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第 35 回電子材料シンポジウム

35th Electronic Materials Symposium

EMS-35

ADVANCE PROGRAM July 6th (Wed.) – 8th (Fri.), 2016 Laforet Biwako http://ems.jpn.org/

【July 6th, Wednesday】

Opening Session (13:00-13:10) Plenary Session I (13:10-14:00) Chair : J. Motohisa (Hokkaido University) Plenary 13:10 (50min+poster) III-V semiconductor nanowires and their applications 半導体ナノワイヤの成長とその応用 T. Fukui Hokkaido University Session We1: Flexible Electronics and 2D Materials (14:00-15:06) Chair : J. Motohisa (Hokkaido University) We1-1 [Invited] 14:00 (30min+poster) Development of the printable functional materials for flexible devices プリンテッドエレクトロニクスによるフレキシブルデバイス技術の開発 T. Kamata, K. Suemori and M. Yoshida National Institute of Advanced Industrial Science and Technology We1-2 14:30 (3min+poster) Solution-processed top-gate organic transistor memory with small molecule-polymer composite as a charge storage layer 低分子分散膜を電荷蓄積層として用いた塗布型トップゲート有機トランジスタメモリ T. Nagase, F. Shiono, T. Kobayashi and H. Naito Osaka Prefecture University We1-3 14:33 (3min+poster) Sticking plaster-type disposable healthcare wearable device 絆創膏型使い捨て健康管理ウェアラブルデバイス Y. Yamamoto, S. Harada, W. Honda, T. Arie, S. Akita and K. Takei Osaka Prefecture University We1-4 14:36 (3min+poster) Optimization in microwave synthesis of copper phthalocyanine for organic thin-film transistors 有機薄膜トランジスタのための銅フタロシアニンのマイクロ波合成における最適化 S. Mizuka* and M. Kitamura*,** *Kobe University, **The University of Tokyo " We1-5 14:39 (3min+poster) Design and analysis of piezoelectric MEMS vibration energy harvesters 圧電 MEMS 振動発電素子の設計と解析 M. Aramaki*, K. Kariya*, T. Yoshimura*, S. Murakami** and N. Fujimura* *Osaka Prefecture University, **Technology Research Institute of Osaka Prefecture

We1-6 14:42 (3min+poster) Carrier control in Ce doped Si thin films using organic ferroelectric-gate field effect transistors 有機強誘電体ゲート型電界効果トランジスタを用いた Si:Ce 薄膜のキャリア制御 H. Nonami, Y. Miyata, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura Osaka Prefecture University We1-7 14:45 (3min+poster) Synthesis of graphene by microwave surface-wave plasma chemical vapor deposition マイクロ波表面波プラズマ CVD によるグラフェンの合成 S. Ichimura*,**, Y. Hayashi** and M. Umeno* *Chubu University, **Okayama University We1-8 14:48 (3min+poster) Study of direct growth mechanism of multilayer graphene by precipitation method using W capping layer W キャップ層を用いた析出法による多層グラフェンの直接成長メカニズムの検討 J. Yamada, Y. Ueda, T. Maruyama and S. Naritsuka Meijo University We1-9 14:51 (3min+poster) Investigation of growth mechanism on non-catalytic CVD growth of graphene on sapphire substrate サファイア基板上へのグラフェンの無触媒 CVD 成長における成長メカニズムの検討 Y. Ueda, J. Yamada, T. Maruyama and S. Naritsuka Meijo University We1-10 14:54 (3min+poster) Graphene nanoribbons grown on cleaved SiC(1-100) surfaces 劈開した SiC(1-100)面上へのグラフェンナノリボンの成長 A. Shioji, T. Takasaki, T. Kajiwara, A. Visikovskiy and S. Tanaka Kyushu University We1-11 14:57 (3min+poster) Fabrication of molybdenum disulfide (MoS2) thin film at low temperature under atmospheric pressure by mist CVD ミスト CVD による低温・大気圧下における二硫化モリブデン(MoS2)薄膜の作製 S. Sato and T. Kawaharamura Kochi University of Technology We1-12 15:00 (3min+poster) Field effect modulation of interlayer exciton photoluminescence in 1L-MoS2/1L-MoSe2 van der Waals hetero-structure 1L-MoS2/1L-MoSe2 ファンデルワールスヘテロ構造における層間励起子発光の電界効果変調 S. Mouri*,**, W. Zhang*, Y. Miyauchi* and K. Matsuda* *Kyoto University, **Ritsumeikan University We1-13 15:03 (3min+poster) Cross-sectional STM/STS study of 2D-topological insulator AlSb/InAs/GaSb/AlSb quantum wells 2 次元トポロジカル絶縁体 AlSb/InAs/GaSb/AlSb 量子井戸構造の断面 STM/STS 観測 T. Ando, S. Kaku and J. Yoshino Tokyo Institute of Technology Break (15:06-15:16)

Session We2: Solar Cells and Optical Devices (15:16-16:46) Chair : H. Tampo (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) We2-1 [Invited] 15:16 (30min+poster) Recent progress in development of Cu(InGa)(SeS)2 solar cells CIGS 太陽電池の現状と今後の展望 H. Sugimoto Solar Frontier K.K. We2-2 15:46 (3min+poster) Degradation mechanism of Cu(In, Ga)Se2 solar cells induced by air exposure Cu(In,Ga)Se2 太陽電池の長期信頼性に関する研究 J. Nishinaga, Y. Kamikawa, T. Koida and H. Shibata National Institute of Advanced Industrial Science and Technology We2-3 15:49 (3min+poster) Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin films with Cl-ion-free solution by mist CVD method ミスト CVD 法による塩化物イオンフリー原料溶液からの Cu2ZnSnS4 薄膜の作製 T. Ikenoue, Y. Watanabe, M. Miyake and T. Hirato Kyoto University We2-4 15:52 (3min+poster) Solution based mist-CVD technique for hybrid organic-inorganic perovskite 溶液原料を用いたミスト CVD による有機無機ハイブリッドペロブスカイトの形成技術 H. Nishinaka and M. Yoshimoto Kyoto Institute of Technology We2-5 15:55 (3min+poster) Stability and controllability of InGaAs/GaAsP wire-on-well (WoW) structure for multi-junction solar cells 多接合太陽電池にむけた InGaAs/GaAsP 系波状量子井戸の成長と評価 H. Cho, K. Toprasertpong, H. Sodabanlu, K. Watanabe, M. Sugiyama and Y. Nakano The University of Tokyo We2-6 15:58 (3min+poster) Effects of Si gas flow sequence on electrical characteristics of GaAsN films grown by atomic layer epitaxy GaAsN 薄膜の ALE 法による Si 供給順序が Si 吸着サイトに与える影響 Y. Yokoyama, M. Kawano, M. Horikiri, T. Haraguchi, T. Yamauchi, H. Suzuki, T. Ikari and A. Fukuyama University of Miyazaki We2-7 16:01 (3min+poster) 2D photocurrent excitation spectroscopy on two-step photon absorption in InAs quantum dot intermediate band solar cells InAs 量子ドット中間バンド型太陽電池における２段階光吸収の 2 次元光電流分光 R. Tamaki, Y. Shoji and Y. Okada The University of Tokyo We2-8 16:04 (3min+poster) Thermal carrier-escape process from the intermediate band in InAs/GaAs quantum dot solar cells InAs/GaAs 量子ドット太陽電池における中間バンドからの熱脱出過程 K. Hirao, S. Asahi, S. Watanabe, T. Kaizu, Y. Harada and T. Kita Kobe University We2-9 16:07 (3min+poster) Observation of mini-band formation in the ground and high-energy electronic states of super-lattice solar cells 超格子太陽電池における基底準位と高エネルギー準位でのミニバンド形成の評価 T. Usuki*, K. Matsuochi**, T. Nakamura**, K. Toprasertpong*, T. Ikari**, A. Fukuyama**, M. Sugiyama* and Y. Nakano* *The University of Tokyo, **University of Miyazaki

