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UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA CENTROAMERICANA
FACULTAD DE INGENIERIAS
Electrònica II
Secc.2343
Laboratorio 4: Respuesta en Frecuencia.
Equipo: Jerson Orlando Castillo Berrios………….…..11411205
Denuar Alberto Chirinos Rodriguez.………...11511328
Parcial: Primer.
Instructor: Ing. Ricardo Tellez Trochez.
Fecha: 13 de Agosto del 2019
Campus: Tegucigalpa D.C.
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ContenidoResumen Ejecutivo.....................................................................................................................3
Objetivos.....................................................................................................................................4
Marco Teòrico.............................................................................................................................4
Respuesta en Frecuencia de Transistores................................................................................4
Respuesta en Frecuencia.....................................................................................................4
Resultados Teòricos....................................................................................................................6
Resultados Experimentales.......................................................................................................11
Tabla_1..................................................................................................................................11
Tabla_2..................................................................................................................................11
Tabla_3..................................................................................................................................11
Tabla_4..................................................................................................................................12
Capturas de Osciloscopio......................................................................................................12
Cuestionario..............................................................................................................................16
Conclusiones.............................................................................................................................16
Bibliografía...............................................................................................................................17
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Resumen Ejecutivo
El la práctica del presente laboratorio 4 de electrónica se analizó a fondo la construcción y el
comportamiento de los amplificadores a baja y alta frecuencia, para los cuales se utlizaron un
transistor BJT 2N3904 y un FET 283821.
Ambos circuitos son prácticamente similares en su estructura, con pequeñas diferencias como
el valor de las resistencias, capacitancias y la frecuencia de la fuente AC, además del
componente principal (en este caso), el tipo de transistor a utilizar.
Se realizaron los 2 circuitos y se visualizó su fuente de excitación junto con su salida en el
osciloscopio para tomar comparaciones, conclusiones y apuntes.
Objetivos
Determinar la respuesta de los amplificadores en baja frecuencia.
Determinar la respuesta de los amplificadores en alta frecuencia.
Determinar la respuesta en frecuencia total de un amplificador.
Marco Teòrico
Respuesta en Frecuencia de Transistores
La respuesta en frecuencia en los amplificadores determina el rango en el cual trabajar· el
sistema sin producir ruido o distorsiòn a su salida. Este se conoce como ancho de banda ( BW,
Band Width ) y establece las frecuencias para las cuales se produce el proceso de amplificaciòn.
Esta caracterìstica depende de los dispositivos y de la configuraciòn amplificadora, en diversos
apartados, se describen las zonas de trabajo de un amplificador, se analiza la respuesta en
frecuencia de configuraciones bàsicas y se planifica una metodologìa que permite determinar el
ancho de banda para un amplificador multietapa.
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Respuesta en Frecuencia
La respuesta en frecuencia de un amplificador consta de tres caracteristicas:
1. La regiòn de baja frecuencia, descrita por la respuesta de un filtro pasaalto.
2. Una regiòn independiente de la frecuencia ( àrea central de la curva ).
3. La regiòn de alta frecuencia, descrita por la respuesta de un filtro pasabajos. La regiòn
de baja frecuencia se caracteriza por una frecuencia de corte inferior fL, la regiòn de
alta frecuencia se describe a travès de la frecuencia de corte superior, fH.
En la pràctica, si los circuitos son acoplados directamente, BW = fH. Para determinar la
respuesta en frecuencia de un amplificador monoetapa, se toman en cuenta tanto los efectos
producidos por los filtros de acoplo, como los efectos capacitivos del dispositivo activo. Para el
BJT se usar un modelo que describa los efectos de alta frecuencia. (Robert L. Boylestad, 2018,
pág. 545)
Ilustración 1 Frecuencias (GoUmh, s.f.)
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Resultados Teòricos
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Resultados Experimentales
Tabla_1
MEDICIONES
V ¿ (pico−pico) 59.20mV
V OUT ( pico−pico ) 1.24V
AV 20.946
AV (dB) 26.422
Tabla_2
MEDICIONES NUEVAS
V ¿ (pico−pico) 82mV
Frecuencia(Hz) 346.2HZ
Tabla_3
MEDICIONES
V ¿ (pico−pico) 57.6mV
V OUT ( pico−pico ) 148mV
AV 2.5694
AV (dB) 8.1966
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Tabla_4
MEDICIONES NUEVAS
V ¿ (pico−pico) 728mV
Frecuencia(Hz) 165Hz
Capturas de Osciloscopio
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Cuestionario
1. ¿En los circuitos diseñados con JFET la frecuencia inferior de corte está determinada
por cuales dos datos?
El capacitor y la resistencia conectados al surtidor.
2. ¿Qué sucede con la ganancia de voltaje y el desfasamiento de un amplificador en bajas
frecuencias? ¿Por qué?
La ganancia es alta y no hay desfasamiento.
3. ¿Cuántos y qué tipo de filtros tiene el circuito de la figura 1?
3 filtros pasa alta.
4. ¿Qué sucede con las capacitancias internas del transistor en altas frecuencias?
No se toman como circuito abierto ya que sus reactancias se vuelven muy pequeñas lo cual
hace que el transistor se vuelva un cortocircuito.
Conclusiones
Pudimos obtener y analizar las respuestas de un circuito en alta y baja frecuencia.
Comprobamos que para un circuito eléctrico es más determinante la respuesta en
frecuencia que en el tiempo.
Concluimos que para este caso, la ganancia del amplificador en baja frecuencia es
mucho mayor que el de alta frecuencia.
Establecimos las diferencias entre un amplificador que utiliza un transistor BJT y uno con un
FET.
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Bibliografía
Floyd, T. L. (2008). Dispositivos Electrònicos (octava ed.). Mèxico, Distrito Federal, Mèxico:
Pearson. doi:978-970-26-1193-6
GoUmh. (s.f.). Obtenido de https://sites.google.com/a/goumh.umh.es/circuitos-electronicos-
analogicos/transparencias/tema-5: https://sites.google.com/a/goumh.umh.es/circuitos-
electronicos-analogicos/transparencias/tema-5
Robert L. Boylestad, L. N. (2018). Electrònica: Teorìa de circuitos y dispositivos electrònicos.
(Decimoprimera ed.). (B. G. Hernàndez, Ed.) Mèxico, Distrito Federal, Mèxico: Pearson.
doi:978-607-32-4395-7
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