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晶體管 The Transistor. ATS 電子部製作. E. B. C. 結構. 符號. 偏壓. 小結 : 1 … 2 … 3. 三種基本接法. 比較. 晶體管的構造是這樣的 , 它由三層 半導體 組成 :. 射極 emitter E. 基極 base B. 集極 collector C. 這三層半導體一定是 N-P 型相間的 , 可以是 NPN, 也可以是 PNP:. 射極 emitter E. 基極 base B. 集極 collector C. - PowerPoint PPT Presentation
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ATS 電子部製作
結構CBE
符號偏壓小結 : 1… 2… 3...
三種基本接法比較
晶體管的構造是這樣的 , 它由三層半導體組成 :
集極 collector
C
基極 base B
射極 emitter E
這三層半導體一定是 N-P 型相間的 , 可以是 NPN, 也可以是 PNP:
集極 collector
C
基極 base B
射極 emitter E N P N P N P N P N P N P N P N P N P N P N
往後的討論 , 如果沒有特別聲明 , 我們都是以 NPN 晶體管為準
晶體管的符號 :
NPN 型 :集極 C
射極 E
基極
B 基極
B
集極 C
射極 E
PNP 型 :
集極 collector
C
基極 base B
射極 emitter E N P N
把電源接到晶體管的兩端 , 不管是正負方向是怎樣 , 電流也不能通過 o
集極 collector
C
基極 base B
射極 emitter E N P N
但是 , 如果先把基極和射極以正向偏壓接駁 , 就會有電流 (IB) 通過 B-E 極 o
IB
集極 collector
C
基極 base B
射極 emitter E
這時 , 集極和基極間再接上一反向偏壓 , 電流 (IC) 就會由 C 極穿過 B 極直通 E 極
IB
N P N ICIE
集極 collector
C
基極 base B
射極 emitter E
集極電流 IC 比基極電流 IB 大很多 ,而射極電流 IE 則等於 IC + IB
IB
N P N ICIE
小結 : 1. C-E 要導通 , 先要使 B-E導通 o
2. IC >> IB
3. IE = IC + IB集極 C射極 E
基極 B
ICIE
IB
晶體管有兩個主要用途 :開關和放大 o
開關就是利用上述“ C-E 要導通 , 先要使 B-E 導通”這一特性 o
放大比較複雜 , 輸入一個 (電流或電壓 )較小的訊號 , 而輸出一個較大的訊號 o
放大器輸入 輸出
共用 (接地 )
由於輸入和輸出訊號各需兩端 , 其中一端共用 , 剛好可以利用晶體管的三端 o
於是一個晶體管放大器有三種基本接法 :
1. 共基極 (C.B.) :
輸入 輸出
共用
由於輸入和輸出訊號各需兩端 , 其中一端共用 , 剛好可以利用晶體管的三端 o
於是一個晶體管放大器有三種基本接法 :
2. 共射極 (C.E.) :
輸入 輸出
共用
由於輸入和輸出訊號各需兩端 , 其中一端共用 , 剛好可以利用晶體管的三端 o
於是一個晶體管放大器有三種基本接法 :
3. 共集極 (C.C.) :
輸入
輸出
共用
1. 共基極 2. 共射極 3. 共集極
輸入 E B B輸出 C C E
共用 B E C
1. 共基極 2. 共射極 3. 共集極
電流增益 <1 高 高
電壓增益 高 更高 <1輸入阻抗 低 (30 100) 高 (800 5) 更高(5k500k)
輸出阻抗 很高 (105 106) 高 (10k50k) 低 (50 1k)