АО «Воронежский Завод Полупроводниковых ...vzpp-s.ru/production/catalog.pdf6 Изделия, поставляемые по ТУ ГК 55 7 Изделия

www.vzpp -s . r u market@vzpp -s . r u

АО «ВЗПП-С»

1

АО «Воронежский Завод Полупроводниковых Приборов - Сборка»

О ПРЕДПРИЯТИИ

АО «ВЗПП-С» является одним из крупнейших поставщиков элементной базы для предприятий — изготовителей радиоэлектронной аппаратуры, а продукция использует-ся в более чем 1000 предприятиях России и стран ближнего зарубежья.

Завод обладает технологиями: тех-нологией сборочного производства инте-гральных микросхем в металлокерамиче-ских корпусах (14, 16, 20, 24, 48, 64, 144, 240, 256, 304, 352 выводов); технологией сборочного производства интегральных микросхем в пластмассовых корпусах (8, 16, 20, 28, 48 выводов); технологией сборочного производства СВЧ-транзи-сторов; технологией сборочного произ-водства силовых полупроводниковых приборов в корпусах пластмассовых, металлокерамических и металлосте-клянных типов КД-44, КТ-28-1, КТ-28-2, КТ-28А-2.01, КТ-28А-2.02, КТ-9С, КТ-4, КТ-4ЗВ, КТ-4ЗА-1.01, КТ-89, КТ-90, КТ-93, КТ-94, КТ-95, КТ-99-1, КТ-115, 4245.240-6, 4244.256-3, 4251.304-2, 4254.352-1 и др.; технологией производства силовых мо-дулей на основе полевых транзисторов, диодов Шоттки и быстровосстанавливаю-

Основная серийно-выпускаемая продукция включает в себя более 900 типономиналов изделий гражданского и специального назначения: транзисторные сборки; логические ИС и ПЛИС; мощные п- и р-канальные полевые транзисторы; БТИЗы; мощные диоды Шоттки; высоковольтные быстровосстанавливающиеся диоды; выпрямительные мосты на основе мощных диодов; мощные ВЧ и СВЧ транзисторы; силовые модули на основе полевых транзисторов и диодов; стабилизаторы напряжения; автомобильная электро-ника.

щихся высоковольтных диодов в корпусах типов ТО-244, МК 41.24-1К, КД-44, МП 41.17-1 и др.; технологией производства кремниевых структур с диэлектрической изоляцией.


www.vzpp -s . r u www.vzpp -s . r umarket@vzpp -s . r u market@vzpp -s . r u


32

Направления развития предприятия:

• разработка технологий сборки и выпуска СБИС, ПЛИС, систем в корпусе в современ-ные многовыводные металлокерамические и металлопластмассовые корпуса BGA, CCGA, CQFP 352, FСBGA (методом flip-chip) с количеством вывода до 3000

• разработка и освоение современной номенклатуры силовой электроники (дискрет-ные приборы, силовые и многокристальные модули)

• разработка технологии создания радиационно-стойкой электронной компонентной базы (ЭКБ)

Если Вы заинтересованы в деловом взаимовыгодном сотрудничестве, мы ждем Ваших предложений!

Отдел сбыта: Тел.: (473) 227-92-07 Факс: (473) 237-92-62 E-mail: [email protected]

Отдел маркетинга: Тел.: (473) 227-95-27 Тел./факс: (473) 223-69-51 E-mail: [email protected]

ОГЛАВЛЕНИЕ1 ИС И СБИС 5-281.1 Программируемые логические интегральные схемы 51.1.1 ПЛИС 5576ХС1Т 51.1.2 ПЛИС 5576ХС4Т 51.1.3 ПЛИС 5576ХС6Т 61.1.4 ПЛМ 5576ХС7Т 61.1.5 ПЛИС 5578ТС024 71.1.6 ПЛИС 5578ТС034 71.1.7 ПЛИС 5578ТС084 81.1.8 ПЛИС 5578ТС094 81.1.9 ПЛИС 5578ТС064 9

1.2 Отладочные платы 101.2.1 Отладочная плата 5576ХС1Т.01 101.2.2 Отладочная плата 5576ХС4Т.01 111.2.3 Отладочная плата 5576ХС6Т.01 121.2.4 Отладочная плата 5578ТС024.01 131.2.5 Отладочная плата 5578ТС034.01 141.2.6 Отладочная плата 5578ТС084.01 151.2.7 Отладочная плата 5578ТС094.01 15

1.3 Интегральные микросхемы 161.3.1 ИС серии 5574 161.3.2 Стабилизаторы напряжения серии 1334 171.3.3 Стабилизаторы напряжения серии 1335 171.3.4 ИС серии 106, ОС106 18-191.3.5 ИС серии 134, ОС134 19-201.3.6 ИС серии 1504, ОС1504 20-221.3.7 ИС серии 1505, ОС1505 22-241.3.8 ИС серии 1804 241.3.9 Стабилизаторы напряжения (приёмка «ОТК») 24-261.3.10 ИС серии 706-1, 706-1Н 26-271.3.11 ИС серии 734-1, 734-1Н 28

2 Транзисторы 29-372.1 Полевые n-канальные транзисторы 29-302.2 Полевые р-канальные транзисторы 312.3 Транзисторные сборки с n- и р-каналами 312.4 Комплементарные пары транзисторов с n- и р-каналами 31-322.5 Биполярные транзисторы с изолированным затвором 322.6 Биполярные транзисторы 32-342.7 ВЧ и СВЧ мощные транзисторы 34-352.7.1 Транзисторы для подвижных средств радиосвязи 342.7.2 Транзисторы для стационарной и бортовой аппаратуры радиосвязи 352.8 Полевые n-канальные транзисторы (приёмка «ОТК») 36-372.9 Силовые модули (приёмка «ОТК») 382.9.1 Силовые модули на полевых транзисторах 382.10 Полевые n-канальные транзисторы (бескорпусное исполнение) 38




54

ОГЛАВЛЕНИЕ3 Диоды 39-523.1 Диоды Шоттки 39-423.2 Быстровосстанавливающиеся диоды 42-433.3 Однофазные мосты на основе мощных выпрямительных диодов 443.4 Силовые модули 443.4.1 Силовые модули на диодах Шоттки 443.5 Диоды Шоттки (сборки - общий катод) (приёмка «ОТК») 44-473.6 Быстровосстанавливающиеся диоды (сборки — общий катод) (приёмка «ОТК») 47-493.7 Силовые модули (приёмка «ОТК») 503.7.1 Силовые модули на диодах Шоттки 503.7.2 Силовые модули на диодах Шоттки 513.7.3 Силовые модули на быстровосстанавливающихся диодах 513.8 Диоды Шоттки (бескорпусное исполнение) 52

4 Силовые модули (приёмка «ОТК») 534.1 Модуль силовой полупроводниковый M16-5-1 УХЛЗ в металлическом корпусе МК41.24-1К 534.1.1 Схема электрическая принципиальная 534.1.2 Основные электрические параметры 53

5 Автомобильная электроника (приёмка «ОТК») 545.1 Контроллер бесконтактной системы зажигания с датчиком на эффекте Холла 545.2 Мощные биполярные транзисторы Дарлингтона (n-p-n) 54

6 Изделия, поставляемые по ТУ ГК 55

7 Изделия в стадии разработки и/или освоения 56-71

8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ 72-95

9 УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ 969.1 Перечень аналогов корпусов 96

10 КАРТОЧКА ПРЕДПРИЯТИЯ 97

11 НАГРАДЫ 98

12 ДЛЯ ЗАМЕТОК 99-100

Типовая логическая емкость, вент. 50000Количество логических элементов 2880Количество логических блоков 360Объем встроенной памяти, бит 20480Количество триггеров 3184Количество пользовательских выводов 176

Типовая логическая емкость, вент. 200000Количество логических элементов 9984Количество логических блоков 1248Объем встроенной памяти, бит 98304Количество триггеров 101551

Количество пользовательских выводов 1711 По восемь триггеров в каждом логическом блоке и по одному в каждом пользовательском элементе ввода—вывода

1 ИС И СБИС1.1 Программируемые логические интегральные схемы1.1.1 ПЛИС 5576ХС1Т• ТУ - АЕЯР.431260.478ТУ;• функционально совместимы с изделием EPF10K50 ф.Altera;• напряжение питания — 3,3 1 0,3 В;• 5-вольтовая толерантность входов/выходов;встроенная система конфигурирования, обеспечивающая многократное перепрограммирование посредством внешних конфигурационных устройств или интеллектуальным контроллером через специальный загрузочный порт или JTAG-порт;• для конфигурирования рекомендуется использовать ПЗУ 576РС1У;• для проектирования используется САПР ф.Altera — МАХ+PLUS II или Quartus II;• выпускается в 240-выводном металлокерамическом планарном корпусе 4245.240-6.Основные функциональные параметры:

Примечание. Предоставляется дополнительная услуга по формовке выводов.


1.1.2 ПЛИС 5576ХС4Т• ТУ - АЯЕР.431260.734ТУ;• функционально совместимы с изделием ЕРF10К200S(Е) ф.Altera;• напряжение питания ядра — 1,8 В ± 5%;• напряжение питания периферии — 3,3 ± 0,3 В;• программируемый режим циклической перезаписи конфигураци-онной памяти;• встроенная система конфигурирования, обеспечивающая многократное перепрограммирование;• программируемый режим верификации конфигурационной памя-ти без выхода из рабочего состояния;• режим последовательной и параллельной загрузки конфигурации ПЛИС по специальному загрузочному порту;• для конфигурирования рекомендуется использовать ПЗУ 5576РС1У;• для проектирования используется САПР ф.Altera — МАХ+PLUS II ИЛИ Quartus II;• Выпускается в 256-выводном металлокерамическом планарном корпусе 4244.256-3.Основные функциональные параметры:




76

Типовая логическая емкость, вент. 30000Количество логических элементов 1728Количество логических блоков 216Объем встроенной памяти, бит 24576Количество триггеров 1898Количество пользовательских выводов 170

Типовая логическая емкость, вент. 50000Количество логических элементов 2880Количество логических блоков 360Объем встроенной памяти, бит 40960Количество триггеров 30631

Количество пользовательских выводов 1831 По восемь триггеров в каждом логическом блоке и по одному в каждом пользовательском элементе ввода—вывода

1 ИС И СБИС1.1.3 ПЛИС 5576ХС6Т• ТУ - АЕЯР.431260.888ТУ;• функционально совместимы с изделием EPF10K50E ф. Altera;• напряжение питания ядра — 1,8 В ± 5%;• напряжение питания периферии — 33 ± 0,3 В;• стойкая к СВВФ;• программируемый режим верификации конфигурационной памяти без выхода из рабочего состояния;• встроенная система конфигурирования, обеспечивающая многократное перепрограммирование;• программируемый режим циклической перезаписи конфигурационной памяти;• режимы последовательной и параллельной загрузки конфигурации ПЛИС по специальному порту;• в качестве конфигурационного устройства могут быть использованы ПЗУ, работающие в режиме Passive (рекомендуется использовать ПЗУ 5576РТ1У), загрузочный кабель (рекомен-дуется ByteBlasterMV), микропроцессор;• для проектирования используется САПР ф.Altera — МАХ+PLUS II или Quartus II + “Инстру-ментарий для формирования конфигурационных данных ПЛИС (АО «КТЦ «ЭЛЕКТРОНИКА»);• выпускается в 256-выводном металлокерамическом планарном корпусе 4244.256-3.Основные функциональные параметры:



1.1.4 ПЛМ 5576ХС7Т• ТУ - АЕНВ.431260.059ТУ;• функционально совместимы с изделием EPF10K30E ф.Altera;• напряжение питания ядра — 1,8 В ± 5%;• напряжение питания периферии — 3,3 ± 0,3 В;• стойкая к СВВФ;• однократное программирование;• режим многократной отладки проекта до программирования по интерфейсу JTAG;• режим «холодного резервирования»;• для проектирования используется САПР ф.Altera — МАХ+PLUS II или Quartus II + «Инстру-ментарий для программирования дополнительных режимов работы и расширенной функци-ональности элементов ввода/вывода ПЛМ» (АО «КТЦ «ЭЛЕКТРОНИКА»);• выпускается в 256-выводном металлокерамическом планарном корпусе 4244.256-3.Основные функциональные параметры:

Эквивалентная логическая емкость, системных вентилей 500000Количество логических элементов 7200Объем встроенной памяти, бит 368640Количество умножителей 18х18 шт. 20Количество пользовательских выводов 172

Типовая логическая емкость, вентилей 100000Количество эквивалентных логических элементов 4992Объем встроенной памяти, Кбит 48Количество пользовательских выводов 212

1 ИС И СБИС1.1.5 ПЛИС 5578ТС024• ТУ - АЕЯР.431260.978ТУ;• функционально совместимы с изделием ЕР2С8 (ф. Altera);• напряжение питания ядра — 1,8 В ± 5%;• напряжение питания периферии — 3,3 ± 0,3 В;• программируемый режим циклической перезаписиконфигурационной памяти;• встроенная система конфигурирования, обеспечивающаямногократное перепрограммирование;• программируемый режим верификации конфигурационной памяти без выхода из рабочего состояния;• режимы последовательной и параллельной загрузки конфигурации ПЛИС по специальному загрузочному порту;• программируемые блоки удержания выводов пользователя в последнем состоянии;• для конфигурирования рекомендуется использовать ПЗУ 5578РС015 производства АО «КТЦ«ЭЛЕКТРОНИКА»;• для проектирования используется САПР Quartus II (Altera) + «Инструментарий для форми-рования конфигурационных данных ПЛИС» (АО «КТЦ «ЭЛЕКТРОНИКА»);• выпускается в 256-выводном металлокерамическом планарном корпусе 4244.256-3.Основные функциональные параметры:



1.1.6 ПЛИС 5578ТС034• ТУ - АЕНВ.4З 1260.216ТУ;• может быть использована для замены следующих аналогов:ЕРF10К100Е (ф. Altera), RТ54SX72S, А54SХ72А,RTSX72SU, АХ125, АРА075 ф. Microsemi, ХС2S100 ф. Xilinx.;• напряжение питания ядра — 1,8 В ± 5%;• напряжение питания периферии — 3,3 ± 0,3 В;• стойкая к СВВФ;• однократное программирование;• режим многократной отладки проекта до программирования поинтерфейсу JTAG;• режим «холодного резервирования»;• для проектирования используется САПР ф. Altera – МАХ+PLUS II или Quartus II (не позднее версии 8.1) + «Инструментарий для программирования дополнительных режимов работы и расширенной функциональности элементов ввода/вывода ПЛИС 5578ТС034» (АО «КТЦ «ЭЛЕКТРОНИКА»);• выпускается в 304-выводном металлокерамическом планарном корпусе 4251.304-2.Основные функциональные параметры:




98

Емкость, системных вентилей 120000Количество эквивалентных логических элементов 24624Объем встроенной памяти, Кбит 594Количество умножителей 18x18 шт. 66Количество блоков ФАПЧ 4Количество выводов, программируемых пользователем 195

Емкость, системных вентилей 80000Количество эквивалентных логических элементов 15408Объем встроенной памяти, Кбит 504Количество умножителей 18x18 шт. 56Количество блоков ФАПЧ 4Количество выводов, программируемых пользователем 84

1 ИС И СБИС1.1.7 ПЛИС 5578ТС084• ТУ - АЕНВ.431260.422ТУ;• предназначены для замены зарубежных микросхем ЕР3С16 ф. Altera;• напряжение питания ядра — 1,2 ± 0,05 В;• напряжение питания периферии — 2,5 В ± 5 %;• программируемый режим циклической перезаписиконфигурационной памяти;• встроенная система конфигурирования, обеспечивающаямногократное перепрограммирование;• программируемый режим верификации конфигурационной памяти без выхода из рабочего состояния;• программируемые блоки удержания выводов пользователя в последнем состоянии;• для конфигурирования ПЛИС рекомендуется использовать однократно программируемую микросхему ПЗУ 5578РТ025, ёмкостью 8 Мбит, производства А0 «КТЦ «ЭЛЕКТРОНИКА».• для проектирования используется САПР Quartus II + доп. ПО разработки И производства АО «КТЦ «ЭЛЕКТРОНИКА»;• выпускается в 144-выводном металлокерамическом планарном корпусе МК 4248.144-1.Основные функциональные параметры:


1.1.8 ПЛИС 5578ТС094• ТУ - АЕНВ.431260.423ТУ• предназначены для замены зарубежных микросхем ЕР3С25 ф. Altera• напряжение питания ядра — 1,2 ± 0,05 В;• напряжение питания периферии — 2,5 В ± 5 %;• программируемый режим циклической перезаписиконфигурационной памяти;• встроенная система конфигурирования, обеспечивающаямногократное перепрограммирование;• программируемый режим верификации конфигурационной памяти без выхода из рабочего состояния;• программируемые блоки удержания выводов пользователя в последнем состоянии;• для конфигурирования ПЛИС рекомендуется использовать однократно программируемую микросхему ПЗУ 5578РТО25, ёмкостью 8 Мбит, производства АО «КТЦ «ЭЛЕКТРОНИКА».• для проектирования используется САПР Quartus II + доп. ПО разработки и производства АО «КТЦ «ЭЛЕКТРОНИКА»;• выпускается в 304-выводном металлокерамическом планарном корпусе МК 4251.304-2.Основные функциональные параметры:

Емкость, системных вентилей не менее 3 000 000Количество эквивалентных логических элементов 55 856Объем встроенной памяти, Кбит 2 340Количество умножителей 18*18 156Количество блоков ФАПЧ 4Интерфейс передачи данных LVDS имеетсяКоличество выводов, программируемых пользователем 279

1 ИС И СБИС1.1.9 ПЛИС 5578ТС064• ТУ - АЕНВ.431260.402ТУ;• предназначены для замены зарубежныхмикросхем EP3C55 ф. Altera;• напряжение питания ядра - 1,2 ± 0,05 В;• напряжение питания периферии - 2,5 В ± 5 %;• программируемый режим циклической перезаписиконфигурационной памяти;• встроенная система конфигурирования, обеспечивающаямногократное перепрограммирование;• программируемый режим верификации конфигурационнойпамяти без выхода из рабочего состояния;• программируемые блоки удержания выводов пользователя в последнем состоянии;• для конфигурирования ПЛИС рекомендуется использовать однократнопрограммируемую микросхему ПЗУ 5578РТ035, ёмкостью 16 Мбит, производства АО«КТЦ «ЭЛЕКТРОНИКА»;• для проектирования используется САПР Quartus II и доп. ПО разработки и производстваАО «КТЦ ЭЛЕКТРОНИКА»;• выпускается в 352-выводном корпусе МК 4254.352-1Основные функциональные параметры:






1110

1 ИС И СБИС1.2 Отладочные платы1.2.1 Отладочная плата ОП5576ХС1Т.01

Назначение:Плата предназначена для первоначальногознакомства с ПЛИС 5576ХС1Т, отработкипрограммных алгоритмов и тестированияпрограмм.

