16
広帯域4 GHz1GHz43dBアイソレーション 1.65V2.75VCMOS 2:1 Mux/SPDT ADG918/ADG919 Rev. C アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に 関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、 アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様 は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。 ※日本語データシートは REVISION が古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。 ©20032008 Analog Devices, Inc. All rights reserved. 社/〒105-6891 東京都港区海岸 1-16-1 ニューピア竹芝サウスタワービル 電話 0354028200 大阪営業所/〒532-0003 大阪府大阪市淀川区宮原 3-5-36 新大阪 MT ビル 2 電話 0663506868 特長 広帯域スイッチ:-3 dB 帯域幅 4 GHz 吸収型/反射型スイッチ 高いオフ時アイソレーション: 1 GHz 43 dB 低い挿入損失: 1 GHz 0.8 dB 1.65 V2.75 V の単電源動作 CMOS/LVTTL のコントロール・ロジック 8 ピン MSOP パッケージまたは 8 ピン小型 3 mm×3 mm LFCSP ッケージを採用 低消費電力: 1μA 未満 アプリケーション ワイヤレス通信 汎用 RF スイッチング デュアル・バンド・アプリケーション フィルタの高速選択 デジタル・トランシーバのフロントエンド・スイッチ IF スイッチング チューナ・モジュール アンテナ・ダイバーシティー・スイッチング 機能ブロック図 RF2 RF1 CTRL ADG918 RFC 5050ADG919 RF2 RF1 CTRL RFC 03335-001 1. 概要 ADG918/ADG919 は、1GHz までの高いアイソレーションと低い 挿入損失を提供する CMOS プロセスを採用した広帯域スイッチ です。ADG918 50Ω 終端のシャント・レッグを持つ吸収型(ッチング型)スイッチで、ADG919 は反射型スイッチです。両デ バイスは、DC1 GHz の周波数範囲で高いアイソレーションを 持つようにデザインされており、CMOS コントロール・ロジッ クを内蔵しているため、外付けコントロール回路が不要です。 コントロール入力は CMOS LVTTL に対して互換性を持って います。これらの CMOS デバイスは消費電力が小さいため、ワ イヤレス・アプリケーションや汎用高周波スイッチングに最適 です。 製品のハイライト 1. 1 GHz 43 dB のオフ時アイソレーション。 2. 1 GHz 0.8 dB の挿入損失。 3. 小型の 8 ピン MSOP/LFCSP パッケージを採用。 FREQUENCY (Hz) 10k 100k 1M 10M 100M 1G 10G –100 –90 –70 –60 –50 –40 –30 –80 –20 –10 0 ISOLATION (dB) S21 V DD = 2.5V T A = 25°C S12 03335-003 2.オフ時アイソレーションの周波数特性 FREQUENCY (Hz) 10k 100k 1M 10M 100M 1G 10G –3.2 –2.8 –2.6 –2.4 –2.2 –1.8 –1.6 –1.4 –1.2 –1.0 –2.0 –3.0 –0.8 –0.6 –0.4 INSERTION LOSS (dB) V DD = 2.5V T A = 25°C 03335-004 3.挿入損失周波数特性

4 GHz 1GHz CTRL ADG919 ADG918/ADG919 RF1...RF1 CTRL ADG918 RFC 50 50 ADG919 RF2 RF1 CTRL RFC 1 1. 概要 ADG918/ADG919 は、1GHz までの高いアイソレーションと低い 挿入損失を提供するCMOS

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Page 1: 4 GHz 1GHz CTRL ADG919 ADG918/ADG919 RF1...RF1 CTRL ADG918 RFC 50 50 ADG919 RF2 RF1 CTRL RFC 1 1. 概要 ADG918/ADG919 は、1GHz までの高いアイソレーションと低い 挿入損失を提供するCMOS

広帯域4 GHz、1GHzで43dBアイソレーション

1.65V~2.75VのCMOS 2:1 Mux/SPDT

ADG918/ADG919

Rev. C

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。

※日本語データシートは REVISION が古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。 ©2003–2008 Analog Devices, Inc. All rights reserved.

