Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Фізичний факультет

Підготовка фахівців

освітньо-кваліфікаційного рівня

«МАГІСТР»

Спеціальність: 8.05080102 – Фізична та біомедична електроніка

ЧЕРНІВЦІ 2012

Магістерська програма спеціальності8.05080102 – Фізична та біомедична електроніка

Інформація про випускову кафедру

Для спеціальності 8.05080102 – Фізична та біомедична електронікавипусковою є кафедра електроніки і енергетики ЧНУ. Завідувач кафедри –доктор фізико-математичних наук, професор Мар’янчук Павло Дмитрович.Викладацький склад кафедри: 3 доктори фізико-математичних наук,професори; 16 кандидатів фізико-математичних наук: 8 доцентів, 8асистентів.

Обґрунтування потреби підготовки магістрів спеціальності8.05080102 – Фізична та біомедична електроніка

Аналіз українського та світового досвідів у виробництві та експлуатаціїелектронних напівпровідникових приладів та устаткування свідчить, щофахівці зі спеціальності «Фізична та біомедична електроніка» потрібнінауково-дослідним організаціям; підприємствам електронної промисловості;медичним установам; навчальним закладам, що здійснюють підготовку таперепідготовку кадрів у сфері електроніки та проводять при цьому науковийпошук, розробку і налагодження виробництва сучасних електроннихприладів; організаціям, які будуть впроваджувати і експлуатувати електроннеобладнання.

Освітньо-кваліфікаційна характеристика спеціальності8.05080102 – Фізична та біомедична електроніка

Мета програми підготовки фахівця ОКР «Магістр» за спеціальністю8.05080102 – Фізична та біомедична електроніка забезпечитифундаментальну теоретичну та практичну підготовку висококваліфікованихкадрів, які б набули глибоких міцних знань для виконання професійнихзавдань та обов’язків науково-дослідницького та інноваційного характеру вгалузі сучасної електроніки, здатності до самостійної науково-педагогічноїдіяльності в умовах вищих навчальних закладів різного рівня акредитації.

Мета програми підготовки фахівця зі спеціальності 8.05080102 –Фізична та біомедична електроніка: вивчення науково-технічних татехнологічних основ сучасної фізичної та біомедичної електроніки,засвоєння та практичного використання основних законів і закономірностей,які визначають можливість використання електронних процесів велектронних напівпровідникових приладах і устаткуванні. Фахова підготовкапередбачає вивчення нових типів і конструкцій приладів і устаткуванняфізичної і біомедичної електроніки.

У результаті виконання даної програми студент-магістр має набути

таких компетенцій:Знати:

− фізики електронних процесів, які відбуваються у вакуумі, газах, металах,напівпровідниках і діелектриках під впливом різних полів і різних типіввипромінювань;

− технологічних основ електроніки і технології виготовленнянапівпровідникових приладів та структур інтегральної електроніки;

− матеріалознавчих аспектів функціональних елементів електроніки;− будов та принципів дії приладів і пристроїв твердотільної, функціональної,

НВЧ, квантової, фото та енергетичної електроніки;− загальної фізіології людини та вплив на неї різних полів;− біологічних сигналів та принципів роботи приладів біомедичної

електроніки;− фізики нерівноважних процесів в напівпровідниках;− принципів роботи напівпровідникових фотоперетворювачів;− фізики і діагностики поверхні та вторинних джерел живлення;− сучасних програм, засобів та методів математичного моделювання;− основ та методів проведення наукових досліджень;− основ психології та педагогіки викладання дисциплін у вищій школі.

Вміти:− проводити вибір і дослідження конструкційних матеріалів та матеріалів для

активних елементів приладів і устаткування фізичної та біомедичноїелектроніки;

− виконувати розрахунки та розробляти схеми електронних приладів іустаткування фізичної та біомедичної електроніки;

− проводити технологічні роботи по виготовленню активних елементівелектронних напівпровідникових приладів і устаткування;

− монтувати і налагоджувати устаткування і прилади фізичної та біомедичноїелектроніки;

− експлуатувати електронні напівпровідникові прилади і устаткування;− експлуатувати програмні засоби контролю та управління електронними

приладами і устаткуванням;− керувати та брати безпосередню участь в роботах по ремонту і

обслуговуванню електронних приладів і устаткування;− розробляти технічну та проектно-кошторисну документацію до проекту

напівпровідникових приладів і устаткування;− проводити тестування окремих елементів та приладів і устаткування в

цілому;− забезпечувати заходи та засоби охорони праці, техніки безпеки та охорони

довкілля на підприємствах, які виготовляють та експлуатують електронніприлади і устаткування;

− проводити викладання дисциплін спеціалізації у професійних навчально-виховних закладах зі спеціальності “Фізична та біомедична електроніка”;

− покращувати характеристики існуючих та розробляти принципово нові

прилади електроніки;− організовувати науково-дослідну роботу в галузі електроніки;− викладати дисципліни спеціалізації у вищих навчальних закладах.

Прогнозування подальшої діяльності: підготовка магістра спрямованана його адаптацію до конкретної науково-дослідної та виробничої діяльностів освітніх, науково-дослідних та виробничих інституціях, а також є базоюдля продовження навчання в аспірантурі та підготовки професорсько-викладацького складу для кафедр з спеціальністю спеціальності 8.05080102 –Фізична та біомедична електроніка у вищих навчальних закладах різногорівня акредитації.

Зміст підготовки фахівця за ОКР «Магістр» спеціальності8.05080102 – Фізична та біомедична електроніка

№п/п Назва дисципліни К-сть

годинК-сть

кредитівІ. Цикл гуманітарної та соціально-економічної підготовки

Дисципліни нормативної підготовки1. Педагогіка та психологія вищої школи 108 32. Методика викладання фізико-технічних

дисциплін у вищій школі 54 1,5

3. Цивільна захист 36 1Дисципліни самостійного вибору ВНЗ

4. Інтелектуальна власність 36 15. Вища освіта і Болонський процес 36 1

ІІІ. Цикл професійної та практичної підготовкиДисципліни нормативної підготовки

1. Охорона праці в електроніці 36 12. Фізика нерівноважних процесів в

напівпровідниках 270 7,5

3. Напівпровідникові квантові структури інадгратки 270 7,5

4. Асистентська практика 432 125. Магістерська робота 360 10

Дисципліни самостійного вибору ВНЗ6. Способи підвищення ефективності

фотоперетворювачів 252 7

7. Дослідження напівпровідників методомтермостимульованої релаксації 270 7,5

Програми навчальних дисциплін для підготовки фахівцяза ОКР «Магістр» спеціальності

8.05080102 – Фізична та біомедична електроніка

«ПЕДАГОГІКА ТА ПСИХОЛОГІЯ ВИЩОЇ ШКОЛИ»108 год. (3 кредити)

Форма контролю: екзаменВикладацький склад:Предик Аліна Анатоліївна – к.пед.н., доцент кафедри педагогіки та методики початковоїосвіти (факультет педагогіки, психології та соціальної роботи).

Мета викладання дисципліни: ознайомлення студента, як майбутньоговикладача, з психолого-педагогічними особливостями навчально-виховногопроцесу у вищій школі, озброєння його сучасними психолого-педагогічнимитехнологіями, методами організації творчого пошуку майбутнього фахівця;засобами виховання та розвитку особистості; теоретична підготовкастудентів до професійно-педагогічної та науково- педагогічної діяльності увищій школі, формування інтересу і готовності до самостійного пізнанняпроблем дидактики, теорії та методики професійної освіти, сучаснихтенденцій розвитку освіти та інтеграційних процесів у ній шляхомопанування засад загальної методології педагогічного знання та методикипсихолого-педагогічної діагностики; удосконалення практичних навичокта вмінь студентів щодо реалізації методик психолого-педагогічноїдіагностики, розширення їх особистісного професійного досвіду організаціїбезперервної самоосвітньої діяльності та науково-дослідної роботи в умовахсучасного педагогічного процесу вищої школи, її інтеграції в Європейськийосвітній простір.

Після опанування змісту даної навчальної дисципліни студентповинен оволодіти наступними компетенціями:

знання:- специфіки педагогіки та психології вищої школи як науки та галузі

професійної діяльності; понятійно-категоріального апарату інтегрованогонавчального курсу; принципів, методів, форм організації педагогічногопроцесу та науково-педагогічної діяльності у ВНЗ; сучасного стану іперспективи розвитку системи вищої освіти в Україні; специфікизастосування новітніх технологій навчання у вищій школі; особливостейуправлінської діяльності у ВНЗ; психологічних закономірностей психолого-педагогічних умов ефективності організації процесу навчання і виховання увищій школі.

- психолого-педагогічних основ діяльності основних підрозділів вищогонавчального закладу; форм та методів організації навчально-виховної роботиу вищій школі України в контексті вимог Європейського освітньогопростору, основних методів профорієнтації студентів; психолого-педагогічний зміст навчальної та пізнавальної діяльності студентів, методів іформ активізації самостійного наукового пошуку студентів; психолого-педагогічних характеристик педагогічної майстерності викладача; вікові

особливості студентського віку, основні компоненти структури особистостістудента, його ціннісно-мотиваційну систему, будову та закономірностіформування і прояву Я-концепції студента; особистісних якостей викладачаВНЗ і професійних вимог до нього.

вміння:- проектувати елементи навчального процесу, зокрема навчальну

програму, лекцію, тести тощо та оцінювати якість навчального процесу;- організовувати навчальну діяльність студентів, активізувати їх

самостійну роботу та наукову творчість; готувати, організовувати йпроводити на високому рівні лекції, практичні та семінарські заняття,застосовувати сучасні освітні технології, добирати оптимальні форми таметоди педагогічної діяльності, керувати процесом особистісного розвиткустудентів, стимулювати самостійну роботу студентів; забезпечуватиуправління ВНЗ; використовувати педагогічний досвід зарубіжних вищихнавчальних закладів; організовувати виховну роботу зі студентами;здійснювати саморозвиток, самоосвіту, самовиховання, самоорганізацію;аналізувати сучасний стан і головні тенденції розвитку освіти в Україні і зарубежем, шляхи інтеграції системи вітчизняної освіти в європейську і світовуосвітню систему.

Навчальним планом на вивчення інтегрованого курсу "Педагогіка тапсихологія вищої школи" передбачено 108год. (3 кредити), два модулі:модуль «Педагогіка вищої школи» та модуль «Психологія вищої школи»,кожен з яких містить свої змістові модулі (ЗМ). Кожен змістовий модульмістить навчальні елементи (НЕ) – теми лекційних занять.

Після вивчення дисципліни проводиться підсумковий модуль-контроль -екзамен.

Список змістових модулів та навчальних елементівМОДУЛЬ «ПЕДАГОІКА ВИЩОЇ ШКОЛИ»

ЗМІСТОВИЙ МОДУЛЬ І«ТЕОРЕТИЧНІ ОСНОВИ ПЕДАГОГІКИ ВИЩОЇ ШКОЛИ»

НЕ 1.1.Педагогіка вищої школи як наука. Предмет педагогіки вищоїшколи. Основні категорії педагогіки вищої школи. Місце педагогіки вищоїшколи в системі педагогічних наук. Зв'язок педагогіки вищої школи зіншими науками. Основи наукового педагогічного дослідження.Методологія і принципи організації наукового дослідження. Логікапедагогічного дослідження. Методи наукового педагогічного дослідження.НЕ 1.2. Система вищої освіти в Україні. Структура вищої освіти вУкраїні. Освітні та освітньо-кваліфікаційні рівні вищої освіти. Документипро вищу освіту. Рівні акредитації та типи вищих навчальних закладів.Принципи побудови системи вищої освіти в Україні. Перспективи розвиткувищої освіти України в рамках Болонського процесу. Болонський процес якзасіб інтеграції і демократизації вищої освіти. Кредитно-модульна системаорганізації навчального процесу у вищих навчальних закладах України.Управління вищою освітою в Україні.

ЗМІСТОВИЙ МОДУЛЬ ІІ«ПЕДАГОГІЧНИЙ ПРОЦЕС У ВИЩІЙ ШКОЛІ»

НЕ 2.1. Теоретичні основи процесу навчання у вищій школі. Сутність іструктура процесу навчання у вищій школі. Основні ланки процесунавчання та їх характеристика. Функції навчання. Дидактика як галузьпедагогіки вищої школи. Закономірності дидактики вищої школи.Характеристика принципів дидактики вищої школи. Структура діяльностісуб’єктів навчального процесу.НЕ 2.2. 3міст освіти у вищій школі та способи його реалізації. Змістосвіти у вищій школі. Поняття про зміст освіти у вищій школі.Характеристика навчальних планів, програм і підручників для вищоїшколи. Методи і засоби навчання у вищій школі. Особливостівикористання загальних методів навчання у вищій школі. Характеристикаметодів навчання за Ю.К.Бабанським. Засоби навчання у вищій школі.НЕ 2.3. Форми організації навчання у вищій школі . Характеристикаосновних форм організації навчання у вищій школі. Лекції, їх види,методика підготовки і проведення. Семінарські заняття, їх види, методикапідготовки і проведення. Лабораторні та практичні заняття, методика їхпідготовки і проведення. Факультативи, спецкурси та спецсемінари,методика їх підготовки і проведення. Самостійна робота студентів.Навчальна і виробнича практика у професійній підготовці фахівців.НЕ 2.4. Сучасні технології навчання у вищій школі. Поняття пропедагогічні технології. Проблемне навчання у вищій колі. Використанняділових та рольових ігор у навчальному процесі ВНЗ. Кредитно-модульна(рейтингова) система навчання у вищій школі. Інформаційні технологіїнавчання у ВНЗ.НЕ 2.5. Контроль і оцінювання знань, умінь та навичок студентів.Функції контролю знань, умінь і навичок студентів. Вимоги до організаціїконтролю. Види контролю. Міжсесійний контроль. Підсумковий контроль.Методи контролю. Усний контроль. Письмовий контроль. Тестовийконтроль. Програмований контроль. Практична перевірка. Методисамоконтролю і самооцінки. Форми контролю знань, умінь і навичокстудентів. Індивідуальна перевірка успішності студентів. Фронтальнаперевірка. Оцінювання результатів навчально-пізнавальної діяльностістудентів. Об'єкти оцінювання. Критерії і норми оцінювання успішностістудентів. Рейтингова система оцінювання знань.НЕ 2.6. Виховна робота зі студентською молоддю. Суть процесувиховання. Поняття процесу виховання. Основні завдання вихованнястудентської молоді. Етапи процесу виховання. Закономірності і принципивиховання. Основні напрями змісту виховання студентської молоді.Моральне виховання студентів. Правове виховання студентів. Екологічневиховання студентів. Естетичне виховання студентів. Фізичне вихованнястудентів. Шляхи реалізації змісту виховання студентів. Форми виховноїроботи у ВНЗ. Методика виховної роботи куратора в академічній групі.