Особенности:Питание отладочной платы может осуществляться от разъема USB или вывода на плате (разъем 20). При питании от порта USB или от разъема питания должно подаваться постоянное напряжение 5В.– Ток потребления до ЗА.– Габаритные размеры, мм – 175х175– Масса, гр, не более – 600

1 ИС И СБИС1.2 Отладочные платы1.2.2 Отладочная плата ОП5576ХС4Т.01



№ Название №

1 ПЛИС 5576ХС1Т 13 Интегральная микросхема МАХ2З2 дляреализации аппаратного RS-232

2 Тактовый генератор 50 МГц clock0 14 Второй канал RS-232

3 Вывод для внешнего тактирования 15 Стабилизатор питания 1335ЕН3.3П

4 PLD-разъемы, на которые выведены незадей-ствованные выводы ПЛИС 16 Светодиод - индикатор питания ПЛИС

5 Перемычка для подключения микросхемы 17 Служебные выводы USART конвертора

6 Микросхема памяти 55 76РС 1У 4 Мбит 18Интегральная микросхема для реализа-ции виртуального СОМ-порта через USB(FT232R)

7 JTAG - разъем 19 Выбор режима USB

8 8 светодиодов — пользовательскиеиндикаторы 20 Разъем для подключения питания 5В

9 Монтажное поле с шагом 2.54 ММ 21 Разъем USB-mini

10 Отверстия с питающим напряжением З.ЗВ 22 Переключатели DIP SWITHC 8

11 Служебные выводы 23 Светодиод CONF_DONE – индикаторзавершения конфигурации ПЛИС

12 Разъем DB-9 RS 232 24 4 пользовательские кнопки


1 ПЛИС 5576ХС4Т 13 Разъем - выбор режима USB

2 Тактовый генератор 50 МГц clock0 14 Разъем USB-mini

3 Служебные выводы 15 Стабилизаторы питания 1335ЕН3.3П

4 Светодиод CONF_DONE - индикаторзавершения конфигурации ПЛИС 16 2 светодиода - индикация питания

5 Вывод внешнего тактирования 17 JTAG - разъем

6 PLD - разъемы, на которые выведенынезадействованные выводы ПЛИС 18 Перемычка для подключения

микросхемы внешней памяти

7 4 пользовательские кнопки 19 Разъем для подключения питания 5В

8 8 светодиодов – пользовательскиеиндикаторы 20 Микросхема памяти 5576РС1У 4 Мбит

9 Отверстия с питающим напряжением 3.3В 21 Второй канал RS 232

10 Монтажное поле с шагом 2.54 мм 22 Интенральная микросхема МАХ232 дляреализации аппаратного RS-232

11 Служебные выводы USART конвертора 23 Разъем DB-9 RS 232

12Интегральная микросхема для реализациивиртуального COM - порта через USB(FT232R)

24 Переключатель DIP_SWITCH_8




1312

1 ИС И СБИС1.2 Отладочные платы1.2.3 Отладочная плата ОП5576ХС6Т.О1



1 ИС И СБИС1.2 Отладочные платы1.2.4 Отладочная плата ОП5578ТС024.01

Назначение:Плата предназначена для первоначальногознакомства с ППЛИС 5578ТС024, отработкипрограммных алгоритмов и тестированияпрограмм.

Особенности:Для конфигурирования ПЛИС возможноиспользовать ПЗУ 5578РС015 производстваАО «КТЦ Электроника».Питание отладочной платы может осуществляться от разъема USB или вывода на плате. При питании от порта USB или от разъема питания должно подаваться постоянное напряжение 5В.– Ток потребления до ЗА.– Габаритные размеры, мм – 175х175– Масса, гр, не более – 600


1 ПЛИС 5576ХС6Т 13 Cервисные выводы микросхемы FT232RL

2 Тактовый генератор 50 МГц QG1 14 Разъем mini USB (А)

3 Служебные выводы ПЛИС 15 Стабилизаторы питания серии 1335

4 Светодиод CONF_DONE - индикаторконфигурации ПЛИС 16 Индикация наличия питания


6 Пользовательские выводы ПЛИС 18 Перемычка для работы без микросхемыпамяти

7 4 кнопки 19 Разъем для подключения питания 5В

8 8 светодиодов 20 Микросхема памяти 5576РС1У 4 Мбит

9 Монтажное поле — питание 3.3В 21 Второй канал RS232

10 Монтажное поле с шагом 2.54 мм 22 Микросхема согласование уровнейMAX232 (RS-232)

11 Служебные выводы UARTконвертора FT232RL 23 Разъем DB-9 RS 232

12 Преобразователь USB-UART 24 Переключатель DIP_SWITCH_8


1 ПЛИС 5578ТС024 13 Разъемы USB(A)

2 Тактовый генератор 50 МГц QG1 14 Стабилизаторы питания серии 1335

3 Светодиод CONF_DONE - индикаторконфигурации ПЛИС 15 Индикация наличия питания


5 Пользовательские выводы ПЛИС 17 Перемычка для работы без микросхемыпамяти

6 Пользовательские кнопки 18 Разъем для подключения питания 5В

7 Пользовательские светодиоды 19 Слот для подключенияконфигурационного ПЗУ

8 Монтажное поле — питание 3.3В 20 Второй канал RS232

9 Монтажное поле с шагом 2.54 мм 21 Микросхема согласование уровнейMAX232 (RS-232)

10 Служебные выводы RS 232конвертора FT232RL 22 Разъем DB-9 RS 232

11 Преобразователь USB-UART 23 Переключатель DIP SWITCH 8

12 Выбор режима USB-UART/USB-Direct




1514


Назначение:Плата предназначена для первоначальногознакомства с ПЛИС 5578ТС034, отработкипрограммных алгоритмов и тестированияпрограмм.

Особенности:Питание отладочной платы может осуществляться от разъема USB или вывода на плате. При питании от порта USB или от разъема питания должно подаваться постоянное напряжение 5В.– Ток потребления до ЗА.– Габаритные размеры, мм – 175х175– Масса, гр, не более – 600



Особенности:– Буферы согласования уровней портовввода/вывода– Встроенный загрузочный интерфейс– Разъём для подключения загрузочного ПЗУ– Встроенный тактовый генератор– Разъемы подключения внешнего тактового генератора– Светодиоды индикации и 7 -сегментный индикатор типа часы– Разъёмы для подключения интерфейсов USB, UART, JTAG– Встроенные стабилизаторы напряжения питания ядра и периферии– Питание отладочной платы может осуществляться от разъема USB .

1.2 Отладочные платы1.2.6 Отладочная плата ОП5578ТС094.01


Особенности:– Буферы согласования уровней портовввода/вывода– Встроенный загрузочный интерфейс– Разъём для подключения загрузочного ПЗУ– Встроенный тактовый генератор– Разъемы подключения внешнего тактового генератора– Светодиоды индикации и 7 -сегментный индикатор типа часы– Разъёмы для подключения интерфейсов USB, UART, JTAG– Встроенные стабилизаторы напряжения питания ядра и периферии– Питание отладочной платы может осуществляться от разъема USB .


1 ПЛИС 5578ТС034 9 Разъем mini USB (А)

2 8-контактный переключатель 10 Разъем конфигурации тактирования ПЛИС

3 Разъемы GND и + 3,3В 11 Преобразователь USB - RS232

4 Пользовательские кнопки 12 Индикация наличия питания

5 Разъем портов вводаПЛИС IN0-IN3 13 JTAG - разъем

6 Разъем портов ввода-вывода ПЛИС 14 Разъем портов ввода-вывода ПЛИС

7 Пользовательские светодиоды 15 Стабилизаторы питания +3,3В и +1,8В

8 Разъем питания +5В




1716

1 ИС И СБИС1.3 Интегральные микросхемы1.3.1 ИС серии 5574

• ТУ - АЕЯР.431200.483ТУ;• напряжение питания - (3,3±0,3) В;• выходной ток - (±24) мА;• 5-вольтовая толерантность входов/выходов;• радиационно-стойкие.

1 ИС И СБИС1.3 Интегральные микросхемы1.3.2 Стабилизаторы напряжения серии 1334

Параметры при Тк= (25 ± 10) °С

1.3 Интегральные микросхемы1.3.3 Стабилизаторы напряжения серии 1335

Параметры при Тк= (25 ± 10) °С

Тип Аналог Функция Корпус ТУ

5574ИН2Т SN54LVC245 8-канальный приемопередатчик стремя состояниями на выходе

4153.20-5

АЕЯР.431200.483-09ТУ

5574 АП4Т SN54LVC541 8-канальный формирователь стремя состояниями на выходе

АЕЯР.431200.483-10ТУ

5574ИР2ЗТ SN54LVC3748-разрядный регистр с

импульсным управлением и тремя и состояниями на выходе

АЕЯР.431200.483-11ТУ

5574ЛП8Т SN54LVC125 шесть буферных усилителей стремя состояниями на выходе

АЕЯР.431200.483-12ТУ

5574ИН1У IDT74LVCH16245два 8-канальных

приемопередатчика с тремясостояниями на выходе

Н16.48-2В АЕЯР.431200.483-03ТУ

5574ИНЗУ IDT74LVCH16543

два 8-канальныхприемопередатчика с

потенциальным управлением итремя состояниями на выходе

Н18.64-2В

АЕЯР.431200.483-04ТУ

5574ИН4У IDT74LVCH16952

два 8-канальныхприемопередатчика с импульснымуправлением и тремя состояниями

на выходе

АЕЯР.431200.483-05ТУ

5574АП5У IDT74LVCH16244четыре 4-канальных

формирователя с тремясостояниями на выходе

Н16.48-2В

АЕЯР.431200.483-06ТУ

5574ИР1У IDT74LVCH16373два 8-разрядных регистра с

потенциальным управлением итремя состояниями на выходе

АЕЯР.431200.483-07ТУ

5574ИР2У IDT74LVCH16374два 8-разрядных регистра с

импульсным управлением и тремясостояниями на выходе

АЕЯР.431200.483-08ТУ

4153.20-5 Н16.48-2В Н18.64-2В

Тип Аналог UВЫХ,В

IВЫХ,мА

KI,%

KU,%

UПДmin,B

IПОТ,мА Корпус

с фиксированным выходным напряжением положительной полярности1334ЕН2.85Т

Lp2950

2,85

0,1 100 0,2 0,2 0,08 0,451 0,12 121,2 5220.3-21334ЕНЗТ 3,0

1334ЕНЗ.ЗТ 3,31334ЕН5Т 5,0

с фиксированным выходным напряжением отрицательной полярности1334ЕИ5Т LM79L05 -5,0 1 100 1 1,2 1,7 5,53 5220.3-2

1 Диапазон значений в зависимости от токов нагрузки IВЫХ2 при UBX = UВЫХ +1В, IВЫХ = (0,1 ÷ 100) мА3 при UBX = - 10 В, IВЫХ = -40 мАТУ - АЕЯР.431420.808ТУ


IВЫХ,мА

KI,%

KU,%

UПДmin,B

IПОТ,мА Корпус

с регулируемым выходным напряжением положительной полярности1335ЕР1П LD1084 1,251 0,01 5,0 0,3 0,2 1,5 0,122 КТ-28А-2.02

с фиксируемым выходным напряжением положительной полярности1335ЕН1.8П LD1084V18 1,8

0 5,0 0,6 0,3 1,5 103 КТ-28А-2.021335ЕН2.5П LD1084V25 2,51335ЕН3.3П LD1084V33 3,31335ЕН5П LD1084V50 5,0

1 UОП, при IВЫХ = 10 мА, UВХ = 4,25 В2 Iрег, при IВЫХ = 10 мА, UВХ = 4,25 В3 при UBX = 30 В, IВЫХ = 0 мАТУ - АЕЯР.431420.809ТУ

5220.3-2 КТ-28А-2.02




1918

1 ИС И СБИС1.3 Интегральные микросхемы1.3.4 ИС серии 106, ОС106


1.3 Интегральные микросхемы1.3.5 ИС серии 134, ОС134

Тип Функция Корпус ТУ106 ЛБ1

2хЗИ-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ

401.14-3

бК0.347.082ТУ1

106 ЛБ1А106ЛБ2106 ЛБ2А106 ЛБ5

8И-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ106 ЛБ5А106ЛБ6106 ЛБ6А106ЛР1

4-4И-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ

бК0.347.082ТУ1

106ЛР1А106ЛР2106ЛР2А106ЛД1

8-входовый расширитель по ИЛИ106 ЛД1А106ЛД2106 ЛД2А106ЛД5

2х4-входовых расширителя по ИЛИ

бК0.347.082ТУ1

106ЛД5А106ЛД6106 ЛД6А106ТР1

R-S триггер с элементами ЗИ-НЕ на входе106ТР1А106ТР2106ТР2АОС106ЛБ1

2хЗИ-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширениемпо ИЛИ

И93.402.010СТУ

ОС106ЛБ1АОС106ЛБ2ОС106ЛБ2АОС106ЛБ5

8И-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИОС106ЛБ5АОС106ЛБ6ОС106ЛБ6АОС106ЛР1

4-4И-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ

И93.402.010СТУ

ОС106ЛР1АОС106ЛР2ОС106ЛР2АОС106ЛД1

8-входовый расширитель по ИЛИОС106ЛД1АОС106ЛД2ОС106ЛД2АОС106ЛД5 2х4-входовых расширителя по ИЛИ И93.402.010СТУОС1О6ЛД5А

Тип Функция Корпус ТУ134ЛБ1А 4х2И-НЕ/2ИЛИ-НЕ

401.14-3

6К0.347.083ТУ1134ЛБ1Б134ЛБ2А 2х4И-НЕ/4ИЛИ-НЕ и инвертор134ЛБ2Б134ЛР1А 2И-2И-2ИЛИ-НЕ и 4И-4И-2ИЛИ-НЕ

6К0.347.083ТУ1134ЛР1Б134ЛР2А 2И-2И-З3И-4И-4ИЛИ-НЕ134ЛР2Б13АТВ1 J-К триггер

6К0.347.083ТУ1134ТВ14 2хJ-К триггера134РМ1 2х2-разрядных D-регистра134ИЕ5 4-разрядный асинхронный двоичный счетчик

6К0.347.083ТУЗ134ИР1 4-разрядный сдвигающий регистр134ИР1А134ИР2 8-разрядный сдвигающий регистр

134ИР8ЭВ 8-разрядный последовательный сдвигающийрегистр с параллельным выходом

6К0.347.083ТУЗ134КП8 Зх мультиплексор 2-1134КП9 2х мультиплексор 4-1134КП10 мультиплексор 8-1134ИП2 8-разрядная схема контроля четности и нечетности

6К0.347.083ТУ5134ХЛЗ МЭЦС134ИД6 дешифратор 4х10 402.16-33134ИМ4 4-разрядный полный сумматор134ИПЗ АЛУ 405.24-2134РУ6 статическое ОЗУ 1024х1 4112.16-2 6К0.347.085134РУ6АОС134ЛБ1А 4х2И-НЕ/2ИЛИ-НЕ 401.14-3 И93.402.009СТУОС134ЛБ1Б

Тип Функция Корпус ТУОС106ЛД6 2х4-входовых расширителя по ИЛИ

401.14-3 И93.402.010СТУ

ОС106ЛД6АОС106ТР1

R-S триггер с элементами ЗИ-НЕ на входеОС106ТР1АОС106ТР2ОС106ТР2А

401.14-3401.14-3 402.16-33 405.24-2 4112.16-2




2120



1.3 Интегральные микросхемы1.3.6 ИС серии 1504, ОС1504

Тип Функция Корпус ТУ0С134ЛБ2А 2х4И-НЕ/4ИЛИ-НЕ и инвертор

401.14-3

И93.402.009СТУ

ОС134ЛБ2БОС134ЛР1А 2И-2И-2ИЛИ-НЕ и 2И-4И-2ИЛИ-НЕОС134ЛР1БОС134ЛР2А 2И-2И-3И-4И-4ИЛИ-НЕОС134ЛР2БОС134ТВ1 2И-2И-З3И-4И-4ИЛИ-НЕОС134ТВ14 J-К триггерОС134РМ1 2хJ-К триггераОС134ИЕ5 2х2-разрядных D-регистра

бК0.347.188СТУ

ОС134ИР1 4-разрядный асинхронный двоичный счетчикОС134ИР1А 4-разрядный сдвигающий регистрОС134ИР2 8-разрядный сдвигающий регистрОС134КП8 Зх мультиплексор 2-1ОС134КП9 2х мультиплексор 4-1ОС134КП10 мультиплексор 8-1ОС134ИП2 8-разрядная схема контроля четности и нечетности 6К0.347.351СТУОС134ХЛЗ МЭЦС И93.402.009СТУОС134ИД6 дешифратор 4х10 402.16-33 бК0.347.188СТУОС134ИМ4 4-разрядный полный сумматорОС134ИП3 АЛУ 405.24-2 бК0.347.351СТУ

Тип Функция Корпус ТУ1504ЛА6ЭВ 2х4И-НЕ с повышенной нагрузочной

способностью

401.14-5

бК0.347.348-01ТУ

1504ЛА6АЭВ1504ЛА8ЭВ 4х2И-НЕ с открытым коллектором1504ЛА8АЭВ1504ЛР1

4И-4И-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ1504ЛР1А1504ЛР21504ЛР2А1504ЛР11АЭВ 2х2И/2ИЛИ-НЕ1504ЛР11БЭВ1504ЛД1 8-входовый расширитель по ИЛИ1504ЛД1А1504ЛД5

2х4-входовых расширителя по ИЛИ

1504ЛД5А1504ЛД61504ЛД6А1504ТР11504ТР1А1504ТР21504ТР2А1504ТВ1 J-К триггер с элементами 3И на входах J и КОС1504ЛБ1


бК0.347.640СТУ

ОС1504ЛБ1АОС1504ЛБ2ОС1504ЛБ2АОС1504ЛБ5

8И-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИОС1504ЛБ5АОС1504ЛБ6ОС1504ЛБ6АОС1504ЛА3ЭВ 4х2И-НЕОС1504ЛА3АЭВОС1504ЛА4ЭВ 4х2И-НЕОС1504ЛА4АЭВОС1504ЛА6ЭВ 2х4И-НЕ с повышенной нагрузкойОС1504ЛА6АЭВОС1504ЛА8ЭВ 4х2И-НЕ с открытым коллектором бК0.347.348-01ТУОС1504ЛА8АЭВОС1504ЛР1

4И-4И-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ бК0.347.640СТУОС1504ЛР1АОС1504ЛР2