本 社/105-6891 東京都港区海岸 1-16-1 ニューピア竹芝サウスタワービル 電話 03(5402)8200

大阪営業所/532-0003 大阪府大阪市淀川区宮原 3-5-36 新大阪 MT ビル 2 号 電話 06(6350)6868

特長

広帯域スイッチ:-3 dB 帯域幅 4 GHz

吸収型/反射型スイッチ

高いオフ時アイソレーション: 1 GHz で 43 dB

低い挿入損失: 1 GHz で 0.8 dB

1.65 V~2.75 V の単電源動作

CMOS/LVTTL のコントロール・ロジック

8 ピン MSOP パッケージまたは 8 ピン小型 3 mm×3 mm LFCSP パッケージを採用

低消費電力: 1μA 未満

アプリケーション

ワイヤレス通信

汎用 RF スイッチング

デュアル・バンド・アプリケーション

フィルタの高速選択

デジタル・トランシーバのフロントエンド・スイッチ

IF スイッチング

チューナ・モジュール アンテナ・ダイバーシティー・スイッチング

機能ブロック図

RF2

RF1

CTRL

ADG918

RFC 50Ω

50Ω

ADG919

RF2

RF1

CTRL

RFC

03

33

5-0

01

図 1.

概要

ADG918/ADG919 は、1GHz までの高いアイソレーションと低い

挿入損失を提供する CMOS プロセスを採用した広帯域スイッチ

です。ADG918 は 50Ω 終端のシャント・レッグを持つ吸収型(マ

ッチング型)スイッチで、ADG919 は反射型スイッチです。両デ

バイスは、DC~1 GHz の周波数範囲で高いアイソレーションを

持つようにデザインされており、CMOS コントロール・ロジッ

クを内蔵しているため、外付けコントロール回路が不要です。

コントロール入力は CMOS と LVTTL に対して互換性を持って

います。これらの CMOS デバイスは消費電力が小さいため、ワ

イヤレス・アプリケーションや汎用高周波スイッチングに最適

です。

製品のハイライト

1. 1 GHz で–43 dB のオフ時アイソレーション。

2. 1 GHz で 0.8 dB の挿入損失。

3. 小型の 8 ピン MSOP/LFCSP パッケージを採用。

FREQUENCY (Hz)

10k 100k 1M 10M 100M 1G 10G–100

–90

–70

–60

–50

–40

–30

–80

–20

–10

0

ISO

LA

TIO

N (

dB

)

S21

VDD = 2.5V

TA = 25°C

S12

03

33

5-0

03

図 2.オフ時アイソレーションの周波数特性

FREQUENCY (Hz)

10k 100k 1M 10M 100M 1G 10G–3.2

–2.8

–2.6

–2.4

–2.2

–1.8

–1.6

–1.4

–1.2

–1.0

–2.0

–3.0

–0.8

–0.6

–0.4

INS

ER

TIO

N L

OS

S (

dB

)

VDD = 2.5V

TA = 25°C

03

33

5-0

04

図 3.挿入損失周波数特性

Page 2: 4 GHz 1GHz CTRL ADG919 ADG918/ADG919 RF1...RF1 CTRL ADG918 RFC 50 50 ADG919 RF2 RF1 CTRL RFC 1 1. 概要 ADG918/ADG919 は、1GHz までの高いアイソレーションと低い 挿入損失を提供するCMOS

ADG918/ADG919

Rev. C - 2/16 -

目次 特長 ...................................................................................................... 1

アプリケーション .............................................................................. 1

機能ブロック図 .................................................................................. 1

概要 ...................................................................................................... 1

製品のハイライト .............................................................................. 1

改訂履歴 .............................................................................................. 2

仕様 ...................................................................................................... 3

絶対最大定格 ...................................................................................... 5

ESD の注意 ..................................................................................... 5

ピン配置およびピン機能説明 .......................................................... 6

代表的な性能特性 .............................................................................. 7

用語.................................................................................................... 10

テスト回路 ........................................................................................ 11

アプリケーション情報 .................................................................... 13

吸収型スイッチ対反射型スイッチ ............................................ 13

ワイヤレス計測 ............................................................................ 13

チューナ・モジュール ................................................................ 13

フィルタの選択 ............................................................................ 13

ADG9XX 評価ボード ....................................................................... 14

外形寸法 ............................................................................................ 15

オーダー・ガイド ........................................................................ 16

改訂履歴

9/08—Rev. B to Rev. C

Changes to Ordering Guide ................................................................ 16

8/08—Rev. A to Rev. B

Changes to Table 1, AC Electrical Characteristics, Third Order

Intermodulation Intercept ..................................................................... 3

Updated Outline Dimensions .............................................................. 15

Changes to Ordering Guide ................................................................ 16

9/04—Changed from Rev. 0 to Rev. A

Updated Format ....................................................................... Universal

Change to Data Sheet Title ................................................................... 1

Change to Features ............................................................................... 1

Change to Product Highlights............................................................... 1

Changes to Specifications..................................................................... 3

Change to ADG9xx Evaluation Board section ................................... 13

Changes to Ordering Guide ................................................................ 14