ЗМІСТОВИЙ МОДУЛЬ ІІІ«УПРАВЛІННЯ ВИЩОЮ ШКОЛОЮ»

НЕ 3.1. Управління навчально-виховним процесом вищого навчальногозакладу. Вищий навчальний заклад. Структура вищого навчальногозакладу та планування його діяльності. Управління навчально-виховнимпроцесом у ВНЗ. Органи громадського самоврядування у вищихнавчальних закладах. Студентське самоврядування у ВНЗ.

МОДУЛЬ «ПСИХОЛОГІЯ ВИЩОЇ ШКОЛИ»ЗМІСТОВИЙ МОДУЛЬ І

«ЗАГАЛЬНІ ЗАСАДИ ПСИХОЛОГІЇ ВИЩОЇ ШКОЛИПСИХОЛОГІЧНА ХАРАКТЕРИСТИКА СТУДЕНТСЬКОГО ВІКУ»

НЕ 1.1. Психологія вищої школи як наука: предмет, завдання та методипсихологічних досліджень. Психологія вищої школи як галузьпсихологічної науки: предмет, завдання, зв’язок з іншими галузямипсихологічних знань. Принципи, методи та методики психологічнихдосліджень. Дослідницькі вміння викладача вищої школи. Виникненняпсихології вищої школи як нової галузі психологічних знань. Предмет,основні категорії та завдання психології вищої школи. Зв'язокпсихологи вищої школи з іншими галузями психологічних знань.Принципи, класифікація методів, та методик психологічного дослідження.НЕ 1.2 Загальна психологічна характеристика студентського віку тастудентської групи. Психологічна характеристика студентського віку якперіоду пізньої юності або ранньої дорослості. Суперечливості та кризистудентського віку. Типологічні особливості сучасних студентів. Вищийнавчальний заклад - один із провідних факторів соціалізації особистостістудента як фахівця (адаптація, індивідуалізація, інтеграція)

ЗМІСТОВИЙ МОДУЛЬ ІІ«ПСИХОЛОГІЧНІ ЗАСАДИ ОРГАНІЗАЦІЇ ПРОЦЕСУ НАВЧАННЯ ІВИХОВАННЯ У ВИЩІЙ ШКОЛІ ТА УПРАВЛІННЯ НАВЧАЛЬНО-

ПРОФЕСІЙНОЮ ДІЯЛЬНІСТЮ СТУДЕНТІВ»НЕ 2.1. Становлення особистості студента як майбутнього фахівця звищою освітою у навчально-професійній діяльності. Навчально-професійна діяльність як провідна, її ознаки. Професіоналізація особистостістудента як новоутворення віку: а) професіоналізація пізнавальноїсфери; б)формування мотиваційно-професійної спрямованості особистості;в) розвиток «Я-концепції» як показника професійного зростання; г)формування професійних здібностей. Фахова компетентність як показникпсихологічної готовності студента до професійної діяльності. Рольсамовиховання в професійному зростанні студента.НЕ 2.2. Психологічний аналіз учіння студентів. Студент як суб'єктвласної навчально-професійної діяльності. Роль мотивації в навчально-професійній діяльності. Організація самостійної навчально-пізнавальноїдіяльності студентів та розвиток їх творчого потенціалу як майбутніхфахівців. Психологічні передумови і показники успішності студентів унавчально-професійній діяльності, причини неуспішності і шляхи їх

усунення.НЕ 2.3. Психологія виховання особистості студента як фахівця звищою освітою. Сучасні вимоги до особистості фахівця з вищою освітоюта мета, зміст, завдання виховання студентів. Психологічні механізмиформування якостей особистості та аналіз відповідних функцій виховання.Основні напрями реалізації виховних функцій у вищому навчальномузакладі та їх характеристика.НЕ 2.4. Психологічний аналіз функцій управління навчально-виховнимпроцесом у вищій школі. Освіта як система, характерні для неїособливості. Необхідність і об'єктивні можливості управління системоюосвіти. Психологічний аналіз функцій педагогічного управління.

ЗМІСТОВИЙ МОДУЛЬ ІІІ«ПСИХОЛОГІЯ ОСОБИСТОСТІ ТА ДІЯЛЬНОСТІ ВИКЛАДАЧА ВНЗ»НЕ 3.1. Психологічна характеристика науково-педагогічної діяльностіта особистості викладача вищої школи .Психологічний аналіз видівнауково-педагогічної діяльності викладачів ВНЗ. Психолого-педагогічнаструктура діяльності викладача.НЕ 3.2. Психологія педагогічної комунікативної взаємодії викладача зістудентами. Психологічна характеристика педагогічної взаємодії.Педагогічне спілкування як форма контактної взаємодії. Труднощі табар'єри в професійно-педагогічному спілкуванні викладачів і студентів.Діалогічне спілкування, його психологічна характеристика.НЕ 3.3. Психологічний аналіз протиріч і конфліктів у педагогічнійвзаємодії, шляхи їх запобігання та вирішення. Протиріччя і конфлікти впедагогічній взаємодії та засоби їх регулювання. Психологічні передумовизапобігання та шляхи вирішення педагогічного конфлікту.

Основна література до курсу1. Вітвицька С.С. Основи педагогіки вищої школи. - К.: центр. Навчальної літератури,

2003. – 316 с.2. Вітвицька С.С. Практикум з педагогіки вищої школи: Навч. посіб. за модульно-

рейтинговою системою навчання для студентів магістратури. – К.: Центр навчальноїлітератури, 2005. – 396 с.

3. Кузьмінський А.І. Педагогіка вищої школи: Навч. посіб. – К.: Знання, 2005. – 486 с.4. Педагогіка вищої школи: Навч. посібник /За ред. З.Н.Курлянд. – К.: Знання, 2005. –

399 с.5. Фіцула М.М. Педагогіка вищої школи: Навчальний посібник. – К.: «Академвидав»,

2007. – 352 с.6. Організація самостійної роботи студентів в умовах інтенсифікації навчання. – К., 1993.7. Слєпкань З.І. Наукові засади педагогічного процесу у вищій школі. – К., 2005.8. Васьков Ю.В. Педагогічні теорії, технології, досвід (Дидактичний аспект). - X.:

Скорпіон, 2000. - 120 с.9. Болюбаш Я.Я. Положення про організацію навчального процесу у вищому

навчальному закладі. - К., 199610. Положення про організацію навчального процесу в кредитно-модульній системі

підготовки фахівців. - Тернопіль: Вид-во ТНПУ ім. В.Гнатюка, 2004. - 48 с.11. Авдєєва І.М., Мельникова І.М. Інноваційні комунікативні технології в роботі

куратора академгрупи. – К., 2007. – 304 с.12. Виховна робота зі студентською молоддю . Навч. посібник. – Одеса, 2006. – 288.

13. Виховна робота зі студентською молоддю. – Концепція виховної роботи. -Тернопіль, 2001.

14. Мороз В.Д. Сучасні проблеми управління вищою школою // Педагогіка і психологія.- 2002. - №3.

15. Подоляк Л.Г., Юрченко В.І. Психологія вищої школи К.: 2000, – 313с.16. Смирнов С.Д. Педагогика и психология высшего образования М.: 2005. – 392 с.17. Подоляк Л.Г., Юрченко В.І. Психологія вищої школи (Практикум), – К.: 2008, – 333с.

«МЕТОДИКА ВИКЛАДАННЯ ФІЗИКО-ТЕХНІЧНИХДИСЦИПЛІН У ВИЩІЙ ШКОЛІ»

54 год. (1,5 кредити)Форма контролю: екзамен

Викладацький склад:Головацький Володимир Анатолійович – доктор фіз.-мат. наук, професор кафедритеоретичної фізики (фізичний факультет).

Мета викладання дисципліни: викласти магістрантам основи формуваннязнань про методи, засоби, форми, принципи викладання теоретичного тапрактичного курсу «Методика викладання фізико-технічних дисциплін увищій школі». У результаті вивчення курсу студент повинен набути такихкомпетенцій: знання про основи методики викладання як науки танавчальної дисципліни в системі підготовки фахівців, теоретичні основищодо організації навчального процесу при викладанні фізико-технічнихдисциплін; шляхи активізації пізнавальної діяльності студентів у процесівивчення фізики; особливості та специфіку викладання окремих розділівфізики; уміння підбирати зміст лекційних чи практичних занять; розроблятиструктуру лекційних, практичних та лабораторних занять; здійснюватисистему оцінювання знань, умінь та навичок студентів у процесі вивченняфізико-технічних дисциплін.

Вивчення курсу здійснюється за двома змістовими модулями:ЗМІСТОВИЙ МОДУЛЬ І

ТЕОРЕТИЧНІ ОСНОВИ ВИКЛАДАННЯ КУРСУ«МЕТОДИКА ВИКЛАДАННЯ ФІЗИКО-ТЕХНІЧНИХ

ДИСЦИПЛІН У ВИЩІЙ ШКОЛІ»НЕ 1.1. Предмет, мета, завдання вивчення курсу «Методика

викладання фізико-технічних дисциплін у вищій школі».Освітньо-кваліфікаційний рівень «магістр» як початковий етап формуваннявикладача фізико-технічних дисциплін «Методика викладання фізико-технічних дисциплін у вищій школі» в системі підготовки магістрантів.

НЕ 1.2. Особливості навчально-методичного забезпечення курсу«Методика викладання фізико-технічних дисциплін у вищій школі».Створення навчально-методичного комплексу дисципліни «Методикавикладання фізико- технічних дисциплін у вищій школі». Вимоги таособливості створення навчально-методичного комплексу дисципліни.

НЕ 1.3. Основні форми організації навчального процесу в системівивчення курсу «Методика викладання фізико-технічних дисциплін у

вищій школі»: лекція, семінар, практичне заняття, лабораторний практикум.Аналіз основних форм організації навчального процесу у вищій школі звивчення фізико-технічних дисциплін. Лекція в системі формування професійно-орієнтованих знаньмайбутніх магістрів. Практичні та семінарські заняття як основа поглибленнятеоретичних знань та формування практичних умінь майбутніх магістрів.Характеристика методів і засобів навчання при вивченні фізико-технічнихдисциплін.

НЕ 1.4. Організація самостійної роботи студентів при вивченніфізико-технічних дисциплін, активізація їх навчально-пізнавальноїдіяльності у процесі навчання. Перевірка та оцінювання знань, умінь танавичок студентів. Теоретично-методичні засоби самостійної роботи у навчально-виховному процесі ВНЗ. Методи та прийоми активізації навчально-пізнавальної діяльності студентів у процесі вивчення фізико-технічнихдисциплін. Основи педагогічного контролю та основні форми йогоздійснення при формуванні знань студентів.

ЗМІСТОВИЙ МОДУЛЬ ІІМЕТОДИЧНІ АСПЕКТИ ВИКЛАДАННЯ КУРСУ«МЕТОДИКА ВИКЛАДАННЯ ФІЗИКО-ТЕХНІЧНИХ ДИСЦИПЛІН У ВИЩІЙ ШКОЛІ»

НЕ 2.1. Методичні рекомендації до викладання курсів загальної фізикиу вищій школі:

МЕХАНІКА. Способи описування руху систем матеріальних точок.Основні закони механіки.

МОЛЕКУЛЯРНА ФІЗИКА. Описування теплових процесів на макро- імікрорівнях. Основні положення молекулярно-кінетичної теорії та основнізакони термодинаміки і їх застосування.

ЕЛЕКТРИКА І МАГНЕТИЗМ. Електромагнітна взаємодія.Електродинаміка. Розповсюдження електромагнітних хвиль. Основні закониелектродинаміки, їх застосування.

ОПТИКА. Описування оптичних явищ на основі корпускулярно-хвильового дуалізму світла.

АТОМНА ФІЗИКА. Структура атома.Поглинання та випромінювання енергії.ФІЗИКА АТОМНОГО ЯДРА.

Радіоактивність. Структура атомних ядер. Ядерні реакції . Аналіз змісту таособливостей вивчення курсів.

НЕ 2.2. Методичні рекомендації до викладання курсів теоретичноїфізики у вищій школі: Теоретична механіка і основи механіки суцільнихсередовищ. Електродинаміка. Квантова механіка. Термодинаміка істатистична фізика. Аналіз змісту та особливостей вивчення курсів.

НЕ 2.3. Методичні рекомендації до викладання спеціальних курсів.Аналіз змісту та особливостей вивчення.

НЕ 2.4. Методичні рекомендації до керівництва курсовими,дипломними та магістерськими роботами студентів. Аналіз змісту таособливостей вивчення.

Основна література до курсу1. Артемова Л.В. Педагогіка і методика вищої школи: Навчально-методичний посібникдля викладачів, аспірантів, студентів магістратури.- К.: Кондор, 2008.- 272 с.2. Нагаєв В.М. Методика викладання у вищій школі: Навчальний посібник.- К.: Центручбової літератури, 2007 .- 232с.3. Слєпкань З.І. Наукові засади педагогічного процесу у вищій школі: Навчальнийпосібник.- К.: Вища школа, 2005.- 239с.4. Болюбаш Я.Я. Організація навчального процесу у вищих закладах освіти.- К., 1997.-63с.5. Валуев А.А., Зубицкая Э.Г., Яринина Е.Ф. Преподавание физики в высшей школе.- М.:Просвещение, 1984.- 375 с.6. Кузьмінський А.І. Педагогіка вищої школи: Навчальний посібник.- К.: Знання, 2005.-486с.