We2-10 16:10 (3min+poster) Investigation of bulk-like carrier transport and effective mobility in multiple quantum well solar cells 量子井戸太陽電池におけるキャリア輸送と移動度のバルク近似による解析 K. Toprasertpong*, T. Inoue*, K. Watanabe*, T. Kita**, M. Sugiyama* and Y. Nakano* *The University of Tokyo, **Kobe University We2-11 16:13 (3min+poster) Investigation of thermal carrier escape from an AlGaAs/GaAs single quantum well by temperature-dependent I-V measurements 低温 I-V 測定による AlGaAs/GaAs 量子井戸の熱励起輸送評価 A. Iwamoto, T. Murakami, K. Matsuochi, T. Nakamura, D. Ohori, T. Ikari and A. Fukuyama Miyazaki University We2-12 16:16 (3min+poster) InGaN/AlGaN/GaN polarization engineered water splitting photocathode under visible light irradiation InGaN/AlN/GaN 分極制御型水分解光電極の可視光動作 A. Nakamura*, K. Fujii**, Y. Nakano* and M. Sugiyama* *The University of Tokyo, **The University of Kitakyushu We2-13 16:19 (3min+poster) Emission properties of Er3+ ions in GaAs modulated by photonic crystal cavities フォトニック結晶共振器により変調された GaAs 中の Er3+イオンの発光特性 M. Ogawa, T. Kojima, K. Sakuragi, N. Fujioka, A. Koizumi and Y. Fujiwara Osaka University We2-14 16:22 (3min+poster) Photonic-crystal structure grown by tertiary-butyl arsine-based MOVPE for photonic-crystal lasers フォトニック結晶レーザのための tertiary-butyl arsine を用いた MOVPE によるフォトニック結晶構造の作製 M. Yoshida, M. D. Zoysa, K. Ishizaki, R. Hatsuda and S. Noda Kyoto University We2-15 16:25 (3min+poster) Strain engineering in Ge photonic devices on Si using a cross beam structure クロスビームを用いた Si 上の Ge デバイスにおける歪みエンジニアリング M. Nishimura, Y. Ishikawa and K. Wada The University of Tokyo We2-16 16:28 (3min+poster) Two-color laser based on a wafer-bonded coupled multilayer cavity for novel terahertz LED 新奇テラヘルツ光発生デバイスのためのウエハ接合型結合共振器を用いた二波長レーザ H. Ota, X. M. Lu, N. Kumagai, T. Kitada and T. Isu Tokushima University We2-17 16:31 (3min+poster) GaN-based VCSEL using a periodic gain structure consisting of two GaInN 5QWs 二つの 5 周期活性層を有する周期利得構造を用いた窒化物半導体面発光レーザ K. Matsui, T. Furuta, Y. Kozuka, T. Akagi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya and I. Akasaki Meijo University We2-18 16:34 (3min+poster) Controlling emission properties of Eu-doped GaN by microcavity 微小共振器による Eu 添加 GaN の発光特性制御 T. Inaba, T. Kojima, A. Koizumi and Y. Fujiwara Osaka University

We2-19 16:37 (3min+poster) Localized emission from quantum-dot-like InGaN islands formed in N-polar InGaN/GaN multiple quantum wells N 極性 InGaN/GaN MQW に形成された InGaN 微小島からの局所発光 T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama and T. Matsuoka Tohoku University We2-20 16:40 (3min+poster) Development of ZnSe-based organic-inorganic hybrid UV-APDs array ZnSe 系有機-無機ハイブリッド紫外 APD アレイの開発 T. Abe, S. Uchida, K. Tanaka, H. Kasada, K. Ando and K. Ichino Tottori University We2-21 16:43 (3min+poster) Development of ultraviolet optical modulator using non-polar ZnO/ZnMgO multiple quantum wells 非極性 ZnO/ZnMgO 多重量子井戸による光変調器の開発 S. Iwagashita, T. Abe, M. Yamamoto, H. Kasada, K. Ando and K. Ichino Tottori University Break (16:46-16:56) Poster Session I (We1, We2) (16:56-19:00)

Dinner (19:00-20:00) Rump Session (20:00-21:30) “Novel Energy Harvesting Technologies Supporting IoT Society” 「IoT 社会を支えるエネルギーハーベスティング技術」

Organizer: M. Sugiyama (The University of Tokyo) N. Fujimura (Osaka Prefecture University) Panelists: H. Akinaga (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

K. Uchida (Tohoku University) Y. Hikosaka (Fujitsu Semiconductor Ltd.) K. Takeuchi (NTT Corporation) T. Yoshimura (Osaka Prefecture University)

オーガナイザ ・杉山 正和 （東京大学） ・藤村 紀文 （大阪府立大学）

パネラー ・秋永 広幸 （産業技術総合研究所）：モデレータ ・内田 健一 （東北大学） ・彦坂 幸信 （富士通セミコンダクター） ・竹内 敬治 （NTT データ経営研究所） ・吉村 武 （大阪府立大学）