Тип Функция Корпус ТУ1504ЛБ1


401.14-5

бК0.347.348-01ТУ1504ЛБ1А1504ЛБ21504ЛБ2А1504ЛБ5

8И-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ

бК0.347.348-01ТУ

1504ЛБ5А1504ЛБ61504ЛБ6А1504ЛА3ЭВ 4х2И-НЕ1504ЛА3АЭВ1504ЛА4ЭВ 3хЗИ-НЕ1504ЛА4АЭВ

401.14-3 402.16-33 405.24-2 401.14-5 401.14-5




2322



1.3 Интегральные микросхемы1.3.7 ИС серии 1505

Тип Функция Корпус ТУОС1504ЛР2А 4И-4И-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ

401.14-5 бК0.347.640СТУ

ОС1504ЛД1 8-входовый расширитель по ИЛИОС1504ЛД1АОС1504ЛД5

2х4-входовых расширителя по ИЛИОС1504ЛД5АОС1504ЛД6ОС1504ЛД6АОС1504ТР1

R-S триггер с элементами 3И-НЕ на входеОС1504ТР1АОС1504ТР2ОС1504ТР2А

Тип Функция Корпус ТУ1505ЛБ1А 4х2И-НЕ/2ИЛИ-НЕ

402.16-33 бК0.347.349-01ТУ

1505ЛБ1Б1505ЛБ2А

2х4И-НЕ/4ИЛИ-НЕ и инвертор1505ЛБ2Б1505ЛА8В1505ЛА2АЭВ 8И-НЕ1505ЛА2БЭВ1505ЛА8АЭВ

4х2И-НЕ с открытым коллектором1505ЛА8БЭВ1505ЛА8ВЭВОС1505ЛБ1А 4х2И-НЕ/2ИЛИ-НЕ

401.14-5 бК0.347.641СТУ

ОС1505ЛБ1БОС1505ЛБ2А

2х4И-НЕ/ДИЛИ-НЕ и инверторОС1505ЛБ2БОС1505ЛА8ВОС1505ЛА2АЭВ 8И-НЕОС1505ЛА2БЭВОС1505ЛА8АЭВ

4х2И-НЕ с открытым коллекторомОС1505ЛА8БЭВОС1505ЛА8ВЭВОС1505ЛР1А 2И-2И-2ИЛИ-НЕ и 2И-4И-2ИЛИ-НЕОС1505ЛР1БОС1505ЛР2А 2И-2И-З3И-4И-4ИЛИ-НЕОС1505ЛР2БОС1505ЛР4АЭВ 4И-4И-2ИЛИ-НЕОС1505ЛР4БЭВОС1505ТВ1 J-К триггерОС1505ТВ14 2xJ-К триггерОС1505РМ1 2х2-разрядный D-регистраОС1505ТМ2АЭВ 2xD-триггера с Установкой и СбросомОС1505ТМ2БЭВОС1505ИЕ5 4-разрядный асинхронный двоичный счетчикОС1505ИР1 4-разрядный сдвигающий регистрОС1505ИР1АОС1505ИР2 8-разрядный сдвигающий регистрОС1505КП8 Зхмультиплексор 2-1ОС1505КП9 2хмультиплексор 4-1ОС1505КП10 мультиплексор 8-1ОС1505ИП2 8-разрядная схема контроля четности и нечетностиОС1505ХЛЗ МЭЦС

Тип Функция Корпус ТУ1505ЛР1А 2И-2И-2ИЛИ-НЕ и 2И-4И-2ИЛИ-НЕ

401.14-5

6К0.347.349-01ТУ

1505ЛР1Б1505ЛР2А 2И-2И-З3И-4И-4ИЛИ-НЕ1505ЛР2Б1505ЛР4АЭВ 4И-4И-2ИЛИ-НЕ1505ЛР4БЭВ1505ТВ1 J-К триггер1505ТВ14 2хJ-К. триггер1505РМ1 2х2-разрядный D-регистра1505ТМ2АЭВ 2хD-триггера с “Установкой и Сбросом”1505ТМ2БЭВ1505ИЕ2 4-разрядный двоично-десятичный счетчик бК0.347.349-03ТУ1505ИЕ5 4-разрядный асинхронный двоичный счетчик

6К0.347.349-01ТУ

1505ИР1 4-разрядный сдвигающий регистр1505ИР1А1505ИР2 8-разрядный сдвигающий регистр1505КП8 три схемы переключателя 2 каналов в 11505КП9 сдвоенный коммутатор 4каналов в 11505КП10 мультиплексор 8-1

1505ИП2 8-разрядная схема контроля четности и нечетности

1505ХЛЗ МЭЦС1505ЛП3ЭВ мажоритарный элемент1505ИД6 дешифратор 4х10 402.16-331505ИМ4 4-разрядный полный сумматор

401.14-5 401.14-5402.16-33 402.16-33




2524


1 ИС И СБИС1.3 Интегральные микросхемы1.3.9 Стабилизаторы напряжения (приёмка «ОТК»)

1.3.8 ИС серии 1804

1.3 Интегральные микросхемы1.3.9 Стабилизаторы напряжения (приёмка «ОТК»)

Тип Функция Корпус ТУОС1505ЛП3ЭВ мажоритарный элемент 401.14-5

бК0.347.640СТУОС1505ИД6 дешифратор 4 x 10 402.16-330С1505ИМ4 4-разрядный полный сумматор

Тип Функция Корпус ТУ

1804ВА2 Четырехразрядный канальный приемо-передатчик 4153.20-2.01 бК0.347.328-04ТУ

1804ВР1 схема ускоренного переноса402.16-32 бК0.347.328ТУ11804ИР1 четырехразрядный параллельный регистр

1804ВУ3 схема управления следующим адресом1804ВС1 четырехразрядная микропроцессорная секция 4122.40-3.01

бК0.347.328-02ТУ1804ВУ1 схема управления адресом микрокоманды 4119.28-31804ВУ2 4153.20-2.01

1804ВУ4 схема управления последовательностью микрокоманд 4122.40-3.01 бК0.347.328-03ТУ

1804ГГ1 системный тактовый генератор 4118.24-1 бК0.347.328-04ТУ


KU,%

KI при IВЫХ, tXP., OC Корпус ТУ

1,0 A 1,5 A 2,0 Aфиксированного напряжения положительной полярности

КР142ЕН5А1 VC7805 5±0,1

0,05 —

1,33 —

(-45) - (+70) KT-28-2бК

0.34

8.63

4ТУ

/05

КР142ЕН5В1 VC7805 5±0,18 — 1,0КР142ЕН5Б1 VC7806 6±0,12 1,33 —КР142ЕН5Г1 VC7806 6±0,21 — 1,0КР142ЕН8А2 VC7809 9±0,27 0,67

—КР142ЕН8Г3 VС7809 9±0,36 0,1 1,5 —КР142ЕН8Б2 VC7812 12±0,36 0,05 — 0,671UBXmax = 15 В; 2UBXmax = 35 В; 3UBXmax = 30 В; 4UBXmax = 40 В


KU,%


1,0 A 1,5 A 2,0 Aфиксированного напряжения положительной полярности

КР142ЕН8Д3 VC7812 12±0,48 0,1 1,5 -

-

(-45) - (+70) KT-28-2

6К0.

348.

634Т

У/05

КР142ЕН8В2 VC7815 15±0,45 0,05 - 0,67КР142ЕН8Е3 VC7815 15±0,60 0,1 1,5 -КР142ЕН9А4 VC7820 20±0,40 0,5

-

0,67КР142ЕН9Г2 VC7820 20±0,60 0,1 -КР142ЕН9Б4 VC7824 24±0,48 0,5 0,67КР142ЕН9Д2 VC7824 24±0,72 0,1 -КР142ЕН9В4 VC7827 27±0,54 0,5 0,67КР142ЕН9Е2 VC7824 27±0,81

0,1-

КР142ЕН9К VC7824 27±0,81 1,5КР142ЕН5А1 VC7805 5±0,1

0,05

1,33КР142ЕН5В1 VC7805 5±0,18 - 1,0КР142ЕН5Б1 VC7806 6±0,12 1,33 -КР142ЕН5Г1 VC7806 6±0,21 - 1,0КР142ЕН8А2 VC7809 9±0,27 0,67

-

КР142ЕН8Г3 VC7809 9±0,36 0,1 1,5 -КР142ЕН8Б2 VC7812 12±0,36 0,05 - 0,67КР142ЕН8Д3 VC7812 12±0,48 0,1 1,5 -КР142ЕН8В2 VC7815 15±0,45 0,05 - 0,67КР142ЕН8Е3 VC7815 15±0,60 0,1 1,5 -КР142ЕН9А4 VC7820 20±0,40 0,5

-

0,67КР142ЕН9Г2 VC7820 20±0,60 0,1 -КР142ЕН9Б4 VC7824 24±0,48 0,5 0,67КР142ЕН9Д2 VC7824 24±0,72 0,1 -КР142ЕН9В4 VC7827 27±0,54 0,5 0,67КР142ЕН9Е2 VC7824 27±0,81

0,1-

КР142ЕН9К VC7824 27±0,81 1,5регулируемые положительной полярности

KP142EH12A LM317T 1,2-37,0 0,01 - 0,2 - (-10) - (+70) KT-28-2

АДБК

.431

.42

0265

ТУ

1UBXmax = 15 В; 2UBXmax = 35 В; 3UBXmax = 30 В; 4UBXmax = 40 В

401.14-5 402.16-33 4153.20-2.01

КТ-28-2 КТ-28-24118.24-14119.28-34121.40-3.01




2726

1 ИС И СБИС1.3 Интегральные микросхемы1.3.9 Стабилизаторы напряжения (приёмка «ОТК»)


KU,%


1,0 A 1,5 A 2,0 Aрегулируемые положительной полярности

КР142ЕН12Б LM317T 1,2-37,0 0,3 0,2 — - (-10) - (+70) KT-28-2

АДБК

.431

.42

0265

ТУ

регулируемые отрицательной полярности

КР142ЕН18АLM337T -1,2-26,5 0,33

0,33 -- (-10) - (+70) KT-28-2

АДБК

.431

.42

0265

ТУ

КР142ЕН18Б - 0,33

1UBXmax = 15 В; 2UBXmax = 35 В; 3UBXmax = 30 В; 4UBXmax = 40 В

БЕСКОРПУСНОЕ ИСПОЛНЕНИЕ1.3 Интегральные микросхемы1.3.10 ИС серии 706-1, 706-1Н

1 ИС И СБИСБЕСКОРПУСНОЕ ИСПОЛНЕНИЕ

1.3 Интегральные микросхемы1.3.10 ИС серии 706-1, 706-1Н

Тип Функция ТУ706ЛБ1-1

2хЗИ-НЕ/ЗИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ

ХАЗ.408.013ТУ

706 ЛБ2-1706ЛБЗ-1

2х2И-НЕ/2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ706ЛБ4-1706ЛР1-1

4-4И-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ706ЛР2-1706ЛРЗ-1

2-2И-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ706ЛР4-1706ЛР5-1

8И-НЕ/8ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ706ЛР6-1706ЛБ1-1

8-входовый расширитель по ИЛИ706ЛБ2-1706ЛБ2-1Н706ЛБЗ-1Н

2х2И-НЕ/2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ706ЛБА-1Н

Тип Функция ТУ706ЛР5-1

8И-НЕ/8ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ

ХАЗ.408.013ТУ

706ЛР6-1706ЛБ1-1

8-входовый расширитель по ИЛИ706ЛБ2-1706ЛД3-1

6-входовый расширитель по ИЛИ706ЛД4-1706ЛД5-1

2х4-входовых расширителя по ИЛИ706ЛД6-1706ЛД7-1

2х3-входовых расширителя по ИЛИ706ЛД8-1706ЛБ1-1Н

2хЗИ-НЕ/ЗИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ

ХАЗ.408.013ТУРМ11091.926-81

706ЛБ2-1Н706ЛБ3-1Н

2х2И-НЕ/2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ706ЛБ4-1Н706ЛР1-1Н

4-4ИЛИ-2ИЛИ-НЕ706ЛР2-1Н706ЛР3-1Н

2-2И-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ706ЛР4-1Н706ЛР5-1Н

8И-НЕ/ЗИЛИ-НЕ706ЛР6-1Н706ЛД1-1Н

8-входовый расширитель по ИЛИ7106ЛД2-1Н706ЛД3-1Н

6-входовый расширитель по ИЛИ706ЛД4А-1Н706ЛД5-1Н

2х4-входовых расширителя по ИЛИ706ЛД6-1Н706ЛД7-1Н

2х3-входовых расширителя по ИЛИ706ЛД8-1Н

КТ-28-2




2928

2 ТРАНЗИСТОРЫ2.1 Полевые n-канальные транзисторы (Tk = 25 °C)

1 ИС И СБИСБЕСКОРПУСНОЕ ИСПОЛНЕНИЕ

1.3 Интегральные микросхемы1.3.11 ИС серии 734-1, 734-1Н

Тип Аналог Ucиmax,В

Icиmax,А

Rсиотк.,Ом

Pmax,Вт Корпус ТУ

Транзисторы в металлопластмассовых корпусах2П769А IRF520 100 8,5 0,27 50

КТ-28-2

АЯЕР.432140.220ТУ

2П769Г1 - 100 8,5 0,27 502П769В IRF540 100 25 0,077 1002П769Д - 100 25 0,052 1002П769Е2 - 100 30 0,039 1002П767А IRF620 200 5 0,8 502П767Ж - 200 16 0,12 1002П767В IRF640 200 16 0,18 1002П767Е1 - 200 16 0,18 1002П768А IRF720 400 3 1,8 552П768К IRF740 400 9 0,55 1252П768П - 400 9 0,42 1252П769А9 IRFR120 100 7 0,27 42

КТ-892П767А9 IRFR220 200 4,5 0,8 422П768А9 IRFR320 400 2,8 1,8 422П769В91 IRF540S 100 25 0,077 100

КТ-90

2П769Д91 - 100 25 0,052 1002П769Е912 - 100 30 0,039 1002П767В91 IRF640S 200 16 0,18 1002П767Ж91 - 200 16 0,12 1002П768К91 IRF740S 400 9 0,55 1252П768П91 - 400 9 0,42 1252П790А IRFP150 100 35 0,055 150

КТ-43В2П790Б - 100 35 0,030 1502П793А IRFP250 200 27 0,085 155

Транзисторы в металлокерамических корпусах2П767В3 - 200 16 0,18 100

КТ-56АЯЕР.432140.273ТУ

2П707Б - 600 3,6 2 100 АЯЕР.432140.160ТУ2П769В92 IRFN140 100 25 0,077 100

КТ-94 АЯЕР.432140.273ТУ

2П769Д92 - 100 25 0,052 1002П790А92 IRF150 100 35 0,055 1502П790Б92 - 100 35 0,030 1502П767В92 IRFN240 200 16 0,18 1002П767Ж92 - 200 16 0,12 1001 UЗИпор. = (1,5 ÷ 2,7) B; 2 2,0 B ≤ UЗИпор. ≤ 4,0 B; для остальных UЗИпор. = (1,5 ÷ 6,0) B

Тип Функция ТУ734ЛБ1А-1

4х2И-НЕ/2ИЛИ-НЕ

ХАЗ.408.013ТУ

7З4ЛБ1Б-1734ЛБ2А-1

2х4И-НЕ/ЛИЛИ-НЕ734ЛБ2Б-1734ЛР1А-1

2-2И-2ИЛИ-НЕ и 2И-4И-2ИЛИ-НЕ734ЛР1Б-1734ЛР2А-1

2-2-3-4И-4ИЛИ-НЕ734ЛР2Б-1734ЛБ1А-1Н

4х2И-НЕ/2ИЛИ-НЕ

ХАЗ.408.013ТУРМ11091.926-81

7З4ЛБ1Б-1Н734ЛБ2А-1Н

2х4И-НЕ/ЛИЛИ-НЕ734 ЛБ2Б-1Н734ЛР1А-1Н

2-2И-2ИЛИ-НЕ и 2И-4И-2ИЛИ-НЕ734ЛР1Б-1Н734ЛР2А-1Н

2-2-3-4И-4ИЛИ-НЕ734ЛР2Б-1Н7З4ТВ1-1 J-К триггер

бК0.347.200ТУ

7З4ТВ14-1 2хJ-К триггера734ИЕ5-1 4-разрядный асинхронный двоичный счетчик734ИР1-1

универсальный регистр сдвига на 4 разряда734ИР1А-1734РМ1-1 4 накопительных элемента734ИР2-1 8-разрядный сдвигающий регистр734КП8-1 3 схемы переключения734КП9-1 сдвоенный коммутатор 4 каналов в 1734КП10-1 коммутатор 8 каналов в 1734ИД6-1 4х10 дешифратор

бК0.347.200ТУРМ11091.926-81

7З4ТВ1-1Н J-К триггер7З4ТВ14-1Н 2хJ-К триггера734ИЕ5-1Н 4-разрядный асинхронный двоичный счетчик734ИР1-1Н

универсальный регистр сдвига на 4 разряда734ИР1А-1Н734РМ1-1Н 4 накопительных элемента

-734ИР2-1Н 8-разрядный сдвигающий регистр734КП8-1Н 3 схемы переключения

бК0.347.200ТУРМ11091.926-81

734КП9-1Н сдвоенный коммутатор 4 каналов в 1734КП10-1Н коммутатор 8 каналов в 1734ИД6-1Н 4х10 дешифратор

КТ-28-2 КТ-89 КТ-90 КТ-43В КТ-56 КТ-94




3130

2 ТРАНЗИСТОРЫ2.1 Полевые n-канальные транзисторы (Tk = 25 °C)

2 ТРАНЗИСТОРЫ2.2 Полевые p-канальные транзисторы

2.3 Транзисторные сборки с n- и p- каналами (Tk=25 °C)

2.4 Комплементарные пары транзисторов с n- и p- каналами (Tk=25 °C)


Icиmax,А

Rсиотк.,Ом


Транзисторы в металлокерамических корпусах2П793А92 IRF250 200 27 0,085 150

КТ - 94

АЯЕР.432140.273ТУ

2П768П92 — 400 9 0,42 1252П794А92 IRF350 400 15 0,3 1502П794В92 — 400 15 0,2 1502П770К92 IRF440 500 8 0,85 1002П770П92 — 500 8 0,55 1002П795А92 IRFN450 500 14 0,4 1502П782Ж2 IRFM054 60 16 0,04 100

КТ-28А-2.02

2П769В2 IRFY140C100

14 0,077 752П769Д2 — 25 0,052 752П767В2 IRFY240C

200 160,18 100

2П767Ж2 — 0,12 1002П770К2 IRFY440C

500 80,85 100

2П770П2 — 0,55 1002П707В2 IRFPE30 800 4,1 3 1252П790А4 IRFM150

100 300,055 120

КТ-43А-1.012П790Б4 — 0,03 1202П793А4 IRFM250 200 25 0,085 1302П795А4 IRFM450 500 14 0,4 150

Транзисторы в металлостеклянных корпусах2П782Ж1 IRF044 60 45 0,028 125

КТ - 9С АЯЕР.432140.273ТУ

2П769В1 IRF140

10025

0,077 1002П769Д1 — 0,052 1002П790А1 IRF150

350,055 150

2П790Б1 — 0,03 1502П767В1 IRF240

20016

0,18 1002П767Ж1 — 0,12 1002П793Б1 IRF240 20 0,12 1252П793А1 IRF250 27 0,085 1502П794Б1

IRF350400

10 0,3 1002П794А1

150,3 150

2П794В1 — 0,20 1502П770К1 IRF440

5008

0,85 1002П770П1 — 0,55 1002П795Б1 IRF440 10 0,6 1252П795А1 IRF450 14 0,4 150


Icиmax1

,А

Rсиотк.,Ом

Pmax1

,Вт Корпус ТУ

2П7229В2 IRF9640 -200 -15 0,293 100КТ-28А-2.02

АЯЕР.432140.558ТУ

2П7229А2IRF5M5210

-100-30

0,0652

1002П7229Б2 0,072

2П7229АIRF5210 -40

0,0552

150КТ-28-22П7229Б 0,0602

2П7229В IRF9640-200 -16 0,0273 130

2П7229В91 IRF9640 КТ-901 Tk = 25 0C; 2UЗИ = - 10В, IC = - 24A; 3UЗИ = - 10В, IC = - 9A

Тип Ucиmax,В

Icиmax,А

Rсиотк.,Ом


2П7241ГС9² -20 4,7 0,030

24320.8-А АЯЕР.432140.605ТУ

2П7241АС9² -30 -8 0,0352П7241БС9² -60 -3,5 0,2502П7241ВС9² -100 -1,5 0,5002П7240ГС9¹ 20 87 0,0222П7240АС9¹ 30 10 0,0202П7240БС9¹ 60 5 0,0602П7240ВС9¹ 100 3,5 0,0852ПЕ102АС9⁴ -100 -1,5 0,48

МК 5205.8-1 АЯЕР.432140.686ТУ2ПЕ101АС9³ 100 2,1 0,211UПОР = (1,5÷2,5)B; 2UПОР = ( |-1,0|÷|-2,51| )B; 3UПОР = (1,5÷6,0)B; 4UПОР = (|-2,5|÷|-5,0|)B.

