ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС · mtx-160-36-c1 Средний прямой ток itav 160 a Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом

ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС

Изолированное основаниеКорпус промышленного стандартаУпрощенная механическая конструкция, быстрая сборкаПрижимная конструкция

ДвухпозиционныйТиристорный Модуль

MTx-160-36-C1

Средний прямой ток ITAV 160 AПовторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии UDRM

3000...3600 ВПовторяющееся импульсное обратное напряжение

URRM

Время выключения tq 400 мкс

UDRM, URRM, В 3000 3200 3400 3600Класс по напряжению 30 32 34 36Tj, C –40...+125

MT3 MT4 MT5

MT/Д3 MД/T3 MT/Д4 MД/T4 MT/Д5 MД/T5Все размеры в миллиметрах (дюймах)

2020-Мар-17 v1.12 © Proton-Electrotex Информационный Лист MТx-160-36-C1 страница 1 из 12

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

Обозначение и наименование параметраЕд.изм. Значение Условия измерения

Параметры в проводящем состоянии

ITAV Средний ток в открытом состоянии A160169

Tc= 88 C; 180 эл. град. синус; 50 ГцTc= 85 C; 180 эл. град. синус; 50 Гц

ITRMS Действующий ток в открытом состоянии

A 251 Tc= 88 C; 180 эл. град. синус; 50 Гц

ITSM Ударный ток в открытом состоянии кA

4.04.5

Tj=Tj max

Tj=25 C

180 эл. град. синус; tp=10 мс; единичный импульс; UD=UR=0 В;Импульс управления IG=2 А; tGP=50 мкс; diG/dt≥1 A/мкс

4.04.5

Tj=Tj max

Tj=25 C

180 эл. град. синус; tp=8.3 мс; единичный импульс; UD=UR=0 В;Импульс управления IG=2 А; tGP=50 мкс; diG/dt≥1 A/мкс

I2t Защитный фактор A2с.103

80100

Tj=Tj max

Tj=25 C

180 эл. град. синус; tp=10 мс; единичный импульс; UD=UR=0 В;Импульс управления IG=2 А; tGP=50 мкс; diG/dt≥1 A/мкс

6080

Tj=Tj max

Tj=25 C

180 эл. град. синус; tp=8.3 мс; единичный импульс; UD=UR=0 В;Импульс управления IG=2 А; tGP=50 мкс; diG/dt≥1 A/мкс

Блокирующие параметры

UDRM, URRM

Повторяющееся импульсное обратное напряжение и повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии

В 3000...3600Tj min< Tj <Tj max;180 эл. град. синус; 50 Гц; управление разомкнуто

UDSM, URSM

Неповторяющееся импульсное обратное напряжение и неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии

В 3100...3700Tj min< Tj <Tj max;180 эл. град. синус; единичный импульс;управление разомкнуто

UD, URПостоянное обратное и постоянноепрямое напряжение

В0.6.UDRM

0.6.URRM

Tj=Tj max;управление разомкнуто

Параметры управления

IFGMМаксимальный прямой ток управления

A 6Tj=Tj max

URGMМаксимальное обратное напряжение управления В 5

PGМаксимальная рассеиваемая мощность по управлению

Вт 3 Tj=Tj max для постоянного тока управления

Параметры переключения

(diT/dt)crit

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии(f=1 Hz)

A/мкс 200Tj=Tj max; UD=0.67.UDRM; ITM=2 ITAV;Импульс управления IG=2 А; tGP=50 мкс; diG/dt≥2 A/мкс

Тепловые параметрыTstg Температура хранения C -40...+50Tj Температура p-n перехода C -40...+125Tc op Рабочая температура корпуса C -40...+125Механические параметрыa Ускорение м/с2 50


ХАРАКТЕРИСТИКИ

Обозначение и наименование характеристикиЕд.изм.