【July 7th, Thursday】 Session Th1: Characterization / Spintronics (8:30-10:15) Chair : M. Kitamura (Kobe University) Th1-1 [Invited] 08:30 (30min+poster) Study on kinetics and thermodynamics of 4H-SiC thermal oxidation for the control of MOS interface characteristics 4H-SiC の熱酸化過程の理解に基づく MOS 特性の制御とその課題 K. Kita, H. Hirai, Y. Fujino and H. Kajifusa The University of Tokyo Th1-2 09:00 (3min+poster) Semi-conducting characteristics of nano-polycrystalline diamond synthesized by high pressure and high temperature technique 高温高圧合成ナノ多結晶ダイヤモンドの電気特性 A. Ishikawa, R. Fukuta, F. Ishikawa, M. Matsushita, H. Ohfuji, T. Shinmei and T. Irifune Ehime University Th1-3 09:03 (3min+poster) Stress-dependent spectroscopy on single-crystalline diamond 単結晶ダイヤモンドの応力下分光 R. Ishii*, S. Shikata**, M. Funato* and Y. Kawakami* *Kyoto University, **Kwansei Gakuin University Th1-4 09:06 (3min+poster) Effects of post-growth annealing temperature on photoluminescence from phosphorus doped n+ Ge on Si Si 上 n 型 Ge のフォトルミネセンスに対する成長後アニール温度の影響 N. Higashitarumizu, K. Wada and Y. Ishikawa The University of Tokyo Th1-5 09:09 (3min+poster) Rare earth ion doping in Ge deposited by molecular beam epitaxy 分子線エピタキシ法を用いた Ge への希土類元素ドーピング Y. Miyata, K. Ueno, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura Osaka Prefecture University Th1-6 09:12 (3min+poster) Raman scattering studies of strained Ge films on Si substrates Si 基板上の歪み Ge 薄膜のラマン評価 S. Sakai*, K. Yamamura*, H. Nishigaki*, N. Hasuike*, H. Harima* and W. S. Yoo** *Kyoto Institute of Technology, **Wafer Masters, Inc. Th1-7 09:15 (3min+poster) Effect of carrier on magneto-transport characteristics of Ce doped Si films Ce 添加 Si 薄膜の磁気輸送特性に及ぼすキャリアの影響 Y. Miyata, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura Osaka Prefecture University Th1-8 09:18 (3min+poster) Effect of nitrogen source on optical properties of Eu- and Mg-codoped GaN grown by molecular beam epitaxy 分子線エピタキシー法により成長された Eu,Mg 共添加 GaN の窒素源による光学特性への効果 H. Tateishi, H. Sekiguchi, K. Tomoyasu, K. Yamane, H. Okada and A. Wakahara Toyohashi University of Technology

Th1-9 09:21 (3min+poster) Investigation on energy transfer process in Eu-doped GaN by two-wavelength excited photoluminescence measurements 二波長励起測定法を用いた Eu 添加 GaN のエネルギー輸送プロセスの評価 H. Kogame, K. Okada, T. Kojima, A. Koizumi and Y. Fujiwara Osaka University Th1-10 09:24 (3min+poster) Valence state control of Eu ions in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy OMVPE 法により成長した Eu 添加 GaN における Eu イオン価数制御 T. Nunokawa, A. Koizumi, M. Matsuda, W. Zhu and Y. Fujiwara Osaka University Th1-11 09:27 (3min+poster) Controllable energy transfer between Tm3+ and Yb3+ ions in Tm,Yb-codoped ZnO grown by sputtering-assisted MOCVD スパッタリング併用 MOCVD 法により作製した Tm,Yb 共添加 ZnO 薄膜中における Tm3+,Yb3+イオン間の

エネルギー輸送の制御 H. Kamei, S. Takano, G. Yoshii, T. Kojima, A. Koizumi and Y. Fujiwara Osaka University Th1-12 09:30 (3min+poster) Elastic properties of wurtzite-type BN evaluated by nanoindentation ナノインデンテーションによるウルツ鉱構造窒化ホウ素の弾性特性評価 M. Deura*, K. Kutsukake*, Y. Ohno*, I. Yonenaga* and T. Taniguchi** *Tohoku University, **National Institute for Materials Science Th1-13 09:33 (3min+poster) Raman spectroscopy study of homoepitaxially grown hexagonal boron nitride 六方晶窒化ホウ素ホモエピタキシャル膜のラマン分光評価 K. Watanabe and T. Taniguchi National Institute for Materials Science Th1-14 09:36 (3min+poster) Stimulated emission from optically-pumped semipolar AlGaN/AlN quantum well 光ポンピングによる半極性 AlGaN/AlN 量子井戸からの誘導放出の実現 S. Ichikawa, M. Funato and Y. Kawakami Kyoto University Th1-15 09:39 (3min+poster) Improvement of p-type electrical property by polarization-doping in graded-AlGaN layer 組成傾斜 AlGaN における分極ドーピングによる p 型伝導特性の改善 T. Yasuda*, S. Katsuno*, N. Kuwabara*, T. Takeuchi*, M. Iwaya*, S. Kamiyama*, I. Akasaki*,** and H. Amano** *Meijo University, **Nagoya University Th1-16 09:42 (3min+poster) Characterization of III-nitride semiconductors using electron-beam-induced-current (EBIC) measurement EBIC を用いた III 族窒化物半導体評価 E. Oku, T. Araki and Y. Nanishi Ritsumeikan University Th1-17 09:45 (3min+poster) Infrared reflectance spectroscopy and Raman scattering spectroscopy of free-standing GaN bulk substrates GaN 自立基板の赤外反射分光法およびラマン分光法による評価 K. Kanegae, M. Kaneko, T. Kimoto, M. Horita and J. Suda Kyoto University