8/03 Revision 0: Initial Version

Page 3: 4 GHz 1GHz CTRL ADG919 ADG918/ADG919 RF1...RF1 CTRL ADG918 RFC 50 50 ADG919 RF2 RF1 CTRL RFC 1 1. 概要 ADG918/ADG919 は、1GHz までの高いアイソレーションと低い 挿入損失を提供するCMOS

ADG918/ADG919

Rev. C - 3/16 -

仕様 VDD = 1.65 V ~ 2.75 V 、 GND = 0 V 、入力電力 = 0 dBm 。特に指定がない限り、すべての仕様は TMIN ~ TMAX で規定。

B バージョンの温度範囲は-40°C~+85°C。

表 1.

B Version

Parameter Symbol Conditions Min Typ1 Max Unit

AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Operating Frequency2 dc 2 GHz

3 dB Frequency3 4 GHz

Input Power3 0 V dc bias 7 dBm

0.5 V dc bias 16 dBm

Insertion Loss S21, S12 DC to 100 MHz; VDD = 2.5 V ± 10% 0.4 0.7 dB

500 MHz; VDD = 2.5 V ± 10% 0.5 0.8 dB

1000 MHz; VDD = 2.5 V ± 10% 0.8 1.25 dB

Isolation—RFC to RF1/RF2 S21, S12 100 MHz 57 60 dB

(CP Package) 500 MHz 46 49 dB

1000 MHz 36 43 dB

Isolation—RFC to RF1/RF2 S21, S12 100 MHz 55 60 dB

(RM Package) 500 MHz 43 47 dB

1000 MHz 34 37 dB

Isolation—RF1 to RF2 (Crosstalk) S21, S12 100 MHz 55 58

(CP Package) 500 MHz 41 44

1000 MHz 31 37

Isolation—RF1 to RF2 (Crosstalk) S21, S12 100 MHz 54 57

(RM Package) 500 MHz 39 42

1000 MHz 31 33

Return Loss (On Channel)3 S11, S22 DC to 100 MHz 21 27 dB

500 MHz 22 27 dB

1000 MHz 22 26 dB

Return Loss (Off Channel)3 S11, S22 DC to 100 MHz 18 23 dB

ADG918 500 MHz 17 21 dB

1000 MHz 16 20 dB

On Switching Time3 tON 50% CTRL to 90% RF 6.6 10 ns

Off Switching Time3 tOFF 50% CTRL to 10% RF 6.5 9.5 ns

Rise Time3 tRISE 10% to 90% RF 6.1 9 ns

Fall Time3 tFALL 90% to 10% RF 6.1 9 ns

1 dB Compression3 P–1 dB 1000 MHz 17 dBm

Third Order Intermodulation Intercept IP3 900 MHz/901 MHz, 4 dBm 28.5 36 dBm

Video Feedthrough4 2.5 mV p-p

DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Input High Voltage VINH VDD = 2.25 V to 2.75 V 1.7 V

VINH VDD = 1.65 V to 1.95 V 0.65 VCC V

Input Low Voltage VINL VDD = 2.25 V to 2.75 V 0.7 V

VINL VDD = 1.65 V to 1.95 V 0.35 VCC V

Input Leakage Current II 0 V ≤ VIN ≤ 2.75 V ± 0.1 ± 1 µA

CAPACITANCE3

RF On Capacitance CRF ON f = 1 MHz 1.6 pF

CTRL Input Capacitance CCTRL f = 1 MHz 2 pF

POWER REQUIREMENTS

VDD 1.65 2.75 V

Quiescent Power Supply Current IDD Digital inputs = 0 V or VDD 0.1 1 µA

1 特に指定がない限り、typ 値は VDD = 2.5 Vかつ 25での値。

2 挿入損失が 1dB 低下するポイント。

3 設計上保証しますが、出荷テストは行いません。

Page 4: 4 GHz 1GHz CTRL ADG919 ADG918/ADG919 RF1...RF1 CTRL ADG918 RFC 50 50 ADG919 RF2 RF1 CTRL RFC 1 1. 概要 ADG918/ADG919 は、1GHz までの高いアイソレーションと低い 挿入損失を提供するCMOS

ADG918/ADG919

Rev. C - 4/16 -

4 50Ω のテスト回路でコントロール電圧がハイ・レベルからロー・レベルへまたはロー・レベルからハイ・レベルへ変化したときの、スイッチの任意のポー

トの出力における DC 変化。立ち上がり時間 1ns のパルスと 500 MHz の帯域幅で測定。

Page 5: 4 GHz 1GHz CTRL ADG919 ADG918/ADG919 RF1...RF1 CTRL ADG918 RFC 50 50 ADG919 RF2 RF1 CTRL RFC 1 1. 概要 ADG918/ADG919 は、1GHz までの高いアイソレーションと低い 挿入損失を提供するCMOS

ADG918/ADG919

Rev. C - 5/16 -

絶対最大定格 特に指定のない限り、TA = 25。

表 2.

