Technische Information / technical information FP35R12U1T4 fileTechnische Information / technical information IGBT-Module FP35R12U1T4 IGBT-modules ... %EFT’ +,. %’ T’ W,. ˘’

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Technische Information / technical information

FP35R12U1T4IGBT-ModuleIGBT-modules

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date of publication: 2009-11-12

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material no: 32112

UL approved (E83335)

SmartPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / NTC

SmartPIM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC

Vorläufige Daten / preliminary dataVorläufige Daten / preliminary dataVorläufige Daten / preliminary dataVorläufige Daten / preliminary data

V†Š» = 1200VV†Š» = 1200VV†Š» = 1200VV†Š» = 1200V

I† ÒÓÑ = 35A / I†ç¢ = 70AI† ÒÓÑ = 35A / I†ç¢ = 70AI† ÒÓÑ = 35A / I†ç¢ = 70AI† ÒÓÑ = 35A / I†ç¢ = 70A

Typische AnwendungenTypische AnwendungenTypische AnwendungenTypische Anwendungen Typical ApplicationsTypical ApplicationsTypical ApplicationsTypical Applications

• •Hilfsumrichter Auxiliary Inverters

• •Klimaanlagen Airconditions

• •Motorantriebe Motor Drives

• •Servoumrichter Servo Drives

Elektrische EigenschaftenElektrische EigenschaftenElektrische EigenschaftenElektrische Eigenschaften Electrical FeaturesElectrical FeaturesElectrical FeaturesElectrical Features

• •Niedrige Schaltverluste Low Switching Losses

• •Trench IGBT 4 Trench IGBT 4

• •TÝÎ ÓÔ = 150°C TÝÎ ÓÔ = 150°C

• •niedriges V†ŠÙÈÚ Low V†ŠÙÈÚ

Mechanische EigenschaftenMechanische EigenschaftenMechanische EigenschaftenMechanische Eigenschaften Mechanical FeaturesMechanical FeaturesMechanical FeaturesMechanical Features

• •AlèOé Substrat für kleinen thermischenWiderstand

AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance

• •Robuste Duplex-Rahmen Konstruktion Rugged Duplex frame construction

• •Selbsteinpressende Montage Self-acting PressFIT Assembly

Module Label CodeModule Label CodeModule Label CodeModule Label CodeBarcode Code 128Barcode Code 128Barcode Code 128Barcode Code 128

DMX - CodeDMX - CodeDMX - CodeDMX - Code

Content of the CodeContent of the CodeContent of the CodeContent of the Code Digit Digit Digit DigitModule Serial Number 1 - 5

Module Material Number 6 - 11

Production Order Number 12 - 19

Datecode (Production Year) 20 - 21

Datecode (Production Week) 22 - 23

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Vorläufige Datenpreliminary data

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHöchstzulässige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-Sperrspannungcollector-emitter voltage

TÝÎ = 25°C V†Š» 1200 V

Kollektor-DauergleichstromDC-collector current

T† = 100°C, TÝÎ = 175°CT† = 25°C, TÝÎ = 175°C

I† ÒÓÑI†

3554

AA

Periodischer Kollektor Spitzenstromrepetitive peak collector current t« = 1 ms I†ç¢ 70 A

Gesamt-Verlustleistungtotal power dissipation

T† = 25°C, TÝÎ = 175°C PÚÓÚ 250 W

Gate-Emitter-Spitzenspannunggate-emitter peak voltage V•Š» +/-20 V

Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max.

Kollektor-Emitter Sättigungsspannungcollector-emitter saturation voltage

I† = 35 A, V•Š = 15 VI† = 35 A, V•Š = 15 VI† = 35 A, V•Š = 15 V

V†Š ÙÈÚ

1,852,152,25

2,25

VVV

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Gate-Schwellenspannunggate threshold voltage

I† = 1,20 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C V•ŠÚÌ 5,2 5,8 6,4 V

Gateladunggate charge V•Š = -15 V ... +15 V Q• 0,27 µC

Interner Gatewiderstandinternal gate resistor TÝÎ = 25°C R•ÍÒÚ 0,0 Â

Eingangskapazitätinput capacitance

f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V CÍþÙ 2,00 nF

Rückwirkungskapazitätreverse transfer capacitance f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V CØþÙ 0,07 nF

Kollektor-Emitter Reststromcollector-emitter cut-off current

V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C I†Š» 1,0 mA

Gate-Emitter Reststromgate-emitter leakage current V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C I•Š» 400 nA