Th1-18 09:48 (3min+poster) Mechanism of broadband visible emission from InGaN/nano-AlN LED by temperature-dependent photoluminescence InGaN/nano-AlN 構造黄色発光 LED の温度依存 PL による評価 T. Arakawa*, M. Mathew**, A. Chauhan*, K. Miyajima***, Y. Nakano* and M. Sugiyama* *The University of Tokyo, **Central Electronics Engineering Research Institute India, ***Tokyo University of Science Th1-19 09:51 (3min+poster) Evaluation of internal quantum efficiency of InGaN based LEDs by photocurrent measurement 光電流測定による InGaN 系 LED の内部量子効率評価 S. Usami, Y. Honda and H. Amano Nagoya University Th1-20 09:54 (3min+poster) Degradation of InGaN/GaN SQW structure under optical irradiation InGaN/GaN 単一量子井戸構造の光照射による劣化 O. Ueda*, A. A. Yamaguchi*, S. Tanimoto*, S. Nishibori*, K. Kumakura** and H. Yamamoto** *Kanazawa Institute of Technology, **NTT Corporation Th1-21 09:57 (3min+poster) Fluorine plasma treatment on InN films grown by RF-MBE フッ素プラズマによる InN の表面電荷蓄積層の影響軽減に関する研究 S. Fukushima, S. Usuda, T. Araki and Y. Nanishi Ritsumeikan University Th1-22 10:00 (3min+poster) Damping constant in a nanoscale magnetic tunnel junction evaluated by homodyne-detected ferromagnetic resonance ホモダイン検出強磁性共鳴法による微細磁気トンネル接合のダンピング定数の評価 M. Shinozaki, E. Hirayama, S. Kanai, H. Sato, F. Matsukura and H. Ohno Tohoku University Th1-23 10:03 (3min+poster) Magnetic field angule dependence of switching field in CoFeB-MgO magnetic tunnel junction with perpendicular easy axis 垂直磁気異方性をもつ CoFeB-MgO 磁気トンネル接合のスイッチング磁界の磁界角度依存性 J. Igarashi, E. C. I. Enobio, H. Sato, S. Fukami, F. Matsukura and H. Ohno Tohoku University Th1-24 10:06 (3min+poster) Spin-orbit torque induced switching in three-terminal devices with a Ta/W channel Ta/W チャネルを用いた三端子スピントロニクス素子におけるスピン軌道トルク磁化反転 A. Ohkawara, T. Anekawa, C. Zhang, S. Fukami and H. Ohno Tohoku University Th1-25 10:09 (3min+poster) Fabrication of TiO2 films on Ge and Si as tunnel barrier for spin injection 半導体への高効率スピン注入に向けた TiO2 薄膜の作製 H. Inaba, T. Koike, A. Ono, M. Oogane and Y. Ando Tohoku University Th1-26 10:12 (3min+poster) Electrical spin-injection into n-type germanium using Co2Fe0.4Mn0.6Si Heusler alloy film Co2Fe0.4Mn0.6Si ホイスラー合金薄膜を用いた n 型 Ge への電気的スピン注入 T. Koike*, M. Oogane*, A. Ono*, T. Takada**, H. Saito** and Y. Ando* *Tohoku University, ** National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Break (10:15-10:25) Poster Session II (Th1) (10:25-12:00) Lunch (12:00-13:00) Session Th2: Growth I (13:00-14:45) Chair : T. Araki (Ritsumeikan University) Th2-1 [Invited] 13:00 (30min+poster) Growth dynamics of epitaxial interfaces using in situ synchrotron X-ray diffraction 放射光Ｘ線によるエピタキシャル界面形成過程のその場測定 M. Takahasi and T. Sasaki National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology Th2-2 13:30 (3min+poster) Formation of stacking fault in high-growth-rate InGaN on (1-101) GaN stripe/Si(001) Si(001)基板上(1-101)高 In 組成 InGaN における積層欠陥の形成 M. Kushimoto, Y. Honda and H. Amano Nagoya University Th2-3 13:33 (3min+poster) Three dimensional semi/nonpolar InGaN quantum wells toward phospor-free polychromatic emitters 蛍光体フリーの多色発光素子に向けた 3 次元半極性/無極性窒化インジウムガリウム量子井戸 Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami Kyoto University Th2-4 13:36 (3min+poster) Thermodynamic analysis of In- and N-polar InN growth by metalorganic vapor phase epitaxy In および N 極性 InN 有機金属気相成長の熱力学解析 A. Kusaba*, Y. Kangawa*, K. Kakimoto*, K. Shiraishi** and A. Koukitu*** *Kyushu University, **Nagoya University, ***Tokyo University of Agriculture and Technology Th2-5 13:39 (3min+poster) Dependence of group-III source ratio on photoluminescence of N-polar (000-1) InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy N 極性(000-1)InGaN における局所発光の III 族原料供給比依存性 R. Nonoda, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, S. Tanaka, S. Kuboya, R. Katayama and T. Matsuoka Tohoku University Th2-6 13:42 (3min+poster) High temperature growth of thick InGaN ternary alloy by tri-halide vapor phase epitaxy トリハライド気相成長法による InGaN 厚膜の高温成長 N. Matsumoto, M. Meguro, K. Ema, Q.-T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu Tokyo University of Agriculture and Technology

Th2-7 13:45 (3min+poster) High-temperature annealing of sputtered AlN on sapphire サファイア上にスパッタ法で作製された AlN の高温熱処理 H. Miyake*, C. H. Lin*, Y. Liu*, K. Hiramatsu*, E. Komatsu*, N. Terayama** *Mie University, **Shinko Seiki Co., Ltd. Th2-8 13:48 (3min+poster) Study on nitridation of α-(AlGa)2O3 using rf plasma for AlGaN growth AlGaN 成長に向けた RF プラズマによる α-(AlGa)2O3 の窒化処理に関する研究 A. Buma*, N. Masuda*, M.Oda**, T. Hitora**, T. Araki* and Y. Nanishi* *Ritsumeikan University, **FLOSFIA Th2-9 13:51 (3min+poster) Evolution of strain and dislocations during ESVPE growth of AlN ESVPE 法を用いた AlN 成長中の歪および転位の挙動 K. Kishimoto, P. T. Wu, M. Funato and Y. Kawakami Kyoto University Th2-10 13:54 (3min+poster) Epitaxial growth of Mg-doped AlN thin films at low substrate temperature using reactive sputtering technique 反応性スパッタリングによる高品質 AlN 薄膜結晶の低温成長 T. Myoken*, K. Ozaki*, T. Ishihara**, H. Izumi** and T. Kita* *Kobe University, **Hyogo Prefectual Institute of Technology Th2-11 13:57 (3min+poster) Surface treatment of sapphire substrates for AlN growth AlN 成長におけるサファイア基板の表面処理 R. Yoshizawa, S. Tamaki, H. Miyake and K. Hiramatsu Mie University Th2-12 14:00 (3min+poster) Structural property of boron-doped AlN grown by metal-organic vapor phase epitaxy MOVPE 法により作製したボロンドープ AlN の構造評価 M. Imura*, Y. Ota**, R.G. Banal* and Y. Koide* * National Institute for Materials Science, **Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Th2-13 14:03 (3min+poster) Crystal growth modes of hexagonal boron nitride films on a c-plane sapphire substrate grown by low pressure chemical vapor deposition 減圧 CVD によりサファイア基板上に成長した六方晶窒化ホウ素薄膜の結晶成長モード N. Umehara, A. Masuda, T. Shimizu, T. Kouno, H. Kominami and K. Hara Shizuoka University Th2-14 14:06 (3min+poster) Structural and optical properties of Eu doped GaN nanocolumns grown by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy RF-分子線エピタキシー法による Eu 添加 GaN ナノコラムの構造および光学的特性 K. Ozaki*, H. Sekiguchi*, T. Imanishi*, K. Yamane*, H. Okada*, K. Kishino** and A. Wakahara* *Toyohashi University of Technology, **Sophia University Th2-15 14:09 (3min+poster) Selective-area growth of GaN on trench-patterned nonpolar free-standing GaN substrates 溝加工非極性 GaN 自立基板上への GaN 選択成長 S. Okada, H. Iwai, H. Miyake and K. Hiramatsu Mie University