Parameter Rating

VDD to GND –0.5 V to +4 V

Inputs to GND –0.5 V to VDD + 0.3 V1

Continuous Current 30 mA

Input Power 18 dBm

Operating Temperature Range

Industrial (B Version) –40°C to +85°C

Storage Temperature Range –65°C to +150°C

Junction Temperature 150°C

MSOP Package

θJA Thermal Impedance 206°C/W

LFCSP Package

θJA Thermal Impedance (2-layer board) 84°C/W

θJA Thermal Impedance (4-layer board) 48°C/W

Lead Temperature, Soldering (10 sec) 300°C

IR Reflow, Peak Temperature (<20 sec) 235°C

ESD 1 kV

1グラウンドを基準とする RF1 および RF2 のオフ・ポート入力: −0.5 V~

VDD – 0.5 V。

上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒

久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格

の規定のみを目的とするものであり、この仕様の動作のセクシ

ョンに記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものでは

ありません。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くとデバ

イスの信頼性に影響を与えます。

ESD の注意

ESD(静電放電)の影響を受けやすいデバイ

スです。電荷を帯びたデバイスや回路ボード

は、検知されないまま放電することがあります。

本製品は当社独自の特許技術である ESD 保護回

路を内蔵してはいますが、デバイスが高エネルギ

ーの静電放電を被った場合、損傷を生じる可能性

があります。したがって、性能劣化や機能低下を

防止するため、ESD に対する適切な予防措置を

講じることをお勧めします。

Page 6: 4 GHz 1GHz CTRL ADG919 ADG918/ADG919 RF1...RF1 CTRL ADG918 RFC 50 50 ADG919 RF2 RF1 CTRL RFC 1 1. 概要 ADG918/ADG919 は、1GHz までの高いアイソレーションと低い 挿入損失を提供するCMOS

ADG918/ADG919

Rev. C - 6/16 -

ピン配置およびピン機能説明

TOP VIEW

(Not to Scale)

8

7

6

5

1

2

3

4

VDD

CTRL

GND

RFC

RF1

GND

GND

RF2

ADG918/

ADG919

03

33

5-0

02

図 4.

8 ピン MSOP (RM-8)および

8 ピン 3 mm x 3 mm LFCSP (CP-8);

露出パッドはサブストレート(GND)に接続

表 3.ピン機能の説明

ピン番号 記号 機能

1 VDD 電源入力。これらのデバイスは 1.65~2.75 Vの電源で動作することができ、VDDは GND にデカップリングする必要

があります。

2 CTRL ロジック・コントロール入力。 表 4を参照してください。

3、6、7 GND デバイス上の全回路に対するグラウンド基準電圧ポイント。

4 RFC スイッチの COMMON RFポート。

5 RF2 RF2 ポート。

8 RF1 RF1 ポート。

表 4.真理値表

CTRL Signal Path

0 RF2 to RFC

1 RF1 to RFC

Page 7: 4 GHz 1GHz CTRL ADG919 ADG918/ADG919 RF1...RF1 CTRL ADG918 RFC 50 50 ADG919 RF2 RF1 CTRL RFC 1 1. 概要 ADG918/ADG919 は、1GHz までの高いアイソレーションと低い 挿入損失を提供するCMOS

ADG918/ADG919

Rev. C - 7/16 -

代表的な性能特性

–0.8 VDD = 2.25V VDD = 2.75V

TA = 25°C

INS

ER

TIO

N L

OS

S (

dB

)

–3.2

–2.8

–2.6

–2.4

–2.2

–1.8

–1.6

–1.4

–1.2

–1.0

–2.0

–3.0

–0.6

–0.4

–0.2

FREQUENCY (Hz)

10k 100k 1M 10M 100M 1G 10G

03

33

5-0

17

VDD = 2.5V

図 5.電源に対する挿入損失の周波数特性

(RF1/RF2、S12、S21)

TA = 25°C–0.75

–0.65

–0.60

–0.55

–0.50

–0.45

–0.70

–0.40

–0.35

–0.30

INS

ER

TIO

N L

OS

S (

dB

)

–0.80

FREQUENCY (Hz)