«ЦИВІЛЬНИЙ ЗАХИСТ»36 год. (1 кредит)

Форма контролю: залікВикладацький склад:Пасевич Світлана Петрівна – кандидат медичних наук, викладач кафедри безпекижиттєдіяльності (факультет фізичної культури та здоров’я людини).

Навчальна дисципліна «Цивільний захист» є нормативною дисципліною, щовключається в навчальні плани як самостійна дисципліна обов’язковоговибору.

Обсяг навчального часу для вивчення дисципліни «ЦЗ» визначенийдержавними вимогами (спільний наказ Міністерства освіти і науки України,Міністерства України з питань надзвичайних ситуацій та у справах захистунаселення від наслідків Чорнобильської катастрофи та Державного комітетуУкраїни з промислової безпеки, охорони праці та гірничого нагляду від21.10.2010 року, № 969/922/216 «Про організацію та вдосконалення навчанняз питань охорони праці, безпеки життєдіяльності та цивільного захисту увищих навчальних закладах України»).

Мета викладання дисципліни: теоретична й практична підготовкастудентів з питань організації захисту працюючих у народному господарстві;вивчення шляхів і способів підвищення організації і проведення рятувальнихта інших невідкладних робіт при ліквідації аварій, катастроф, наслідківстихійних лих і в осередках ураження, пов’язаних з дією зброї масовогоураження.

У результаті вивчення курсу студент має набути такі компетенції:а) знати:

- характеристику осередків ураження, які виникають у надзвичайних умовахмирного та воєнного часу;- способи і засоби захисту населення від вражаючих факторів аварій,катастроф, стихійних лих і сучасної зброї масового ураження;

- порядок дій сил ЦО і населення в умовах надзвичайних обставин;- призначення і порядок роботи з приладами радіаційної і хімічної розвідки,дозиметричного контролю;- методику прогнозування можливої радіаційної, хімічної (бактеріологічної),біологічної обстановки, яка може виникнути внаслідок стихійного лиха тааварії;- основні стійкості роботи галузей сільського і лісового господарства в НС;- основи організації і здійснення заходів щодо надання допомоги потерпілимі життєзабезпечення населення при виникненні Н С.б) уміти:- практично здійснювати заходи захисту населення від наслідків аварій,катастроф, стихійного лиха і застосування сучасної зброї масового ураження;- оцінювати радіаційну, хімічну, біологічну обстановку й обстановку, якаможе виникнути в результаті стихійного лиха та аварії;- керувати підготовкою формувань і проведенням рятувальних та іншихневідкладних робіт на об’єктах н/г відповідно до майбутньої спеціальності

Вивчення курсу здійснюється за двома змістовими модулями:ЗМІСТОВИЙ МОДУЛЬ І

ЗАГАЛЬНІ ПИТАННЯН.Е. 1.1. Цивільний захист (ЦЗ) в сучасних умовах (лекція)Роль і місце цивільного захисту у державній системі безпеки захистунаселення відповідно до Закону про цивільний захист України від 1993 та1999 років та закону України „Про правові засади цивільного захистунаселення ” від 2004 р. Організаційна структура єдиної державної системицивільного захисту. Основні заходи ЦЗ. Режим функціонування ЄДСЦЗ(єдиної державної системи цивільного захисту). Основні положенняміжнародного права.Н.Е. 1.2. Надзвичайні ситуації мирного і воєнного часів та їх вплив нажиттєдіяльність людей (практичне заняття)Надзвичайні ситуації мирного часу та характеристика осередків ураження.Характеристика осередків ураження, що виникають при застосуванні зброїмасового ураження: ядерний осередок; хімічний осередок; бактеріологічнийосередок.Н.Е. 1.3. Оцінка обстановки у надзвичайних ситуаціях (практичне заняття)Основні поняття і визначення щодо оцінки радіаційної, хімічної, інженерної,пожежної обстановки. Методика оцінки радіаційної і хімічної обстановкипри аваріях і катастрофах на радіаційно і хімічно небезпечних об’єктах тапри застосуванні сучасних засобів ураження. Методи виявлення івимірювання іонізуючого випромінювання. Розв’язування типовихситуаційних задач при оцінці обстановки. Прилади радіаційної та хімічноїрозвідки і дозиметричного контролю.Н.Е. 1.4. Захист населення в надзвичайних ситуаціях (практичне заняття)

Основні принципи і способи захисту населення в надзвичайних ситуаціях.Захисні споруди цивільної оборони і вимоги, які пред’являються до них.Засоби індивідуального захисту населення. Евакуаційні заходи. Спеціальнаобробка.

ЗМІСТОВИЙ МОДУЛЬ ІІПРОФІЛЬНА ПІДГОТОВКА

Н.Е. 2.1. Організація навчання населення з цивільного захисту, методикапроведення занять з цивільного захисту (практичне заняття)Основи навчання з ЦЗ; види навчань; основні напрямки і методи підготовки.Система навчання. Особливості занять з різними категоріями. Підготовкаробочих, службовців, студентів, учнів та населення з ЦЗ. Підготовкакерівного і управлінського складу з ЦЗ. Планування і організація навчання зЦЗ на об’єктах.Н.Е. 2.2. Організація і проведення заходів щодо надання допомогипотерпілим та життєзабезпечення населення у надзвичайних ситуаціях(практичне заняття)Створення, завдання та функції аварійно-рятувальної служби. Основирятувальних і невідкладних аварійно-відновлювальних робіт. Проведеннярятувальних і невідкладних аварійно-відновлювальних робіт. Перша медичнадопомога в осередках ядерного, хімічного, біологічного ураження.Медичне, матеріальне та технічне забезпечення формувань ЦЗ.Н.Е. 2.3. Дії викладачів і учнів у надзвичайних ситуаціях (практичне

заняття)Дії населення в умовах стихійного лиха; режим захисту населення в умовахрадіоактивного забруднення; захист дітей від ЗМУ.

Основна література до курсу1. Закон України "Про правові засади цивільного захисту", № 1859 - IV, 24 червня

2004.2. Воробйов О.О., Романів Л.В. Цивільний захист. Навчальний посібник. – Чернівці:

Рута, 2008. – 152 с.3. Стеблюк М.І. Цивільна оборона: підручник. - 2-ге видан., перероблене і

доповнене. - К.: Знання - Прес, 2003. - 455 с.

Додаткова література1. Владимиров В.А., Михеєв О.С, Хмель СІ. та інші ГШ ЗС СРСР. Методика

виявлення і оцінки радіаційної обстановки при руйнуваннях (аваріях) атомнихелектростанцій. -М., 1989.

2. Загальні вимоги до розвитку і розміщення потенційно небезпечних виробництв зурахуванням ризику надзвичайних ситуацій техногенного походження, науковікерівники: член кореспондент НАН України СІ. Дорогунцов і генерал-лейтенантВ.Ф. Гречанінов. - К.: НАН України, 1995.

3. Закон України "Про аварійно-рятувальні служби" ВРУ, № 1281- XIV. - К., 1999.4. Захист об'єктів народного господарства від зброї масового ураження: Довідник.

- К.: Вища школа, 1989.5. Методика прогнозування масштабів зараження сильнодіючими отруйними

речовинами при аваріях (руйнуваннях) на хіміко небезпечних об'єктах ітранспорті, Держгідромет СРСР.-М., 1991.

6. Норми радіаційної безпеки України (НРБУ - 97). МОЗ України. - К., 1997.

7. Положення "Про Цивільну оборону України", постанова КМУ, №299. - К., 1994.8. Положення "Про єдину державну систему запобігання та регулювання на

НС техногенного та природного характеру", постанова КМУ № 1198 від03.08.1998р. - К., 1998.

9. Положення "Про Міністерство з надзвичайних ситуацій та захистунаселення від наслідків Чорнобильської катастрофи", Указ Президента України№1005/96.

10. Про концепцію захисту населення і територій у разі загрози тавиникнення надзвичайних ситуацій, Указ Президента України № 284/99. - К.,1999.

11. Положення "Про класифікацію надзвичайних ситуацій", постанова КМУ №1099. -К., 1998.

12. Положення "Про комісії з питань техногенно-екологічної безпеки танадзвичайних ситуацій постанова КМУ № 174 від 16.02.1998 р. - К., 1998.

13. Типове положення про Управління з питань надзвичайних ситуацій тацивільного захисту населення обласної, Київської та Севастопольськоїміських державних адміністрацій, постанова КМУ № 1594. - К., 1998.

«ІНТЕЛЕКТУАЛЬНА ВЛАСНІСТЬ»36 год. (1 кредит)

Форма контролю: залікВикладацький склад:Підкамінь Леонід Йосипович – к. фіз.-мат. наук, доцент кафедри оптики і спектроскопії(інженерно-технічний факультет).

Мета викладання дисципліни. Навчальна дисципліна формує базовіуявлення студентів про інтелектуальну власність. В курсі розглядаютьсяосновні поняття та об’єкти, що складають систему інтелектуальної власності,економічні аспекти, такі як оцінка та комерціалізація інтелектуальноївласності , а також правова охорона і правовий захист в юрисдикційній танеюрисдикційній формах. Набуті знання повинні дозволити майбутньомуфахівцю орієнтуватися в питаннях сфери інтелектуальної власності таефективно використовувати результати своєї творчої та технічної діяльності.

У результаті вивчення курсу студент має набути такихкомпетенцій

Знати: основні поняття, об’єкти та суб’єкти права інтелектуальноївласності; подвійну природу права на об’єкти інтелектуальної власності;основи правового захисту і правову охорону; підходи до оцінки і способикомерціалізації об’єктів інтелектуальної власності.

Вміти: розпізнавати порушення своїх прав на результатінтелектуальної діяльності та захищати їх; правильно оцінювати об’єктиінтелектуальної власності та отримувати від них комерційну вигоду; непорушувати прав інтелектуальної власності інших осіб.

Список навчальних елементівНЕ 1.1. Інтелектуальна власність як право на результати творчої

діяльності людини. Мета і завдання курсу. Актуальність інтелектуальноївласності в сучасному суспільстві. Поняття інтелектуальної власності.

Інтелектуальна власність як результат творчої діяльності. Інтелектуальнавласність як право.

Еволюція інтелектуальної власності: еволюція промислової власності;еволюція авторського права і суміжних прав. Місце і роль інтелектуальноївласності в економічному і соціальному розвитку.

НЕ 1.2. Система інтелектуальної власності. Класифікація об'єктівправа інтелектуальної власності. Суб'єкти права інтелектуальної власності.Система законодавства України про інтелектуальну власність. Державнасистема правової охорони інтелектуальної власності. Міжнародна системаінтелектуальної власності. Громадські організації з інтелектуальної власностів Україні. Міжнародні договори ВОІВ.

НЕ 1.3. Охорона права на об'єкти інтелектуальної власності. Метаі принципи правової охорони. Охорона прав на об'єкти промисловоївласності. Охорона прав на нетрадиційні об'єкти інтелектуальної власності.Охорона об'єктів авторського права і суміжних прав. Охорона прав на об'єктиінтелектуальної власності за кордоном. Процедура оформлення прав наоб'єкти промислової власності, основні положення Паризької, Бернської таРимської конвенцій, Мадридського договору.

НЕ 1.4. Економіка інтелектуальної власності. Особливості праваінтелектуальної власності як товару. Інтелектуальна власність якнематеріальний актив. Комерціалізація прав на об'єкти інтелектуальноївласності. Оцінка вартості прав на об'єкти інтелектуальної власності. Методита послідовність оцінки об'єктів інтелектуальної власності. Життєвий циклоб'єкта інтелектуальної власності. Способи управління правамиінтелектуальної власності на різних етапах життєвого циклу.

НЕ 1.5. Захист прав інтелектуальної власності. Система захиступрав інтелектуальної власності та її призначення. Дії, що визнаютьсяпорушенням права інтелектуальної власності. Категорії спорів. Форми,порядки та способи захисту права інтелектуальної власності. Способизахисту права інтелектуальної власності: адміністративно-правовий,цивільно-правовий спосіб захисту та кримінальна відповідальність запорушення прав.

Основна література до курсу1. Понікаров В.Д., Єрмоленко О.О., Медведєв І.А. Авторські права та інтелектуальна

власність. Підручник. Х.: ВД“ІНЖЕК”, 2008. – 304 с.2. Цибульов П.М. Основи інтелектуальної власності / Навчальний посібник. – К: “Ін-т. ін

тел. Власн. І права”, 2005. – 108 с.3. Підопригора О.А., Підопригора О.О. Право інтелектуальної власності. – К.: Хрінком

Інтер, 1998. – 336 с.4. Цибульов П.М., Чеботарьов В.П. Популярно про інтелектуальну власність: абетка / За

заг. ред. к.е.н. М.В.Паладія. – К.: ТОВ“Альфа-ПіК”, 2004. – 56 с.5. Дроб’язко В.С., Дроб’язко Р.В. Право інтелектуальної власності: навч. посібник. – К.:

Хрінком Інтер, 2004. – 512 с.Додаткова література

1. Крайнєв П.П., Роботяго ва Л.І., Дятлик І.І. Патентування винаходів в Україні / За ред..П.П.Крайнєва. – К.: Видавничий Дім “Ін Юре”, 2000. – 340 с.

2. Демченко Т.С., Охорона товарних знаків. – К.: Інститут держави і праваім. В.М. Корецького НАН України, 2004. – 184 с.

3. Зинов В.Г. Управление интеллектуальной собственностью: Учебное пособие. – М.:Дело, 2003. – 512 с.