Th2-16 14:12 (3min+poster) Selective-area RF-MBE growth of GaN: influences of mask materials RF-MBE 法による窒化ガリウムナノワイヤの選択成長：マスク材料の影響 N. Tamaki, A. Sonoda, A. Onodera and J. Motohisa Hokkaido University Th2-17 14:15 (3min+poster) Effects of GaN low-temperature buffer layer on GaN surface flatness grown on Al templates Al 薄膜上 GaN 成長における低温 GaN 緩衝層挿入の影響 Y. Hoshikawa, Y. Suzuki, K. Uehara, T. Onuma, T. Yamaguchi and T. Honda Kogakuin University Th2-18 14:18 (3min+poster) Activation free energies for formation and dissociation of N-N bond in a Na-Ga melt Na-Ga 融液中における N-N 結合の形成・分解に要する活性化エネルギー T. Kawamura*,**, H. Imabayashi**, M. Maruyama**, M. Imade**, M. Yoshimura**, Y. Mori** and Y. Morikawa** *Mie University, **Osaka University Th2-19 14:21 (3min+poster) Selective GaN growth on 6H-SiC substrate with femtosecond-laser-induced periodic nanostructures フェムト秒レーザー誘起周期構造を形成した SiC 基板上への選択 GaN 成長 R. Miyagawa, Y. Miyaji, M. Miyoshi, T. Egawa and O. Eryu Nagoya Institute of Technology Th2-20 14:24 (3min+poster) MOVPE growth and annealing of Ge buffer layer on Si substrate for high-crystalline-quality GaAs epitaxial layer 高品質 GaAs 成長のための Si 基板上 Ge バッファの MOVPE 成長とアニール R. Nakao, T. Yamamoto and S. Matsuo NTT Corporation Th2-21 14:27 (3min+poster) Effect of initial stage of Ge growth on dark leakage current in near-infrared Ge photodiodes on Si Si 上 Ge を用いた近赤外光フォトダイオードのリーク電流における Ge 初期成長条件の影響 K. Ito, Y. Miyasaka and Y. Ishikawa The University of Tokyo Th2-22 14:30 (3min+poster) Au thickness dependent solid phase crystallization of amorphous Ge on insulating substrate by catalytic Au insertion 非晶質 Ge/Au/SiO2 構造の固相成長に及ぼす Au 膜厚の影響 R. Mochii, K. Kudo, T. Nomitsu, K. Takakura and I. Tsunoda National Institute of Technology, Kumamoto College Th2-23 14:33 (3min+poster) Low-temperature formation of Sn-doped Ge on insulator by Au-induced lateral crystallization for flexible electronics Au 誘起横方向成長法を用いた Sn ドープ Ge/絶縁膜の低温形成 T. Sakai, R. Matsumura, T. Sadoh and M. Miyao Kyushu University Th2-24 14:36 (3min+poster) Enhancement of solid-phase crystallization of amorphous Ge on insulating substrate by electron stimulated nucleation 電子線誘起核発生による非晶質 Ge/絶縁基板の成長促進 K. Okamoto, K. Tomouchi, E. Murakami, M. Yoneoka, K. Takakura and I. Tsunoda National Institute of Technology, Kumamoto College

Th2-25 14:39 (3min+poster) Temperature dependence of photoluminescence properties of ZnS grown by mist CVD ミスト CVD 法で作製した硫化亜鉛薄膜のフォトルミネセンス温度依存性 K. Uno, Y. Asano, Y. Yamasaki and I. Tanaka Wakayama University Th2-26 14:42 (3min+poster) Effects of ion irradiation in sputter-deposition of TiNi films TiNi 膜のスパッタ成膜におけるイオン照射の効果 N. Ikenaga and N. Sakudo Kanazawa Institute of Technology

Break (14:45-14:55) Session Th3: Quantum Optics / Growth II (14:55-15:58) Chair : R. Katayama (Osaka University) Th3-1 [Invited] 14:55 (30min+poster) Application of quantum information technology for advanced sensing 量子情報技術の先端計測への応用 S. Takeuchi Kyoto University Th3-2 15:25 (3min+poster) Density control of InP-based nanowires and nanowire quantum dots InP 系ナノワイヤおよびナノワイヤ量子ドットの密度制御 S. Yanase, H. Sasakura, S. Hara and J. Motohisa Hokkaido University Th3-3 15:28 (3min+poster) GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for ultrafast wavelength conversion devices 超高速波長変換素子に向けた InAs 量子ドットを有する GaAs/AlAs 多層膜三結合共振器 X. M. Lu, N. Kumagai, T. Kitada and T. Isu Tokushima University Th3-4 15:31 (3min+poster) Selective-area MOVPE growth of InGaAs nanowires for optical communication band 通信波長帯用の InGaAs ナノワイヤ MOVPE 選択成長 K. Chiba*, K. Tomioka*,**, F. Ishizaka*, A. Yoshida*, J. Motohisa* and T. Fukui* *Hokkaido University, **JST-PRESTO Th3-5 15:34 (3min+poster) Photoluminescence spectra of zinc-blend and wurtzite phases coexisted Si-doped GaAs nanowires 閃亜鉛鉱とウルツ鉱相が混在するシリコンドープヒ化ガリウムのフォトルミネッセンススペクトル M. Nakano*, K. Sugihara*, D. Ohori*, T. Ikari*, Y. Honda**, H. Amano** and A. Fukuyama* *Miyazaki University, **Nagoya University Th3-6 15:37 (3min+poster) Post growth material conversion of GaAs nanowires 成長後の GaAs ナノワイヤーにおける材料変換 K. Nishioka and F. Ishikawa Ehime University

Th3-7 15:40 (3min+poster) Growth of GaAs/GaAsBi heterostructure nanowires by molecular beam epitaxy GaAs/GaAsBi ヘテロ構造ナノワイヤの分子線エピタキシャル成長 K. Takada, Y. Kubota, Y. Akamatsu, P. Patil, F. Ishikawa and S. Shimomura Ehime University Th3-8 15:43 (3min+poster) Analysis of the Ga incorporation mechanism in selectively-grown InGaAs on Si (111) Si 上 InGaAs microdisc への Ga 取り込みメカニズムの解析 T. Watanabe, Y. Nakano and M. Sugiyama The University of Tokyo Th3-9 15:46 (3min+poster) Evaluation of localized state of low-temperature-grown InxGa1-xAs using Hall effect measurement ホール効果測定を用いた低温成長 InxGa1-xAs の局在準位の評価 S. Tsurisaki, Y. Tominaga and Y. Kadoya Hiroshima University Th3-10 15:49 (3min+poster) Crystalline state of low-temperature-grown InxGa1-xAs - In the case of In content dependence - 低温成長 InxGa1-xAs の結晶状態 - In 組成依存性 - S. Hirose, K. Hirayama, Y. Tominaga and Y. Kadoya Hiroshima University Th3-11 15:52 (3min+poster) Annealing effect to amorphous InxGa1-xAs on InP substrate InP 基板上アモルファス InxGa1-xAs のアニールによる効果 K. Hirayama*, Y. Tominaga*, Y. Kadoya* and H. Morioka** *Hiroshima University, **Bruker AXS K.K. Th3-12 15:55 (3min+poster) MOVPE growth of metamorphic InAsSb on GaAs substrate for mid-infrared photonic devices MOVPE 法による中赤外帯域光デバイス実現のための GaAs 基板上 InAsSb メタモルフィック成長 K. Yoshimoto, Y. Imamura and M. Arai Miyazaki University Break (15:58-16:08) Poster Session III (Th2, Th3) (16:08-18:00) Break (18:00-19:00) Banquet (19:00-21:00)