Тип Ucиmax,В

Icиmax,А

Rсиотк.,Ом


2П7247ГР91 20-20

8,74,7

0,0220,030

2 4320.8-А АЯЕР.432140.605ТУ2П7247АР91 30

-3010-8

0,0200,035

2П7247БР91 60-60

5-3,5

0,0600,250

2П7247ВР91 100-100

3,5-1,5

0,0850,500

1 для n- канала: UПОР = (1,5÷2,5)B; для p- канала: UПОР = (|-1,0|÷|-2,51|)B

КТ-94 КТ-28-2КТ-28А-2.02 КТ-28А-2.02КТ-43А-1.01 КТ-90КТ - 9С 4320.8-А МК 5205.8-1




3332

МК5205.8-1 КТЮ-3-6КТ- 43А-1.01 КТЮ-3-9КТ-109А-1К КТЮ-3-20КТЮ-3-1 КТ-28-2 401.14-6

Тип Ucиmax,В

Icиmax,А

Rсиотк.,Ом


2ПЕ103АС92 100-100

2,5-1,5

0,210,48 2 МК 5205.8-1 АЕЯР.432140.686ТУ

1 для n- канала: UПОР = (1,5÷6,0)B; для p- канала: UПОР = (|-2,5|÷|-5,0|)B

Тип Аналог Uкэmax,В

Iкmax,А

Uкэ откр,В


2Е901А IRG4PH50UD 1200 33 4 150 КТ-43А-1.01АЕЯР.432140.640ТУ2Е901Б IXGH16N170 1700 20 5 100 КТ-109А-1К

(Изолированноеоснование)2Е901В IXLF19N250A 2500 15 6 100

2 ТРАНЗИСТОРЫ2.6 Биполярные транзисторы

2 ТРАНЗИСТОРЫ2.4 Комплементарные пары транзисторов с n- и p- каналами (Tk=25 °C)

2.5 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (Tk=25 °C)

2.6 Биполярные транзисторы

Тип Аналог

Техн

олог

ия

P кmax

, Вт

Uкэ

max

, В

I max

, А

h21Э Uкэ

нас

. не

бол

ее, В

I КБО

не

бол

ее, В

F гр, М

гц

t рас,

не б

олее

, нс

Корп

ус

ТУ

2ТЗ01Г -

n-p-

n

0,1530

0,06

10-32

3,0 0,005 60 -

КТЮ

-3-1

ЩБ3.365.007ТУ2Т301Д 2N1390 20-602Т301Е

2040-120

2Т301Ж 80-3002Т312А

0,225 30

12-100

0,5

0,001

80 100ЖК3.3 65.143ТУ2Т312А ОС

2Т312Б25-100

120

130

2Т12Б 0С - ЖК3.365.143ТУ/Д6 аА0.339.190 ТУ

2Т312Б11

45-100- ЖК3.365.143ТУ/Д3

2Т312Б1 ОС1 130 ЖК3.365.143ТУ/ДЗ аА0.339.190 ТУ

2Т312В

50-250 0,35

130 ЖК3.365.143ТУ

2Т312В ОС - ЖКЗ.365.143ТУ/Д6 аА0.339.190 ТУ

2Т312В11 - ЖК3.365.143ТУ/Д3

2Т312В1 ОС1 - 130 ЖК3.365.143ТУ/Д3 аА0.339.190 ТУ

2Т312Д2 0,06 12 0,008 20-100 - 0,001 - - ЖК3.365.143ТУ/Д2

2Кш ≤ 5 дБ (при UКБ = 3 В; IЭ = 150 мкА; ƒ = 1000 Гц; RГЕН = 600 Ом)

Тип Аналог

Техн

олог

ия

P кmax

, Вт

Uкэ

max

, В

I max

, А

h21Э Uкэ

нас

. не

бол

ее, В

I КБО

не

бол

ее, В

F гр, М

гц

t рас,

не б

олее

, нс

Корп

ус

ТУ

П307 -

p-n-

p

0,2580

0,03

20-60

- 0,003 10 -

КТЮ

-3-6

ЖК3.365.059ТУП307В - 50-150П308 -

12030-90

П309 - 20-602Т602А -

2,8 120 0,1520-180

3,0 0,01 100 -

КТЮ

-3-9

И93.365.000ТУ2Т602Б - 50-200

2Т903А 2SC51730 60 3

15-702,0 2 120 -

КТЮ

-3-2

0

И93.365.004ТУ2Т903Б 2N2947 40-180

2Т837А

30

80

8

>15

0,9 0,15 - 1000

КТ-2

8-2

аА0.339.411ТУ

2Т837Б 60 >302Т837В 45 >402Т837Г 80 >152Т837Д 60 >302Т837Е 45 >40

Транзисторные матрицы1НТ251

2N3903

4 p-

n-p

тран

зист

ора

0,4 45 0,4

30-150 1,0 0,006

-

120

401.

14-6

И93.456.000ТУ

1НТ251 ОС И93.456.000ТУ /Д6 аА0.339.190 ТУ

1НТ251А- 200

И93.456.000ТУ

1НТ251А ОС И93.456.000ТУ /Д6 аА0.339.190 ТУ

2ТС622А2N3905

25-150 1,3 0,01

120И93.456.001ТУ

2ТС622А ОС И93.456.001ТУ /Д6 аА0.339.190 ТУ

2ТС622Б- 200

И93.456.001ТУ

2ТС622Б ОС И93.456.001ТУ /Д6 аА0.339.190 ТУ

Радиационно-стойкие транзисторные сборки1НТ251А2 -

4 p-

n-p

тран

з.

0,4 45 0,4

80-350 1,0 0,015

- 200

401.

14-6

И93.456.00ТУ/Д1

1НТ251А2 ОС - И93.456.00ТУ/Д1 аА0.339.190 ТУ

2ТС622А12N3905 70-350 1,3 0,03

И93.456.00ТУ/Д1

2ТС622А1 ОС И93.456.00ТУ/Д1 аА0.339.190 ТУ




3534

2 ТРАНЗИСТОРЫ2.6 Биполярные транзисторы

2 ТРАНЗИСТОРЫ2.7.2 Транзисторы для стационарной и бортовой аппаратуры радиосвязи

Тип Аналог

Техн

олог

ия

P кmax

, Вт

Uкэ

max

, В

I max

, А

h21Э Uкэ

нас

. не

бол

ее, В

I КБО

не

бол

ее, В

F гр, М

гц

t рас,

не б

олее

, нс

Корп

ус

ТУ

2Т689АС2N3799

p-n-

p

0,4 45

0,3 50-150 1,0 0,007

-

-

401.

14-6

аА0.339.758ТУ

21689АС ОСМ аА0.339.758ТУПО.070.052

2Т690АС

2N4123

4 p-

n-p

тран

з.

0,3 50-150 0,8 0,005

165 аА0.339.759ТУ

2Т690АС ОСМ - аА0.339.758ТУПО.070.052

2.7 ВЧ и СВЧ мощные транзисторы2.7.1 Транзисторы для подвижных средств радиосвязи

Тип Аналог ƒ,Мгц PВЫХ, Вт UКЭ, В

КУР,раз

Ƞ,% Корпус ТУ

2Т929А-

50-175 2 8 10,0

60 КТ-17

аА0.339.021ТУ

2Т920А

175

2

12,6

7,0

И93.365.028ТУ2Т920Б 2N6080 7 4,0

2Т920В 2N6081 20 3,0

2Т958 А BM40-12 50-200 40 4,0 50 КТ-32 аА0.339.137ТУ

2Т925А-

320

2 6,3

60КТ-17 И93.365.031ТУ2Т925Б 7 4,0

2Т925В 2N5590 20 3,0

2Т960А - 100-400 40 2,5 КТ-32 аА0.339.157ТУ

Тип Аналог ƒ,Мгц PВЫХ, Вт UКЭ, В

КУР,раз

Ƞ,% Корпус ТУ

2Т922А 2N5641

175

5

28

10,0

55 КТ-17 И93.365.027ТУ2Т922Б 2N5642 20 5,5

2Т922В 2N5643 40 4,0

2Т9З1А 2N636950÷200

80 4,0 50 КТ-32 аА0.339.037ТУ

2Т971А - 150 3,0 55 КТ-56 аА0.339.270ТУ

2Т907А 2N3733

100÷400

8 2,0 40 КТ-4 И93.365.015ТУ

2Т934А 2N5635 3 6,0

50

КТ-17 И93.339.004ТУ2Т934Б 2N5636 12 3,0

2Т934В 2N5637 25 3,0

2Т930А 2N6362 40 5,0КТ-32 аА0.339.036ТУ

2Т9З0Б 2N6364 75 4,0

2Т970А - 100 4,0 КТ-56 аА0.339.269ТУ

2Т985АС - 220÷400 125 3,5 КТ-45 аА0.339.408ТУ

2Т909А 2N5177100÷500

17 1,745 КТ-15 И93.365.018ТУ

2Т909Б - 35 3,0

2Т9105АС -500

100

28

4,050 КТ-45

аА0.339.529ТУ

2Т9125АС - 50 8,0 аА0.339.669ТУ

2Т9104А -

350÷700

5 7,0 40КТ-42 аА0.339.528ТУ

2191045 - 20 6,0

502Т991АС - 55 3,5КТ-44

аА0.339.437ТУ

2Т9101АС - 100 аА0.339.523ТУ

2Т911А - 400÷18000,8 2,0

30КТ-18 И93.365.020ТУ

2Т911Б -

400÷1000

40

2Т962А DM10-28 10 4,0 36

КТ-17аА0.339.168ТУ2Т962Б DM20-28 20 3,5 40

2Т962В DM40-28 40 3,0 40

2Т976А - 60 2,0 45 аА0.339.303ТУ

2Т9132АС - 650 140 30 3,5 55 КТ-44 аА0.339.722ТУ

401.14-6 КТ- 17 КТ-32

КТ- 17

КТ- 15 КТ- 42 КТ- 44 КТ- 18

КТ-32 КТ-56 КТ-4 КТ-45




3736

2 ТРАНЗИСТОРЫ2.8 Полевые n-канальные транзисторы (Tk=25 °C) (приёмка «ОТК»)

2 ТРАНЗИСТОРЫ2.8 Полевые n-канальные транзисторы (Tk=25 °C) (приёмка «ОТК»)

Тип Аналог UCИmax,В

IСmax,А

RСИотк.,Ом


КП707А1 - 400 151 1 50

КТ-28-2

АДБК.432140.140ТУКП707Б1 600 101 2 50КП767А IRF620 200 5,2 0,8 50

АДБК.432140.740ТУКП767Б IRF630 200 9 0,4 74КП767В IRF640 200 18 0,18 125КП767Г IRF624 250 4,4 1,1 50КП767Д IRF634 250 8,1 0,45 74КП768А IRF720 400 3,3 1,8 50 АДБК.432140.743ТУКП707В2 - 650-800 6-9(1) 2,3-3 50 АДБК.432140.140ТУ/Д1КП707В1 800 7(1) 3 50 АДБК.432140.140ТУКП767А9 - 200 4,5 0,8 42 КТ-89 АДБК.432140.740ТУКП768А9 - 400 2,8 1,8 42 АДБК.432140.743ТУКП767В91 IRF640 200 18 0,18 125 КТ-90 АДБК.432140.740ТУКП768Б IRF721 350 3,3 1,8 50

КТ-28-2 АДБК.432140.743ТУ

КП768Г IRF723 350 3,3 2,5 50КП768Е IRF731 350 5,5 1 74КП768И IRF733 350 5,5 1,5 74КП768В IRF722 400 3,3 2,5 50КП768Д IRF730 400 5,5 1 74КП768Ж IRF732 400 5,5 1,5 74КП768К IRF740 400 10 0,55 125КП769А9 - 100 7 0,27 42 КТ-89 АДБК.432140.744ТУКП769А IRF520 100 9,2 0,27 60

КТ-90 АДБК.432140.743ТУКП768Н IRF743 350 10 0,8 125КП768К91 IRF740 400 10 0,55 125КП768М IRF742 400 10 0,8 125КП769Б IRF530 100 14 0,16 88 КТ-28-2 АДБК.432140.744ТУКП769В IRF540 100 28 0,077 150КП769В91 IRF540 100 28 0,077 150 КТ-90КП770Б IRF821 450 2,5 3 50

КТ-28-2 АДБК.432140.745ТУКИ770Г IRF823 450 2,5 4 50КП770Е IRF831 450 4,5 1,5 74КП770И IRF833 450 4,5 2,5 74КП770А IRF820 500 2,5 3 501 Импульсный ток стока


IСmax,А

RСИотк.,Ом


КП770В 500 2,5 4 50

КТ-28-2

АДБК.432140.745ТУКП770Д 500 4,5 1,5 74КП770Ж 500 4,5 2,5 74КП782А 50 10 0,2 43

-

КП782В 50 17 0,1 60КП782Д 50 30 0,05 88КП782Б 60 10 0,2 43КП782Г 60 17 0,1 60КП782Е 60 30 0,05 88КП770Л 450 8 0,85 125

АДБК.432140.745ТУКП770Н 450 8 1,0 125КП770К 500 8 0,85 125КП770М 500 8 1,0 125КП790А 100 41 0,055 230 КТ-43В АДБК.432140.906ТУ

КП813Б2 200 18 125

КТ-43В

АДБК.432140.441ТУКП813А2 200 22 0,12 125КП793Б 200 22 0,12 150 АДБК.432140.927ТУКП793А 200 30 0,085 190КП794А 400 16 0,3 190 АДБК.432140.928ТУ

КП809А2 400 25 0,3 50 АДБК.432140.331ТУКП795А 500 14 0,4 190 -

КП809Б2 500 20 0,6 100 АДБК.432140.331ТУКП813Б 200 18 0,18 125

КТ-9САДБК.432140.441ТУКП813А 200 22 0,12 125

КП809А 400 25 0,3 100 АДБК.432140.331ТУКП809Б 500 20 0,6 100

КТ-28-2 КТ-28-2КТ- 89 КТ- 43ВКТ-90 КТ-9С




3938

2 ТРАНЗИСТОРЫ2.9 Силовые модули (приёмка «ОТК»)2.9.1 Силовые модули на полевых транзисторах (Tk=25 °C)

3 ДИОДЫ3.1 Диоды Шоттки (Tk=25 °C)Значения параметров приведены для диода или сборки (в скобках - для элемента сборки)

БЕСКОРПУСНОЕ ИСПОЛНЕНИЕ2.10 Полевые n-канальные транзисторыПараметры при Токр.ср. = 250С


IСmax,А

IKmax,А

RСИотк.,Ом

Pmax,Вт

RТn-k,0C/Вт Корпус ТУ

МТКП1-200-0,55 — 55 200 600 0,001 500 0,25

ТО -2

44 М

од.1

-МТКП1-150-0,6 IRFK4H05460

150 450 0,008 400 0,31МТКП1-200-0,6 — 200 600 0,005 500 0,25МТКП1-80-2 IRFK4H250

20080 240 0,022 400 0,31 ВЛЕИ.

435743.013ТУМТКП1-100-2 — 100 300 0,017 500 0,25МТКП1-50-4 IRFK4H350

40050 150 0,075 400 0,31

-МТКП1-70-4 — 70 210 0,05 500 0,25МТКП1-36-5 IRFK4H054

50036 108 0,15 400 0,31 ВЛЕИ.