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)turn-on delay time (inductive load)

I† = 35 A, V†Š = 600 VV•Š = ±15 VR•ÓÒ = 12 Â

tÁ ÓÒ

0,0250,0250,025

µsµsµs

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Anstiegszeit (induktive Last)rise time (inductive load)

I† = 35 A, V†Š = 600 VV•Š = ±15 VR•ÓÒ = 12 Â

tØ

0,0130,0160,018

µsµsµs

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)turn-off delay time (inductive load)

I† = 35 A, V†Š = 600 VV•Š = ±15 VR•ÓËË = 12 Â

tÁ ÓËË

0,240,2950,31

µsµsµs

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Fallzeit (induktive Last)fall time (inductive load)

I† = 35 A, V†Š = 600 VV•Š = ±15 VR•ÓËË = 12 Â

tË

0,1150,170,20

µsµsµs

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Einschaltverlustenergie pro Pulsturn-on energy loss per pulse

I† = 35 A, V†Š = 600 V, L» = 35 nHV•Š = ±15 V, di/dt = 2500 A/µs (TÝÎ=150°C)R•ÓÒ = 12 Â

EÓÒ 1,902,903,15

mJmJmJ

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Abschaltverlustenergie pro Pulsturn-off energy loss per pulse

I† = 35 A, V†Š = 600 V, L» = 35 nHV•Š = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (TÝÎ=150°C)R•ÓËË = 12 Â

EÓËË 2,002,903,20

mJmJmJ

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

KurzschlussverhaltenSC data

V•Š ù 15 V, V†† = 800 V V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt

I»† 130

A

TÝÎ = 150°C

t« ù 10 µs,

Innerer Wärmewiderstandthermal resistance, junction to case pro IGBT / per IGBT RÚÌœ† 0,55 0,60 K/W

Übergangs-Wärmewiderstandthermal resistance, case to heatsink

pro IGBT / per IGBTð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K) RÚÌ†™ 0,50 K/W

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Diode-Wechselrichter / diode-inverterHöchstzulässige Werte / maximum rated valuesPeriodische Spitzensperrspannungrepetitive peak reverse voltage

TÝÎ = 25°C Vçç¢ 1200 V

DauergleichstromDC forward current

IŒ 35 A

Periodischer Spitzenstromrepetitive peak forward current t« = 1 ms IŒç¢ 70 A

GrenzlastintegralI²t - value

Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°CVç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C

I²t 240220

A²sA²s


Durchlassspannungforward voltage

IŒ = 35 A, V•Š = 0 VIŒ = 35 A, V•Š = 0 VIŒ = 35 A, V•Š = 0 V

VŒ

1,651,651,65

2,15

VVV

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Rückstromspitzepeak reverse recovery current

IŒ = 35 A, - diŒ/dt = 2500 A/µs (TÝÎ=150°C)Vç = 600 VV•Š = -15 V

Iç¢ 81,085,088,0

AAA

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Sperrverzögerungsladungrecovered charge


QØ 3,956,807,50

µCµCµC

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Abschaltenergie pro Pulsreverse recovery energy


EØþÊ 1,502,702,95

mJmJmJ

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Innerer Wärmewiderstandthermal resistance, junction to case pro Diode / per diode RÚÌœ† 0,70 0,80 K/W


pro Diode / per diodeð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

RÚÌ†™ 0,65 K/W

Diode-Gleichrichter / diode-rectifierHöchstzulässige Werte / maximum rated valuesPeriodische Rückw. Spitzensperrspannungrepetitive peak reverse voltage TÝÎ = 25°C Vçç¢ 1600 V

Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.forward current RMS maximum per diode

T† = 100°C IŒç¢»¢ 50 A

Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrommaximum RMS current at Rectifier output T† = 100°C Iç¢»¢ 50 A

Stoßstrom Grenzwertsurge forward current

tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°CtÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C IŒ»¢

450370

AA


tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°CtÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C

I²t 1000685

A²sA²s



TÝÎ = 150°C, IŒ = 35 A VŒ 0,95 V

Sperrstromreverse current TÝÎ = 150°C, Vç = 1600 V Iç 1,00 mA

Innerer Wärmewiderstandthermal resistance, junction to case

pro Diodeper diode

RÚÌœ† 0,95 1,05 K/W


pro Diode / per diodeð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K) RÚÌ†™ 0,85 K/W