【July 8th, Friday】

Session Fr1: Electron Devices / Oxide Semiconductors (8:30-10:18) Chair : J. Suda (Kyoto University) Fr1-1 [Invited] 08:30 (30min+poster) Recent progress in development of gallium oxide power devices 酸化ガリウムパワーデバイス開発の最近の進展 M. Higashiwaki*, M. H. Wong*, K. Konishi*, K. Sasaki**,*, K. Goto**,***, Q. T. Thieu***, R. Togashi***, H. Murakami***, Y. Kumagai***, B. Monemar***,****, A. Kuramata**, T. Masui** and S. Yamakoshi** *National Institute of Information and Communications Technology, **Tamura Corporation, ***Tokyo University of Agriculture and Technology, ****Linköping University Fr1-2 09:00 (3min+poster) Characterization of β-Ga2O3 single crystal based schottky barrier diode β-Ga2O3 を用いたショットキーバリアダイオードの評価 Y. Fujiki, T. Araki, Y. Moon, A. Kim and Y. Nanishi Ritsumeikan University Fr1-3 09:03 (3min+poster) Photocurrent induced by sub-bandgap-wavelength light absorption due to Franz-Keldysh effect in n-type GaN Schottky barrier diode n 型 GaN ショットキーバリアダイオードにおける Franz-Keldysh 効果に起因したサブバンドギャップ光吸収

による光電流 T. Maeda*, M. Okada**, M. Ueno**, Y. Yamamoto**, M. Horita* and J. Suda* *Kyoto University, **Sumitomo Electric Industries, Ltd. Fr1-4 09:06 (3min+poster) Impacts of near-interface trap density reduction by annealing and substrate surface damage by thermal oxidation on 4H-SiC MOSFET mobility 熱処理による界面近傍準位密度の低減および熱酸化による基板表面ダメージが 4H-SiC MOSFET 移動

度に与える影響 H. Hirai and K. Kita The University of Tokyo Fr1-5 09:09 (3min+poster) Characterization of Ni electrode on SiC formed by the continuous wave laser irradiation 連続波レーザーアニールによる SiC 上への Ni 電極作製と評価 H. Kawakami, K. Kondo, Y. Naoi and T. Tomita Tokushima University Fr1-6 09:12 (3min+poster) Study of mobility enhancement by stresses at the channel of gate-all-around nMOSFETs Gate-All-Around nMOSFETs のチャネルへの歪による移動度向上 K. Iseri*, M. Matsuzaki*, M. Yoneoka*, I. Tsunoda*, K. Takakura*, E. Simoen**, A. Veloso**, C. Claeys** National Institute of Technology, Kumamoto College*, imec** Fr1-7 09:15 (3min+poster) Vertical type hydrogen terminated diamond MOSFETs 縦型水素終端ダイヤモンド MOSFET M. Inaba, T. Muta, M. Kobayashi, D. Matsumura, T. Saito, T. Kudo, A. Hiraiwa and H. Kawarada Waseda University

Fr1-8 09:18 (3min+poster) Inoragnic-based flexible CMOS digital and analog circuits 無機材料を用いたフレキシブル CMOS デジタル・アナログ回路 K. Takei, W. Honda, T. Arie and S. Akita Osaka Prefecture University Fr1-9 09:21 (3min+poster) InSb HEMT with over 300 GHz-fT using stepped buffer layer for strain reduction 歪緩和用ステップバッファ層を用いた fT=300GHz 超 InSb HEMT S. Fujikawa*, K. Isono*, Y. Harada*, I. Watanabe**, Y. Yamashita**, A. Endoh**, S. Hara**, A. Kasamatsu** and H. Fujishiro* *Tokyo University of Science, **National Institute of Information and Communications Technology Fr1-10 09:24 (3min+poster) Efficient gate control of spin-valve signals and Hanle signals in GaAs channel with p-i-n junction-type back-gate structure p-i-n 接合型バックゲート構造を用いたスピン信号の高効率ゲート制御 W. Nomura, T. Miyakawa, M. Yamamoto and T. Uemura Hokkaido University Fr1-11 09:27 (3min+poster) Electron transport properties of novel InSb/GaInSb composite channel high electron mobility transistor structures 新規 InSb/GaInSb 複合チャネル HEMT 構造の電子輸送特性 J. Takeuchi, S. Fujikawa, Y. Harada and H. I. Fujishiro Tokyo University of Science Fr1-12 09:30 (3min+poster) Atomic-level GaAs digital wet etching using a computer-controlled multiple spraying system スプレー式コンピュータ制御による原子レベル GaAs デジタルウェットエッチング R. Kuroda, M. Sato and S. Kasai Hokkaido University Fr1-13 09:33 (3min+poster) Control of thermal-plasma-jet ejection direction by magnetic field 外部磁場による大気圧熱プラズマジェット噴出方向制御 K. Teramoto, H. Hanafusa and S. Higashi Hiroshima University Fr1-14 09:36 (3min+poster) Growth of Ga2O3 layer using gallium tri-chloride precursor 三塩化ガリウムを用いた酸化ガリウムの成長 M. Takahashi, Y. Hirashima, Y. Mae, Q.-T. Thieu, H. Murakami and A. Koukitu Tokyo University of Agriculture and Technology Fr1-15 09:39 (3min+poster) Crystal properties of corundum-structured α-Ga2O3 thin films on sapphire with α-(AlxGa1-x)2O3 multi buffer layer α-(AlxGa1-x)2O3 多層バッファ層を用いた α-Ga2O3 薄膜の結晶構造評価 R. Jinno, T. Uchida, K. Kaneko and S. Fujita Kyoto University Fr1-16 09:42 (3min+poster) Growth and electrical properties of Sn-doped corundum-structured aluminum gallium oxide alloy thin films Sn ドープコランダム構造酸化アルミニウムガリウム混晶薄膜の成長と電気特性 S. Takemoto, T. Uchida, R. Jinno, K. Kaneko and S. Fujita Kyoto University