435743.013ТУМТКП1-50-5 — 50 150 0,1 500 0,25

Тип UCИ,В

RСИотк.,Ом ТУ

2П790Б-5 100 0,03

АЕЯР.432140.220ТУ

2П769Е-52 100 0,0392П769Д-5 100 0,0522П790А-5 100 0,0552П769В-5 100 0,0772П769А-5 100 0,272П769Г-51 100 0,272П793А-5 200 0,0852П767Е-51 200 0,182П767А-5 200 0,82П768К-5 400 0,552П768 А-5 400 1,82П707Б-5 600 2,02П707В-5 800 3,02П782Ж2-5 60 0,028

АЕЯР.432140.273ТУ

2П767Ж-5 200 0,122П767В-5 200 0,182П794В-5 400 0,22П794А-5 400 0,32П768П-5 400 0,422П795А4-5 500 0,42П770П-5 500 0,552П795Б-5 500 0,62П770К2-5 500 0,851 UПОР = (1,5÷2,7) B; для остальных UПОР = (1,5÷6,0) B; 2 2,0 ≤ UЗИпор ≤ 4,0 В

Тип Аналог IПР.СРmax,А

UОБРmax,В

UПР,В

IОБР, мАКорпус ТУ

Tk=25°C Tk=125°C

Диоды Шоттки в металлокерамических корпусах

2ДШ2123В94 10BQ015

1

15 0,34 0,5 121

КТ-93 АЕЯР.432120.297ТУ2ДШ2123А94 IN5817 20 0,45 1 101

2ДШ2123А95 IN5817 20 0,45 1,0 10,0 КТ-99-1 АЕЯР.432120.567ТУ

2ДШ2123Б94 IN5819 40 0,6 1 101

КТ-93 АЕЯР.432120.297ТУ2ДШ2123Г94 10BQ040 40 0,53 0,4 41

2ДШ2123Г95 10BQ040 40 0,53 1,0 10,0 КТ-99-1 АЕЯР.432120.567ТУ

2ДШ2123Д94 10BQ100 100 0,78 0,5 12,5 КТ-93 АЕЯР.432120.297ТУ

2ДШ2123Д95 10BQ100 100 0,78 1,0 12,5 КТ-99-1 АЕЯР.432120.567ТУ

Диоды Шоттки (сборки — общий катод) в металлопластмассовых корпусах

2Д290АС

4(2Х2)

25 0,65 0,5 7,5КТ-28-2

АЕЯР.432120.217ТУ

2Д290АС9 КТ-89

2Д290БС50 0,75 0,1 4,5

КТ-28-2

2Д290БС9 КТ-89

2Д290ВС75 0,85

0,5

6,5КТ-28-2

2Д290ВС9 КТ-89

2Д290ГС100 0,9 4,5

КТ-28-2

2Д290ГС9 КТ-89

2Д290ДС150 0,95 5,5

КТ-28-2

2Д290ДС9 КТ-89

2Д290ЕС200 1,0 6,0

КТ-28-2

2Д290ЕС91 (Tk=100 °C)

КТ-93 КТ-99-1 КТ-28А-2.02 КТ-94 КТ-89




4140




UОБРmax,В

UПР,В


Tk=25°C Tk=125°C


2ДШ2124А94 31DQ03

3,3

30 0,55 3 25 КТ-93

АЕЯР.432120.297ТУ

2Д12124Б94 31DQ04 40 0,55 3 25 КТ-93

2ДШ2124В94 31DQ06 60 0,58 1 30 КТ-93

2ДШ2124Г94 31DQ10 100 0,85 1 10 КТ-93

2ДШ2125А92 50SQ0805

800,66 0,55 7 КТ-94

2ДШ2125Б92 50SQ100 100

2ДШ2125В92 8TQ100 8 100 0,72 0,55 7 КТ-94

2Д272Е1 — 15 200 1,1 1 15 КТ-32ААЕЯР.432120.217ТУ

2Д272И1 — 15 300 1,15 1 20 КТ-32А


2Д269АС —

10(2х5)

25 0,65

0,5

5,5КТ-28-2

АЕЯР.432120.217ТУ

2Д269АС91 КТ-90

2Д269БС50 0,75 7,5

КТ-28-2

2Д269БС91 КТ-90

2Д269ВС75 0,85

10,0

КТ-28-2

2Д269ВС91 КТ-90

2Д269ГС100 0,9

КТ-28-2

2Д269ГС91 КТ-90

2Д269ДС150 0,95 8,0

КТ-28-2

2Д269ДС91 КТ-90

2Д269ЕС200 1,0 10,0

КТ-28-2

2Д269ЕС91 КТ-90

Диоды Шоттки (сборки — общий катод) в металлокерамических корпусах

2ДШ2126ГС92 MBR20200CT 20(2Х10) 200 0,9 1 50 КТ-94АЕЯР.432120.297ТУ

2ДШ2125ГС92 30CPQ060 30(2Х15) 60 0,6 0,8 45 КТ-94


UОБРmax,В

UПР,В


Tk=25°C Tk=125°C

Диоды Шоттки (сборки — общий катод) в металлокерамических корпусах

2ДШ2125ДС92 30СРQ100

30(2X15)

100 0,86 0,55 7 КТ-94 АЕЯР.432120.297ТУ

2ДШ202АС1 15СGQ100 100 0,86 0,55 7,00 КТ-28А-2.02 АЕЯР.432120.696ТУ

2ДШ202АС91 15CLQ100 100 0,86 0,55 7,00 КТ-94

2ДШ2126АС91 30СРQ150 150 1 0,1 15 КТ-94 АЕЯР.432120.297ТУ

2ДШ202БС1 12CGQ150 150 1,00 0,10 15,00 КТ-28А-2.02 АЕЯР.432120.696ТУ

2ДШ201БС91 12CLQ150 150 1,00 0,10 15,00 КТ-94

2ДШ201АС91 35CGQ150 35(2X17,5) 150 0,93 0,1 16 КТ-94 АЕЯР.432120.694ТУ


2Д273АС

40(2X20)

25 0,7 0,5 8,0КТ-28-2

АЕЯР.432120.217ТУ

2Д273АС91 КТ-90

2Д273БС50 0,8 0,1 10,0

КТ-28-2

2Д273БС91 КТ-90

2Д273ВС75 0,9 0,5 6,5

КТ-28-2

2Д273ВС91 КТ-90

2Д273ГС100 0,95 0,1 10,0

КТ-28-2

2Д273ГС91 КТ-90

2Д273ДС150 1,05 0,5 8,0

КТ-28-2

2Д273ДС91 КТ-90

2Д27ЗЕС200 1,15 0,5 6,0

КТ-28-2

2Д273ЕС91 КТ-901 Радиационно-стойкие

КТ-93 КТ-28А-2.02КТ-90 КТ-90КТ-28-2 КТ-28-2КТ-94 КТ-94КТ-89 КТ-32А




4342


3 ДИОДЫ3.2 Быстровосстанавливающиеся диоды (Tk=25 °C)Значения параметров приведены для диода или сборки (в скобках - для элемента сборки)

3.2 Быстровосстанавливающиеся диоды (Tk=25 °C)Значения параметров приведены для диода или сборки (в скобках - для элемента сборки)


UОБРmax,В

UПР,В


Tk=25°C Tk=125°C


2Д273АС2

40(2Х20)

25 0,7

1,0 10,0КТ-

28А-2.02 АЕЯР.432120.217ТУ

2Д273БС2 50 0,8

2Д273ВС2 75 0,9

2Д273ГС2 100 0,95

2Д273ДС2 150 1,05 1,5 15,0

2Д273ЕС2 200 1,15 2,0 20,0

2ДШ2134АС4 63CPQ100 60(2Х30) 100 0,87 0,3 25 КТ-43А-1.01 АЕЯР.432120.297ТУ


UОБРmax,В

UПР,В

IОБР, мА tВОС.

обр,нс

Корпус ТУTk=25°C Tk=125°C

Быстровосстанавливающиеся диоды (сборки — общий катод) в металлопластмассовых корпусах

2Д663АС9 - 2(2X1)

600

1,5 0,1 1,0

60

КТ-89

АЕЯР

.432

120.

223Т

У

2Д640ВСHFA16TA60C 16(2X8)

1,7 0,5 8,0

КТ-28-2

2Д640ВС91 КТ-90

2Д641АСHFA30TA60C

30(2X15)

400КТ-28-2

2Д641АС91 КТ-90

2Д641БС

-

500КТ-28-2

2Д641БС91 КТ-90

2Д641ВС600

КТ-28-2

2Д641ВС91 КТ-90


UОБРmax,В

UПР,В

IОБР, мАtВОС.обр,

нс Корпус ТУTk=25°C Tk=125°C

Быстровосстанавливающиеся диоды в металлопластмассовых корпусах

2ДВ101А 80EBU02 80 200 1,13 0,05 2,00 35 КТ-115 АЕЯР.432120.688ТУ

Быстровосстанавливающиеся диоды в металлокерамических корпусах

2Д675А94 10BF40 1 400 1,4 0,01 0,51 50 КТ-93 АЕЯР.432120.296ТУ

2Д663А95 - 1 600 1,5 0,1 1 60 КТ-99-1 АЕЯР.432120.566ТУ

2Д676А94 30BF40 3 400 1,4 0,01 0,51 50 КТ-93 АЕЯР.432120.296ТУ

2Д677А92 APT15D40K 15 400 1,5 0,15 3,0 50 КТ-94 АЕЯР.432120.296ТУ

2Д641В1 - 15 600 1,7 0,1 3,0 60 КТ-32А АЕЯР.432120.233ТУ

2Д677Б92 APT15D60K 15 600 1,8 0,15 3,0 50 КТ-94 АЕЯР.432120.296ТУ

Быстровосстанавливающиеся диоды (сборки — общий катод) в металлокерамических корпусах

2Д640ВС2 - 16(2Х8) 600 1,7 0,5 8,0 60 КТ-28А-2.02 АЕЯР.432120.223ТУ

2Д678АС93 MURG3020 60(2Х30) 200 1 0,255,0

45КТ-95 АЕЯР.432120.296ТУ

2Д678БС93 30EPF06 60(2Х30) 600 1,41 0,15 160

1 (Tk=100 °C)

КТ-90 КТ-115КТ-28-2 КТ-93 КТ-99-1КТ-28А-2.02 КТ-28А-2.02КТ-43А-1.01 КТ-94КТ-89 КТ-32А




4544

3 ДИОДЫ3.3 Однофазные мосты на основе мощных высоковольтных выпрямительных диодов

3 ДИОДЫ3.5 Диоды Шоттки (сборки — общий катод Tk=25 °C) (приёмка «ОТК»)Значения параметров приведены для диода или сборки (в скобках - для элемента сборки)

Тип Аналог UОБРmax,В

IПР.СРmax,А

UПР1

,В

IОБР, мА RƟпер-кор, ВТ

tВОС.обр,нс Корпус

Tk=25°C Tk=125°C

2М142А DB104S 4001 1,0 0,05 0,1 18

120КТ-108-1

2М143А DB105S 6002М144А PKR40F 400

10 1,2 0,1 1,5 35 КТ-109-12М145А PKR60F 6001 Tk=25 °CТУ – АЕЯР.432170.503ТУ


IПР.СРmax,А

UПР1

,В

IОБР, мА RƟпер-кор, ВТ Корпус ТУ

Tk=25°C Tk=125°C

2МДШ146А 129NQ150 200 150 1,00 3 20 0,35КД-44 АЕЯР.432170.712ТУ

2МДШ146Б 249NQ150 200 240 0,90 3 20 0,30

3.4 Силовые модули3.4.1 Силовые модули на диодах Шоттки

3.5 Диоды Шоттки (сборки — общий катод Tk=25 °C) (приёмка «ОТК»)Значения параметров приведены для диода или сборки (в скобках - для элемента сборки)


UОБРmax,В

UПР,В


Tk=25°C Tk=100°C

КД289А -

1;2(2Х1)

25 0,65

1,0 10

КТ-28-1

АЕЯР.432120.714ТУ

КД289АС КТ-28-2КД289Б

50 0,75КТ-28-1

КД289БС КТ-28-2КД289В

75 0,85КТ-28-1

КД289ВС КТ-28-2КД289Г

100 0,9КТ-28-1

КД289ГС КТ-28-2КД289Д

150 0,95 1,5 15КТ-28-1

КД289ДС КТ-28-2КД289Е

200 1 2,0 20КТ-28-1

КД289ЕС КТ-28-2КД290ЕС КТ-28-1


UОБРmax,В

UПР,В


Tk=25°C Tk=100°CКД290А

2;4(2Х2)

25 0,65

1,0 10

КТ-28-1

АЕЯР.432120.715ТУ

КД290АС КТ-28-2КД290Б 50 0,75 КТ-28-1КД290БС КТ-28-2КД290В 75 0,85 КТ-28-1КД290ВС КТ-28-2КД290Г 100 0,9 КТ-28-1КД290ГС КТ-28-2КД290Д 150 0,95 1,5 15 КТ-28-1КД290ДС КТ-28-2КД290Е 200 1 2,0 20 КТ-28-1КД290ЕС КТ-28-2КД268А

3;6(2Х3)

25 0,65

1,0 10

КТ-28-1

АЕЯР.432120.380ТУ

КД268АС КТ-28-2КД268Б 50 0,75 КТ-28-1КД268БС КТ-28-2КД268В 75 0,85 КТ-28-1КД268ВС КТ-28-2КД268Г 100 0,9 КТ-28-1КД268ГС КТ-28-2КД268Д 150 0,95 1,5 15 КТ-28-1КД268ДС КТ-28-2КД268Е 200 1 2,0 20 КТ-28-1КД268ЕС КТ-28-2КД269А

5;10(2Х5)

25 0,65

1,0 10

КТ-28-1

АЕЯР.432120.381ТУ

КД269АС КТ-28-2КД269АС91 КТ-90КД269Б

50 0,75КТ-28-1

КД269БС КТ-28-2КД269БС91 КТ-90КД269В

75 0,85КТ-28-1

КД269ВС КТ-28-2КД269ВС91 КТ-90КД269Г

100 0,9КТ-28-1

КД269ГС КТ-28-2КД269ГС91 КТ-90КД269Д

150 0,95 1,5 15КТ-28-1

КД269ДС КТ-28-2КД269Д91 10CTQ150 КТ-90

КТ-108-1 КТ-109-1 КТ-44 КТ-90КТ-28-1 КТ-28-1КТ-28-2 КТ-28-2




4746




UОБРmax,В

UПР,В


Tk=25°C Tk=100°CКД269Е

—

5;10(2Х5) 200 1 2,0 20

КТ-28-1АДБК.432120.381ТУКД269ЕС КТ-28-2

КД269ЕС91 КТ-90КД270А

7,5;15(2Х7,5)

250,65

1,0 10

КТ-28-1 АДБК.432120.382ТУКД270АС

КТ-28-2КД2З8АС/ЭВАДБК.432120.961ТУКД2З8БС/ЭВ 35

КД238ВС/ЭВ 45КД270Б MBR1515CT 50 0,75 КТ-28-1

АДБК.432120.382ТУКД270БС КТ-28-2КД270В 8TQ080 75 0,85 КТ-28-1КД270ВС КТ-28-2КД270Г 8TQ100 100 0,9 1,0 10 КТ-28-1

АДБК.432120.382ТУ


-

150 0,95 1,5 15 КТ-28-1КД270ДС КТ-28-2КД270Е 200 1 2,0 20 КТ-28-1КД270ЕС КТ-28-2КД271А

10;20(2Х10)

25 0,65

1,0 10

КТ-28-1

АДБК.432120.383ТУ

КД271АС КТ-28-2КД271Б MBR2045CT 50 0,75 КТ-28-1КД271БС КТ-28-2КД271В MBR2080CT 75 0,85 КТ-28-1КД271ВС КТ-28-2КД271Г MBR20100CT 0,9 100 КТ-28-1КД271ГС КТ-28-2КД271Д 20CTQ150 150 0,95 1,5 15 КТ-28-1КД271ДС КТ-28-2КД271Е

MBR20200CT 200 1 2,0 20КТ-28-1

КД271ЕС КТ-28-2КД271ЕС91 КТ-90КД272А -

15;30(2Х15)

25 0,7

1,0 10

КТ-28-1

АДБК.432120.384ТУ

КД272АС КТ-28-2КД272Б 30CTQ045 50 0,8 КТ-28-1КД272БС КТ-28-2КД272В 30CTQ080 75 0,9 КТ-28-1КД272ВС КТ-28-2


UОБРmax,В

UПР,В


Tk=25°C Tk=100°CКД272Г 30CTQ100

15;30(2Х15)

100 0,95 1,0 10 КТ-28-1

АДБК.432120.384ТУ


25

150 1,05 1,5 15 КТ-28-1КД272ДС КТ-28-2КД272Е

200 1,15

2,0 20

КТ-28-1КД272ЕС КТ-28-2КД272ЕС91 КТ-90КД272Ж 250

1,2

КТ-28-1КД272ЖС КТ-28-2КД272И 300 КТ-28-1КД272ИС КТ-28-2КД273А

20;40(2Х20)

25 07

1,0 10

КТ-28-1

АДБК.432120.385ТУКД27ЗАС КТ-28-2КД273АС91 КТ-90КД273Б

40CTQ045 50 0,8КТ-28-1

КД273БС КТ-28-2КД273БС91

20;40(2Х20)

КТ-90

АДБК.432120.375ТУ

КД273В- 75 0,9

КТ-28-1КД27ЗВС КТ-28-2КД273ВС91 КТ-90КД27ЗГ

43CTQ100 100 0,95КТ-28-1

КД273ГС КТ-28-2КД273ГС91 КТ-90КД27ЗД

43CTQ150 150 1,05 1,5 15КТ-28-1

КД27ЗДС КТ-28-2КД273ДС91 КТ-90КД27ЗЕ -

200 1,15 2,0 20КТ-28-1

КД27ЗЕС - КТ-28-2КД273ЕС91 - КТ-90

КТ-90КТ-28-1 КТ-28-2 КТ-90КТ-28-1 КТ-28-2

3.6 Быстровосстанавливающиеся диоды (сборки - общий катод; Tk=25 °C) (приёмка «ОТК»)


UОБРmax,В

UПР,В

IОБР, мА tВОС.обр,нс Корпус ТУ

Tk=25°C Tk=125°CКД640А

-8;

16(2Х8)

400

1,7 0,5 8,0 60

КТ-28-1

АДБК.432120.733ТУ

КД640АС КТ-28-2КД640Б

500КТ-28-1

КД640БС КТ-28-2КД640В HFA08TB60

600КТ-28-1

КД640ВС HFA16TA60C КТ-28-2




4948


UОБРmax,В

UПР,В


Tk=25°C Tk=125°CКД640Г

-8;

16(2Х8)

700

1,7

0,5

8,0

60

КТ-28-1

АДБК

.432

120.

733Т

У

КД640ГС КТ-28-2КД640Д 800

КТ-28-1КД640ДС КТ-28-2КД640Е 550

КТ-28-1КД640ЕС КТ-28-2КД640Ж 900

3 5,0

КТ-28-1КД640ЖС КТ-28-2КД640И 1000

КТ-28-1КД640ИС КТ-28-2КД640К HFA08TB120 1200

КТ-28-1КД640КС КТ-28-2КД64ВС91

-

600 1,7 8,0 КТ-90КД641А

15;30(2Х15)

400

1,7

0,5 8,0 60

КТ-28-1

АДБК

.432

120.

734Т

У

КД641АС КТ-28-2КД641Б 500

КТ-28-1КД641БС КТ-28-2КД641В HFA15TB60 600

КТ-28-1КД641ВС HFA30TA60C КТ-28-2КД641Г

-

700КТ-28-1

КД641ГС КТ-28-2КД641Д 800

КТ-28-1КД641ДС КТ-28-2КД641Е 550

КТ-28-1КД64ЕС КТ-28-2КД641Ж 400 1,3

КТ-28-1КД641ЖС КТ-28-2КД641АС91

30(2Х15)400

1,7 КТ-90КД641БС91 500КД641ВС91 600КД644А

25;50(2Х25)

200 1,05

0,5 10,0

50КТ-28-1

АДБК

.432

120.

963Т

У

КД644АС КТ-43BКД644Б 300 1,2

60

КТ-28-1КД644БС КТ-43BКД644В 400 1,3

КТ-28-1КД644ВС КТ-43BКД644Г 500 1,7 75

КТ-28-1КД644ГС КТ-43B


UОБРmax,В

UПР,В


Tk=25°C Tk=125°C

КД644Д-

25;50(2Х25)

550

1,7 0,5 10 75

КТ-28-1

АДБК

.432

120.