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IGBT-Brems-Chopper / IGBT-brake-chopperHöchstzulässige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-Sperrspannungcollector-emitter voltage

TÝÎ = 25°C V†Š» 1200 V

Kollektor-DauergleichstromDC-collector current

T† = 100°C, TÝÎ = 175°CT† = 25°C, TÝÎ = 175°C

I†ÒÓÑI†

3554

AA

Periodischer Kollektor Spitzenstromrepetitive peak collector current t« = 1 ms I†ç¢ 70 A

Gesamt-Verlustleistungtotal power dissipation

T† = 25°C, TÝÎ = 175°C PÚÓÚ 250 W

Gate-Emitter-Spitzenspannunggate-emitter peak voltage V•Š» +/-20 V


Kollektor-Emitter Sättigungsspannungcollector-emitter saturation voltage

I† = 35 A, V•Š = 15 VI† = 35 A, V•Š = 15 VI† = 35 A, V•Š = 15 V

V†Š ÙÈÚ

1,852,152,25

2,25

VVV

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Gate-Schwellenspannunggate threshold voltage

I† = 1,20 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C V•ŠÚÌ 5,2 5,8 6,4 V

Gateladunggate charge V•Š = -15 V ... +15 V Q• 0,27 µC

Interner Gatewiderstandinternal gate resistor TÝÎ = 25°C R•ÍÒÚ 0,00 Â

Eingangskapazitätinput capacitance

f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V CÍþÙ 2,00 nF

Rückwirkungskapazitätreverse transfer capacitance f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V CØþÙ 0,07 nF

Kollektor-Emitter Reststromcollector-emitter cut-off current

V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C I†Š» 1,0 mA

Gate-Emitter Reststromgate-emitter leakage current V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C I•Š» 400 nA

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)turn-on delay time (inductive load)

I† = 35 A, V†Š = 600 VV•Š = ±15 VR•ÓÒ = 47 Â

tÁ ÓÒ 0,070,070,07

µsµsµs

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Anstiegszeit (induktive Last)rise time (inductive load)

I† = 35 A, V†Š = 600 VV•Š = ±15 VR•ÓÒ = 47 Â

tØ 0,0450,050,057

µsµsµs

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)turn-off delay time (inductive load)

I† = 35 A, V†Š = 600 VV•Š = ±15 VR•ÓËË = 47 Â

tÁ ÓËË 0,280,440,45

µsµsµs

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Fallzeit (induktive Last)fall time (inductive load)

I† = 35 A, V†Š = 600 VV•Š = ±15 VR•ÓËË = 47 Â

tË 0,1150,1750,205

µsµsµs

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Einschaltverlustenergie pro Pulsturn-on energy loss per pulse

I† = 35 A, V†Š = 600 V, L» = 35 nHV•Š = ±15 VR•ÓÒ = 47 Â

EÓÒ 5,006,507,00

mJmJmJ

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Abschaltverlustenergie pro Pulsturn-off energy loss per pulse

I† = 35 A, V†Š = 600 V, L» = 35 nHV•Š = ±15 VR•ÓËË = 47 Â

EÓËË 2,103,053,35

mJmJmJ

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

KurzschlussverhaltenSC data

V•Š ù 15 V, V†† = 800 VV†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š · di/dt

I»† 130

A

TÝÎ = 150°C

t« ù 10 µs,

Innerer Wärmewiderstandthermal resistance, junction to case pro IGBT / per IGBT RÚÌœ† 0,55 0,60 K/W


pro IGBT / per IGBTð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K) RÚÌ†™ 0,50 K/W

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Diode-Brems-Chopper / Diode-brake-chopperHöchstzulässige Werte / maximum rated valuesPeriodische Spitzensperrspannungrepetitive peak reverse voltage

TÝÎ = 25°C Vçç¢ 1200 V

DauergleichstromDC forward current

IŒ 10 A

Periodischer Spitzenstromrepetitive peak forw. current tÔ = 1 ms IŒç¢ 20 A


Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°CVç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C

I²t 16,014,0

A²sA²s



IŒ = 10 A, V•Š = 0 VIŒ = 10 A, V•Š = 0 VIŒ = 10 A, V•Š = 0 V

VŒ

1,751,751,75

2,25

VVV

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Rückstromspitzepeak reverse recovery current


Iç¢ 12,010,08,00

AAA

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Sperrverzögerungsladungrecovered charge


QØ 0,901,701,90

µCµCµC

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Abschaltenergie pro Pulsreverse recovery energy


EØþÊ 0,240,520,59

mJmJmJ

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Innerer Wärmewiderstandthermal resistance, junction to case pro Diode / per diode RÚÌœ† 1,50 1,65 K/W


pro Diode / per diodeð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) /ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

RÚÌ†™ 1,20 K/W

NTC-Widerstand / NTC-thermistorCharakteristische Werte / characteristic values min. typ. max.