Fr1-17 09:45 (3min+poster) Electrical properties of Sn-doped α-Ga2O3 films grown on annealed buffer layer アニールバッファ層上に成長した Sn ドープ α-Ga2O3 薄膜の電気特性 K. Akaiwa*,**, K. Kaneko**, K. Ichino* and S. Fujita** *Tottori University, **Kyoto University Fr1-18 09:48 (3min+poster) Characterization of corundum structured α-(AlxGa1-x)2O3/α-Ga2O3 heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy XPS によるコランダム構造 α-(AlxGa1-x)2O3/ α-Ga2O3 ヘテロ接合のバンドオフセット評価 T. Uchida, R. Jinno, S. Takemoto, K. Kaneko and S. Fujita Kyoto University Fr1-19 09:51 (3min+poster) Growth of corundum-structured III-oxide semiconductors on sapphire and their device applications サファイア基板上コランダム構造 III 族酸化物半導体の成長とデバイス応用 K. Kaneko*,**, M.Kitajima*, T. Uchida*, M. Oda*,**, A. Takatsuka**, T. Hitora** and S. Fujita* *Kyoto University, **FLOSFIA Fr1-20 09:54 (3min+poster) Mist CVD growth of In2O3 on various substrates ミスト CVD 法を用いた多種類基板上 In2O3 成長 T. Kobayashi, K. Tanuma, T. Yamaguchi, T. Onuma and T. Honda Kogakuin University Fr1-21 09:57 (3min+poster) Deep-ultraviolet luminescence in rocksalt- structured Mg1-xZnxO thin films 岩塩構造 MgZnO 薄膜の深紫外発光 K. Kaneko*, K. Tsumura*, T. Onuma**, T. Uchida*, R. Jinno*, T. Yamaguchi**, T. Honda** and S. Fujita* *Kyoto University, **Kogakuin University Fr1-22 10:00 (3min+poster) Fabrication of cuprate superconductor thin film by mist CVD ミスト CVD を用いた銅系酸化物超伝導薄膜の作製 Y. Nakasone, Y. Suwa and T. Kawaharamura Kochi University of Technology Fr1-23 10:03 (3min+poster) Simple solvothermal synthetic approach to spherical Al2O3-TiO2 and ZnO-TiO2 composite nanoassemblies 球状酸化アルミニウム−酸化チタン・酸化亜鉛−酸化チタン複合ナノ集合体の単純ソルボサーマル合成法 E. K. C. Pradeep, M. Ohtani, T. Kawaharamura and K. Kobiro Kochi University of Technology Fr1-24 10:06 (3min+poster) Fabricating high quality YIG thin film by mist CVD under open-air atmospheric pressure 大気圧開放ミスト CVD による高性能 YIG 薄膜の作製 L. Liu, Y. Suwa, Y. Nakasone, M. Nishi, E. K. C. Pradeep and T. Kawaharamura Kochi University of Technology Fr1-25 10:09 (3min+poster) Phonon mode assignments of ScAlMgO4 single crystal by polarized Raman scattering spectroscopy 偏光ラマン分光法による単結晶 ScAlMgO4 のフォノンモード同定 K. Yamamura*, N. Hasuike*, H. Harima*, T. Fukuda**, S. Kuboya***, T. Tanikawa***, R. Katayama*** and T. Matsuoka*** *Kyoto Institute of Technology, **Fukuda Crystal Laboratory, ***Tohoku University

Fr1-26 10:12 (3min+poster) Investigation of the electrocaloric effect in BaTiO3 ceramics BaTiO3 セラミックにおける電気熱量効果の評価 Y. Matsushita, D. Kiriya, T. Yoshimura and N. Fujimura Osaka Prefecture University Fr1-27 10:15 (3min+poster) Fabrication of (Ba,La)SnO3 semiconductor films on (111) SrTiO3 substrate by PLD method PLD 法を用いた(111)SrTiO3 基板への(Ba,La)SnO3 半導体薄膜の作製 K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura Osaka Prefecture University

Break (10:18-10:28) Poster Session IV (Fr1) (10:28-12:00) Lunch (12:00-13:00)

Special Session (13:00-16:00) “Forefront of Semiconductor Lasers” 「半導体レーザの最前線」 Chair : S. Fujita (Kyoto University) Introduction 13:00 (5min) S. Fujita Kyoto University Special Tutorial 13:05 (75min+poster) System, device, and material ~ a learning from optical communication ~ システム、デバイス、そして材料 ～光ファイバ通信の教訓から～ Y. Suematsu Honorary Professor of Tokyo Institute of Technology

Break (14:20-14:30)

SP-1 [Invited] 14:30 (30min+poster) Recent progress on the wavelength tunable lasers for optical communication 通信用波長可変半導体レーザの開発と進捗状況 Y. Tohmori Tsurugi-Photonics Foundation SP-2 [Invited] 15:00 (30min+poster) Novel semiconductor lasers for communication, industrial, and consumer applications 通信・産業用・民生用の新しい半導体レーザとその応用 M. Sugawara QD Laser, Inc. SP-3 [Invited] 15:30 (30min+poster) GaN-based optical pulse sources GaN 系パルス光源 R. Koda, S. Kono, N. Fuutagawa and H. Narui Sony Corporation Closing Session (16:00-16:20)

【講演者へのご案内】 （プレナリー講演，招待講演，スペシャルセッション）

プレナリー講演，招待講演，スペシャルセッション(レクチャー含む)

は口頭講演です．PC をご持参いただくか，PC を会場にも用意いたし

ますのでご利用下さい．

なお，プレナリー講演，招待講演，レクチャーおよびスペシャルセ

ッションの講演者にもポスター会場に掲示スペースを用意しておりま

すので，是非ポスターあるいは講演スライドのコピーなどを掲示願い

ます．特にポスターセッションの時間帯は決めておりませんが，会期

中参加者の皆様との討論にご活用いただければ幸いです．

（一般講演） 一般講演は， 3 分間のショートプレゼンテーション(交代時間含む)

と，ポスター発表からなります．

［ショートプレゼンテーション］

視認性向上，講演者交代の迅速化を目的として液晶プロジェクタ

ーにより実施します．講演時間 3 分は交代時間を含むため，ベルの

鳴るタイミングを，１鈴 2 分，2 鈴 2 分 50 秒で速やかに終了，とさせて

頂きますので，ご協力をお願いいたします．

交代時間節約のため，事前に，EMS ホームページにて，講演スラ

イドを PDF 形式にて提出して頂きます．詳細は EMS ホームページを

ご覧ください．（http://ems.jpn.org/）

［ポスターセッション］

1. ショートプレゼンテーションの番号に対応

するポスターセッションでご発表をお願い

します．著者の方は，指定された時間中

は，ポスターのところでご説明をお願い致

します．

2. 来場次第，講演番号で指定された場所に

掲示をお願いします．ポスターは会期中

を通じ，掲示して下さい．

3. 掲示スペースは A0 サイズ（縦 118.4 cm×横 84.1 cm ）が 1 枚

です．形状等は下記 URL を参考にして下さい．

http://ems.jpn.org/index.php?PosterBoard

ポスター会場は会期中を通してオープンにしていますので，ポス

ター発表が同じ時間帯の方との討論などにご活用下さい．

【EMS 賞】 本シンポジウムでは，平成 9 年の第 16 回から優れた研究発表をな

された，あるいは討論等によりこの会議を盛り上げていただいた，原

則として 35 才以下の若手研究者を対象として EMS 賞を授与していま

す．資格などの詳しい内容は会議初日にアナウンスし，受賞者の発

表および授与式は最終日に行います．論文発表に加えて，formal あ

るいは informal な討論の場にも是非，積極的に参加して頂き，大い

に会議を盛り上げて頂けますようお願い申し上げます．

【会場】 ラフォーレ琵琶湖

〒524-0101 滋賀県守山市今浜町十軒家 2876

TEL：077-585-3811, FAX：077-584-2100

http://www.laforet.co.jp/biwako/

① 京都駅→堅田駅(JR 湖西線) 約 25 分(4-5 本/1 時間)