963Т

У

КД644ДС КТ-43B

КД644ЕHFA25TB60 600

КТ-28-1

КД644ЕС КТ-43B

КД644Ж- 700

КТ-28-1

КД644ЖС КТ-43B

3 ДИОДЫ3.6 Быстровосстанавливающиеся диоды (сборки - общий катод; Tk=25 °C) (приёмка «ОТК»)

3 ДИОДЫ3.6 Быстровосстанавливающиеся диоды (сборки - общий катод; Tk=25 °C) (приёмка «ОТК»)Значения параметров приведены для диода или сборки (в скобках - для элемента сборки)

КТ-90

КТ-90

КТ-43В

КТ-43В

КТ-28-1

КТ-28-1

КТ-28-2

КТ-28-2




5150


IПР.СРmax,А

UПР,В

IОБР, мА RƟпер-кор, ВТ Корпус

Tk=25°C Tk=100°C

МД4-200-0,5 - 50

200(2X100)

0,75

3,0 40

0,4

ТО-2

44 М

од.2

Изо

лиро

ванн

оеос

нова

ниеМД4-200-0,75 75 0,8 0,45

МД4-200-1 203CMQ100 100 0,9 0,4МД4-200-1,5 209CMQ150 150 1МД4-200-2

-200

1,15 0.25МД4-240-2 240(2X120) 1,2 0,15 3 0,45МД4-360-2 360(2X180) 1,1 0,35МПД4-240-0,5 50

240(2X120)

0,75

4,0 40 0,25

ТО-2

44 М

од.3

Изо

лиро

ванн

оеос

нова

ниеМПД4-240-0,75 75 0,8

МПД4-240-1 203CNQ100 100 0,9МПД4-240-1,5 209CN-Q150 150 1МПД4-240-2

-

200 1,153,0 40 0,5МПД4-240-3 300 1,2

МПД4-150-3 150(2X75) 1,3 0,7МПД1-120-0,5

50120

0,754,0 40 0,4

КД-4

4

МПД1-150-0,5 150 5,0 50МПД1-180-0,5 180 6,0 60 0,3МПД1-120-0,75

75120

0,84,0 40 0,4МПД1-150-0,75 150 5,0 50

МПД1-180-0,75 180 6,0 60 0,3МПД1-120-1 123NQ100

100120

0,94,0 40 0,4МПД1-150-1 - 150 5,0 50

МПД1-180-1 183NQ100 180 6,0 60 0,3МПД1-120-1,5 129NQ150

150120

14,0 40 0,4

МПД1-150-1,5 189NQ150 150 5,0 50 0,4МПД1-180-1,5

-

180 6,0 60 0,3МПД1-120-2

200

1201,15 3,0 40 0,4

МПД1-150-2 150 0,35МПД1-180-2 180 6,0 60 0,3МПД1-240-2 240 1,1 0,15 10 0,3МПД1-360-2 360 0,25

Тип UОБРmax,В

IПР.СРmax,А

UПР,В

IОБР, мАRƟпер-кор, ВТ Корпус

Tk=25°C Tk=100°C

МПД1-150-2-1 УХЛЗ 200 150 1,0

3,0 40

0,35КТ-112-2МПД1-180-0,5-1 УХЛЗ 50 180 0,75 0,3

МПД1-240-2-1 УХЛЗ200

240 1,0 0,27МПД4-240-2-1 УХЛЗ 240(2Х120) 1,0 0,5

КТ-112-1МД1-120-2-1 УХЛЗ 120 1,0 0,5

ТУ - ВЛЕИ.435711.004ТУ


IПР.СРmax,А

UПР,В

IОБР, мА

tВОС.обр,нс

RƟпер-кор, ВТ Корпус

МДЧ4-120-4-А6 HFAI20MD40C

400

120(2х60)

1,3

0,5

100

0,5

ТО-2

44 М

од.2

Изо

лиро

ванн

оеос

нова

ниеМДЧ4-160-4-А6 HFA160MD40C 160(2х80) 0,75 0,45

МДЧ4-200-4-А6 HFA200MD40C 200(2x100) 1,0 0,4

МДЧ4-100-6-А61 HFA100MD60C

600

100(2х50) 1,5 0,5 0,9

МДЧ4-140-6-А6 HFA140MD60C 140(2x70) 1,4 0,75 0,45

МДЧ4-180-6-А61 HFA180MD60C 180(2х90) 1,3 0,5 0,8

МПДЧ4-200-4-А6

-

400 1,30,5

0,45 ²

МПДЧ4-200-6-А6 600 200(2x100) 1,5 0,5

МПДЧ1-75-4-А6

400

75

1,3

0,5 0,6

КД-4

4

МПДЧ1-90-4-А6 HFA90NH40 90 0,75 0,35

МПДЧ1-100-4-А6 - 100 0,5 0,5

МПДЧ1-75-6-А6 HFA70NH60

600

75

1,5

0,5 0,6

МПДЧ1-90-6-А6 - 90 0,75 0,35

МПДЧ1-100-6-А6 HFA105NH60 100 0,5 0,5

МПДЧ1-90-7-А6-

700 90 1,7 0,75 0,35

МПДЧ1-60-10-Р6 1000 60 1,6 1,0 200 0,61 ТУ - ВЛЕ4.435741.001ТУ; 2 ТО-244 Мод.3 изолированное основание

3 ДИОДЫ3.7 Силовые модули (приёмка «ОТК»)3.7.1 Силовые модули на диодах Шоттки (Tk=25 °C)Значения параметров приведены для диода или сборки (в скобках - для элемента сборки)

3 ДИОДЫ3.7.2 Силовые модули на диодах Шоттки (Tk=25 °C)Значения параметров приведены для диода или сборки (в скобках - для элемента сборки)

ТО-244 Мод.2 Изолированное основание

ТО-244 Мод.3 Изолированное основаниеКД-44

КД-44КТ-112-2 КТ-112-1

3.7 Силовые модули (приёмка «ОТК»)3.7.3 Силовые модули на быстровосстанавливающихся диодах (Tk=25 °C)Значения параметров приведены для диода или сборки (в скобках - для элемента сборки)






5352

3 ДИОДЫБЕСКОРПУСНОЕ ИСПОЛНЕНИЕ

3.8 Диоды Шоттки

4 СИЛОВЫЕ МОДУЛИ (ПРИЁМКА «ОТК»)4.1 Модуль силовой полупроводниковый М16-5-1 УХЛЗ в металлокерамическом корпусе МКА1.24-1К с изолированным основанием предназначен для управления дискретными сигналами4.1.1 Схема электрическая принципиальная Поставка по ВЛЕИ.435714.002ТУ

4.1.2 Основные электрические параметры

Тип UПР, В UОБРmax, В IОБР, мА ТУ

2Д269А-5 0,5 29

0,09

АЕЯР.432120.217ТУ

2Д269Б-5 0,55 552Д269В-5 0,6 832Д269Г-5 0,62 1102Д269Д-5 0,68 1632Д269Е-5 0,71 2152Д290А-5 0,55 292Д290Б-5 0,64 552Д290В-5 0,72 832Д290Г-5 0,78 1102Д290Д-5 0,81 1632Д290Е-5 0,86 2152Д272И1-5 0,75 325 0,152Д273А2-5 0,48 29

0,82Д273Б2-5 0,5 552Д272В2-5 0,52 832ДШ2123А-5 0,42 24

0,35

АЕЯР.432120.297ТУ

2ДШ2123Б-5 0,56 452ДШ2123В-5 0,318 192ДШ2123Г-5 0,49 45 0,32ДШ2123Д-5 0,74 110 0,072ДШ2124А-5

0,4534

0,32ДШ2124Б-5 452ДШ2124В-5 0,47 662ДШ2124Г-5 0,61 110 0,072ДШ2125А-5

0,5289

0,152ДШ2125Б-5110

2ДШ2125В-52ДШ2125Г-5 0,44 66 0,32ДШ2125Д-5 0,52 110 0,152ДШ2126А-5 0,57 165

0,072ДШ2126Б-5 0,65 2182ДШ2134А-5 0,7 110 0,12ДШ201АН5 0,93 150 0,1 АЕЯР.432120.694ТУ2ДШ202АН5 0,86 100 0,55 АЕЯР.432120.696ТУ2ДШ202БН5 1,00 150 0,10 АЕЯР.432120.696ТУ

МК41.24-1К

Наименованиепараметра, единица измерения

(режим измерения)

Буквенноеобозначение

параметра

Нормапараметра Температура

окружающейсреды

(корпуса), °С

Условноеобозначение

проверяемогоэлемента модуляне

менеене

более

1 Начальный ток, мкА (U=100B, Uзи=0В) Iнач - |- 25| 25 ± 10 VT1 и VD5, VT2 и VD6

VT3 и VD7, VT4 и VD8

2 Напряжение на транзисторе и диоде, В (Uзи= -10В, I= -1А, τи ≤1 000 мкс) U - |- 1,1| 25 ± 10 VT1 и VD5, VT2 и VD6


3 Пороговое напряжение, В (Uзс=0 В, Iс =- 250 мкА) Uпор |- 1,5| |- 5,0| 25 ± 10 VT1 и VD5, VT2 и VD6


4 Начальный ток, мкА (U =- 100 В, Uзи = 0 В) Iнач - 25 25 ± 10 VT5, VT6, VT7, VT8

5 Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, Ом (Uзи = 10В, Iс = 1 А, τи ≤ 1 000 мкс) (Uзи= 3 В, IC = 20 мА)

RСИ.отк

--

0,272,0 25 ± 10 VT5, VT6, VT7, VT8

6 Пороговое напряжение, В (Ux = 0 В, Iс = 250 мкА ) Uпор 1,0 2,70 25 ± 10 VT5, VT6

VT7, VT8

7 Максимально допустимый постоянный ток транзистора и диода, А (при температуре корпуса от -0 до +125 0С)

Imax |- 5|

VT1 и VD5VT2 и VD6VT3 и VD7VT4 и VD8

8 Максимально допустимый постоянный ток стока, А (при температуре корпуса от -60 до +125 0С) IC max 1 VT5, VT6, VT7, VT8

9 Напряжение пробоя ограничителя напряжения, В (Iпроб 1-2 = 10 мА, τи ≤ < 0,5 мс) (Iпроб 1-2 = 0,5 А, τи ≤ < 1 мс)

Uпроб

13,415,0

17,020,0 25 ± 10 VD1, VD2, VD3, VD4

10 Напряжение пробоя ограничителя напряжения, В (Iпроб = 15 мА,) (Iпроб = 40 А,ти(0.5) = 0,5 мс)

Uпроб

6670

8695 25 ± 10 VD9, VD10, VD11,

VD12




5554

5 АВТОМОБИЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА (ПРИЁМКА «ОТК»)5.1 Контроллер бесконтактной системы зажигания с датчиком на эффект Холла

6 ИЗДЕЛИЯ, ПОСТАВЛЯЕМЫЕ ПО ТУ ГК

Тип U(13-1)S,мВ

IIL5,мкА

tSS,c

TJ,0C Корпус ТУ

К1055ХП1АР290 +350 -420 + (-250) 0,4 + 1,8 -55 +175

2103.16-E АДБК.431000.011-01ТУ/02

К1055ХП1АТ 4307.16-C

№П/П

Обозначениеизделий Описание Корпус ТУ ГК

1 КР1204А9 Ограничитель напряжения 25В,60А, 1мс МК 5205.8-1 АДЛК.432.120.509ТУ

ГК

2 КР243А Ограничитель напряжения 100В,680А, 0,15мс КТ - 109-1 АДЛК.432.120.509ТУ

ГК

3 М18-30-1Трехфазный мост на n- и p-

канальных MOSFET транзисторах100В, 3З0А, 40 мОм

МК 41.24- К Опытные

4 М12-60-1Однофазный мост на n- канальных

MOSFET транзисторах 100В,60А, 20мОм

МК 41.24-1К Опытные

5 М13-360-2 Трехфазный мост на диодахШоттки 2008, 360А

М13-360-2УХЛЗ Опытные

6 МД7-90-2Три диода Шоттки с общим

катодом 200B, 3х30АИзолированное основание

КТ -109-1 Опытные

7 МПД1-240-04 Модуль на диодах Шоттки40В, 240А, 0,67В КД-44 Опытные

8 МПДЧ1-320-4Модуль на

быстровосстанавливающихсядиодах 4008, 320А, 100нс

КД-44 Опытные

9 КДВ-1Диод

быстровосстанавливающийся400В, 80А, 35нс

КТ-115 Опытные

10 МД4-360-2.1

Модуль на диодах Шоттки200B, 2х180А ТО-244

Мод.3 Опытные

Тип Аналог PKmax,Bт

UКЭогр.,В

ICmax,A h21Э

UКЭнас.,В

IКЭО,mA

ƒгр.,МГц Корпус

КТ - 8232А1 BU941125

35020 >300 1,8 0,1 10 КТ - 43В

КТ - 8232Б1 - 300

ТУ - АДБК.432140.837ТУ

5.2 Мощные биполярные транзисторы Дарлингтона (n-p-n)Параметры при T=25 °C

2103.16-Е 4307.16-С КТ - 43В




5756

7 ИЗДЕЛИЯ В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ И/ИЛИ ОСВОЕНИЯПрограммируемые логические интегральные схемы ПЛИС 5576ХС1Я

7 ИЗДЕЛИЯ В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ И/ИЛИ ОСВОЕНИЯБыстровосстанавливающиеся диоды (Tk=25 °C)

ПЛИС 5576ХС4Я

Типовая логическая емкость, вент. 50 000

Количество логических элементов 2 880

Количество логических блоков 360

Объем встроенной памяти, бит 20 480

Количество триггеров 3 184

Количество пользовательских выводов 176

Типовая логическая емкость, вент. 200 000

Количество логических элементов 9 984

Количество логических блоков 1 248

Объем встроенной памяти, бит 98 304

Количество триггеров 10 1551

Количество пользовательских выводов 1711 По восемь триггеров в каждом логическом блоке и по одному в каждом пользовательскомэлементе ввода-вывода

• функционально совместимы с изделием EPF10K50 ф-Altera;• напряжение питания - 3,3 ± 0,3 В;• 5-вольтовая толерантность входов/выходов;• встроенная система конфигурирования, обеспечивающая многократное перепрограммирование посредством внешних конфигурационных устройств или интеллектуальным контроллером через специальный загрузочный порт или JTAG-порт;• для конфигурирования рекомендуется использовать ПЗУ 5576РС1У;• для проектирования используется САПР ф-Altera - MAX+PLUS II или Quartus II;• корпус BGA380Основные функциональные параметры:

•функционально совместимы с изделием EPF10K200S(E) ф. Altera;•напряжение питания ядра -1,8 В ± 5%;•напряжение питания периферии - 3,3 ± 0,3 В;•программируемый режим циклической перезаписи конфигурационной памяти;•встроенная система конфигурирования, обеспечивающаямногократное перепрограммирование;•программируемый режим верификации конфигурационной памятибез выхода и рабочего состояния;•режим последовательной и параллельной загрузки конфигурации ПЛИСпо специальному загрузочному порту;•для конфигурирования рекомендуется использовать ПЗУ 5576РС1У;•для проектирования используется САПР ф-Altera - MAX+PLUS II или Quartus II;• корпус BGA380Основные функциональные параметры:


UОБРmax,В

UПР,В

IОБР, мА tВОС.обр,нс Корпус

Tk=25°C Tk=125°CБыстровосстанавливающиеся диоды (сборки диодные – общий катод) в металлопластмассовых корпусах2ДВ105АС2 MUR1620CT 30(2х15) 200 1,05 0,01 0,5 35 КТ-28-22ДВ105БС2 MUR1640CT 30(2х15) 400 1.25 0,1 0,5 60 КТ-28-22ДВ105ВС2 MUR1660CT 30(2х15) 600 1,5 0,005 0,5 60 КТ-28-2Быстровосстанавливающиеся диоды (сборки диодные – общий катод) в металлокерамических корпусах

2ДВ104АС1 MUR1020CT 10(2х5) 200 1,0 0,003 0,2 25 КТ-28А-2.022ДВ105ГС1 MUR1620CT 20(2х10) 200 1,25 0,01 4,0 35 КТ-28А-2.022ДВ105ДС1 MUR1640CT 16(2х8) 400 1,3 0,01 0,5 60 КТ-28А-2.022ДВ105ЕС1 MUR1660CT 20(2х10) 600 1,6 0,003 0,5 50 КТ-28А-2.02

Быстровосстанавливающиеся диоды в металлокерамических корпусах2ДВ102А9 BYV26A 1 200 2,0 0,003 0,1 30 КТ-99-12ДВ102Б9 BYV26B 1 400 2,2 0,003 0,1 30 КТ-99-12ДВ102В9 BYV26C 1 600 2,2 0,001 0,1 30 КТ-99-12ДВ102Г9 HER206 1 600 1,6 0,01 0,1 50 КТ-99-12ДВ10ЗА STTH30R04 35 400 1,5 0,01 0,2 50 КТ-43А-1.012ДВ103Б 30EPH06 30 600 2,6 0,05 0,5 35 КТ-43А-1.01ТУ - АЕЯР.432120.784ТУ


UОБРmax,В

UПР,В

IОБР, мАКорпус

Tk=25°C Tk=125°CВыпрямительные диоды (модули диодные - однофазный мост) в металлопластмассовых корпусах

2МД147А9 MB2S 0,5 200 1,0 0,003 0,5 КТ-48В2МД147Б9 MB4S 0,5 400 1,0 0,003 0,5 КТ-48В2МД147В9 MB6S 0,5 600 1,0 0,003 0,1 КТ-48ВВыпрямительные диоды (модули диодные - однофазный мост) в металлокерамических корпусах2МД148А GSIB2520 5 200 1,1 0,005 0,3 КТ-108-12МД148Б DB104 1 400 1,1 0,003 0,5 КТ-108-12МД148В DB105 1 600 1,1 0,003 0,5 КТ-108-12МД148Г GSIB2560 2 600 1,1 0,003 0,5 КТ-108-12МД149А1 GSIB2560 25 600 1.1 0,003 0,5 КТ-109-1ТУ - АЕЯР.432120.784ТУ

Однофазные мосты на мощных высоковольтных выпрямительных диодов (Tk=25 °C)

Значения параметров приведены для диода или сборки (в скобках - для элемента сборки)

КТ-99-1КТ-28А-2.02

КТ-48В

КТ-43А-1.01 КТ-108-1

КТ-28-2

КТ-109-1




5958

Назначение: GaAs p-i-n диоды и диодные сборки (состоящие из двух диодов с общим ано-дом), предназначены для работы при экстремально высоких температурах корпуса, с низкими энергопотерями и малым временем обратного восстановления во всем диапазоне рабочих температур.