4. Цыбульов П.Н. Оценка интеллектуальной собственности: Учебное пособие. – К.: Ин-тинтел. собств. и права, 2005. – 196.

5. Жаров В.О. Захист права інтелектуальної власності - К.: Інститут інтелектуальноївласності і права, 2004. – 64 с.

6. Добриніна Г.П., Пархоменко В.Д. Патентна інформація і документація. Патентнідослідження – К.: Інститут інтелект-ої власності і права, 2004. – 96 с.

7. Цивільний кодекс України від 16.03.2003 № 435-IV.

«ВИЩА ОСВІТА І БОЛОНСЬКИЙ ПРОЦЕС»36 год. (1 кредит)

Форма контролю: залікВикладацький склад:Романюк Світлана Захарівна – к. пед. н., доцент кафедри педагогіки та методикипочаткової освіти (факультет педагогіки, психології та соціальної роботи).

Мета викладання дисципліни: знайомити студентів з основнимизавданнями, принципами та документами, прийнятими в рамках Болонськогопроцесу, сприяти оволодінню студентами методами та засобамизапровадження вимог Болонської декларації у систему вищої освіти України.

У результаті вивчення дисципліни студент повинензнати: поняття «вища освіта», загальні засади формування і

функціонування системи вищої освіти та її інститути; хронологію та змістподій з налагодження співробітництва України і ЄС; зміст основнихдокументів Болонського процесу, механізми адаптації законодавства Українидо законодавства ЄС; забезпечення участі ЄС у національних дослідницькихпрограмах, входження освіти і науки України у європейське інформаційне таосвітнє поле; основні засади науково-технічного співробітництва України таЄС; специфіку функціонування системи вищої освіти у країнах Європи іАмерики; основні підходи, завдання, принципи та етапи формування Зониєвропейської вищої освіти; характерні особливості ЕСТS, базові елементисистеми; загальні умови користування ЕСТS, зобов'язання з бокунавчального закладу; структуру кредитів ЕСТS, їх призначення, зв'язок закадемічним навантаженням студента; особливості призначення і присвоєннякредитів ЕСТS; зміст і призначення шкали оцінювання ЕСТS; принципи,шляхи і засоби адаптації Європейської системи перезарахування кредитів(ЕСТS) у вищу освіту України; заходи щодо запровадження кредитно-модульної системи організації навчального процесу у вищих навчальнихзакладах ІІІ-IV рівнів акредитації.

уміти: аналізувати євроінтеграційні процеси України як чинниксоціально-економічного розвитку партнерства України з іншими державами;аналізувати сучасні принципи побудови та завдання вищої освіти урозвинених країнах: Великій Британії, Іспанії, Італії, Німеччині, Польщі,Росії, Франції, США, Японії; здійснювати порівняльний аналіз системвищої освіти у країнах Європи; характеризувати чинники євроінтеграції

вищої освіти; аналізувати зміст та послідовність дій для досягнення цілейБолонського процесу; - формувати зміст та структуру інформаційногопакету навчального закладу, факультету, навчальної дисципліни, змістовогокредиту та ін.; - використовувати європейську систему «полегшеної шкалиоцінювання» навчальних досягнень студента; визначати сумісність різнихсистем оцінювання зі шкалою ЕСТS.Вивчення курсу здійснюється за двома змістовими модулями:

ЗМІСТОВИЙ МОДУЛЬ І«ЗАГАЛЬНІ ЗАСАДИ ФОРМУВАННЯ

ЗОНИ ЄВРОПЕЙСЬКОЇ ВИЩОЇ ОСВІТИ»НЕ 1.1. Євроінтеграція України як чинник соціально-економічногорозвитку держави. Роль освіти в розвитку партнерства України зіншими державами. Європейський вибір України – невід'ємна складова їїподальшого розвитку. Хронологія та коротка характеристика подій зналагодження співробітництва України і ЄС. Адаптація законодавстваУкраїни до законодавства ЄС – один із важливих інструментів створення вУкраїні нової правової системи та громадянського суспільства. Науково-технічне співробітництво України та ЄС. Забезпечення участі ЄС унаціональних дослідницьких програмах. Входження освіти і науки України уєвропейське інформаційне та освітнє поле як вагомий чинник економічного,соціального, інтелектуального, інноваційно-технологічного та культурногорозвитку.НЕ 1.2. Системи вищої освіти у країнах Європи і Америки. Формуваннясистеми вищої освіти Європейських країн. Сучасні принципи побудови тазавдання вищої освіти у розвинених країнах: Великій Британії, Іспанії, Італії,Німеччині, Польщі, Росії, Франції, США, Японії. Вища освіта України.Доступ громадян до освіти. Заклади освіти. Ступеневість освіти.Кваліфікації. Організація навчання, академічний рік і екзамени. Методи ізасоби навчання. Навчання студентів-іноземців. Порівняльний аналіз системвищої освіти у країнах Європи.НЕ 1.3. Болонський процес як засіб інтеграції і демократизації вищоїосвіти країн Європи. Документи Болонського процесу. Євроінтеграція яксоціально-економічний процес. Чинники євро інтеграції вищої освіти.Основні підходи та етапи формування Зони європейської вищої освіти.Хронологія подій Болонського процесу. Залучення європейських держав уБолонський процес. Основні документи Болонського процесу. Спільнадекларація про гармонізацію архітектури, європейської системи вищої освітичотирьох міністрів, що презентують Великобританію, Німеччину, Італію іФранцію (Сорбонна, 25травня 1998 р.), Зона європейської вищої освіти:Спільна заява європейських міністрів освіти (Болонья, 18-19 червня 1999 р.),Формування майбутнього. Конференція європейських вищих навчальнихзакладів і освітніх організацій (Саламанка, 29-30 березня 2001р.), Зонаєвропейської вищої освіти: Комюніке зустрічі європейських міністрів,відповідальних за вищу освіту (Прага, 13-19 травня 2001 р.). Створеннязагальноєвропейського простору вищої освіти: Комюніке Конференції

Міністрів, відповідальних за Вищу освіту (Берлін, 19-20 вересня 2003 р.)НЕ 1.4. Основні завдання, принципи та етапи формування. Зониєвропейської вищої освіти. Гармонізація архітектури системи європейськоївищої освіти як основнек завдання Болонського процесу. Визначальнівластивості європейської вищої освіти: якість, конкурентоспроможністьвищих навчальних закладів Європи, взаємна довіра держав і вищихнавчальних закладів, сумісність структури освіти та кваліфікацій надоступеневому і післяступеневому рівнях, мобільність студентів,привабливість освіти.

Основні завдання та принципи створення Зони Європейської вищоїосвіти (шість цілей Болонського процесу): уведення двоциклового навчання;запровадження кредитної системи; формування системи контролю якостіосвіти; розширення мобільності студентів і викладачів; забезпеченняпрацевлаштування випускників та привабливості європейської системиосвіти.

Подальші дії для досягнення шести цілей Болонського процесу:прийняття системи легкозрозумілих і адекватних ступенів; прийняттясистеми двоциклової освіти (доступеневе і післяступеневе навчання);запровадження системи кредитів - системи накопичення кредитів (ЕСТS) абоінших сумісних з нею систем, які здатні забезпечити як диференційно-розрізнювальну, так і функції накопичення; сприяння мобільності студентів івикладачів (усунення перешкод вільному пересуванню студентів івикладачів); забезпечення високоякісних стандартів вищої освіти; сприянняєвропейському підходу до вищої освіти (запровадження програм, курсів,модулів із "європейським" змістом); навчання протягом усього життя;спільна праця вищих навчальних закладів і студентів як компетентних,активних і конструктивних партнерів у заснуванні та формуванні Зониєвропейської вищої освіти.

ЗМІСТОВИЙ МОДУЛЬ ІІ«ЄВРОПЕЙСЬКА СИСТЕМА ПЕРЕЗАРАХУВАННЯ КРЕДИТІВ (ЕСТS)

У ВИЩІЙ ОСВІТІ УКРАЇНИНЕ 2.1. Європейська кредитно-трансферна система та системанакопичення (ЕСТS). Характерні особливості ЕСТS. Базові елементисистеми: інформація (стосовно навчальних програм і здобутків студентів),взаємна угода (між закладами-партнерами і студентом), використаннякредитів ЕСТS (визначення навчального навантаження студентів). Основнідокументи ЕСТS: інформаційний пакет, навчальний контракт, перелік оцінокдисциплін. Загальні умови користування ЕСТS. Зобов'язання з бокунавчального закладу. Кредити ЕСТS: структура, призначення, зв'язок закадемічним навантаженням студента (години занять). Особливостіпризначення і присвоєння кредитів ЕСТS. Координатори ЕСТS:університетський координатор, факультетський координатор. Зміст таструктура інформаційного пакету навчального закладу, факультету,навчальної дисципліни, змістового кредиту. Структура курсу з присвоєнняступенів (структурно-логічна схема, навчальний план). Опис предмета курсу.

Опис дисципліни курсу. Шкала оцінювання ЕСТS. Європейська система«полегшеної шкали оцінювання» навчальних досягнень студента. Сумісністьрізних систем оцінювання зі шкалою ЕСТS.НЕ 2.2. Принципи, шляхи і засоби адаптації Європейської системиперезарахування кредитів (ЕСТS) у вищу освіту України. Стратегічнізавдання розвитку освіти України. Узгодження і поєднання національнихкомпонентів вищої освіти різних країн із вимогами Болонського процесущодо створення Зони європейської вищої освіти.

Тенденції розвитку вищої освіти України на сучасному етапі.Відмінність та подібність систем вищої освіти України і Європейськихдержав.

Передумови входження вищої освіти України до Болонського процесу:адаптація законодавства, структурні зміни освіти, запровадження у системувищої освіти Європейської кредитно-трансферної та акумулюючої системи(ЕСТS), проведення педагогічного експерименту щодо запровадженнякредитно-модульної системи організації навчального процесу у вищихнавчальних закладах III - IV рівнів акредитації.

Основні завдання для створення умов щодо запровадження кредитно-модульної системи організації навчального процесу у навчальних закладахIII- IV рівнів акредитації (розроблення структурно-логічних схемпідготовки фахівців за усіма напрямами та спеціальностями; запровадженнямодульної системи організації навчального процесу, системи тестування тарейтингового оцінювання знань студентів; організація навчального процесуна базі програм навчання, які формуються як набір залікових кредитів;введення граничного терміну навчання за програмою навчання, включаючиграничний термін бюджетного фінансування; створення нового поколіннягалузевих стандартів вищої освіти; розроблення індивідуальних графіківнавчального процесу з урахуванням особливостей кредитно-модульноїсистеми організації навчального процесу; зарахування на навчання довищого навчального закладу тільки за напрямами підготовки; вдосконаленнянаявного та створення нового навчально-методичного, матеріально-технічного та інформаційного забезпечення навчання в умовах кредитно-модульної системи організації навчального процесу; формування програмнавчання усіх освітньо-кваліфікаційних рівнів на основі освітньо-кваліфікаційних характеристик випускників та освітньо-професійнихпрограм підготовки, які передбачають можливі зміни співвідношення обсягівкредитів освітньої та кваліфікаційної складових підготовки; введенняінституту викладачів-кураторів індивідуальних програм навчання).НЕ 2.3. Запровадження кредитно-модульної системи організаціїнавчального процесу (КМСОНП) у ВНЗ України. Основні заходи зпідготовки та програма проведення педагогічного експерименту щодозапровадження кредитно-модульної системи організації навчального процесуу вищих навчальних закладах ІІІ-IV рівнів акредитації.

Розроблення та експериментальна перевірка технології застосуванняелементів Європейської кредитно-трансферної та акумулюючої системи(ЕСТS) в системі вищої освіти України та створення сучасної системи

управління якістю освітньої діяльності суб'єктів навчального процесу.Організація навчального процесу у вищих навчальних закладах України

за кредитно-модульною системою підготовки фахівців. Поняття прокредитно-модульну систему організації навчального процесу як модельорганізації навчального процесу; заліковий кредит як одиницю вимірунавчального навантаження; модуль як задокументовану завершену частинуосвітньо-професійної програми; змістовий модуль як систему поєднанихнавчальних елементів, відповідних певному навчальному об'єктові.

Структура і вимоги до складання основних компонентів КМСОНП:інформаційний пакет; договір про навчання між студентом і вищимнавчальним закладом; академічна довідка. Формування та реалізаціяіндивідуального навчального плану студента. Контроль за індивідуальнимнавчальним планом студента.

Форми організації навчання в умовах КМСОНП. Організаційно-методичне забезпечення КМСОНП. Контроль успішності студента та шкалаоцінювання навчальних досягнень студента. Державна атестація студентів.Нормування навчального навантаження студента і викладача. Особливостіпереведення, відрахування, поновлення студентів, переривання їхньогонавчання. Стипендіальне забезпечення студентів.

Основна література до курсу1. Болонський процес: Документи/ Укладачі З.І. Тимошенко, А.М. Греков, Ю.А. Гамон,

Ю.І. Полеха. – К.: Вид.-во Європ. ун.-ту, 2004. – 169 с.2. Вища освіта України і Болонський процес: Навчальний посібник./ За ред. В.Г.Кременя.

– Тернопіль, 2004. – 384 с.3. Журавський В.С., Згуровський М.З. Болонський процес: головні принципи входження

в Європейський простір вищої освіти. – К.: ІВЦ Видавництво “Політехніка”, 2003.–200 с.

4. Іванюк І.В. Оцінювання освітніх проектів та програм. Навч. посіб. – К.: Таксон, 2004. –208 с. (Вища освіта в сучасному світі).

5. Кремень В.Г. Освіта і наука в Україні: інноваційні аспекти. Стратегія. Реалізація.Результати. – К.: Грамота, 2005. – 448 с.

6. Кремень В.Г. Освіта і наука України: шляхи модернізації (факти, роздуми,перспективи). – К.: Грамота, 2003. – 216 с.