堅田駅→ラフォーレ琵琶湖（路線バス：片道 250 円) 約 20 分

[バス時刻表] （堅田駅 ⇔ ラフォーレ琵琶湖）

堅田駅⇒ラフォーレ琵琶湖（江若交通バス，近江鉄道バス）

時 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22

分

48* 14

42*

11

15

10*

00*

44

26

10*

55*

15*

59*

27

24

32

ラフォーレ琵琶湖⇒堅田駅（江若交通バス，近江鉄道バス）

時 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22

分

04*

30

58*

27

31

26* 16* 00

42

26* 11* 31* 15* 43 40 48

*印: 近江鉄道バスによる運行

② 京都駅→守山駅(JR 琵琶湖線) 約 30 分(6-7 本/1 時間)

守山駅→ラフォーレ琵琶湖(路線バス：片道 510 円) 約 40 分

[バス時刻表] （守山駅 ⇔ ラフォーレ琵琶湖）

守山駅⇒ラフォーレ琵琶湖（近江鉄道バス）

時 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22

分

10 30* 30

30 15

15* 45 45 45 45 46 46 46 46 46 18

23

00

ラフォーレ琵琶湖⇒守山駅（近江鉄道バス）

時 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

分

08

25

55

15

45

01* 01*

46

00* 16 16* 16* 18* 20 20 17

*印: 免許センター・運輸支局・佐川美術館経由

2016 年 1 月 7 日現在

詳しくは http://www.laforet.co.jp/biwako/access/index.html をご

覧下さい．また，開催と終了に合わせて堅田駅⇔ラフォーレ琵琶湖

にて送迎バスをご用意する予定です．

84.1 cm

118.4cm

【問い合わせ先】

論文・プログラム関係

〒060-0814 札幌市北区北 14 条西 9 丁目

北海道大学大学院 情報科学研究科

本久 順一（論文委員長）

TEL：011-706-6508

e-mail： motohisa@ist.hokudai.ac.jp

参加および宿泊の申込みと支払い

〒604-0031 京都市中京区新町通二条

下る頭町 21-5

㈱アートツーリスト EMS-35 係

TEL：075-252-2234, FAX：075-252-2244

e-mail：ems@art-tourist.co.jp

その他シンポジウム全般（事務局）

〒305-8568 茨城県つくば市梅園 1-1-1 中央第 2

国立研究開発法人 産業技術総合研究所

太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム

西永慈郎 （総務委員）

TEL：029-861-5042, FAX：029-861-3142

e-mail：jiro.nishinaga@aist.go.jp

各種情報は，EMSホームページをご覧下さい．

http://ems.jpn.org/

電子材料シンポジウム委員会

運営委員長

藤田 静雄 （京大）

運営委員

青柳 克信 （立命館大） 朝日 一 （阪大）

荒川 泰彦 （東大） 大野 英男 （東北大）

荻野 俊郎 （横国大） 小田 克矢 （日立製作所）

尾鍋 研太郎 （東大） 上條 健 （沖電気）

河口 研一 （富士通研） 河西 秀典 （シャープ）

喜多 隆 （神戸大） 纐纈 明伯 （農工大）

寒川 哲臣 （NTT） 竹田 美和 （科学技術交流財団） 手塚 勉 （東芝） 冨谷 茂隆 （ソニー）

名西 憓之 （立命館大） 福井 孝志 （北大）

藤原 康文 （阪大） 松本 功 （大陽日酸）

三宅 秀人 （三重大） 山口 章 （住友電工）

油利 正昭 （パナソニック） 吉野 淳二 （東工大）

若原 昭浩 （豊橋技科大）

実行委員長

三宅 秀人 （三重大）

実行副委員長

荒木 努 （立命館大） 藤原 康文 （阪大）

渡邊 賢司 （物材機構）

総務委員

石川 史太郎 （愛媛大) 出浦 桃子 （東北大)

西永 慈郎 （産総研） 村上 尚 （農工大）

情報セキュリティ委員

宇野 和行 （和歌山大）

会計委員

小野満 恒二 （NTT） 片山 竜二 （阪大）

会場委員

石井 良太 （京大） 河村 貴宏 （三重大）

出来 真斗 （名大） 富永 依里子 （広島大）

西中 浩之 （京都工繊大）

企業展示委員

光野 徹也 （静大）

論文委員長

本久 順一 （北大）

論文副委員長

秋田 勝史 （住友電工） 杉山 正和 （東大）

須田 淳 （京大）

論文委員

荒木 努 （立命館大） 池田 浩也 （静大）

石川 史太郎 （愛媛大) 石川 靖彦 （東大）

一色 秀夫 （電通大） 岩谷 素顕 （名城大）

牛田 泰久 （豊田合成） 大兼 幹彦 （東北大）

大野 雄高 （名大） 大場 康夫 （JVCケンウッド）

片山 竜二 （阪大） 金村 雅仁 （ﾄﾗﾝｽﾌｫｰﾑ･ｼﾞｬﾊﾟﾝ）

河口 研一 （富士通研） 寒川 義裕 （九大）

北村 雅季 （神戸大） 蔵口 雅彦 （東芝）

河野 俊介 （ソニー） 佐々木 智 （NTT）

塩島 謙次 （福井大） 重藤 啓輔 （豊田中研）

末益 崇 （筑波大） 竹見 政義 （三菱電機）

土屋 朋信 （日立製作所） 反保 衆志 （産総研）

津田 有三 （シャープ） 寺井 慶和 （九工大）

戸田 泰則 （北大） 成塚 重弥 （名城大）

藤村 紀文 （阪府大） 船戸 充 （京大）

宮川 鈴衣奈 （名工大） 宮本 智之 （東工大）

森 勇介 （阪大） 山下 兼一 （京都工繊大）

山田 明 （東工大） 油利 正昭 （パナソニック）

渡邊 賢司 （物材機構）