Значение Условия измерения

Характеристики в проводящем состоянии

UTMИмпульсное напряжение в открытом состоянии, макс В 2.50 Tj=25 C; ITM= 785 А

UT(TO) Пороговое напряжение, макс В 1.20Tj=Tj max;0.5 ITAV < IT < 1.5 ITAVrT

Динамическое сопротивление в открытом состоянии, макс мОм 2.300

IL Ток включения, макс мA 700Tj=25 C; UD=12 В;Импульс управления IG=2 А; tGP=50 мкс; diG/dt≥1 A/мкс

IH Ток удержания, макс мA 300Tj=25 C;UD=12 В; управление разомкнуто

Блокирующие характеристики

IDRM, IRRM

Повторяющийся импульсный обратный ток и повторяющийся импульсный ток взакрытом состоянии, макс

мA 50Tj=Tj max;UD=UDRM; UR=URRM

(duD/dt)crit Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии1), мин

В/мкс 1000Tj=Tj max;UD=0.67.UDRM; управление разомкнуто

Характеристики управления

UGTОтпирающее постоянное напряжение управления, макс

В3.502.001.50

Tj= Tj min Tj=25 CTj= Tj max UD=12 В; ID=3 A;

Постоянный ток управления

IGT Отпирающий постоянный ток управления, макс мA

250150100

Tj= Tj min

Tj= 25 CTj= Tj max

UGD Неотпирающее постоянное напряжениеуправления, мин В 0.25 Tj=Tj max;

UD=0.67.UDRM;Постоянный ток управленияIGD

Неотпирающий постоянный ток управления, мин

мA 10.00

Динамические характеристики

tgd Время задержки включения мкс 3.00

Tj=25 C; UD=1500 В; ITM=ITAV; di/dt=200 A/мкс;Импульс управления IG=2 А; UG=20 В; tGP=50 мкс; diG/dt=2 A/мкс

tq Время выключения2), макс мкс 400duD/dt=50 В/мкс; Tj=Tj max; ITM= ITAV;diR/dt=-10 A/мкс; UR=100 В;UD= 0.67 UDRM

Qrr Заряд обратного восстановления, макс мкКл 1050 Tj=Tj max; ITM=150 A;diR/dt=-5 A/мкс;UR=100 В

trr Время обратного восстановления, макс мкс 30IrrM Ток обратного восстановления, макс A 70Тепловые характеристики

Rthjc

Тепловое сопротивление p-n переход-корпус, макс

180 эл. град. синус; 50 Гц

на модуль C/Вт 0.0550на позицию C/Вт 0.1100

Rthch

Тепловое сопротивление корпус-охладитель, макс

на модуль C/Вт 0.0200на позицию C/Вт 0.0400

Характеристики изоляции

UISOL Электрическая прочность изоляции кВ3.00 синус; 50 Гц;

действующее значениеt=60 c

3.60 t=1 с


Механические характеристикиM1 Момент затяжки основания (M6)3) Нм 6.00 Допуск 15%M2 Момент затяжки выводов (M8)3) Нм 9.00 Допуск 15%w Масса, макс г 860

МАРКИРОВКА ПРИМЕЧАНИЕ

MT 3 - 160 - 36 - A2 H2 - C1 - У21 2 3 4 5 6 7 8

1. Тиристорный модуль (MT) Тиристорно-диодный модуль (MT/Д) Диодно-тиристорный модуль (MД/T)2. Схема включения3. Средний прямой ток, A4. Класс по напряжению5. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии6. Группа по времени выключения (duD/dt=50 В/мкс)7. Тип корпуса (M.C1)8. Климатическое исполнение по ГОСТ 15150: У2

1) Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянииОбозначение группы A2(duD/dt)crit, В/мкс 1000

2) Время выключения (duD/dt=50 В/мкс)Обозначение группы H2

tq, мкс 400

3) Резьба должна быть смазана

Cертифицирован UL, файл № Е255404

Содержащаяся здесь информация является конфиденциальной и находится под защитой авторских прав.В интересах улучшения качества продукции, АО «Протон-Электротекс» оставляет за собой право изменять информационные листы без

уведомления.