10k 100k 1M 10M 100M 1G 10G

03

33

5-0

19

VDD = 2.75V

VDD = 2.5V

VDD = 2.25V

図 6.電源に対する挿入損失の周波数特性

(RF1/RF2、S12、S21)

(図 5 の拡大図)

–3.2

–2.8

–2.6

–2.4

–2.2

–1.8

–1.6

–1.4

–1.2

–1.0

–2.0

–3.0

–0.8

–0.6

–0.4

–0.2

VDD = 1.65V

TA = 25°C

VDD = 1.8V

INS

ER

TIO

N L

OS

S (

dB

)

FREQUENCY (Hz)

10k 100k 1M 10M 100M 1G 10G

03

33

5-0

21

VDD = 1.95V

図 7.電源に対する挿入損失の周波数特性

(RF1/RF2、S12、S21)

+85°C

VDD = 2.5V

–40°C

+25°C

–3.2

–2.8

–2.6

–2.4

–2.2

–1.8

–1.6

–1.4

–1.2

–1.0

–2.0

–3.0

–0.8

–0.6

–0.4

–0.2

INS

ER

TIO

N L

OS

S (

dB

)

FREQUENCY (Hz)

10k 100k 1M 10M 100M 1G 10G

03

33

5-0

18

図 8.温度に対する挿入損失の周波数特性

(RF1/RF2、S12、S21)

–20

S12

S21

VDD = 1.65V TO 2.75VTA = 25°C

–90

–70

–60

–50

–40

–30

–80

–10

0

ISO

LA

TIO

N (

dB

)

FREQUENCY (Hz)

10k 100k 1M 10M 100M 1G 10G

03

33

5-0

20

図 9. 電源に対するアイソレーションの周波数特性

(RF1/RF2、ADG918)

S12

S21

VDD = 1.65V TO 2.75V

TA = 25°C

–90

–70

–60

–50

–40

–30

–80

–20

–10

0

ISO

LA

TIO

N (

dB

)

–100

FREQUENCY (Hz)

10k 100k 1M 10M 100M 1G 10G

03

33

5-0

22

図 10. 電源に対するアイソレーションの周波数特性

(RF1/RF2、ADG919)

Page 8: 4 GHz 1GHz CTRL ADG919 ADG918/ADG919 RF1...RF1 CTRL ADG918 RFC 50 50 ADG919 RF2 RF1 CTRL RFC 1 1. 概要 ADG918/ADG919 は、1GHz までの高いアイソレーションと低い 挿入損失を提供するCMOS

ADG918/ADG919

Rev. C - 8/16 -

–20

FREQUENCY (Hz)

10k 100k 1M 10M 100M 1G 10G

VDD = 2.5V

S12 (+85°C)

S12 (+25°C)

S12 (–40°C)

–90

–70

–60

–50

–40

–30

–80

–10

ISO

LA

TIO

N (

dB

)

–100

S21

03

33

5-0

23

(–40°C, +25°C, +85°C)

図 11. 温度に対するアイソレーション周波数特性

(RF1/RF2、ADG919)

TA = 25°C

VDD = 2.5V

OFF SWITCH (ADG918)

ON SWITCH

–35

–40

–30

–25

–20

–15

–10

–5

0

RE

TU

RN

LO

SS

(d

B)

FREQUENCY (Hz)

10k 100k 1M 10M 100M 1G 10G

03

33

5-0

26

図 12.リターン損失の周波数特性

(RF1/RF2、S11)

–15 TA = 25°C

VDD = 2.5V

–35

–30

–25

–20

–55

–50

–45

–40

–10

CR

OS

STA

LK

(d

B)

–70

–60

–65

–75

–80

FREQUENCY (Hz)

10k 100k 1M 10M 100M 1G 10G

03

33

5-0

28

図 13. クロストークの周波数特性

(RF1/RF2、S12、S21)

CH1 = CTRL = 1V/DIV TRISE = 6.1ns

CH2 = RF1 = 100mV/DIV TFALL = 6.1ns

CH3 = RF2 = 100mV/DIV

CH2/3

CH1

03

33

5-0

24

図 14. スイッチ・タイミング

CH1 500mV CH2 1mVΩ m 10.0ns

CTRL

RFC

CH2 p-p2.002mV

03

33

5-0

27

図 15. ビデオ・フィードスルー

40

35

250 350 450 550

FREQUENCY (MHz)

650 750 850

30

IP3

(dB

m)

25

20

15

10

5

0

VDD = 2.5V

TA = 25°C

03

33

5-0

29

図 16. IP3 の周波数特性

Page 9: 4 GHz 1GHz CTRL ADG919 ADG918/ADG919 RF1...RF1 CTRL ADG918 RFC 50 50 ADG919 RF2 RF1 CTRL RFC 1 1. 概要 ADG918/ADG919 は、1GHz までの高いアイソレーションと低い 挿入損失を提供するCMOS