7. Модернізація вищої освіти України і Болонський процес / Уклад. М.Ф. Степко, Я.Я.Боголюбаш, К.М. Левківський. – К., 2004. – 24 с.

8. Мороз І.В. Кредитно-модульна система організації навч. процесу: Довідник длястудентів. – К.: «Освіта України», 2005. – 90 с.

9. Мороз І.В. Педагогічні умови запровадження кредитно-модульної системи організаціїнавчального процесу. – К.: «Освіта України», 2005. – 278 с.

10. Організація навчального процесу у навчальних закладах. / Упоряд. О.В. Ситяшенко.– К.: Задруга, 2004. – 338 с.

11. Основні засади розвитку вищої освіти в контексті Болонського процесу: Документиі матеріали / Упоряд. Степко М.Ф. та ін. – Тернопіль: Вид-во ТНПУ ім. В.Гнатюка, 2005. – 188 с.

12. Поважнянський Л.Л. Сокол Є.І., Клименко Б.В. Болонський процес: цикли,ступені, кредити. – Харків: НТУ “ХПІ”, 2004. – 144 с.

13. Сікорський П.І. Кредитно-модульна система навчання: Навч. посіб. – К.: Вид.-воЄвроп. ун-ту, 2004. – 127 с.

14. Степко М.Ф., Клименко Б.В., Поважнянський П.Л. Болонський процес і навчаннявпродовж життя:. – Харків: НТУ «ХПІ», 2004. – 112 с.

«ФІЗИКА_НЕРІВНОВАЖНИХ_ПРОЦЕСІВ У НАПІВПРОВІДНИКАХ»270 год. (7,5 кредитів)

Форма контролю: екзаменВикладацький склад:Парфенюк Орест Архипович – доктор фіз.-мат. наук, професор кафедри електроніки іенергетики (фізичний факультет).

Мета викладення дисципліни: формування у магістрантівпрофесійних знань про основних закономірностей нерівноважних процесів,які протікають у напівпровідниках під дією електромагнітного опроміненняоптичного та інфрачервоного діапазону; вивчення механізмів утвореннянерівноважних фотогенерованих носіїв заряду та способів віддачі набутоїними надлишкової енергії після припинення дії світла; їх руху та взаємодії зкристалічною граткою у відсутності чи при накладанні зовнішньогоелектричного поля.

У результаті вивчення курсу студент має набути такихкомпетенцій: знання основних механізмів поглинання світланапівпровідниками; оптичних параметрів напівпровідників та взаємозв’язокміж ними; закономірностей процесів генерації та рекомбінації нерівноважнихносіїв заряду в напівпровідниках; типів рекомбінаційних процесів тамеханізмів віддачі надлишкової енергії; параметрів напівпровідниковихматеріалів, які визначають величину їх фото чутливості; механізміввиникнення фото-ЕРС у однорідних і неоднорідних напівпровідниках;уміння розраховувати максимальну прозорість та найменшу відбивнуздатність речовини; провести експериментальні дослідження оптичнихвластивостей напівпровідника та визначити деякі параметри тахарактеристики (розміщення краю власного поглинання та локальних рівніву забороненій зоні, переважаючий механізм поглинання у інфрачервонійобласті); визначати типи центрів прилипання та рекомбінації по їх впливу наперебіг нерівноважних процесів; з аналізу частотних та релаксаційнихзалежностей фотопровідності визначати час життя нерівноважних носіїв.

Вивчення курсу здійснюється за чотирма змістовними модулями:ЗМІСТОВНИЙ МОДУЛЬ I

«ПРОЦЕСИ ГЕНЕРАЦІЇ НЕРІВНОВАЖНИХ НОСІЇВЗАРЯДУ В НАПІВПРОВІДНИКАХ»

НЕ 1.1 Предмет, мета, завдання вивчення курсу“Фізика_нерівноважних_процесів у напівпровідниках".Предмет та завдання курсу. Структура курсу, його основні частини, зв’язокміж ними. Наукове і практичне значення дослідження нерівноважнихпроцесів у напівпровідниках.НЕ 1.2 Рівноважні та нерівноважні носії заряду у напівпровідниках.Процеси генерації нерівноважних носіїв.Термічна генерація вільних носіїв заряду у напівпровідниках та відповідніспіввідношення. Нерівноважні носії заряду, способи їх генерації. Загальнаконцентрація носіїв заряду при низькому рівні збудження.

НЕ 1.3 Енергетичний розподіл носіїв у напівпровіднику принерівноважному стані. Час життя нерівноважних носіїв. Інтенсивністьрекомбінації.Особливості енергетичного розподілу нерівноважних носіїв при малому рівнізбудження. Квазірівні Фермі, мета їх введення. Різні смислові значеннятерміну “час життя”. Фізичний зміст поняття “час життя вільного носіязаряду”. Основні співвідношення та величини, які його визначають.Інтенсивність рекомбінації та її фізичний зміст.НЕ 1.4 Основні величини і співвідношення, які характеризують оптичнівластивості напівпровідників.Оптичні константи. Їх зв’язок з діелектричною проникністю та питомоюелектропровідністю речовини. Закон збереження енергії світлового пучка, щопадає на поверхню напівпровідника. Визначення оптичних коефіцієнтів, їхфізичний зміст.НЕ 1.5 Поглинання світла напівпровідниками.Фізичний зміст закону Бугера-Ламберта. Довжина вільного пробігу фотона уречовині напівпровідника. Взаємозв’язок між коефіцієнтом поглинання тадовжиною вільного пробігу фотона. Типи поглинання світла унапівпровідниках Власне поглинання та його основні закономірності.Домішкове поглинання та його види. Ефект Бурштейна-Мосса. ПравилоУрбаха.НЕ 1.6 Прямі і непрямі оптичні переходи. Спектральна залежністькоефіцієнта поглинання.Прямозонні та непрямозонні напівпровідники Закони збереження енергії таімпульсу при вертикальних та косих переходах. Чотири основні типиоптичних переходів у непрямозонних напівпровідниках та відповідніспіввідношення для визначення ширини забороненої зони зі спектральнихзалежностей коефіцієнта поглинання. Визначення ширини забороненої зонидля прямозонних напівпровідників. Вплив температури, гідростатичного таодновісного тиску на розміщення краю власного поглинання. Ефект Франца-Келдиша.

ЗМІСТОВНИЙ МОДУЛЬ II«ФОТОПРОВІДНІСТЬ (ФП) НАПІВПРОВІДНИКІВ ТА ЇЇ ВИДИ.

ВПЛИВ ЛОКАЛЬНИХ РІВНІВ У ЗАБОРОНЕНІЙ ЗОНІ КРИСТАЛАНА ВЕЛИЧИНУ ФП ТА ПЕРЕБІГ РЕЛАКСАЦІЙНИХ ПРОЦЕСІВ»

НЕ 2.1 Явище фотопровідності. Внутрішній фотоефект. Квантовий вихідвнутрішнього фотоефекту. Стаціонарна фотопровідність. Рівністьінтенсивностей генерації та рекомбінації як умова стаціонарної ФП.Параметри, які визначають величину ФП. Монополярна та біполярна ФП.НЕ 2.2 Релаксація ФП. Лінійна та квадратична рекомбінація ФП.Постійність часу життя нерівноважних носіїв як умова лінійної рекомбінаціїФП. Миттєвий час життя. Визначення миттєвого часу життя з релаксаційнихзалежностей у випадку нелінійної рекомбінації. Люкс-амперніхарактеристики.НЕ 2.3 Методи вимірювання стаціонарної фотопровідності. Особливості

вимірювання ФП зразків зі значною фоточутливістю. Компенсаційний методвимірювання ФП. Вимірювання ФП з використанням модульованогоосвітлення. Використовувані методи модуляції інтенсивності зовнішньогоосвітлення. Складний характер залежності між фоточутливістюнапівпровідника і сигналом на опорові навантаження при модульованомуосвітленні. Спеціальні режими вимірювання ФП.НЕ 2.4 Рекомбінація нерівноважних носіїв через локальні рівні. Одинтип центрів захоплення. Вирази для інтенсивностей оптичних та термічнихпереходів. Ефективні густини станів, приведені до рівня пасток, і їх фізичнийзміст. Формула Шоклі-Ріда. Залежності часу життя нерівноважних носіїв відконцентрації пасток та рівня фотозбудження.НЕ 2.5 Класифікація центрів захоплення нерівноважних носіїв. Центриприсипання та центри рекомбінації. Демаркаційні рівні та їх фізичний зміст.Типи рівнів присипання.НЕ 2.6 Вплив прилипання на ФП у випадку фотозбуджених носіїв одногознаку. Релаксація у випадку α- та β-рівнів присипання. Залежність виглядукривих наростання та спадання фотоструму від типу пасток. Незалежністьвеличини стаціонарної ФП від наявності чи відсутності пасток. Особливостівпливу прилипання на ФП час життя нерівноважних електронів і дірок прибіполярній провідності.

ЗМІСТОВНИЙ МОДУЛЬ III«РЕКОМБІНАЦІЯ, ДИФУЗІЯ ТА ДРЕЙФ

НЕРІВНОВАЖНИХ НОСІЇВ»НЕ 3.1 Основні типи та механізми рекомбінаційних процесів. Типирекомбінаційних процесів та їх особливості. Випромінювальна таневипромінювальна рекомбінація у напівпровідниках.НЕ 3.2 Випромінювальні типи рекомбінації. Міжзонна випромінювальнарекомбінація та особливості її перебігу при високому та малому рівняхзбудження. Аналіз напівпровідникових кристалів, у яких може бутиреалізований такий механізм рекомбінації. Фотолюмінісценція як один звидів випромінювальної рекомбінації.НЕ 3.3 Міжзонна ударна рекомбінація. Залежність рекомбінаційного часужиття від температури та ширини зони напівпровідникового кристала. Значніконцентрації носіїв як необхідна умова прояву міжзонної ударноїрекомбінації.НЕ 3.4 Поверхнева рекомбінація. Механізм поверхневої рекомбінації.Інтенсивність поверхневої рекомбінації. Швидкість поверхневої рекомбінаціїта її залежність від стану реальної поверхні. Вплив поверхневої рекомбінаціїна об’ємні властивості напівпровідників. Спектральна залежністьфотопровідності.НЕ 3.5 Дифузія і дрейф нерівноважних носіїв заряду. Процеси, яківиникають при нерівномірному розподілі нерівноважних носіїв у кристалі.Дифузійні струми та струми провідності. Рівняння неперервності.Максвеллівська (діелектрична ) релаксація. Співвідношення Ейнштейна.Дифузія і дрейф нерівноважних носіїв у випадку монополярної провідності.

Дифузія і дрейф неосновних носіїв заряду. Дифузія і дрейф у випадкубіполярної провідності.НЕ 3.6 Електрорушні сили, які виникають у напівпровіднику принерівномірному освітленні чи наявності бар’єра для протікання струму.Електрорушна сила Дембера. Механізм дії електронно-дірковогофотоелемента. Енергетична схема p-n-переходу. Основне рівнянняфотодіода.

ЗМІСТОВНИЙ МОДУЛЬ IV«ПРАКТИЧНІ НАВИКИ ДОСЛІДЖЕННЯ ОПТИЧНИХ ТА

ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ НАПІВПРОВІДНИКІВ»НЕ 4.1 (Лабораторна робота). Дослідження поглинання світланапівпровідниками в інфрачервоній області спектра. Практичневивчення методики вимірювання спектрів пропускання на двохпроменевомуінфрачервоному спектрофотометрі. Дослідження особливостей спектральнихзалежностей коефіцієнтів пропускання напівпровідникових матеріалів,зумовлених різними механізмами поглинання енергій світлової хвилікристалом у інфрачервоній області спектра. Побудова спектральнихзалежностей коефіцієнта пропускання для різних напівпровідників тапояснення їх особливостей.НЕ 4.2 (Лабораторна робота). Дослідження поглинання світла напівпро-відниками в області краю власного поглинання та визначення ширинизабороненої зони. Ознайомлення з методикою визначення коефіцієнтапоглинання світла в області краю власного поглинання за данимивимірювань коефіцієнта пропускання. Вимірювання спектрів пропусканнязразків з різною товщиною, визначення залежності коефіцієнта поглинаннявід енергії фотонів. Побудова графічних залежностей α(hv) з врахуваннямтеоретичних спектральних залежностей коефіцієнта поглинання та різнихтипів оптичних переходів. Встановлення особливостей зонної структури тавизначення ширини забороненої зони досліджуваного напівпровідника.НЕ 4.3 (Лабораторна робота). Вимірювання стаціонарноїфотопровідності напівпровідників. Ознайомлення з методами вимірюваннястаціонарної фотопровідності. Освоєння методики визначення величинифотопровідності з використанням модульованого освітлення в режимімаксимальної чутливості. Вимірювання та обчислення відносного значеннястаціонарної фотопровідності за вказаною методикою.НЕ 4.4 (Лабораторна робота). Вивчення частотної залежностіфотопровідності. Ознайомлення з основними методами визначення часужиття нерівноважних носіїв заряду та величини фотопровідностінапівпровідників. Практичне вивчення методики визначення величини іздослідження частотної залежності фотопровідності. Побудова залежностіфотопровідності напівпровідника від часу освітлення за данимиексперименту та визначення на її основі часу життя нерівноважних носіївзаряду.НЕ 4.5 (Лабораторна робота). Визначення часу життя нерівноважних но-сіїв заряду методом компенсації зсуву фаз. Засвоєння методики визначення

часу життя носіїв заряду τ методом компенсації зсуву фаз. Проведеннявимірювань на конкретному зразку та τ.НЕ 4.6 (Лабораторна робота). Дослідження впливу поверхневоїрекомбінації на фотопровідність напівпровідників. Вимірюванняспектральних залежностей ФП для напівпровідникових зразків при різнихметодах обробки їх поверхні. Визначення ширини забороненої зони тадовгохвильової межі ФП з отриманих даних.

