Datenblatt / Datasheet FP35R12W2T4P

Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0www.infineon.com 2017-05-03

FP35R12W2T4P

EasyPIM™ModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC/bereitsaufgetragenemThermalInterfaceMaterialEasyPIM™modulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC/pre-appliedThermalInterfaceMaterial

VCES = 1200VIC nom = 35A / ICRM = 70A

TypischeAnwendungen TypicalApplications• •Hilfsumrichter Auxiliaryinverters• •Klimaanlagen Airconditioning• •Motorantriebe Motordrives

ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures• •NiedrigeSchaltverluste Lowswitchinglosses• •NiedrigesVCEsat LowVCEsat

• •TrenchIGBT4 TrenchIGBT4• •VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient

MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures• •Al2O3 Substrat mit kleinem thermischenWiderstand

Al2O3substratewithlowthermalresistance

• •KompaktesDesign Compactdesign• •Lötverbindungstechnik Soldercontacttechnology• •Robuste Montage durch integrierteBefestigungsklammern

Rugged mounting due to integrated mountingclamps

• •Thermisches Interface Material bereitsaufgetragen

Pre-appliedThermalInterfaceMaterial

ModuleLabelCodeBarcodeCode128

DMX-Code

ContentoftheCode DigitModuleSerialNumber 1-5ModuleMaterialNumber 6-11ProductionOrderNumber 12-19Datecode(ProductionYear) 20-21Datecode(ProductionWeek) 22-23

Datasheet 2 V3.02017-05-03

FP35R12W2T4P

IGBT,Wechselrichter/IGBT,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V

Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TH = 80°C, Tvj max = 175°C IC nom 35 A

PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 70 A

Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage

IC = 35 A, VGE = 15 VIC = 35 A, VGE = 15 VIC = 35 A, VGE = 15 V

VCE sat

1,852,152,25

2,25 VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 1,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,20 5,80 6,40 V

GateladungGatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,27 µC

InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω

EingangskapazitätInputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nF

RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,07 nF

Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA

Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload

IC = 35 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGon = 12 Ω

td on0,0250,0250,025

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload

IC = 35 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGon = 12 Ω

tr0,0130,0160,018

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload

IC = 35 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGoff = 12 Ω

td off0,240,2950,31

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload

IC = 35 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGoff = 12 Ω

tf0,1150,170,20

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse

IC = 35 A, VCE = 600 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, di/dt = 2500 A/µs (Tvj = 150°C)RGon = 12 Ω

Eon

1,902,903,15

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse

IC = 35 A, VCE = 600 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (Tvj = 150°C)RGoff = 12 Ω

Eoff

2,002,903,20

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

KurzschlußverhaltenSCdata

VGE ≤ 15 V, VCC = 800 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 130 A

Tvj = 150°C

tP ≤ 10 µs,

Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink

proIGBT/perIGBTvalidwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 1,00 K/W

TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C

Datasheet 3 V3.02017-05-03

FP35R12W2T4P

Diode,Wechselrichter/Diode,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V

DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 35 A

PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 70 A

GrenzlastintegralI²t-value

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 240

220 A²sA²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

DurchlassspannungForwardvoltage

IF = 35 A, VGE = 0 VIF = 35 A, VGE = 0 VIF = 35 A, VGE = 0 V

VF

1,651,651,65

2,15 VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent

IF = 35 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 VVGE = -15 V

IRM

81,085,088,0

AAA

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SperrverzögerungsladungRecoveredcharge

IF = 35 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 VVGE = -15 V

Qr

3,956,807,50

µCµCµC

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy

IF = 35 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 VVGE = -15 V

Erec

1,502,702,95

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink

proDiode/perdiodevalidwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 1,29 K/W

TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C

Diode,Gleichrichter/Diode,RectifierHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1600 V

DurchlassstromGrenzeffektivwertproChipMaximumRMSforwardcurrentperchip TH = 60°C IFRMSM 60 A

GleichrichterAusgangGrenzeffektivstromMaximumRMScurrentatrectifieroutput TH = 60°C IRMSM 60 A

StoßstromGrenzwertSurgeforwardcurrent

tp = 10 ms, Tvj = 25°Ctp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 450

370 AA

GrenzlastintegralI²t-value

tp = 10 ms, Tvj = 25°Ctp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 1000

685 A²sA²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

DurchlassspannungForwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 35 A VF 0,95 V

SperrstromReversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA

Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink

proDiode/perdiodevalidwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 1,42 K/W

TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C

Datasheet 4 V3.02017-05-03

FP35R12W2T4P

IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-ChopperHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V

Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TH = 80°C, Tvj max = 175°C IC nom 35 A

PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 70 A

Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage

IC = 35 A, VGE = 15 VIC = 35 A, VGE = 15 VIC = 35 A, VGE = 15 V

VCE sat

1,852,152,25

2,25 VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 1,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,20 5,80 6,40 V

GateladungGatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,27 µC

InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω

EingangskapazitätInputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nF

RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,07 nF

Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA

Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload

IC = 35 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGon = 47 Ω

td on0,070,070,07

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload

IC = 35 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGon = 47 Ω

tr0,0450,050,057

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload

IC = 35 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGoff = 47 Ω

td off0,280,440,45

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload

IC = 35 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGoff = 47 Ω

tf0,1150,1750,205

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse

IC = 35 A, VCE = 600 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, di/dt = 350 A/µs (Tvj = 150°C)RGon = 47 Ω

