\ Õ 6¯ 7 Ou l£ø-{ m y_J%I 0¨«A4ç÷éù 0¨«jòäóùõ¬H¢L http://www.aist.go.jp/ $ 0 ¨ « j ò ä ó ù õ Ô Ç Ì Û ¼ º · ´ v Õ R Ò 8 J ø ° ã å ë ð « ) ø ì ô ÷ å ö å Þ ÷ î ù é ù ø ° n ø ° o D ú h û ø ! ; § d ú ARû ø EVAú 9 d Z û ø è ù ê ô Þ ð á ô å ñ á è ù ô ù Ô Ç Æ Ð 0 ¨ « ã å ë ð Õ É / B Ô PID (Poten*alInduced Degrada*on) ñ á è ù ô ù Y ý PIDv Ü w Í Å Ï Õ ñ à í æ ð Ü R Î Û Ò Ò × Ô Å â å ì Õ 8 ò ä ó ù õ Ü ¥ Î Û Õ ( 0 ¨ « j ò ä ó ù õ Õ PID ¯ ú AISTk û –1000 V, 85℃, 2~24 h ü – c-Si Ýõï[ EVA [áôå BS V Si0 ¨ « j ç õ ò ä ó ù õ IVt H Å EL} Ô Ø Ú ò ä ó ù õ Õ Ü CIGS0 ¨ « j ò ä ó ù õ Time / h Relative Pmax NREL 25/Water AIST Chemitox ○ V Si0 ¨ « j ò ä ó ù õ Ô Ç Ì Û PID Intensity Na + Na 2 OH + Na 3 CO 3 + PID劣化モジュール未劣化 Siセル表面を TOF-SIMSにより分析 PID劣化モジュール → Naが大幅増加 ø V ½ Á Ô Ç Ì Û ¼ º · ú Â * ç õ û á ô å , [ È Ù K N Î Û » À Þ ß ÷ É ( Ö ¼ º · ¯ P k Ô / Ê Ë 2 ø ¼ º · 8 ò ä ó ù õ ú V ½ Á û ¸ ¿ µ Õ 5 W Ã µ º ½ ¾ k ø ³ ² ² ² U ¦ Ñ × Ó Í ø ¶ º ¹ ½ 0 ¨ « j ò ä ó ù õ » À Þ ß ÷ É ( Ñ ú V ½ Á Ø Ú × ¼ º · H É ° Æ û 9 d Z Õ W Ô Ø Ú 8 É # øNaumann et al., Sol. Energy Mater. Sol. Cells 120 (2014) 383. øÅ-{Å2013C60'Gzsw4S34pÅª ø>"ÙÅ2014C61'Gzsw4S34pÅª ¡ ø y + 1 g Å Q = g Å ^ { ® g Å < r E g Å @ | 1 g Å > { T M g Å ° b a g Å ° ¤ & 1 g Å ? e g Å ` " O g Å q F g ø ~ ° : @ © . x Å > " g COOM n m O C O CH3 n m Time / h Relative Pmax Naが ZnO層中で増加 CIGS EVA 白板ガラス ZnO Na + Na + Na + Na + p型層 Na + Na + Na + Na + Mo 電極青板ガラス Na + Na + Na + Na + Na + Na + Na + Na + c-Si (n-layer) EVA AR 白板ガラス Na + Na + Na + Na + Na + Na + Na + 1 3 2 4 5 IO バックシート CIGS module 白板ガラス EVA バックシート CIGS module 無アルカリガラス IO型 Naレス型 EVA バックシート白板ガラス CIGS submodule ○CIGS0 ¨ « j ò ä ó ù õ Ô Ç Ì Û PID 標準型 Time / D Relative Pmax Voltage / V Current / A 長期では劣化 PID劣化なし PID劣化なし IO型 Naレス型標準型 Depth / um Concentration / atoms / cc ZnO Naの深さ方向の分布（ D-SIMS） CIGS ZnO Mo EVA Glass Xci] 未劣化 PID劣化機械研磨の研粒 +dC/dV (p-type) -dC/dV (n-type) 0 走査型キャパシタンス顕微鏡（ SCM） ZnO層の信号強度が低下標準型 PID test : –1000V, 85℃ 7 days PID試験前 14 days 3 days PID test : –1000V, 85℃ –1000V, 85℃ , ~1000 h 劣化は試験法に依存 ○ V Si Ô Ç Ì Û PID ○CIGS Ô Ç Ì Û PID ○$ ò ä ó ù õ Ô Ç Ì Û PID D Õ f Time / D Relative Pmax PID test : –1000V, 85℃ 薄膜系は PIDが起こりにくい？ c-Si CIGS a-Si ガラスからの Naイオンが影響ガラス基板からの Naイオン等が影響セル表面で電荷を相殺セル内部で不純物準位を形成アイオノマー (IO) EVA Naumann et al., Energy Procedia 27 (2012) 1. Sol.Energy Mater. Sol. Cells 120 (2014) 383. PID劣化未劣化