Основна_література_по_курсу1. Савицький А.В., Бурачек В.Р. Оптичні і фотоелектричні властивості

напівпровідників. Навчальний посібник: Частина перша. - Чернівці: Рута, 1999.-99с2. Савицький А.В., Бурачек В.Р. Оптичні і фотоелектричні властивості

напівпровідників. Навчальний посібник: Частина друга. - Чернівці: Рута, 2000. –93с.

3. Уханов Ю.М. Оптические свойства полупроводников. - М.: Наука, 1977. - 366с.4. Рывкин Н.С. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. - М.: Физматгиз,

1963. - 494 с.5. Сердюк В.В., Чемересюк Г.Г. Фотоэлектрические процессы в полупроводниках:

Учебное пособие. -К.: Либідь, 1993. - 192 с.6. Пека Г.Н., Стріха В.І. Поверхневі та контактні явища в напівпровідниках:

Підручник. − Либідь, 1992. − 240.с.

«СПОСОБИ ПІДВИЩЕННЯ ЕФЕКТИВНОСТІФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ»

252 год. (7 кредитів)Форма контролю: залік

Викладацький склад:Парфенюк Орест Архипович – доктор фіз.-мат. наук, професор кафедри електроніки іенергетики (фізичний факультет).

Мета викладення дисципліни: засвоєння магістрантами знань профізику процесів фотоперетворення; типові конструкції сонячних елементівта їх аналіз; шляхи підвищення ефективності роботи фотоперетворювачів(ФП).

У результаті вивчення курсу студент має набути такихкомпетенцій: знати про фізичні процеси, які відбуваються у затемненому p-n-переході та при його освітленні; основні параметри фотоелементів;найбільш вживані конструкції фотоперетворювачів та їх недоліки;напівпровідникові матеріали, які використовуються для виготовленнясонячних елементів, і їх параметри; основні сучасні напрямками наукових татехнологічних пошуків на шляху підвищення коефіцієнта корисної дії (ККД)сонячних елементів; уміти проаналізувати процеси, які забезпечуютьперетворення енергії сонячної радіації в електричну, та знайти резерви дляпідвищення ККД конкретного фотоперетворювача.

Вивчення курсу здійснюється за двома змістовними модулями:ЗМІСТОВНИЙ МОДУЛЬ I

«ФІЗИКА ПРОЦЕСІВ ФОТОПЕРЕТВОРЕННЯ»НЕ 1.1 Предмет, мета, завдання вивчення курсу “Способи підвищенняефективності сонячних елементів ".Необхідність пошуку альтернативних до традиційних джерел енергії. Прямеперетворення сонячної енергії у електричну як один з найперспективнішихметодів забезпечення енергетичної безпеки людства. Матеріали та технології,які використовуються при створенні фотоелементів, їх недоліки.Використання нових речовин і технологій при розробленніфотоперетворювачів − шлях до забезпечення зростання їх ККД.НЕ 1.2 Фізичні процеси у затемненому p- n-переході. Енергетичні діаграмиp- n- переходу в умовах термодинамічної рівноваги та при зовнішньомузміщенні. Товщина p- n- переходу та її залежність від зовнішньої напруги таконцентрації легуючої домішки. Діодна та дифузійна теорії випрямлення.Вольт-амперна характеристика тонкого та товстого p- n- переходу.НЕ 1.3 Фізичні основи фотоперетворення та фактори, які визначаютьйого ефективність. Фізичні принципи використання напівпровідників дляперетворення сонячної енергії в електроенергію. Сонячний спектр. Сонячніелементи, принцип дії, основні параметри (струм короткого замикання,напруга холостого ходу, ККД), їх залежність від ширини забороненої зони.Основні види втрат сонячної енергії та шляхи їх зменшення. Еквівалентнасхема сонячних елементів. Узагальнені вольт-амперні характеристики.Фактор заповнення. Вплив паралельних та послідовних опорів на струмкороткого замикання, напругу холостого ходу.НЕ 1.4 Основні типи структур сонячних елементів. Р-n перехід. Контактметал-напівпровідник. МДП-структури. Варизонні та каскадні структури.Особливості технології їх виготовлення. Вплив електрофізичних параметрівконтактних структур на параметри сонячних елементів. Принципипідвищення ККД. Надійність, шляхи здешевлення сонячних елементів.НЕ 1.5 Тонкоплівкові сонячні елементи. Переваги використаннятонкоплівкових фотоперетворювачів перед монокристалічними Методиосадження тонких плівок. Фізичні властивості тонких плівок, яківикористовуються у сонячній енергетиці. Інтегральні каскадні фотоелементи.

ЗМІСТОВНИЙ МОДУЛЬ II«ПІДВИЩЕННЯ ЕФЕКТИВНОСТІ ФОТОПЕРЕТВОРЕННЯ ПРИ

ВИКОРИСТАННІ НОВИХ МАТЕРІАЛІВ, ТЕХНОЛОГІЧНИХПРИЙОМІВ І ОСОБЛИВОСТЕЙ КОНСТРУКЦІЇ»

НЕ 2.1 Гібридні енергетичні системи за участю сонячнихфотоперетворювачів. Недоліки джерел живлення на основі лише сонячнихелементів. Вітро-сонячні енергосистеми. Автономні сонячні енергетичнісистеми (АвСЕС). Гібридні електроенергетичні системи на основі діючихЕЕС. Інтегрована вітро-сонячна енергетична установка з накопичувачеменергії на основі водневого циклу.НЕ 2.2 Перспективність використання нанотехнологій для сонячноїенергетики. Покращення інжекції та транспорту носіїв заряду в

наноструктурах як одна головних основних проблем, які обмежують широкевикористання даних матеріалів у фотовольтаїці. Переваги та недолікизастосування органічних матеріалів при створенні фотоперетворювачів.Перспективність використання кремнієвих нанодротів для створеннямалопотужних сонячних елементів. Принципи функціонування органічнихсонячних елементів (ОСЕ) та барвниково-сенсибілізованих сонячнихелементів (СБСЕ).НЕ 2.3 Підвищення ККД сонячних елементів за рахунок оптимізаціїконструкції та використання концентраторів сонячної радіації.Багатоперехідні елементи з фотоактивним шаром з одного елемента. Змінаспектрального складу випромінювання за допомогою люмінофора.Просвітлюючі покриття. Концентратори сонячного випромінювання уфотовольтаїчних перетворювачах та їх можливі конструкції. Оптимізаціясонячних фотоелектричних енергоустановок (СФЕУ) з концентраторамивипромінювання.НЕ 2.4 Перспективи та тенденції розвитку сонячної енергетики. Риноксонячних елементів та перспективи його розвитку. Технологічні, екологічніта виробничі проблеми, які вимагатимуть розв’язання при існуючих темпахзростання виробництва електроенергії на основі сонячної радіації.

Основна_література_до_курсу1. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков // М.: Высшая школа,

1977. − 448 с.2. Сердюк В.В. Физика солнечных элементов // Одесса: Логос, 1994. − 333 с.3. Андрюшин Е.А., Силин А.П. Физические проблемы солнечной энергетики

//УФН. – Т.161,№8. – С.130-139.4. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Румянцев В.Д. Тенденции и перспективы развития

солнечной фотоэнергетики // ФТП. – 2004. – Т.38,№8. – С.937-948.5. Жидкий кремний: Новая перспектива микроэлектоники // Новые технологии. –

2000. - №40(366).6. Интегрированная солнечно-ветровая энергетическая установка с накопителями

энергии на основе водородного цикла // Альтернативная энергетика и экологияАЭЭ. – 2007. - №2(46). – С.99-105.

7. Гременюк В.Ф., Боднарь И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Schok F.-W. Солнечныеэлементы на основе пленок CuIn1-xGaxSe2, полученных импульсным лазернымиспарением // ФТП. – 2002. – Т.36, №3. – С.306-363.

8. Андреев В.М. Гетероструктурные солнечные элементы // ФТП. – 1999. – Т.34,№9.– С.1035-1038.

9. Борисенко В.Е., Воробьева А.И. Наноэлектроника. Учебное пособие в 3 частях.Часть 2. Нанотехнологии, М.: Мир, 1986, 438.с.

«ДОСЛІДЖЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКІВ МЕТОДОМТЕРМОСТИМУЛЬОВАНОЇ РЕЛАКСАЦЇ»

270 год. (7,5 кредитів)Форма контролю: залік

Викладацький склад:Парфенюк Орест Архипович – доктор фіз.-мат. наук, професор кафедри електроніки іенергетики (фізичний факультет).

Мета викладення дисципліни: формування у магістрантів знань провплив локальних рівнів у забороненій зоні напівпровідника на процесирелаксації фотопровідності (ФП); класифікацію домішкових центрів по їхучасті у процесах прилипання та звільнення носіїв; методи визначенняпараметрів центрів прилипання з досліджень струму термостимульованоїпровідності.

У результаті вивчення курсу студент має набути такихкомпетенцій: знання фізичних процесів генерації та рекомбінаціїнерівноважних носіїв у напівпровідниковому кристалі; критерії поділу рівнівприлипання на повільні і швидкі та особливості експериментальноговизначення їх параметрів; відмінності між методами термостимульованоїпровідності та термостимульованого розряду конденсатора; про можливістьвизначення параметрів локальних рівнів у забороненій зоні низкоомнихкристалів термостимульованими методами; вміння визначати розміщенняквазірівнів Фермі з результатів холлівських вимірювань та проводитикласифікацію дефектів відповідно до глибини їх залягання; проводитивимірювання термостимульованої релаксації та експериментально визначатиенергетичне положення відповідних дефектів.

Вивчення курсу здійснюється за двома змістовними модулями:ЗМІСТОВНИЙ МОДУЛЬ I

«ФІЗИЧНІ ОСНОВИ МЕТОДУ ТЕРМОСТИМУЛЬОВАНОЇРЕЛАКСАЦІЇ»

НЕ 1.1 Предмет, мета, завдання вивчення курсу “Фізичні основи методутермостимульованої релаксації”Визначальна роль локальних рівнів у забороненій зоні напівпровідниковихкристалів на фоточутливість кристалів та перебіг релаксаційних процесів уних. Сучасні експериментальні методи визначення параметрів дефектнихцентрів у забороненій зоні напівпровідників. Методи термостимульованоїпровідності та термостимуьованого розряду конденсатора як важливіінструменти для встановлення спектру локальних центрів у зоні забороненихенергій.НЕ 1.2 Класифікація рівнів у забороненій зоні напівпровідника.Рівноважні і нерівноважні носії заряду у напівпровідниках. Рівні прилипаннята рівні рекомбінації. Баланс рекомбінаційних потоків у випадкустаціонарної фотопровідності. Типи рівнів присипання. Демаркаційні рівні.НЕ 1.3 Термостимульована провідність (ТСП).Означення термостимульованої провідності. Визначення енергетичного

розташування пасток з розміщення максимуму ТСП та по нахилу початковоїдільниці піка струму ТСП.НЕ 1.4 Термостимульований розряд конденсатора (ТРК).Особливості методу ТРК. Заповнення пасток при допомозі ефекту поля.Схема вимірювань. Переваги даного методу порівняно з методом ТСП.

ЗМІСТОВНИЙ МОДУЛЬ II«ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНЕ ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ЦЕНТРІВ

ЗАХОПЛЕННЯ У НАПІВІЗОЛЮЮЧИХ КРИСТАЛАХ СDTE ПРИ α- Іβ-ПРИЛИПАННІ ТА У НИЗЬКООМНОМУ МАТЕРІАЛІ»

НЕ 2.1 Експериментальна методика вимірювання ТСП.Найпростіша схема вимірної установки для дослідження термостимульованоїпровідності. Вимоги до вимірювальної апаратури для вивчення ТСП.НЕ 2.2 Термостимульоване звільнення пасток при відсутностіповторного захоплення.Співвідношення між інтенсивностями електронних потоків на пастку, якізабезпечують слабе повторне захоплення носіїв. Експериментальневизначення параметрів пасток при β-прилипанні.НЕ 2.3 Особливості ТСП у випадку α-прилипання.Співвідношення між інтенсивностями електронних потоків на пастку, якізабезпечують сильне повторене захоплення носіїв. Експериментальнезнаходження параметрів пасток при α-прилипанні.НЕ 2.4 Вимірювання термостимульованої релаксації на низькоомнихзразках. Створення бар’єру Шотткі або p-n-переходу − необхідна умова длядослідження термостимульованої релаксації на кристалах з малим питомимопором. Особливості дослідження ТСП на кристалах з високою провідністю.

Основна література до курсу1. Сердюк В.В., Чемерсюк Г.Г. Фотоэлектрические процессы в полупроводниках //

„Либідь” (Київ), 1993. − 192 с.2. Савицький А.В., Бурячек В.Р. Оптичні і фотоелектричні властивості

напівпровідників (ч.2). Навчальний посібник // „Рута” (Чернівці),2003, − 93 с.3. Бурячек В.Р., Бейсюк П.П. Термостимульована релаксація як метод дослідження

широкозонних напівпровідників. Навчальний посібник. // Рута” (Чернівці),1999, −63 с.

4. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганическихполупроводника // „Наука” (Новосибирск), 1979, − 333 с.

5. Литовченко П.Г., Устьянов В.И. Определение параметров уровней прилипания вполупроводниках методом термостимулированной проводимости // Актуальныевопросы физики полупроводников и полупроводниковых приборов (Вильнюс),1969, − С.153-171.

6. Сушков В.П., Титов М.Н. Применение методов термостимулирования дляисследования материалов электронной техники. − Обзоры по электронной технике,сер. 2. Полупроводниковые приборы, 1975, вып. 1(271), 71 с.

7. Заячкивский В.П., Бейсюк П.П., Никонюк Е.С., Савицкий А.В. К расчетупараметров центров захвата носителей по кривым ТСП в случае активациипроводимости // Изв. Вузов. Физика. − 1976. − №7. − С.111−117.

