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Fundamentos Los dispositivos semiconductores de potencia

se basan en el Silicio de alta pureza.

Material tipo n: el Silicio se dopa con unapequeña cantidad de material de un elementodel grupo V (Fósforo !rs"nico !ntimonio#

Material tipo p: el Silicio se dopa con unapequeña cantidad de material de un elementodel grupo $$$ (%oro &alio $ndio#

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Funcionamiento'n diodo funciona como un interruptor.

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Características del diodoispositivo de dos terminales

!plicación: proceso de recti)cación (iodosrecti)cadores#

'nión pn se forma en el caso normal por

aleación difusión * crecimiento epita+ial.

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Características de los diodos

de potencia.Los diodos de potencia se caracterizan porque enestado de conducción deben ser capaces de soportaruna alta intensidad con una pequeña ca,da de tensión.

-equieren disipadores de calor

  para eliminar el calor del elemento

En sentido inverso deben ser capaces de soportar unafuerte tensión negativa de nodo con una pequeñaintensidad de fugas.

ispositivos de alta corriente * alta temperatura.

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Comparación de los diodos

de potencia.

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Disipación de potenciaPotencia máxima disipable (Pmáx)

/s un valor de potencia que el dispositivopuede disipar pero no debemos confundirlocon la potencia que disipa el diodo durante el

funcionamiento llamada "sta potencia detraba0o.

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Tipos de diodos de potenciaiodos recti)cadores para ba0a frecuencia

iodos rpidos * ultrarrpidos

iodos Sc1ot22*

iodos para aplicaciones especiales

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3onstrucción *encapsulado

43todo: va 1acia el

disipador5

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3onstrucción *encapsulado

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3urva caracter,stica

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iodos de potencia