Eon

5,006,507,00

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse

IC = 35 A, VCE = 600 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (Tvj = 150°C)RGoff = 47 Ω

Eoff

2,103,053,35

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

KurzschlußverhaltenSCdata

VGE ≤ 15 V, VCC = 800 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 130 A

Tvj = 150°C

tP ≤ 10 µs,

Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink

proIGBT/perIGBTvalidwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 1,00 K/W

TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C

Datasheet 5 V3.02017-05-03

FP35R12W2T4P

Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-ChopperHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V

DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 10 A

PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 20 A

GrenzlastintegralI²t-value

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 16,0

14,0 A²sA²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

DurchlassspannungForwardvoltage

IF = 10 A, VGE = 0 VIF = 10 A, VGE = 0 VIF = 10 A, VGE = 0 V

VF

1,751,751,75

2,25 VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent

IF = 10 A, - diF/dt = 350 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 V IRM

12,010,08,00

AAA

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SperrverzögerungsladungRecoveredcharge

IF = 10 A, - diF/dt = 350 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 V Qr

0,901,701,90

µCµCµC

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy

IF = 10 A, - diF/dt = 350 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 V Erec

0,240,520,59

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink

proDiode/perdiodevalidwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 2,69 K/W

TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C

NTC-Widerstand/NTC-ThermistorCharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

NennwiderstandRatedresistance TNTC = 25°C R25 5,00 kΩ

AbweichungvonR100DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %

VerlustleistungPowerdissipation TNTC = 25°C P25 20,0 mW

B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K

B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K

B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K

AngabengemäßgültigerApplicationNote.Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

Datasheet 6 V3.02017-05-03

FP35R12W2T4P

Modul/ModuleIsolations-PrüfspannungIsolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV

InnereIsolationInternalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3

KriechstreckeCreepagedistance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5

6,3 mm

LuftstreckeClearance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0

5,0 mm

VergleichszahlderKriechwegbildungComperativetrackingindex CTI > 200

min. typ. max.

ModulstreuinduktivitätStrayinductancemodule LsCE 30 nH

Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-ChipModuleleadresistance,terminals-chip

TH=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE'

RAA'+CC'

5,006,00 mΩ

LagertemperaturStoragetemperature Tstg -40 125 °C

HöchstzulässigeBodenplattenbetriebstemperaturMaximumbaseplateoperationtemperature

TBPmax 125 °C

Anpresskraft für mech. Bef. pro Federmountig force per clamp F 40 - 80 N

GewichtWeight G 39 g

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin.Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07

Datasheet 7 V3.02017-05-03

FP35R12W2T4P

AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)VGE=15V

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,00

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C

VCE [V]

IC [A

]

0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,00

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VGE)VCE=20V

VGE [V]

IC [A

]

5 6 7 8 9 10 11 12 130

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=12Ω,RGoff=12Ω,VCE=600V

IC [A]

E [m

J]

0 10 20 30 40 50 60 700,0

1,0

2,0

3,0

4,0

5,0

6,0

7,0

8,0

9,0

10,0Eon, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 150°C

Datasheet 8 V3.02017-05-03

FP35R12W2T4P

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(RG),Eoff=f(RG)VGE=±15V,IC=35A,VCE=600V

RG [Ω]

E [m

J]

0 20 40 60 80 100 120 1400

2

4

6

8

10

12

14Eon, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 150°C

TransienterWärmewiderstandIGBT,WechselrichtertransientthermalimpedanceIGBT,InverterZthJH=f(t)

t [s]

Zth

JH [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,01

0,1

1

10ZthJH : IGBT

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,05490,0006602

20,10380,009094

30,18130,04103

40,660,1308

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff=12Ω,Tvj=150°C

VCE [V]

IC [A

]

0 200 400 600 800 1000 1200 14000

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70

75

80IC, ModulIC, Chip

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)IF=f(VF)

VF [V]

IF [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Datasheet 9 V3.02017-05-03

FP35R12W2T4P

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(IF)RGon=12Ω,VCE=600V

IF [A]

E [m

J]

0 10 20 30 40 50 60 700,0

1,0

2,0

3,0

4,0

5,0Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(RG)IF=35A,VCE=600V

RG [Ω]

E [m

J]

0 20 40 60 80 100 120 1400,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C

TransienterWärmewiderstandDiode,WechselrichtertransientthermalimpedanceDiode,InverterZthJH=f(t)

t [s]

Zth

JH [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,01

0,1

1

10ZthJH : Diode

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,098520,0006779

20,26760,01378

30,84070,1117

40,083180,5837

DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)IF=f(VF)

VF [V]

IF [A

]

0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,40

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70Tvj = 25°CTvj = 150°C

Datasheet 10 V3.02017-05-03

FP35R12W2T4P

AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)IC=f(VCE)VGE=15V

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,00

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)IF=f(VF)

VF [V]

IF [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)R=f(T)

TNTC [°C]

R[Ω

]

0 20 40 60 80 100 120 140 160100

1000

10000

100000Rtyp

Datasheet 11 V3.02017-05-03

FP35R12W2T4P

Schaltplan/Circuitdiagram

J

Gehäuseabmessungen/Packageoutlines

Infineon

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Edition2017-05-03

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