ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ

ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ В ИНСТИТУТЕ

ФИЗИКИ НАЦИОНАЛЬНОЙ АКАДЕМИИ

НАУК АЗЕРБАЙДЖАНА

Член-Корр. НАНА Таяр Джумшудович Джафаров

Институт Физики НАН АзербайджанаПр. Джавида 33, AZ-1143, Баку АЗЕРБАЙДЖАН

E-mail: caferov@physics.ab.az

1

3

4

Институт Физики, Национальная Академия Наук Азербайджана (1945)Институт Физики, Национальная Академия Наук Азербайджана (1945)

Основные научные направления:

Физика полупроводников и диэлектриков

Физика ядра

Физико-технические проблемы энергетики http://www.physics.gov.az

5

Основные работы в области полупроводникового материаловедения:

1. Функциональные материалы для нетрадиционной энергетики

(а) Тонкопленочные полупроводниковые соединения II-VI для солнечных элементов.

pCdTe/nCdS CdTe/Cd1-x ZnxS (0 ≤ x ≤ 0.26, 2.43 ≤ Eg ≤ 2.64

eV) Cd1-x ZnxTe/CdS (0 ≤ x ≤ 0.22, 1.50 ≤ Eg ≤ 1.65

eV)

6

(б) Полупроводниковый кремний для солнечных элементов.

- Изучение возможности производства полупроводникового кремния в Азербайджане из местных природно-чистых кварцитов;

- Усовершенствование технологии и изготовление кремниевых солнечных элементов;

- Выращивание однородных и переменных по составу (варизонных) твердых растворов Ge1-x Six ( могут быть использованы как прочные, легковесные и недорогие подложки для AlGaAs/GaAs солнечных элементов);

AlGaAs/GaAs/Si AlGaAs/GaAs/Ge/GeSi/Si GaAs/Si (4%) GaAs/Ge (0.07%)

7

(в) Микро-пористый кремний для водородных топливных элементов.

Элемент на основе Au/пористый кремний структуры в водородо- содержащей среде (газообразной или жидкой) генерирует электрическое напряжение (до 600 мВ).

(г) Термоэлектрические материалы для термоэлементов и других термоэлектрических преобразователей.

Выращивание кристаллов и получение экструдированных образцов твердых растворов на основе Bi2Te3 (Bi2Te3- Sb2Te3, Bi2Te3- Bi2Se3) z= (3.1-3.2)x10-3 K-1 для кристаллов (T>200K) z= (2.8-2.9)x10-3 K-1 для текстуририванных образцов z= 10x10-3 K-1 для Bi85Te15 (T=77K)

8

2. Полупроводниковые и композитные материалы для электрических, фотоэлектрических, люминесцентных, акустических и др. преобразователей

(а) Слоистые и цепочечные полупроводники (GaSe, InSe, Ga2Se3 и др.) и их твердые растворы.

TlGaSe2, TlInS2 - Tермическая память и влияние внешних факторов (электрическое поле, освещение и др.) на термическую память

Ga2S3:5mol% Eu (нанокристаллический) - Фотолюминесценция (более интенсивная и ширoкополосная)

CaGa2Se4:Eu2+ - Фото- и термолюминесценция (400-700 нм, 80-500 К)

9

(б) Фоточувствительные материалы ( CdHgTe, PbTe и др.)

(в) Евтектические композиты на основе III-V полупроводников.

GaSb-FeGa1.3 , InSb-MnSb, InSb-FeSb - Метод Бриджмена-направленная кристаллизация. Анизотропия кинетических характеристик, обусловленная металлическими включениями в форме игл.

Терморезисторы с линейными термостабильными характеристиками, работающие при 240-350 К.

10

(г) Композитные материалы на основе полимеров (полиэтилен, полипропилен, поливинилхлорид, PVDF –polyvinylidene fluoride) и сегнето-пьезоэлектриков (пьезокерамика, ЦТС-19) или полупроводников (CdS, CdTe, ZnSe, GaSe ).

Акусто-электрические, фото-акустические, пьезо-электрические элементы, вибро- и сейсмодатчики.

В элементах на основе композитных материалов показана возможность получения электрического напряжения (2.5 В) под воздействием освещения.

11

Благодарен за вниманиеБлагодарен за внимание!!