1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,6 2,8 30

100

200

300

400

500

600

700

800

Ток

в от

кры

том

сост

ояни

и -

I TM, А

Напряжение в открытом состоянии - UTM

, В

MTx

-160

-C1,

13-

Ноя

-201

9

25 °C 125 °C

Рис. 1 – Предельная вольт – амперная характеристика

Аналитическая функция предельной вольт — амперной характеристики:

TTTT iDiCiBAV )1ln(

Коэффициенты для графикаTj = 25oC Tj = Tj max

A 1.0126910 1.0794415B 0.0016636 0.0020860C 0.0038420 0.0062181D 0.0066694 0.0086245

Модель предельной вольт – амперной характеристики (см. Рис. 1)


0,00001 0,00010 0,00100 0,01000 0,10000 1,00000 10,00000 100,000000,00001

0,00010

0,00100

0,01000

0,10000

1,00000

На позицию: 0.11 K/Вт

Время — t, c

MTx

-160

-C1,

13-

Ноя

-201

9

Пер

еход

ное

тепл

овое

соп

роти

влен

ие —

Zth

jc, K

/Вт

Рис. 2 – Зависимость переходного теплового сопротивления Zthjc от времени t

Аналитическая зависимость переходного теплового сопротивления переход — корпус:

n

i

t

ithjcieRZ

1

1

Где i = 1 to n, n – число суммирующихся элементов.

t = продолжительность импульсного нагрева в секундах.

Zthjc = Тепловое сопротивление за время t.

Ri, i = расчетные коэффициенты, приведенные в таблице.

i 1 2 3 4 5 6Ri, K/Вт 0.0808 0.007806 0.02226 -0.007688 0.00471 0.00217i, с 2.801 1.283 0.3281 0.09408 0.0572 0.002255

Модель переходного теплового сопротивления переход - корпус (см. Рис. 2)


Рис. 3 – Вольт — амперная характеристика цепи управления

Рис. 4 – Вольт — амперная характеристика цепи управления — Кривые мощности


1 10 100100

1000

10000

Скорость спада тока - di/dt, А/мкс

Инт

егра

льны

й за

ряд

обра

тног

о во

сста

новл

ения

- Q

rr-i,

мкК

л

Tj = 125 °C

ITM

= 150 A

MTx

-160

-C1,

13-

Ноя

-201

9

Рис. 5 – Зависимость максимального интегрального заряда обратного восстановления Qrr-i отскорости спада тока diR/dt в открытом состоянии

1 10 100100

1000

10000


Заря

д об

ратн

ого

восс

тано

влен

ия -

Qrr

, мкК

л

MTx

-160

-C1,

13-

Ноя

-201

9 Tj = 125 °C

ITM

= 150 A

Рис. 6 – Зависимость максимального заряда обратного восстановления Qrr от скорости спада тока diR/dt (по ГОСТ 24461, хорда 25%) в открытом состоянии


1 10 10010

100

1000


Ток

обра

тног

о во

сста

новл

ения

- I

rrM

, А

MTx

-160

-C1,

13-

Ноя

-201

9 Tj = 125 °C

ITM

= 150 A

Рис. 7 – Зависимость максимального тока обратного восстановления IrrM от скорости спада тока diR/dt в открытом состоянии

1 10 10010

100


Врем

я об

ратн

ого

восс

тано

влен

ия -

trr,

мкс

Tj = 125 °C

ITM

= 150 A

MTx

-160

-C1,

13-

Ноя

-201

9

Рис. 8 - Зависимость максимального времени обратного восстановления trr от скорости спада тока diR/dt (по ГОСТ 24461, хорда 25%) в открытом состоянии