ADG918/ADG919

Rev. C - 9/16 -

20

0 250 500 750 1000 1250

FREQUENCY (MHz)

1500

P–1d

B (

dB

m)

2

4

6

8

10

12

14

16

18

0

VDD = 2.5V

TA = 25°C

03

33

5-0

25

図 17. P-1 dB の周波数特性

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ADG918/ADG919

Rev. C - 10/16 -

用語

VDD

正電源電位。

IDD

正電源電流。

GND

グラウンド(0 V)基準。

CTRL

ロジック・コントロール入力。

VINL

ロジック 0 の最大入力電圧。

VINH

ロジック 1 の最小入力電圧。

IINL (IINH)

デジタル入力の入力電流。

CIN

デジタル入力容量。

tON

デジタル・コントロール入力の入力から出力スイッチ・オンま

での遅延。

tOFF

デジタル・コントロール入力の入力から出力スイッチ・オフま

での遅延。

tRISE

RF 信号がオン・レベルの 10%から 90%まで立ち上がるのに要す

る時間。

tFALL

RF 信号がオン・レベルの 90%から 10%まで立ち下がるのに要す

る時間。

オフ時アイソレーション

スイッチ・コントロール電圧がオフ状態にあるときの、スイッ

チの入力ポートと出力ポートの間の減衰量。

挿入損失

スイッチ・コントロール電圧がオン状態にあるときの、スイッ

チの入力ポートと出力ポートの間の減衰量。

P-1 dB

1 dB コンプレッション・ポイント。ロー・レベル値に対してス

イッチ挿入損失が 1 dB 増加する RF入力電力レベル。挿入損失

が 1 dB 増加するまでにオン・スイッチが処理できる電力の大き

さを表します。

IP3

3 次相互変調干渉。周波数が近い 2 つの正弦波がスイッチを通

過する際に、スイッチの非直線性により発生する不要周波数の

電力を表します。

リターン損失

ポートに入力した電力に対する反射電力の相対的な大きさを表

します。大きいリターン損失は、マッチング性が良いことを表

します。リターン損失を測定することにより、変換チャートか

ら VSWR(電圧定在波比)を計算することができます。VSWR は、

スイッチの RF ポートでのマッチングの度合を表します。

ビデオ・フィードスルー

RF 信号がないときに、コントロール電圧がハイ・レベルからロ

ー・レベルへまたはロー・レベルからハイ・レベルへ切り替わ

る際にスイッチの RFポートに出力されるスプリアス信号。

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ADG918/ADG919

Rev. C - 11/16 -

テスト回路 ADG918 の場合も同じテスト回路を使用。

tON

50% 50%

90% 10%

VCTRL

VOUT

tOFF

VDD

VDD

0.1µF

VSCTRL

RFxRFC

GND

RL

50Ω

VOUT

03

33

5-0

09

図 18. スイッチ・タイミング: tON、tOFF

VCTRL

VOUT

50% 50%

90% 90%10%10%

tFALLtRISE

VDD

VDD0.1µF

VSCTRL

RFxRFC

GND

RL

50Ω

VOUT

03

33

5-0

10

図 19. スイッチ

VS

NETWORKANALYZER

VCTRL

OFF ISOLATION = 20logVOUT

VS

VDD

0.1µF

VDD

50Ω

VOUTRL

50Ω

ADG919

RF2

RF1

CTRL

RFC

GND

50Ω

03

33

5-0

11

図 20.オフ時アイソレーション

VS

NETWORKANALYZER

VCTRL

INSERTION LOSS = 20logVOUT

VS

VDD

VDD

0.1µF

50Ω

VOUTRL

50ΩADG919

RF2

RF1

CTRL

RFC

GND

50Ω

03

33

5-0

12

図 21. 挿入損失

VS

NETWORKANALYZER

VCTRL

CROSSTALK = 20logVOUT

VS

VDD

0.1µF

VDD

50Ω

VOUTRL

50Ω

ADG919

RF2

RF1

CTRL

RFC

GND

50Ω

03

33

5-0

13

図 22. クロストーク

VCTRL

VDD

0.1µF

VDD

ADG919

RF2

RF1

CTRL

RFC

GND

NC

NC

OSCILLOSCOPE

03

33

5-0

14

図 23. ビデオ・フィードスルー

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ADG918/ADG919

Rev. C - 12/16 -

SPECTRUMANALYZER

VCTRL

VDD

0.1µF

VDD

ADG919

RF2

RF1

CTRL

RFC

GND

50Ω

COMBINER

RFSOURCE

RFSOURCE

03

33

5-0

15

図 24. IP3

SPECTRUMANALYZER

VCTRL

VDD

0.1µF

VDD

ADG919

RF2

RF1

CTRL

RFC

GND

50Ω

RFSOURCE

VS

03

33

5-0

16

図 25. P-1 dB

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ADG918/ADG919

Rev. C - 13/16 -

アプリケーション情報 ADG918/ADG919 は、低消費電力の高周波アプリケーションに

最適なソリューションです。これらのデバイスは低挿入損失、

ポート間の高いアイソレーション、低歪み、低消費電流である

ため、多くの高周波スイッチング・アプリケーションに対する

優れたソリューションです。図 26 のワイヤレス計測のブロック

図に示す送信/受信ブロックは最も代表的なアプリケーションで

す。

アプリケーションとしては、多くのチューナ・モジュールで使

われる高周波フィルタ間の切り替え、ASK ジェネレータ、FSK

ジェネレータ、アンテナ・ダイバーシティー・スイッチなどが

あります。

吸収型スイッチ対反射型スイッチ

ADG918 は 50Ω 終端のシャント・レッグを持つ吸収型(マッチン

グ型)スイッチで、ADG919 はグラウンドへの 0 Ω シャント終端

を持つ反射型スイッチです。ADG918 吸収型スイッチは、スイ

ッチ・モードに関係なく各ポートで優れた VSWR を持ちます。

ポート入力で優れた VSWR を持つ必要があるが、信号を共通ポ

ートまで通過させない場合に吸収型スイッチが使われます。

ADG918 は、RF 信号源へ戻る反射が小さい必要のあるアプリケ

ーションに最適です。また、最大電力が確実に負荷へ転送され

ます。

ADG919 反射型スイッチは、オフ・ポートの VSWR が高くとも

問題にならず、かつスイッチに何か他の性能が必要とされるア

プリケーションに適しています。フィルタの高速選択などの多

くのアプリケーションで使うことができます。多くのケースで

は、反射型スイッチの代わりに吸収型スイッチを使うことがで

きますが、逆は成り立ちません。

ワイヤレス計測

ADG918 はワイヤレス計測アプリケーションで使うことができ

ます。ADF7020 トランシーバ IC と組み合わせて、ユーティリ

ティ計測トランシーバ・アプリケーションに使って、送信信号

と受信信号との間で必要とされるアイソレーションを提供する

ことができます。SPDT 構成では、高周波受信信号と高周波数

送信信号を分離することができます。

LNAANTENNA

TX/RX SWITCH PA

ADG918

03

33

5-0

05

図 26.ワイヤレス計測

チューナ・モジュール

ADG918 は、ケーブル TV 入力とアンテナ入力を切り替えるチ

ューナ・モジュールで使うことができます。また、チューナに

入力される複数のアンテナを切り替えるアンテナ・ダイバーシ

ティー・スイッチとして使うこともできます。

VGA

ANTENNA

CABLE

ADG918/

ADG919TUNER

03

33

5-0

06

図 27.チューナ・モジュール

フィルタの選択

ADG919 は 2 つのフィルタ間で高周波信号を切り替える 2:1 デ

ィマルチプレクサとして、また出力への信号マルチプレクサと

して使うことができます。

ADG919ADG919RF1

RF2

RF1

RF2 RFC

RFOUTRFIN

RFC

03

33

5-0

07

図 28.フィルタの選択

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ADG918/ADG919

Rev. C - 14/16 -

ADG9XX 評価ボード ADG9xx 評価ボードを使うと、この高性能広帯域スイッチを容

易に評価することができます。

評価ボードの他には、電源とネットワーク・アナライザを用意

するだけで済みます。評価ボードについてのアプリケーショ

ン・ノートを提供しており、評価ボードを動作させるための情

報が記載されています。

RFC ポートは、50 Ω の伝送線を経由して左上にある SMA コネ

クタ J1 に接続されています(図 29)。RF1 と RF2 は、50 Ω の伝送

線を経由して上側にある 2 個の SMA コネクタ J2 と J3 にそれぞ

れ接続されています。J4 と J5 は伝送線で接続されており、この

伝送線を使って、評価対象環境条件下での PCB の損失を評価し

ます。

このボードは 4 層の FR4 材料からできており、4.3 の誘電率を持

ち、全体の厚さは 0.062 インチです。2 層のグラウンド・プレー

ンにより、RF 伝送線にグラウンドを提供しています。伝送線は、

パターン幅 0.052 インチ、グラウンド・プレーンまでの距離

0.030 インチ、絶縁体の厚さ 0.029 インチ、メタル厚 0.014 イン

チを使ったグラウンド・プレーン・モデルを持つコプレーナ型

導波管を使ってデザインしています。

03

33

5-0

08

図 29. ADG9xx 評価ボードの上面図

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ADG918/ADG919

Rev. C - 15/16 -

外形寸法

COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-187-AA

0.800.600.40

8°0°

4

8

1

5

PIN 1

0.65 BSC

SEATINGPLANE

0.380.22

1.10 MAX

3.20

3.00

2.80

COPLANARITY0.10

0.230.08

3.20

3.00

2.80

5.15

4.90

4.65

0.15

0.00

0.95

0.85

0.75

図 30. 8 ピン・ミニ・スモール・アウトライン・パッケージ[MSOP]

(RM-8)

寸法: mm

図 31. 8 ピン・リードフレーム・チップ・スケール・パッケージ [LFCSP_VD]

3 mm x 3 mm ボディ、極薄、デュアル・リード

(CP-8-2)

寸法: mm

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ADG918/ADG919

Rev. C - 16/16 -

オーダー・ガイド

Model Temperature Range Package Description Package Option Branding

ADG918BRM –40°C to +85°C 8-Lead Mini Small Outline Package (MSOP) RM-8 W4B

ADG918BRM-500RL7 –40°C to +85°C 8-Lead Mini Small Outline Package (MSOP) RM-8 W4B

ADG918BRM-REEL –40°C to +85°C 8-Lead Mini Small Outline Package (MSOP) RM-8 W4B

ADG918BRM-REEL7 –40°C to +85°C 8-Lead Mini Small Outline Package (MSOP) RM-8 W4B

ADG918BRMZ1 –40°C to +85°C 8-Lead Mini Small Outline Package (MSOP) RM-8 W4B#

ADG918BRMZ-500RL71 –40°C to +85°C 8-Lead Mini Small Outline Package (MSOP) RM-8 W4B#

ADG918BRMZ-REEL1 –40°C to +85°C 8-Lead Mini Small Outline Package (MSOP) RM-8 W4B#

ADG918BRMZ-REEL71 –40°C to +85°C 8-Lead Mini Small Outline Package (MSOP) RM-8 W4B#

ADG918BCP-500RL7 –40°C to +85°C 8-Lead Lead Frame Chip Scale Package (LFCSP_VD) CP-8-2 W4B

ADG918BCP-REEL7 –40°C to +85°C 8-Lead Lead Frame Chip Scale Package (LFCSP_VD) CP-8-2 W4B

ADG918BCPZ-500RL71 –40°C to +85°C 8-Lead Lead Frame Chip Scale Package (LFCSP_VD) CP-8-2 W4B#

ADG918BCPZ-REEL71 –40°C to +85°C 8-Lead Lead Frame Chip Scale Package (LFCSP_VD) CP-8-2 W4B#

ADG919BRM –40°C to +85°C 8-Lead Mini Small Outline Package (MSOP) RM-8 W5B

ADG919BRM-500RL7 –40°C to +85°C 8-Lead Mini Small Outline Package (MSOP) RM-8 W5B

ADG919BRM-REEL –40°C to +85°C 8-Lead Mini Small Outline Package (MSOP) RM-8 W5B

ADG919BRM-REEL7 –40°C to +85°C 8-Lead Mini Small Outline Package (MSOP) RM-8 W5B

ADG919BRMZ1 –40°C to +85°C 8-Lead Mini Small Outline Package (MSOP) RM-8 S1X

ADG919BRMZ-REEL1 –40°C to +85°C 8-Lead Mini Small Outline Package (MSOP) RM-8 S1X

ADG919BRMZ-REEL71 –40°C to +85°C 8-Lead Mini Small Outline Package (MSOP) RM-8 S1X

ADG919BCP-500RL7 –40°C to +85°C 8-Lead Lead Frame Chip Scale Package (LFCSP_VD) CP-8-2 W5B

ADG919BCP-REEL7 –40°C to +85°C 8-Lead Lead Frame Chip Scale Package (LFCSP_VD) CP-8-2 W5B

ADG919BCPZ-REEL71 –40°C to +85°C 8-Lead Lead Frame Chip Scale Package (LFCSP_VD) CP-8-2 S1X

EVAL-ADG918EBZ1 Evaluation Board

EVAL-ADG919EBZ1 Evaluation Board

1 Z = RoHS 準拠品。#は RoHS 準拠品を表し、上部または下部に表示。

D03335

-0-9

/08(C

)-J