7 ИЗДЕЛИЯ В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ И/ИЛИ ОСВОЕНИЯДиоды Шоттки (Tk=25 °C)

7 ИЗДЕЛИЯ В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ И/ИЛИ ОСВОЕНИЯДИОДЫ: АД1А95СБОРКИ ДИОДНЫЕ: АД2АС (ДФЛК.432122.044ТУ ГК )


IПР.СРmax,А

UПР,В

IОБР, мАКорпус

Tk=25°C Tk=100°C

Диоды Шоттки (сборки — общий катод) в металлокерамических корпусах2ДШ49А91 10BQ015 15 1 0,35 0,3 100 КТ-99-12ДШ151А92 30SLJQ030SCX 35 30 0,6 0,6 200 КТ-93-12ДШ152А91 10BQ040 40 1 0,5 0,1 10 КТ-99-12ДШ210А91 SR115 150 1 0,95 0,1 1 КТ-99-12ДШ154А91 ZHCS1006 60 1 0,57 0,08 15 КТ-99-12ДШ156А94 40CPQ060PBF 60 40 0,8 1 150 КТ-94-12ДШ207А91 JANTXV1N6761U 100 1 0,75 0,1 1 КТ-99-12ДШ208А1 16YQ100C 100 15 0,7 0,04 8 КТ-28А-2.022ДШ209А94 JANTXV1N7062CC 100 15 0,85 0,1 1 КТ-94-12ДШ151ВС2 JANSIN6660CCT1 45 60(2х30) 0,81 0,1 10 КТ-97В-22.012ДШ213АСЗ 10CTQ150 150 20(2х10) 11 0,05 1 КТ-97А-5.012ДШ214АС95 35CGQ150 150 70(2х35) 1,18 0,1 1 КТ-95-1

Диоды Шоттки (сборки — общий катод) в металлопластмассовых корпусах2ДШ148А9 HSMS-2850 5 0,001 0,25 0,1 1 КТ-462ДШ150А9 NSR0320MW2T1 20 1 0,5 0,01 5 КТ-462ДШ150Б9 RB520ZS-30 30 0,1 0,7 0,0025 5 КТ-462ДШ204А9 1N5711UBCA 70 0,015 0,9 0,01 1 КТ-462ДШ205А9 MBR0580 80 0,5 0,8 0,1 1 КТ-462ДШ206А9 BAT46W-V 100 0,25 0,9 0,01 1 КТ-462ДШ153АС9З MBRS340TR 40 6(2х3) 0,495 0,2 35 КТ-892ДШ151БС 16SCYQ045C 45 32(2х16) 0,6 0,1 100 КТ-28-22ДШ155АС9З 30BQ060 60 6(2х3) 0,58 0,2 50 КТ-892ДШ211АС9З 30BQ100 100 6(2х3) 0,75 0,1 1 КТ-892ДШ212АС93 MBRS3200T3G 200 6(2х3) 0,84 0,1 1 КТ-89ТУ - АЕЯР.432120.786ТУ

Значения параметров приведены для диода или сборки (в скобках - для элемента сборки)

Имеются образцы для тестирования

КТ-99-1

КТ-97А-5.01 КТ-97В-22.01 КТ-46 КТ-89 КТ-28-2

КТ-28А-2.02КТ-95-1КТ-94-1КТ-93-1

• Рабочий диапазон температур: -60÷2000С• Кристаллы - GaAs• Высокая энергостойкость (устойчивость к лавинному пробою)• Высокая частота преобразования• Низкое время обратного восстановления во всем диапазоне рабочихтемператур.• Высокая надёжность.• Малая емкость .• Ближайшие кремниевые функциональные аналоги: 2Д663АС9 и 2Д641ВС• Масса изделия:АД1А95 (корпус КТ-99-1) - 0,2гАД2АС (корпус КТ-28А-2.02) - 3,5г

КТ-99-1

КТ-28А-2.02

Тип IПР.СРmax,А

UОБРmax,В

Tкорп,0С

UПР, В(IПР.=1А)

UПР, В(IПР.=15А)

IОБР, мкА(UОБР=600В)

τπ,нс(IПР.=1А,

dIпр/dt=100A/мксUОБР=30В

IОБР.ОТСЕЧ.=0,5А)Eas макс мДж(L=100мГн)

Максимальнодопустимый

ударныйпрямой ток

диода1пр.уд.макс, Ане

более не более не более не более

АД1А95 1 600

-60 1,65 - 3,0 30

≥100 120(τимп.=0,5мс)

25 1,55 - 1,0 30

125 1,43 - 3,0 30

175 1,43 - 190,0 30

200 1,43 - 750,0 30

АД2АС15

(2x15) 600

-60 - 1,68 3,0 30

≥200 120(τимп.= 10мс)

25 - 1,59 2,0 30

125 - 1,54 6,0 30

175 - 1,57 385,0 30

200 - 1,57 1500,0 30




6160

Полевые trench- транзисторы и транзисторные сборки с управлением от логического и стандартного уровней

n-канальные транзисторы и сборкиТип* Аналог UCИmax, В IСmax, А RСИотк., мОм Корпус

30N19-11 IRFML8244TR,NDS351AN 30 2,7 114 КТ-46

30N19-61 IRFML8244TR,NDS351AN 30 3,7 240 КТ-99-1

30N10-11 IRLML0030 30 3,5 70 КТ-4630N1 0-61 IRLML0030 30 5,4 115 КТ-99-130N12-21 IRF7821 30 17,3 14 SO-8 (1 кр)60N14-41 IRLU2905Z 60 31,5 14 DPAK60N14-91 IRLU2905Z 60 25 20 КТ-9360N17-5 IRFS3806 60 35 17 D2PAK60N17-7 IRFS3806 60 50 64 МК 5205.8-1 (2 кр)60N17-8 IRFS3806 60 18 64 SMD-0,2100N14-4 IRFR3710Z 100 23,5 25 DPAK

100N14-9 IRF7854PbF,IRFR3710Z 100 25 33 КТ-93

100N16-4 IRFR120Z 100 10,3 131 DPAK

100N16-7 IRFR120Z 100 11 176 МК 5205.8-1 (2 кр)

100N16-8 IRFR120Z 100 10,9 176 SMD-0,21UПOP= (1,0÷2,5)В; для остальных UПOP= (2,0÷4,0)В; (ТК = 250C)* - условное обозначение транзисторов

p-канальные транзисторы и сборкиТип* Аналог UCИmax, В IСmax, А RСИотк., мОм Корпус

30Р03-1 IRLML9303TRPbF -30 -2,7 115 КТ-4630Р03-6 IRLML9303TRPbF -30 -5,7 161 КТ-99-130Р04-7 IRF7328 -30 -9 42 МК 5205.8-1 (2 кр)30Р04-8 IRF7328 -30 -15,4 88 SMD-0,2

60Р1 8-2 IRF7241,SI9407BDY -60 -8,7 55 SO-8 (1 кр)

60Р18-4 SUD40151EL -60 -16 55 DPAK

60Р1 8-7 SI9407BDY,IRF7241 -60 -30 100 МК 5205.8-1 (2 кр)

60Р18-8 IRF7241,SUD40151EL -60 -14,4 100 SMD-0,2

60Р14-2 IRF7240 -60 -11,6 31 SO-8 (1 кр)60Р14-5 SUM55P06-19L -60 -26 31 D2PAK

60Р14-9 IRF7240,SUM55P06-19L -60 -22 40 КТ-93

100Р18-4 SUD09P10-195 -100 -10,3 132 DPAK100Р18-7 SUD09P10-195 -100 -11,5 178 МК 5205.8-1 (2 кр)100Р18-8 SUD09P10-195 -100 -10,8 178 SMD-0,21UПOP= (1,0÷2,5)В; (ТК = 250C)* - условное обозначение транзисторов

7 ИЗДЕЛИЯ В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ И/ИЛИ ОСВОЕНИЯБиполярный транзистор с изолированным затвором• Высоковольтный БТИЗ с низкой энергиейпереключения, высокого быстродействия для специального применения с антипа-раллельным диодом с низким временем выключения на одном кристалле.• Приборы чувствительны к электростати-ческому разряду выше 1000В должны выполняться надлежащие технологические процессы манипуляции• Рабочий диапазон температур (-60 + 125) °С• Категория качества – "ВП"• Масса прибораКТ-109А-1К – 16г.КТ-4ЗВ – 5,5г.КТ-43А-1.01 – 6,5г.

Значение основных электрических параметров (Tk=25 °C)

КТ-109A-1K

1- Затвор2- Эммитер3- Коллектор

1- Затвор2,4- Коллектор3- Эммитер

1- Затвор2,4- Коллектор3- Эммитер

КТ-43B КТ-43A-1.01

Обозначение Режим измерения ЗначениеUКЭ Напряжение коллектор-эмиттер. 1700 В

UЗЭ Напряжение затвор - эмиттер (защитных диодов Зенера). ±20 В

IК1 Постоянный ток стока ТС = 25°С 15А

IК,И Импульсный ток стока ТС = 25°С 60А

UКЭ.ПРОБ Пробивное напряжение коллектор-эмиттер. (UЗЭ = 0B, IК = 10мА) 1700 В

UЗЭ.ПОР Пороговое напряжение (UКЭ = UЗЭ, IК = 250мкА, Тпер = 25°С) 3÷6 В

UКЭ.ОТКНапряжение коллектор-эмиттер в открытом состоянии

(UЗЭ= 15B, IК = 15А, Тпер = 25°С) 5,0В

UЭКПрямое напряжение обратного диода

(UЗЭ = 0В, IК = 15А, ТПЕР = 25°С) 4,4 В

IКЭ. УТ Ток закрытого транзистора (UКЭ = 1700B, UЗЭ = 0В, Тпер = 25°С) 0.25 мА

IЗЭ. УТТок утечки затвор - эмиттер (защитных диодов Зенера).

(UЗЭ = ± 20В, UКЭ = 0В) ±50 мкА

С11И Входная ёмкость

UЗЭ = 0В, UКЭ = 25В, f = 1 МГц

2700 пФ

С22И Выходная ёмкость 125 пФ

С12И Емкость обратной связи 20 пФ

tЗД.ВКЛВремя задержки

включения

UЗЭ = 15VЕП = 600VIК = 15А

R3 = 5 Ом

20 нс

tИР Время нарастания 60 нс

tЗД.ВЫКЛВремя задержки

выключения 90 нс

tСП Время спада 150

ЕВК Энергия включения, 1,1 мДж

ЕВЫКЭнергия выключения,

tИЗМ=5мкс 1,5 мДж

S Крутизна характеристики UКЭ = 50В, IК = 20А 18 А/В

tВОС.ОБР.Д

Время восстановленияобратного диода на уровне

0,1 Х IЭ.ОБР.

UКЭ = 30В, IЭ = 15А,tК=25°С; dI/dt = 500А/мкс

185 нс

FРАБРабочая частота

(Тр=150°С)UКЭ =(1350-600)В, IК = (9-3)А

tИ.МИН.=tВКЛ + tВЫКЛ; Q=2 10÷500 кГц





6362

7 ИЗДЕЛИЯ В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ И/ИЛИ ОСВОЕНИЯДвухканальный драйвер для управления затворами ДМОП и БТИЗ, с функцией UVLO

7 ИЗДЕЛИЯ В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ И/ИЛИ ОСВОЕНИЯДвухканальный драйвер для управления силовыми транзисторами1347АП1P, 1347АП1У, 1347АП2Р, 1347АП2У, 1347АП3P, 1347АП3У Двухканальный драйвер с не инвертированными

входами, функцией ENABLE по обоим каналам:• Функциональный аналог IXDD604• Импульсный выходной ток в режиме короткогозамыкания выхода не менее 4А• Широкий диапазон рабочих напряжений 7 ÷ 35В• Температурный диапазон -60°C ÷ +125°C• UVLO - защита при снижении напряжения питания ниже 7В (Under Voltage LockOut )• Таблица истинности

ИМС серии 1347 являются двухканальнымидрайверами для управления силовымитранзисторами, размещены в корпусе:2101.8-7 1347АП1Р, 1347АП2Р, 1347АП3P) илиМК5205.8-2 (1347АП1У, 1347АП2У, 1347АП3У)• АП1Р, АП1У являются аналогами (IR4427)• АП2P, АП2У являются аналогами (IR4428)• АП3P, АП3У являются аналогами (IR4426)• Диапазон рабочих напряжений 6 ÷ 20В• Рабочий диапазон температур (-60 ÷ 125) °С• Предназначены для управления затвороммощных МОП ПТ и БТИЗ• Время задержки распространения привключении\выключении не более 100нс.• Время перехода при включении\выключениине более 35нс ( СН= 1000 пФ)• Выполнены по КМОП технологии• Категория качества ИМС -“ВП”• Масса изделия не более 1,5г. в корпусе2101.8-7 и не более 0,2г. в корпусе 5205.8-2

№ выводакорпуса

Функциональноеназначение



1 Свободный 5 Выход Б2 Вход А 6 Питание3 Общий 7 Выход А4 Вход Б 8 Свободный

Параметр Буквенное обозначение Значение

Выходное напряжение высокого уровня (UПИТ = 15B) U1ВЫХ >13,8В

Выходное напряжение низкого уровня (UПИТ=15В) U0ВЫХ <0,1 В

Ток потребления выходного напряжения высокого уровня (UПИТ=15В) I1

ПОТ <200мкА

Ток потребления высокого напряжения низкого уровня (UПИТ=15В) I0

ПОТ <200 мкА

Ток потребления (на землю) I1КЗ 1,5А

Ток короткого замыкания (на питание) I0КЗ |-1,5|А

Входное напряжение высокого уровня U1ВХ >2,7 В

Входное напряжение низкого уровня U0ВХ <0,8 В

Время задержки распространения при включении t1,0ЗД.Р 70

Время задержки распространения при выключении t0,1ЗД.Р 75

Параметр Буквенное обозначение ЗначениеВыходное напряжение высокого уровня (нагрузка отсутствует), В U1

ВЫХ (UСС- 0,025) В

Выходное напряжение низкого уровня (нагрузка отсутствует), В U0

ВЫХ 0,025 В

Ток потребления IПОТ Не более 3,5 мА

Ток потребления IКЗ ± 4 А

Выходное напряжение высокого уровня U1ВХ (3,0 + UСС) В

Выходное напряжение низкого уровня U0ВХ (0 + 0,8) В

Время задержки распространения при включении/выключении tЗД.Р < 50 нс

Время нарастания/спада СНАГР - 100пФ tНАРАС/СПАДА < 16 нс

Корпус 5205.8-2


Корпус SO-8




IN EN OUT0 1 или свободный 01 1 или свободный 10 0 Z1 0 Z

№вывода

Названиевывода Назначение

1 EN A Вход разрешения канала А2 IN A Вход канала А3 GND Земля4 IN B Вход канала B5 OUT B Выход канала B6 VCC Питание7 OUT A Выход канала А8 EN B Вход разрешения канала В




6564

7 ИЗДЕЛИЯ В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ И/ИЛИ ОСВОЕНИЯПреобразователь напряжения на датчике тока 3005НН015

7 ИЗДЕЛИЯ В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ И/ИЛИ ОСВОЕНИЯУправляемый напряжением двухполярный источник тока 3005ЕТ015

Модуль состоит из двух кристаллов одного типа, размещённых в корпусе 5119.16-А• Рабочий диапазон температур окружающей среды (-60 ÷ 125) °С:• В состав каждого отдельного кристалла входит преобразователь напряжения на датчике тока с выводом сигнала защиты от превы-шения тока• Скорость нарастания напряжения на выходе - не менее 1В/мкс.• Кристаллы МКМ выполнены по биполярной технологии КСДИ• Категория качества МКМ -«ВП»• МКМ имеет повышенную стойкость к специальным факторам и ЭМИ.• Масса изделия - не более 0,75г

Модуль состоит из двух кристаллов одного типа, размещённых вкорпусе 5119.16-А. В состав отдельного кристалла входятоперационный усилитель и два разнополярных источника тока,допускающих сквозной ток в пределах неточности преобразования.• Рабочий диапазон температур окружающей среды (-60 ÷ 125) °С• Напряжение смещения входного усилителя - не более 3 мВ,• Входные токи усилителя - не более 300 нА,• Частота единичного усиления входного усилителя - не менее 1 МГц,• Скорость нарастания напряжения на резисторе обратной связи(ROC) - не менее 1В/мкс.• Кристаллы МКМ выполнены по биполярной технологии КСДИ.• Категория качества МКМ - «ВП»• МКМ имеет повышенную стойкость к специальным факторам и ЭМИ.• Масса изделия - не более 0,7 г. Корпус - 5119.16-А

Корпус 5119.16-А



1 1Пит12 1Вых L3 1Вых4 1Вх15 1Вх26 Свободный7 1Вых_Н8 1Пит29 2Пит1

10 2Вых L11 2Вых12 2Вх113 2Вх2



1 0V12 1Вых13 1Огр14 1Огр25 Свободный6 1Вх7 1Вых28 0V19 0V2

10 2Вых111 20гр112 20гр213 Свободный



14 Свободный15 2Вых Н16 2Пит2



14 2Вх15 2Вых216 0V2


Напряжение питания 1 Uп1 -(7 ÷ 18) В

Напряжение питания 2 Uп2 (7 ÷ 18) В

Диапазон выходного тока IвыхН, IвыхН - 37,5 ÷ 37,5 мА

Диапазон выходного напряжения источников Uвых_Н, Uвых_L Uп1 +1,5 В ÷ Uп2 -1,5 В

Входное синфазное напряжение U1ВХ - (Uп +4,5 В) ÷ Uп -4,5 В

Характеристика преобразованияIвыхН 5 X Iвых ± 1,5 мА

IвыхН 5 X Iвых ± 1,5 мА


Входное импульсное напряжение UВХ.ИМП (8 ÷ 100) В

Входное постоянное напряжение UВХ.ПОСТ (8 ÷ 50) В

Рабочий диапазон падения напряжения на датчике тока UД* (0 ÷ 0,5) В

Допустимый диапазон падения напряжения на датчике тока UД* (0 ÷ 1,25) В

Выходное напряжение UВЫХ2 (UДХ10)±0,25 В

Внутреннее выходное сопротивление RВЫХ2 (4 ÷ 6,4) кОм

Ток сигнала защиты: при UД*=0,5В при UД*=1,1В

IОГР1

<4мкА>10мА

* Напряжение на датчике тока: UД= UВХ - UВЫХ1.