0 50 100 150 200 250 3000

100

200

300

400

500

600

700

800

900

MTx

-160

-C1,

14-

Ноя

-201

9

Средний ток в открытом состоянии — IT(AV)

, А

Сред

няя

расс

еива

емая

мощ

ност

ь в

откр

ыто

м со

стоя

нии

— P

T(A

V),

Вт

Ѳ=30º

Ѳ=60º

Ѳ=90º

Ѳ=120º

Ѳ=180º

Ѳ - угол проводимости тока синусоидальной формы

Рис. 9 - Зависимость потерь мощности PTAV от среднего тока в открытом состоянии ITAV

синусоидальной формы при различных углах проводимости (f=50 Гц, двустороннее охлаждение)

0 50 100 150 200 250 300 350 4000

100

200

300

400

500

600

700

800

900

MTx

-160

-C1,

14-

Ноя

-201

9

Средний ток в открытом состоянии — IT(AV)

, А

Сред

няя

расс

еива

емая

мощ

ност

ь в

откр

ыто

м со

стоя

нии

— P

T(A

V),

Вт

Ѳ=30º

Ѳ=60º

Ѳ=90º

Ѳ=120º

Ѳ=180º

Ѳ - угол проводимости тока прямоугольной формы

DC

Рис. 10 – Зависимость потерь мощности PTAV от среднего тока в открытом состоянии ITAV

прямоугольной формы при различных углах проводимости (f=50 Гц, двустороннее охлаждение)


25 35 45 55 65 75 85 95 105 115 1250

50

100

150

200

250

300

MTx

-160

-C1,

14-

Ноя

-201

9

Температура корпуса — TC, ˚C

Сред

ний

ток

в от

кры

том

сост

ояни

и —

IT

(AV

), A

Ѳ=30º

Ѳ=60º

Ѳ=90º

Ѳ=120º

Ѳ=180º

Ѳ - угол проводимости тока синусоидальной формы

Рис. 11 – Зависимость среднего тока в открытом состоянии ITAV от температуры корпуса TC длясинусоидальной формы тока при различных углах проводимости (f=50 Гц, Двустороннее

охлаждение)

25 35 45 55 65 75 85 95 105 115 1250

50

100

150

200

250

300

350

400

MTx

-160

-C1,

14-

Ноя

-201

9

Температура корпуса — TC, ˚C

Сред

ний

ток

в от

кры

том

сост

ояни

и —

IT

(AV

), A

Ѳ=30º

Ѳ=60º

Ѳ=90º

Ѳ=120º

Ѳ=180º

Ѳ - угол проводимости тока прямоугольной формы

DC

Рис. 12 - Зависимость среднего тока в открытом состоянии ITAV от температуры корпуса TC дляпрямоугольной формы тока при различных углах проводимости (f=50 Гц, Двустороннее

охлаждение)


1 10 1001

10

100

0,01

0,1

1

Удар

ный

ток

в от

кры

том

сост

ояни

и –

I TS

M, к

А

Длительность импульса – tp, мс

Защ

итны

й ф

акто

р –

I2t,

кА2 с

MTx-160-C1, 14-Ноя-2019

ITSM

:Urm

<10 В

ITSM

:Urm

=0.67URRM

I2t:Urm

<10 В

I2t:Urm

=0.67URRM

Tj = 125 °C

Рис. 13 – Зависимость максимальной амплитуды ударного тока в открытом состоянии IFSM изащитного фактора I2t от длительности импульса tp

1 10 1000,1

1

10

Удар

ный

ток

в от

кры

том

сост

ояни

и –

I TS

M, k

A

Количество импульсов – np

Urm

<10 В

Urm

=0.67URRM

Tj = 125 °C

MT

x-16

0-C

1, 1

4-Н

оя-2

019

Рис. 14 – Зависимость максимальной амплитуды ударного тока в открытом состоянии IFSM отколичества импульсов np


Documents

ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС · mtx-160-36-c1 Средний прямой ток itav 160 a Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом