare instabilă; neutilizată în mod normal.

d) regiune de conducţie; constituie una dintre cele două stări stabile ale tiristorului

29.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 1 este notată:

Figura 7.3

a) regiune de străpungere; b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;

30.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 2 este notată:

a) regiune de străpungere; b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;

31.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 3 este notată:

a) regiune de străpungere;

137

Elemente de electronică analogică - teste

b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;

32.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 4 este notată:

a) regiune de străpungere; b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;

33.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 5 este notată:

a) regiune de străpungere; b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;

34.1p

Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 6 este notată:

a) regiune de străpungere; b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;

35.1p

Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4. Cu 1 este notată:

Figura 7.4

a) regiune de străpungere;b) regiune de blocare la polarizare inversă; c) regiune de blocare la polarizare directă;d) regiune de rezistenţă negativă.

138

Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

36.1p

Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4. Cu 2 este notată:

a) regiune de blocare la polarizare inversă; b) regiune de blocare la polarizare directă;c) regiune de rezistenţă negativă.d) regiune de conducţie.

37.1p

Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4. Cu 3 este notată:

a) regiune de blocare la polarizare inversă; b) regiune de blocare la polarizare directă;c) regiune de rezistenţă negativă.d) regiune de conducţie.

38.1p

Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4. Cu 4 este notată:

a) regiune de blocare la polarizare inversă; b) regiune de blocare la polarizare directă;c) regiune de rezistenţă negativă.d) regiune de conducţie.

39.1p

Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4. Cu 5 este notată:

a) regiune de blocare la polarizare inversă; b) regiune de blocare la polarizare directă;c) regiune de rezistenţă negativă.d) regiune de conducţie.

40.1p

Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 1 este notată:

Figura 7.5

139

Elemente de electronică analogică - teste

a) regiune de străpungere; b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;

41.1p

Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 2 este notată:

a) regiune de străpungere; b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;

42.1p

Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 3 este notată:

a) regiune de străpungere; b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;

43.1p

Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 4 este notată:

a) regiune de străpungere; b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;

44.1p

Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 5 este notată:

a) regiune de străpungere; b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;

45.1p

Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 6 este notată:

a) regiune de străpungere; b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;

46. Tiristorul blocat se modelează ca în figura notată:

140

Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

2pa) b) c) d)

47.2p

Tiristorul în conductie se modelează ca în figura notată:

a) b) c) d)

48.4p

Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. Figura 7.7 prezintă modul de variaţie în timp a tensiunii de alimentare Vs şi a curentului de comandă aplicat pe grila tiristorului iG. În aceste condiţii, căderea de tensiune (vA) pe tiristor este prezentată în figura notată:

Figura 7.6 Figura 7.7

a) b)

141

Elemente de electronică analogică - teste

c) d)

49.4p

Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. Figura 7.7 prezintă modul de variaţie în timp a tensiunii de alimentare Vs şi a curentului de comandă aplicat pe grila tiristorului iG. În aceste condiţii, căderea de tensiune (vL) pe rezistorul de sarcină tiristor este prezentată în figura notată:

Figura 7.6 Figura 7.7

a) b)

142

Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

c) d)

502p

Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. În condiţiile în care tiristorul este în conducţie această schemă se modelează ca în figura notată:

a) c)

c) d)

143

Elemente de electronică analogică - teste

512p

Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. În condiţiile în care tiristorul este blocat această schemă se modelează ca în figura notată:a) c)

c) d)

524p

Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. Formele undă care caracterizează funcţionarea sunt prezentate în figura 7.8. În condiţiile în care tensiunea din secundarul transformatorului are expresia

cădere de tensiune de pe sarcină (vL) are expresia:

144

Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

Figura 7.8

a)

b)

c)

d)

534p

Figura 7.9 prezintă o aplicaţie tipică pentru funcţionarea unui triac. Funcţionarea acestui circuit este descrisă de formele de unda reprezentate în figura notată:

Figura 7.9

145

Elemente de electronică analogică - teste

a) b)

c) d)

146

Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

Răspunsuri

1. Răspuns corect a) 31. Răspuns corect b.)2. Răspuns corect b.) 32. Răspuns corect b.)3. Răspuns corect c) 33. Răspuns corect c.)4. Răspuns corect d) 34. Răspuns corect c.)5. Răspuns corect a) 35. Răspuns corect a.)6. Răspuns corect b) 36. Răspuns corect a.)7. Răspuns corect c.) 37. Răspuns corect b.)8. Răspuns corect d) 38. Răspuns corect c.)9. Răspuns corect a) 39. Răspuns corect d.)10. Răspuns corect d) 40. Răspuns corect d.)11. Răspuns corect b) 41. Răspuns corect c.)12. Răspuns corect b) 42. Răspuns corect b.)13. Răspuns corect a) 43. Răspuns corect b.)14. Răspuns corect c) 44. Răspuns corect c.)15. Răspuns corect d) 45. Răspuns corect d.)16. Răspuns corect c) 46. Răspuns corect b.)17. Răspuns corect c) 47. Răspuns corect a.)18. Răspuns corect a) 48. Răspuns corect b)19. Răspuns corect a) 49. Răspuns corect d)20. Răspuns corect b) 50. Răspuns corect d)21. Răspuns corect a) 51. Răspuns corect c)22. Răspuns corect b) 52. Răspuns corect d.)23. Răspuns corect c) 53. Răspuns corect d)24. Răspuns corect d)25. Răspuns corect a)25. Răspuns corect a)26. Răspuns corect b)27. Răspuns corect c)28. Răspuns corect d.)29. Răspuns corect d)30. Răspuns corect c.)

147