8. Ждан А.Г., Сандомирский В.Б., Ожередов А.Д., Яковлева Г.Н.К определениюпараметров ловушек по кривым термостимулированного разряда конденсатора //ФТП. − 1969. − Т.3, №12. − С.1755-1759.

«НАПІВПРОВІДНИКОВІ КВАНТОВІ СТРУКТУРИ І НАДГРАТКИ»270 год. (7,5 кредитів)

Форма контролю: екзаменВикладацький склад:Савчук Андрій Йосипович – доктор фіз.-мат. наук, професор, завідувач кафедри фізикинапівпровідників і наноструктур (фізичний факультет).

Мета викладання дисципліни: формування знань магістрантів з основфізики електронних процесів, які виникають та протікають при переході відоб’ємних кристалів напівпровідників до низькорозмірних квантовихструктур і надграток.

У результаті вивчення курсу студент має набути такихкомпетенцій: знання про класифікацію та поділ напівпровідниковихквантових структур на нульвимірні, одновимірні та двовимірні; основніфізичні явища та особливості перебудови енергетичного спектру внизькорозмірних напівпровідникових системах; особливості проявуквантово-розмірних ефектів в нульвимірних, одновимірних та двовимірнихструктурах; явище квантування енергетичного спектру електронів в сильнихмагнітних полях як в об’ємних напівпровідниках, так і в двовимірнихсистемах; оптичні процеси за участю екситонних збуджень в квантовихточках різного радіуса; основні технологічні методи одержання квантовихшарів, нанониток, наночастинок та надграток; класифікаціюнапівпровідникових надграток та їхні фізичні властивості; можливостіпрактичного застосування напівпровідникових квантових структур інадграток в опто-, мікро-,наноелектроніці та сучасних технологіях.

Вивчення курсу здійснюється за двома змістовими модулями:

ЗМІСТОВИЙ МОДУЛЬ 1«КВАНТОВО-РОЗМІРНІ ЕФЕКТИ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ

КВАНТОВИХ СТРУКТУРАХ ТА ЯВИЩЕ МАГНІТНОГОКВАНТУВАННЯ В СИЛЬНИХ МАГНІТНИХ ПОЛЯХ»

НЕ 1.1. Предмет, мета, завдання вивчення курсу «Напівпровідниковіквантові структури і надгратки»Основні етапи розвитку фізики напівпровідників. Передумови виникненнянапрямку дослідження напівпровідникових квантових структур.Класифікація та поділ низькорозмірних систем на нульвимірні(0D),одновимірні(1D), двовимірні (2D) структури та надгратки.НЕ 1.2. Квантово-розмірні ефекти в низькорозмірних структурахПоняття про квантовий розмірний ефект у твердих тілах. Основний критерійрозмірного квантування у напівпровідникових плівках. Модель потенціалутонкої плівки. Квантування енергії поперечного руху електронів у тонкійплівці. Модель потенціалу в інверсійному шарі МДН структури.Квантування енергетичного спектра електронів у інверсійному шарі МДНструктури. Умови реалізації квантового розмірного ефекту (вимоги щодорухливості, концентрації, температури). Густина електронних станів упідзонах при розмірному квантуванні та її трансформація в низькорозмірних

квантових структур. Осциляції рухливості носіїв та питомого опору в тонкихплівках в залежності від їх товщини. Прояв квантового розмірного ефекту воптичних властивостях тонких плівок. Осциляції провідності каналу в МДНструктурі при зміні напруги на електроді. Використання осциляційнихзалежностей для визначення параметрів енергетичного спектра. Тунелюванняелектронів крізь потенціальні бар’єри. Типова тунельна структура, їїенергетична діаграма та тунельні характеристики.НЕ 1.3. Ефекти магнітного квантування в напівпровідникових кристалахі 2D структурах.Критерій квантування руху електронів у магнітному полі. Густинаелектронних станів для об’ємних кристалів у квантуючому магнітному полі.Утворення підрівнів та підзон Ландау. Осциляційні ефекти де Гааза-ванАльфена та Шубникова- де Гааза. Особливості подвійного квантування(магнітного та розмірного) в тонких напівпровідникових плівках. Оптичнівластивості плівок у поперечному магнітному полі. Визначенняекстремальних та не екстремальних перерізів ізоенергетичної поверхні.НЕ 1.4. Цілочисловий та дробовий квантові ефекти Холла в 2D системах.Відкриття особливостей квантування холлівського опору в 2D структурах наоснові Si та GaAs. Цілочисловий квантовий ефект Холла в 2D структурах.Теоретичне обґрунтування виникнення квантового ефекту Холла на основіпоняття про локалізовані та делокалізовані електронні стани. Дробовийквантовий ефект Холла та необхідні умови його експериментальногоспостереження. Значення відкриття квантових ефектів Холла для фізичноїнауки. Метрологічні застосування цілочислового квантового ефекту Холла.

ЗМІСТОВИЙ МОДУЛЬ 2 «ЕНЕРГЕТИЧНИЙ СПЕКТР ТА ОПТИЧНА СПЕКТРОСКОПІЯ

ЕКСИТОНІВ В НУЛЬВИМІРНИХ СТРУКТУРАХ. КЛАСИФІКАЦІЯНАПІВПРОВІДНИКОВИХ НАДГРАТОК ТА ЇХНІ ФІЗИЧНІ

ВЛАСТИВОСТІ »НЕ 2.1. Технологічні методи вирощування та експериментальніметодики дослідження нульвимірних (0D) структур.Загальні відмінності 0D структур від інших квантових систем. Технологічніметоди одержання та експериментального дослідження напівпровідниковихнанокристалів. Переваги методу колоїдної хімії при одержаннінапівпровідникових нанокристалів в діелектричних полімерних матрицях.Методи синтезу напівпровідникових наночастинок в матриці неорганічногоскла. Застосування молекулярно-пучкової епітаксії для одержаннянаноструктур з різною формою. Визначення розмірів впровадженихнапівпровідникових наночастинок із досліджень Х-променевої дифракції,електронної мікроскопії та скануючої тунельної мікроскопії.НЕ 2.2. Енергетичні спектри екситонів в квантових точках різногорадіуса.Метод ефективної маси у застосуванні до визначення енергетичного спектру0D структур. Теоретичний розрахунок енергетичного спектру екситонів у

квантових точках з великим радіусами. Залежність екситонного спектру відкількості екситонів в окремій квантовій точці. Енергетичний спектрекситонів в квантових точках з малим радіусом. Порівняння розрахованихенергетичних рівнів зі спектром ідеальної квантової точки малого радіуса.Багаточастинкові стани в квантових точках з малим та великим радіусами(утворення екситонних молекул – біекситонів).НЕ 2.3. Експериментальні оптичні спектри екситонів внапівпровідникових нанокристалах.Поглинання світла нанокристалітами з великим та малим радіусами наприкладі нанокристалів CuCl та CdS в скляній матриці. Пояснення тонкоїструктури екситонних спектрів та залежності їх короткохвильового зміщеннязі зменшенням середнього радіуса квантових точок. Виявлення лазерноїгенерації та інші застосування 0D структур.НЕ 2.4. Класифікація напівпровідникових надграток.Особливості 2D електронного газу в напівпровідникових структурах типуGaAs/AlGaAs. Основні типи надграток та їхні енергетичні діаграми.Композиційні надгратки I, II та III типів. Рівномірно леговані та модульованолеговані надгратки I типу. Напружені, пилоподібні та аморфні композиційнінадгратки. Енергетична діаграма та особливості структури легованихнапівпровідникових надграток.НЕ 2.5. Особливості енергетичного спектру, фізичні властивості тапрактичне застосування напівпровідникових надграток.Утворення мінізон у композиційних надгратках I типу. Оптичні властивостікомпозиційних надграток. Структура та властивості спінових надграток типуCdTe/CdMnTe. Пов’язані зі спіном явища в квантових структурах танадгратках на основі напівмагнітних напівпровідників. Технологіявирощування та практичне застосування напівпровідникових надграток.

Основна література до курсу1. Пека Г.П., Стріха В.І. Поверхневі та контактні явища у напівпровідниках.- К.: Либідь,

1992. – 240 с.2. Кульбачинский В.А. Двумерные, одномерные, нульмерные структуры и сверхрешетки.

– М.: Изд-во физического факультета МГУ, 1998.- 164 с.3. Yoffe A.D. Low-dimensional systems: quantum size effects and electronic properties of

semiconductor microcrystallites (zero-dimensional systems) and some quasi-two-dimensional systems // Advances in Physics. – 1993.- V.42, No.2.- P. 173-266.

4. Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Bimberg D. Self-organized Formation of SemiconductorNanostructures. Springer –Verlag, 2000.- 250 p.

5. Шпак А.П., Куницький Ю.А., Коротченков О. О., Смик С. Ю. Квантові низькорозмірнісистеми. К.: Академперіодика, 2003.- 310 с.

6. Заячук Д. М. Низькорозмірні структури і надгратки.- Львів: ВидавництвоНаціонального університету ”Львівська політехніка”, 2006.- 220 с.

7. Cуздалев И. П. Нанотехнология : физико-химия нанокластеров, наноструктур инаноматериалов. – М. : КомКнига, 2006.- 592 с.

8. Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. – М.: Физматлит, 2007.-416 с.

9. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. – М.:Университетская книга; Логос; Физматкнига, 2006.- 496 с.

10. Щука А.А. Наноэлектроника.- М.: Физматкнига, 2007.- 464 с.

«ОХОРОНА ПРАЦІ В ЕЛЕКТРОНІЦІ»36 год. (1 кредит)

Форма контролю: екзаменВикладацький склад:Парфенюк Орест Архипович – доктор фіз.-мат. наук, професор кафедри електроніки іенергетики (фізичний факультет).

Мета викладання дисципліни: формування знань магістрів прозавдання охорони праці, законодавчі і нормативні акти по охороні праці,про небезпечність і характер впливу на організм людини шкідливихвиробничих факторів, принципи нормування цих факторів, засоби технікибезпеки в умовах виробництва та експлуатації електронного обладнання. У результаті вивчення дисципліни студент має набути такихкомпетенцій: знання про сутність охорони праці як системи заходів, щозабезпечують безпеку і працездатність людини в процесі праці, про вимогидо умов праці й організаційні та технічні методи запобігання аварій,нещасних випадків, травматизму і професійних захворювань привиробництві електронних приладів.Вивчення курсу здійснюється за двома змістовними модулями:

ЗМІСТОВИЙ МОДУЛЬ 1«СИСТЕМА НОРМ БЕЗПЕЧНИХ УМОВ ПРАЦІ»

НЕ1.1. Основні поняття і визначення охорони праці.Наукове і технічне забезпечення охорони праці. Головний об’єкт, структура ізавдання охорони праці. Співпраця з правовими, економічними, технічними,медичними та іншими науковими дисциплінами.НЕ1.2. Правові і нормативні основи охорони праці.Основи законодавства про охорону праці. Закон України про охорону праці.Нормативно-технічна документація. Системи стандартів безпеки праці.НЕ1.3. Небезпечні і шкідливі виробничі фактори при процесах синтезу,вирощування і обробки напівпровідникових кристалів.Дія напівпровідникових речовин, хімічних реагентів й виробничого пилу наорганізм людини. Класифікація шкідливих речовин по характеру і ступенюбіологічної дії. Безпека технологічних процесів при механічній обробцінапівпровідникових матеріалів. Очищення повітря від шкідливих домішок.НЕ1.4. Виробнича санітарія.Контроль параметрів мікроклімату, шуму та ультразвуку в виробничихприміщеннях. Методи і заходи зменшення негативних факторів приексплуатації термічних установок, вентиляційних систем і ультразвуковихустановок.

ЗМІСТОВИЙ МОДУЛЬ 2«ОХОРОНА ПРАЦІ В ЕЛЕКТРОННОМУ ПРИЛАДОБУДУВАННІ»

НЕ2.1. Заходи безпеки при рентгеноструктурному аналізі і орієнтаціїкристалів.

Дози, біологічна дія та нормування рентгенівського випромінювання. Методиконтролю і захисту.НЕ2.2. Вимоги безпеки при проведенні лазерних технологій очищенняповерхонь кристалів і створення електронних приладів.Біологічна дія та енергетична експозиція лазерного випромінювання.Класифікація лазерів по ступеню дії на організм людини. Методи захисту.НЕ2.3. Вимоги вакуумної гігієни в процесах нанесення плівок накристалічні пластини. Безпека систем , працюючих під тиском.Вимоги до виробничих приміщень, вакуумних камер, матеріалів,інструментів, оптичних деталей, спецодягу. Техніка безпеки при роботі зємностями зі стиснутими вибухонебезпечними газами та зрідженими газами.НЕ2.4. Техніка безпеки при проведенні процесів фотолітографії.Вимоги безпеки при нанесенні на кристали шарів фоторезисту. Правилаповодження з ртутно-кварцевою лампою установки суміщення іекспонування. Техніка безпеки при роботі на установці для проявленняфоторезисту і травлення.НЕ2.5. Електробезпека і пожежна охорона.Дія електричного струму на організм людини. Технічні методи і засобизахисту від електричного струму. Причини пожеж і вибухів. Показникиджерел запалювання. Методи гасіння пожежі. Вогнегасильні речовини.

Основна література до курсу1. Охорона праці в промисловому виробництві: Навчальний посібник/ Укл.: Грушка

О.Г., Грушка З.М. – Чернівці: Рута, 2008. – 80 с.2. Денисенко Г.Ф. Охрана труда: Учебное пособие для вузов. – М.: Высш. шк. 1995. –

320 с.3. Охрана труда /Под ред. Б.А. Князевского. – М.: Высш.шк. – 1982. – 311 с.4. Охрана труда в приборостроении /Под ред. К. Н. Ткачука. – Киев: Вища шк. – 1980.

– 190 с.5. Охрана труда в радио- и электронной промышленности /Под ред. С. П. Павлова. –

М.: Радио и связь. – 1985. – 200 с.6. Павлов С. П., Губонина З. И. Охрана труда в приборостроении. – М.: Радио и связь.