Имеются образцы для тестирования Имеются образцы для тестирования

Значение основных электрических параметров





6766

7 ИЗДЕЛИЯ В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ И/ИЛИ ОСВОЕНИЯПреобразователь входных дискретных сигналов (аналоговый мультиплексор) 3005НХ014А

7 ИЗДЕЛИЯ В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ И/ИЛИ ОСВОЕНИЯСхема управления импульсным обратноходовым источником питания 3005ЕУ014

Модуль состоит из 8 кристаллов, размещённых в одном корпусе 4137.34-3.1. Два кристалла дешифратора одного типа;2. Интегрированные в кристалл элементы коммутации S1...S16, выполненына основе кристалла с 16 р-канальными ДМОП с общим стоком и резисторомзатвор-исток для формирования управляющего напряжения затвор-исток и кристалл с 16 раздельными диодами;3. Кристалл с 16 формирователями тока управления затвор - исток ДМОП;4. Кристалл с 16 защитными диодами с общим катодом;5. Кристалл с 16 раздельными диодами;6. Кристалл с 16 защитными диодами с общим анодом;7. Кристалл компаратора с открытым коллектором, содержащий триггерШмидта с выходом для управления внешними устройствами.• Рабочий диапазон температур окружающей среды (-60 ÷ 125) °С• Диодная защита входов• Время задержки изменения выходного логического сигнала DO-Lкомпаратора относительно изменения входного напряжения Uc компаратора - не более 15 мкс;• Кристаллы МКМ выполнены по различным технологиям• Категория качества МКМ -«ВП»• МКМ имеет повышенную стойкость к специальным факторам и ЭМИ• Масса изделия не более 4,2г.

Микромодуль состоит из двух кристаллов разного типа (изготовленных по технологиям 100В КСДИ и 15В КСДИ), размещённых в корпусе 4112.16-2:1 - Кристалл с элементами высоковольтной схемы формирования служебного питания и источником опорного напряжения на стабилитроне;2 - Кристалл схемы возбуждения обратноходового источника питания иуправления ДМОП -транзисторами с элементами защиты.• Рабочий диапазон температу р окружающей среды (-60 ÷ 125) °С• МКМ устойчива к высоким импульсным напряжениям• Возможно управление силовым ключом с ШИМ и ЧМ одновременно•МКМ поддерживает возможность выбора резистора нагрузки основного компаратора без существенных изменений характеристик схемы• МКМ поддерживает схемы самовозбуждения дляимпульсного преобразователя напряжения питания• Ток потребления остаётся стабильным в широкомдиапазоне напряжений питания и температур• Максимальная частота переключения компараторане менее 0,3Мгц (ёмкость нагрузки 3900пФ)• МКМ обеспечена защитой от КЗ и перегрузок• Выполнено по биполярной технологии КСДИ.• Категория качества МКМ - «ВП»• МКМ имеет повышенную стойкость к специальным факторам и ЭМИ


Входное напряжение схемы формирования служебного питания

UП ПОСТUП ИМП

(8...45) В(8...66) В, длительность импульса не более 1с(8...100) В, длительность импульса не более 10мс

Предельно-допустимое входное напряжениесхемы формирования служебного UП ИМП

(8...80) В длительность импульса напряжения 80 В в течение 0,1с с последующим линейным снижением до 66 В в течение 0,9с

Напряжение служебного источника питания: UСЛ7,5В или 10,0 В - при использовании встроенного делителя,(7,5...15) В - при использовании внешнего делителя

Входное синфазное напряжение компаратора UВХ1, UВХ2 (0÷5)Впри амплитуде входного сигнала 200 мВ

Выходные напряжения низкого уровня UВЫХ1, UВЫХ2 ≤ 0,5В(UВЫХ1) и 0,56В(UВЫХ2)

Входные токи компаратора IВХ1, IВХ2, IВХ КЗ не более |-3500|нА

Ток потребления (статический), не более IПОТ1, 2 20мА (в состоянии лог. 0 и 1 на выходе UВЫХ1)

Ток потребления (общий), не более IПОТ

41 мА (частота входного сигнала 300 кГц, CH=3900 пФ,амплитуда (UВХ1, UВХ2) -200мВ, UСЛ=9,5В)

Параметр Буквенное обозначение ЗначениеНапряжение питания UПИТ (3,0 ÷ 3,6) В

Уровни входных цифровых сигналов управления А3, А2, А1 А0, E0-L - (0 ÷ 3,6) В

Значения напряжений срабатывания компаратора (при выходномсопротивлении источника сигнал (0 - 1) кОм;) UС 1,4В ±5 %В

Значения напряжений отпускания компаратора (при выходномсопротивлении источника сигнал (0 - 1) кОм;) UС 1,1 В ±5 % В

Входное (коммутируемое напряжение ) по выводам DSI 1-DSI 6 UBX DSI 1 - UBX DSI 16 (7 ÷ 66) В

Входной ток по выводам DSI 1-DSI 16 IВХ 110 мА





1 UK1

2 UK2

3 UK1

4 0V5 0VC

6 UВЫХ КЗ

7 UВХ КЗ

8 UВХ1

9 UВХ2

10 UОС2

11 UОС3

12 UГ

13 UВЫХ2

14 UСЛ15 UВЫХ1

16 UП



18-33 Сигнальные входы

34 Не используется

1-3 Шина ограничения 0В

4-6 Шина ограничения (66-100)В

7-8 Выход преобразователя

9 Шина 0В преобразователя

10 Вход компаратора

11 Выход компаратора

12 Напряжение питания 3,3 В

13 Вход дешифратора



16 Вход стробирования17 Вход дешифратора

Имеются образцы для тестирования Имеются образцы для тестирования

Корпус 4137.34-3




6968

7 ИЗДЕЛИЯ В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ И/ИЛИ ОСВОЕНИЯМодуль полупроводниковый силовой М17-100-1-1

7 ИЗДЕЛИЯ В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ И/ИЛИ ОСВОЕНИЯШИМ-контроллер с регулированием по току 5319ЕВ015, 5319ЕВ025, 5319ЕВ035, 5319ЕВ045Микросхемы предназначены для построенияимпульсных источников питания с регулированием потоку с минимальным числом внешних элементов иобеспечивают выполнение всех основных функцийсхемы управления. микросхема содержиттермоскомпенсированный источник опорногонапряжения, широкополосный усилитель ошибки,ШИМ-компаратор, обеспечивающий регулирование потоку, генератор, выходной драйвер полумостового типа и схему контроля нижнего уровня питающего напряженияс гистерезисом.• Рабочий диапазон температур (-60 ÷ 125) °С• Ограничение тока в каждом периоде• Разброс по частоте не более 10%• Пусковой ток менее 500 мкА• Микросхемы выполнены по биполярной технологии • Категория качества микросхем - “ВП”• Масса изделия не более 0,2г.• Ближайшие аналоги: UС1842, UС1843, UС1844, UC1845

Модуль состоящий из силовых диода иМОП-транзистора включены по схеме«нижнего чоппера», с затворнымрезистором сопротивлением 4,7 Ома.Предназначен для применения впреобразователях энергии.ТУ: ВЛЕИ.435714.001 ТУ ГК• Изолированный корпус• Низкое сопротивления открытого канала (0,01 Ом)• Встроенный затворный резистор (4,7 Ом)• Диод 100В, 100А


Условноеобозначение


1 COMP UK1

2 VFB UK2

3 IS UK1

4 Rt/Ct 0V

5 GND 0VC

6 OUT UВЫХ КЗ

7 Vcc UВХ КЗ

8 VREF UВХ1





1 Не задействован 10 Не задействован2 Не задействован 11 Не задействован3 Затвор 12 Не задействован4 Исток 13 Не задействован5 Не задействован 14 Не задействован

6 Не задействован 15 Сток транзистора, аноддиода

7 Не задействован 16 Исток8 Не задействован 17 Катод9 Не задействован


Чертеж корпуса 5205.8-2

Блок-схема ИМС 5319ЕВ015, 5319ЕВ025, 5319ЕВ035, 5319ЕВ045

Схема электрическаяпринципиальная.

Внешний вид модуляМП 41.17-1


Напряжение питания (низкоимпедансный источник) UVcc ≤ 28В

Ток потребления IПОТ ≤ 18 мА

Выходное напряжение высокого уровня (1вых = -200 мА) UВЫХ.В > 13 В

Выходное напряжение низкого уровня (1вых = 200 мА) UВЫХ.Н ≤ 2,2 В

Выходной ток импульсный (постоянный) IО ± 1 А (± 200 мА)

Опорное напряжение UОП (4,90 ÷ 5,10) В

Частота генерирования FГ (47 ÷ 57) кГц

Напряжение срабатывания (включения) по выводу питаниядля 5319ЕВ015, 5319ЕВ035 5319ЕВ025, 5319ЕВ045

UСРБ 7(14,5 - 17,5) В

(7,8 - 9,0) В

Напряжение отпускания (выключения) по выводу питаниядля 5319ЕВ015, 5319ЕВ035 5319ЕВ025, 5319ЕВ045

UОТП 7(8,5 - 11,5) В(7,0 - 8,2) В

Коэффициент заполнениядля 5319ЕВ015, 5319ЕВ025 5319ЕВ035, 5319ЕВ045

KЗАП

(93 ÷ 100)%(44 ÷ 50)%

Время нарастания выходного сигнала (СН=1 нФ) tНАР.ВЫХ ≤ 150 нс

Время спада выходного сигнал (СН=1 нФ) tСП.ВЫХ ≤ 150 нс

Примечание: UVCC = 15В, Rt=10 кОм, Ct= 3,3 нФ, если не указан другой режим



Параметр Буквенное обозначение Режим измерений

Значение ЕдиницаизмеренияМин. Макс.

Напряжение сток исток. UСИ ТКР=25 °С 100 В

Постоянный прямой ток черезтранзистор IПР ТКР=25 °С 100 А

Начальный ток стока транзистора IС-нач

ТКР=25 °С, UСИ=100В,UЗИ=0В 100 мкА


ТКР=-60 °С, UСИ=100В,UЗИ=0В 75 мкА

Сопротивления открытого канала транзистора RСИ-отк

ТКР=25 °С, IC=100A,UЗИ=10В, tИМП=100мкС 0,010 Ом

Пороговое напряжения транзистора UЗИ

ТКР=25 °С, IC=250мкА,UЗС=0В 1,5 6,0 В

Прямое падения напряжения на диоде UПР

ТКР=25 °С, IПР=100А.tИМП=100мкС 1,05 В

Постоянный прямой ток через диод IПР ТКР=25 °С 100 А

Постоянный обратный ток диода IОБР

ТКР=25 °С, UОБР=100В,tИМП=10мС, UЗИ=0В 100 мкА

Постоянное обратное напряжение диода UОБР ТКР=25 °С 100 В




7170

7 ИЗДЕЛИЯ В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ И/ИЛИ ОСВОЕНИЯМодуль полупроводниковый силовой М17-100-1-1

7 ИЗДЕЛИЯ В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ И/ИЛИ ОСВОЕНИЯСиловой модуль МПД-360-2.1

Модуль состоящий из силовых диода иМОП-транзистора включены по схеме«верхнего чоппера», с затворнымрезистором сопротивлением 4,7 Ома.Предназначен для применения впреобразователях энергии.ТУ: ВЛЕИ.435714.001 ТУ ГК• Изолированный корпус• Низкое сопротивления открытого канала (0,01 Ом)• Встроенный затворный резистор (4,7 Ом)• Диод 100В, 100А

Силовой модуль выполнен в металлопластмассовомкорпусе с неизолированным основанием и винтовым соединением токоведущих проводников.Предназначен для применения преобразователях энергии, в силовых высокочастотных выпрямителях.

• Прямое падение напряжения 0,9 В• Прямой ток 360 А• Обратное напряжение 200 В• Низкое тепловое сопротивление кристалл-корпус• Надежное крепление с помощью винтов

Анод диода электрически соединен с основаниемкорпуса, что дает возможность комбинироватьего в схемах с идентичным по параметрамсерийным модулем МПД1-360-2 у которого коснованию корпуса подключен катод.





1 Не задействован 10 Не задействован

2Исток транзистора,

катод диода 11 Не задействован

3 Не задействован 12 Не задействован4 Не задействован 13 Не задействован5 Не задействован 14 Не задействован

6 Не задействован 15 Исток транзистора, катоддиода

7 Не задействован 16 Анод8 Не задействован 17 Сток9 Не задействован

Схема электрическаяпринципиальная.

Внешний вид модуляМП 41.17-1

Расположение выводов:1-Катод; 2-Анод

Параметр Буквенное обозначение Режим измерений


Напряжение сток исток. UСИ ТКР=25 °С 100 В

Постоянный прямой ток черезтранзистор IПР ТКР=25 °С 100 А

Начальный ток стока транзистора IС-нач



ТКР=-60 °С, UСИ=100В,UЗИ=0В 75 мкА

Сопротивления открытого канала транзистора RСИ-отк

ТКР=25 °С, IC=100A,UЗИ=10В, tИМП=100мкС 0,010 Ом

Пороговое напряжения транзистора UЗИ

ТКР=25 °С, IC=250мкА,UЗС=0В 1,5 6,0 В

Прямое падения напряжения на диоде UПР


Постоянный прямой ток через диод IПР ТКР=25 °С 100 А

Постоянный обратный ток диода IОБР

ТКР=25 °С, UОБР=100В,tИМП=10мС, UЗИ=0В 100 мкА

Постоянное обратное напряжение диода UОБР ТКР=25 °С 100 В

Параметр Буквенное обозначение Условия испытания


Постоянное обратное напряжение UОБР ТКР=25 °С 200 В

Постоянное прямое напряжение UПР


ТКР=-40 °С, IПР=360А.tИМП=300мкС 1,0 В


Постоянный прямой ток IПР ТКР=25 °С 360 А

Постоянный обратный ток IОБР

ТКР=25 °С, UОБР=200В,tИМП=10мС 3 мА

ТКР=100 °С, UОБР=200В,tИМП=10мС 20 мА

Тепловое сопротивление переходакристал корпус RT 0,3 0С/Вт





7372

8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВМЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ КОРПУСА


КТ-99-1 КТ-94

5220.3-2 (микросхемы 1334ЕН) КТ-94

5220.3-2 (микросхемы 1334ЕИ) КТ-94

КТ-93 КТ-95




7574



КТ-28А-2.02 КТ-43А-1.01

КТ-28А-2.02 (микросхемы)

КТ-108-1

КТ-28А-2.02 КТ-43А-1.01

КТ-43А-1.01

КТ-109А-1К




7776



КТ-109-1 МК 41.24-1К

КТ-15

КТ-112-1

КТ-112-1 КТ-32A

КТ-42

КТ-112-2




7978



КТ-44 КТ-56

КТ-4-2

КТ-45

КТ-32 КТ-17КТ-18

МК 5205.8-1

КТ-56




8180



МК 5205.8-2

402.16-32

4112.16-2

405.24-2

2101.8-7

402.16-33

4153.20-01

4118.24-1




8382



4119.28-3 4122.40-3.01 H18.64-2B

4245.240-6

H16.48-2B




8584



4244.256-3

4248.144-1

4245.240-6 (с формованными выводами) 4244.256-3 (с формованными выводами)




8786


8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВМЕТАЛЛОСТЕКЛЯННЫЕ КОРПУСА

4251.304-2

4254.352-1

КТ-97В-22.01

КТ-97A-5.01

КТЮ-3-9

КТЮ-3-1

КТЮ-3-20

КТЮ-3-6




8988

8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВМЕТАЛЛОСТЕКЛЯННЫЕ КОРПУСА

8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВМЕТАЛЛОПЛАСТМАССОВЫЕ КОРПУСА

КТ-9С

401.14-3

401.14-6

401.14-5

KT-90

KT-89 KT-89

KT-90




9190



KT-28-1

KT-28-2

4320.8-A 4307.16-C

2103.16-E

KT-28-2




9392



КТ-43В КТ-115

КД-44 ТО-244 Мод.2 (изолированный)

МП 41.17-1

КТ-43В

КТ-43В

КТ-43В




9594



ТО-244 Мод.3 (неизолированный)

М13-360-2 УХЛЗ

КТ-46 КТ-48В

BGA380

ТО-244 Мод.1




9796

10 КАРТОЧКА ПРЕДПРИЯТИЯ9 УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ9.1 Перечень аналогов корпусов

Корпус Тип корпуса Аналог

ТО-244 Мод.1 Металлопластмассовый TO-244ТО-244 Мод.2, изолированный Металлопластмассовый TO-244AB (Isolated)

ТО-244 Мод.3, неизолированный Металлопластмассовый TO-244AB4245.240-6 Металлокерамический CQFP 2404244.256-3 Металлокерамический CQFP 256

5220.3-2 Металлокерамический Sot-89КТ-28-1 Металлопластмассовый TO-220ACКТ-28-2 Металлопластмассовый TO-220AB

КТ-28А-2.02 Металлокерамический TO-257AAКТ-4 Металлокерамический TO-60

КТ-15 Металлокерамический MD-36КТ-17 Металлокерамический MT-72hКТ-18 Металлокерамический MT-62КТ-32 Металлокерамический X-123КТ-9С Металлостеклянный TO-204AAКТ-42 Металлокерамический MRA-4

КТ-43А-1.01 Металлокерамический TO-254AAКТ-43В Металлопластмассовый TO-218КТ-45 Металлокерамический TRB-BALКТ-56 Металлокерамический TRB-67КТ-89 Металлопластмассовый DPakКТ-90 Металлопластмассовый D2PakКТ-93 Металлокерамический SMD-0,5КТ-94 Металлокерамический SMD-1КТ-95 Металлокерамический SMD-2

КТ-99-1 Металлокерамический Sot-894320.8-А Металлопластмассовый So-8

МК 5205.8-1 Металлокерамический DLCC 4/8МК 5205.8-2 Металлокерамический DLCC 8/8

КТ-115 Металлопластмассовый PowIRtab2101.8-7 Металлокерамический Dip-8

КД-4 Металлопластмассовый D-67КТ-46 Металлопластмассовый SOT-23

КТ-48В Металлопластмассовый DB-1SКТ-97В-22.01 Металлокерамический TO-254КТ-97А-5.01 Металлокерамический TO-2575119.16-А. Металлокерамический DLCC-16

Полное название: Акционерное Общество "Воронежский Завод Полупроводниковых Приборов - Сборка"

Сокращенное название: АО "ВЗПП-С"

Юридический адрес: 394007, Россия, г. Воронеж, Ленинский проспект, 119а

Фактический адрес: 394033, Россия, г. Воронеж, Ленинский проспект, 119а

Отдел сбыта, тел.: (473) 226-73-30

Отдел маркетинга. тел./факс (473) 223-69-51

Расчетный счет: 40702810125000001849

Наименование банка: Филиал ПАО Банк ВТБ г. Воронеж

Корреспондентский счет: 30101810100000000835

БИК: 042007835

ИНН: 3661033635

КПИ: 366101001

ОКПО: 22788135




9998

10 НАГРАДЫ 12 ДЛЯ ЗАМЕТОК


www.vzpp -s . r u market@vzpp -s . r u100

12 ДЛЯ ЗАМЕТОК

Documents

АО «Воронежский Завод Полупроводниковых ...vzpp-s.ru/production/catalog.pdf6 Изделия, поставляемые по ТУ ГК 55 7 Изделия