– 1982. – 230 с.7. Нашельский А. Я. Производство полупроводниковых материалов. М.:

Металлургия. – 1989. – 271 с.8. Моряков О. С. Устройство и наладка оборудования полупроводникового

производства. М.: Высш. шк. – 1981. – 240 с.9. Охрана труда в электроустановках /Под ред. Б. А. Князевского. – М.: Высш. шк. –

1980. – 290 с.

Основні положенняпедагогічної (асистентської) практикипо підготовці фахівця ОКР «Магістр»8.05080102 – Фізична та біомедична електроніка

1. Вступ

Асистентська практика студентів є важливою частиною професійноїпідготовки фахівців-соціальних педагогів. Асистентська практика проходитьпротягом 8 тижнів.

Відповідно до державних вимог щодо змісту й рівня професійноїпідготовки випускника магістратури студент повинен:

- розуміти роль навчальних закладів у суспільстві, основні проблемидисциплін, що визначають конкретну область його діяльності;

- знати основні законодавчі документи, що стосуються системи освіти,права й обов'язки суб'єктів навчального процесу (викладачів, керівників,студентів);

- розуміти концептуальні основи предмета, його місце в загальнійсистемі знань і цінностей і в навчальному плані навчального закладу;

- враховувати в педагогічній діяльності індивідуальні особливостістудентів, включаючи вікові й психологічні;

- володіти знаннями курсу, достатніми для аналітичної оцінки, виборуй реалізації освітньої програми, що відповідає рівню підготовленостістудентів, їхнім потребам, а також вимогам суспільства.

Педагогічний компонент проходження асистентської практикиполягає у формуванні особистості майбутнього викладача вищої школи,застосуванні теоретичних знань у практичній діяльності, засвоєнняпедагогічних умінь, набуття, вивчення та аналіз педагогічного досвіду.Педагогічний компонент містить в собі знання та уміння, якими повиненоволодіти студент-практикант.

Студент-практикант повинен знати:- сутність процесів навчання й виховання, їхні психолого-педагогічні

основи;- шляхи вдосконалення майстерності викладача й способи

самовдосконалення;- дидактику навчальної дисципліни;- питання часткових методик за курсом;- нові технології навчання;- методи формування навичок самостійної роботи й розвиток творчих

здібностей і логічного мислення студентів;- наукові основи курсу, історію й методологію відповідної науки.Студент-практикант повинен уміти:- проектувати, конструювати, організовувати й аналізувати свою

педагогічну діяльність;

- планувати навчальні заняття відповідно до навчального плану закладуй на основі його стратегії;

- забезпечувати міждисциплінарні зв'язки курсу з іншимидисциплінами;

- розробляти й проводити різні за формою навчання заняття найбільшефективні при вивченні відповідних тем і розділів програми, адаптуючи їх дорізних рівнів підготовки студентів;

- ясно, логічно викладати зміст матеріалу, опираючись на знання йдосвід студентів;

- відбирати й використовувати відповідні навчальні засоби дляпобудови технологій навчання;

- аналізувати навчальну й учбово-методичну літературу йвикористовувати її для побудови власного викладу програмного матеріалу;

- організовувати навчальну діяльність студентів, управляти нею йоцінювати її результати;

- застосовувати основні методи об'єктивної діагностики знань студентівз предмету, вносити корективи в процес навчання з урахуванням даннихдіагностики;

- володіти методикою проведення заняття із застосуванняммультимедійних засобів навчання;

- створювати й підтримувати навчальне середовище, що сприяєдосягненню цілей навчання;

- розвивати інтереси студентів і мотивацію навчання, формувати йпідтримувати зворотний зв'язок.

Студент-практикант повинен мати уявлення:- про зв'язки предмета з майбутньою професійною діяльністю

студентів;- про методичні аспекти предмета в цілому, окремих тем і понять;- про методи й прийоми складання завдань, вправ, тестів з різних тем;- про можливості застосування комп'ютерної техніки в навчальному

процесі.Асистентська практика здійснюється з урахуванням обов'язкового

мінімуму змісту програми професійної підготовки викладача середніхспеціальних та вищих навчальних закладів, після проходження студентамибазових психолого-педагогічних дисциплін, методики викладання соціальноїпедагогіки, педагогіки й психології вищої школи.

Організацію практики здійснює факультетський керівник практики,методист практики.

Консультування магістрів-практикантів проводять викладачі-консультанти кафедри електроніки і енергетики.

2. Мета і завдання практикиМета – формування готовності магістрів до викладацької діяльності у

середніх спеціальних та вищих навчальних закладах.Завдання:

1. Розвиток професійних умінь педагогічної діяльності викладачашляхом залучення магістрів до виконання різних форм навчально-виховноїроботи у ВНЗ.

2. Формування умінь щодо планування та організації навчально-методичної роботи викладача ( у межах окремого заняття, теми, курсу).

3. Формування готовності магістрів до здійснення соціально-виховноїроботи зі студентами та студентськими групами.

3. Зміст практики

3.1 Методичні рекомендації студентамПід час проходження практики студент повинен:- Здійснювати спостереження за виконанням викладачем-наставником

різних видів навчальної роботи зі студентами.- Розробити робочу програму з дисципліни, що буде викладати

практикант.- Розробити навчальну та робочу програму спецсемінару для студентів

(за темою магістерської роботи).- Розробити план практичних занять, обговорити їх з викладачем-

наставником та провести заняття відповідно плану.- Підготувати конспекти лекцій, обговорити їх з викладачем, провести

лекційні заняття.- Розробити завдань для самостійної роботи, для поточного контролю,

тести тощо.- Провести лекційні, практичні та лабораторні заняття.- Відвідати лекції, семінарські та практичні заняття викладачів кафедри

електроніки і енергетики; обговорити з викладачами доцільністьвикористаних методів, методичних знахідок тощо (20 годин).

- Відвідати заняття, що проводять магістри в інших групах з наступнимобговоренням (по 2 лекції та 2 лабораторних заняття).

- Здійснювати роботу в якості помічника куратора на молодшихкурсах.

- Організувати 1-2 позааудиторні заняття з застосуванням активнихформ навчання (круглий стіл; зустріч з фахівцями, обговорення актуальнихпроблем курсу у нетрадиційній формі).

- Відвідувати засідання кафедри, брати участь у роботі методичного таметодологічного семінарів.

- Підготувати аналіз матеріалів практики та звіт, звітування наконференції.

Під час проходження асистентської практики студент зобов'язаний:1. Дотримуватися режиму навчального закладу та його вимог.2. Брати активну участь у настановних і підсумкових конференціях.3. Ознайомитися з документацією кафедри й викладача навчального

закладу (навчальним планом спеціальності, графіком навчального процесу,індивідуальним планом викладача, робочими програмами, календарнимпланом, планами занять і та ін. ).

4. Знати вимоги, що ставляться до заповнення документів.

5. Планувати свою діяльність і відображати її в індивідуальному плані.6. Відвідувати заняття викладача методиста, проведені ними протягом

практики. Спостерігати за діяльністю викладача методиста й фіксуватирезультати в щоденнику практики. Проводити аналіз занять.

7. Надавати допомогу викладачу-методистові:- у розробці робочих програм з дисципліни;- в оформленні наочності, підготовці дидактичного матеріалу;- в перевірці залишкових знань, тестів, контрольних завдань студентів;- у проведенні модульного контролю, атестації студентів;-у виконанні доручень кафедри;- в організації позааудиторної роботи зі студентами.Педагогічна (асистентська) практика здійснюється за трьома

змістовими модулями

ЗМ 1. Підготовка магістранта до забезпечення викладання базових, професійно-орієнтованих дисциплін зі спеціальностей

(викладацький)НЕ 1.1. Ознайомлення з організацією навчально-методичної, виховної,

науково-дослідної роботи студентів у вищому навчальному закладі• відвідування лекцій і практичних (лабораторних) занять провідних

викладачів з дисциплін спеціальностей; кожен студент відвідує неменше 3 лекцій та 2 практичних або лабораторних занять;

• ознайомлення з робочими планами дисциплін спеціальностей таметодикою планування обсягу матеріалу лекції, взаємозв'язку змістулекції зі спеціальністю студентів, для яких вона читається;

• вивчення критеріїв оцінки вузівської лекції;• ознайомлення з концептуальними підходами до системи оцінювання

знань студентів в умова КМСОНП.НЕ 1.2. Підготовка та викладання базових професійно-орієнтованих

дисциплін• підготовка текстів пробних лекцій (не менше 2 лекцій) та розгорнутих

планів (конспектів) лабораторних (практичних) занять (не менше 3занять);

• проведення пробних лекцій і лабораторних занять;• підготовка і проведення 2 залікових занять (1 лекція, 1 лабораторне

(практичне) заняття);• підготовка звіту про виконання завдань практики.

ЗМ 2. Організація виховної роботи в академічних групахОрганізація виховної роботи магістранта як вихователя студентської

молоді спрямована на формування всебічно розвиненої особистості, їїіндивідуальних і професійно значущих якостей. Досягти цього можливозавдяки досконало вибудуваному змісту навчальних предметів, що сприяєформуванню світогляду і загальної культури студентів, а також завдякиполітичним, моральним, естетичним і етичним якостям викладача. Виховнудіяльність магістрант здійснює передусім у процесі навчання,

використовуючи потенційні можливості навчальних дисциплін. Виховнаспрямованість лекції полягає у здійсненні комплексного підходу до змісту іметодики викладання, єдності національно-патріотичного і моральноговиховання, висвітлення досягнень і пріоритету українських учених(української науки) та їх взаємозв’язків із вченими зарубіжних країн.Важливу роль у виховному процесі відіграє спілкування зі студентами упоза-лекційний час. Важливо, щоб магістрант-викладач усвідомивважливість свого виховного впливу на майбутніх фахівців і реалізував цюфункцію не лише через співбесіди, кураторську роботу, керівника гуртків,роботу в гуртожитках, проведення вечорів, екскурсій тощо, а й на власномуприкладі. Усі розглянуті функції виявляються в єдності, хоча у різнихвихователів може одна превалювати над іншими: у деяких переважаєпедагогічна спрямованість, в інших – дослідницька, у третіх – однакововиражена педагогічна і дослідницька. Будь-який виховний захід повиненмати належне морально-естетичне спрямування, враховувати індивідуальніособливості суб’єктів виховного процесу і спиратися на кращі надбаннянаціональної та світової практики.

Виховний процес повинен забезпечувати найширші можливості длярозвитку творчих задатків студентів, зберігати і зміцнювати їх моральне тафізичне здоров’я, формувати високоінтелектуальні особистості, для якихгромадянські інтереси є пріоритетними.

ЗМ 3. Науково-дослідна робота магістранта-викладача в умовахпедагогічної діяльності

НЕ 3.1. Проведення самостійних досліджень з теми магістерськоїроботиПродовження збору і опрацювання матеріалів згідно плану наукової роботимагістранта. Освоєння методик та проведення теоретичних іекспериментальних досліджень. Аналіз та узагальнення результатів науковихдосліджень, підготовка тез на наукові конференції та публікації матеріалів уфахових періодичних виданнях.НЕ 3.2. Організація науково-дослідницької роботи магістранта зістудентами Консультування студентів молодших курсів стосовно пошуку матеріалузгідно їхніх тем наукових та курсових робіт, надання допомоги в освоєнніметодик і проведення спільних експериментальних досліджень, їх аналізу,підготовка рецензій і відзивів як науковця на наукові (курсові) роботистудентів молодших курсів.

3.2 Індивідуальні завдання

Етапи здійснення

І тиждень

Знайомство з кафедрою, навчальною групою.Відвідування занять викладачів, що працюють у групі, уякій студент має проходити практику.Знайомство з документацією.

Складання індивідуального плану роботи.Планування роботи на тиждень.Планування й підготовка до занять.

ІІ-III тиждень Затвердження плану й тексту лекцій або практичнихзанять у керівника практики.Підготовка до занять.Проведення пробних занять.Відвідування занять інших практикантів, проведеннявідвідуваних занять.Робота із куратором групи, закріпленої за студентом.

ІІІ – ІVтиждень

Планування індивідуальної роботи на тиждень і звіт затиждень.Затвердження плану й тексту лекцій і практичних занять.Проведення відкритих лекційних та практичних занять.Відвідування відкритих занять інших студентів-практикантів.Проведення виховних заходів в групі.Проведення поза аудиторної роботи зі студентами.

IV тиждень Оформлення документації.Підготовка та здача звітів.Здача дидактичного матеріалу.Підведення підсумків практики.

Навчальні посібники:1. Алексюк А.М. Педагогіка вищої освіти України. Історія. Теорія:

Підручник. - К.: Вища школа, 1998. – 560с.2. Вітвицька С.С. Основи педагогіки вищої школи. - К.: Логос, 2003. – 221 с.3. Вітвицька С.С. Практикум з педагогіки вищої школи: Навч. посібник за

модульно-рейтинговою системою навчання для суд. магістратури. – К.:Освіта, 2005. – 396с.

4. Галагузов В.М., Євтух М.Б. Основи педагогіки та психології вищої школив Україні. – К.: Освіта, 1995. – 241 с.

5. Дичківська І.М. Інноваційні педагогічні технології. - К.: Світ, 2004. – 147 с.6. Козаков В.А. Самостоятельная работа студентов и её информационно-

методическое обеспечение. – К.: Высшая школа, 1990. – 195 с.7. Коротяєв Б.І., Гришин Є.О., Устинко О.А. Педагогіка вищої школи. – К.:

Освіта, 1990. –8. Марушкевич А.А. Педагогіка вищої школи. - К.: Логос, 2006. – 215 с.9. Педагогічна майстерність: Підручник / За ред. І .А.Зязюна. - К.: Вища

школа, 1997.4. Форми та методи контролю

Студенти повинні вести щоденник з практики встановленого зразку, вякому висвітлюються етапи роботи та їх зміст і який додається до звіту зпрактики.

За результатами практики проводиться диференційний залік.