Nennwiderstandrated resistance T† = 25°C Rèë 5,00 kÂ

Abweichung von Ræåådeviation of Ræåå

T† = 100°C, Ræåå = 493 Â ÆR/R -5 5 %

Verlustleistungpower dissipation T† = 25°C Pèë 20,0 mW

B-WertB-value Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))] Bèëõëå 3375 K

B-WertB-value

Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))] Bèëõîå 3411 K

B-WertB-value

Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))] Bèëõæåå 3433 K

Angaben gemäß gültiger Application Note.Specification according to the valid application note.

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Modul / moduleIsolations-Prüfspannunginsulation test voltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. Vš»¥¡ 2,5 kV

Material für innere Isolationmaterial for internal insulation AlèOé

Kriechstreckecreepage distance

Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal

12,76,3 mm

Luftstreckeclearance distance

Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal

8,55,0

mm

Vergleichszahl der Kriechwegbildungcomparative tracking index CTI > 200

min. typ. max.

Modulinduktivitätstray inductance module LÙ†Š 30 nH

Modulleitungswiderstand,Anschlüsse - Chipmodule lead resistance,terminals - chip

T† = 25°C, pro Schalter / per switch R††óôŠŠóRƒƒóô††ó

4,006,00

mÂ

Höchstzulässige Sperrschichttemperaturmaximum junction temperature Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà 175 °C

Temperatur im Schaltbetriebtemperature under switching conditions

Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ -40 150 °C

Lagertemperaturstorage temperature TÙÚÃ -40 125 °C

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigungmounting torque

Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Notescrew M6 - mounting according to valid application note M 8,00 - 9,00 Nm

Gewichtweight

G 34 g

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.

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Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)output characteristic IGBT-inverter (typical)output characteristic IGBT-inverter (typical)output characteristic IGBT-inverter (typical)output characteristic IGBT-inverter (typical)I† = f (V†Š)I† = f (V†Š)I† = f (V†Š)I† = f (V†Š)V•Š = 15 VV•Š = 15 VV•Š = 15 VV•Š = 15 V

V†Š [V]

I† [A]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,00

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)output characteristic IGBT-inverter (typical)output characteristic IGBT-inverter (typical)output characteristic IGBT-inverter (typical)output characteristic IGBT-inverter (typical)I† = f (V†Š)I† = f (V†Š)I† = f (V†Š)I† = f (V†Š)TÝÎ = 150°CTÝÎ = 150°CTÝÎ = 150°CTÝÎ = 150°C

V†Š [V]

I† [A]

0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,00

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70

V•Š = 19VV•Š = 17VV•Š = 15VV•Š = 13VV•Š = 11VV•Š = 9V

Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)transfer characteristic IGBT-inverter (typical)transfer characteristic IGBT-inverter (typical)transfer characteristic IGBT-inverter (typical)transfer characteristic IGBT-inverter (typical)I† = f (V•Š)I† = f (V•Š)I† = f (V•Š)I† = f (V•Š)V†Š = 20 VV†Š = 20 VV†Š = 20 VV†Š = 20 V

V•Š [V]

I† [A]

5 6 7 8 9 10 11 12 130

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)switching losses IGBT-inverter (typical)switching losses IGBT-inverter (typical)switching losses IGBT-inverter (typical)switching losses IGBT-inverter (typical)EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 12 Â, R•ÓËË = 12 Â, V†Š = 600 VV•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 12 Â, R•ÓËË = 12 Â, V†Š = 600 VV•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 12 Â, R•ÓËË = 12 Â, V†Š = 600 VV•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 12 Â, R•ÓËË = 12 Â, V†Š = 600 V

I† [A]

E [mJ]

0 10 20 30 40 50 60 700,0

1,0

2,0

3,0

4,0

5,0

6,0

7,0

8,0

9,0

10,0

EÓÒ, TÝÎ = 125°CEÓËË, TÝÎ = 125°CEÓÒ, TÝÎ = 150°CEÓËË, TÝÎ = 150°C

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revision: 2.0


Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)switching losses IGBT-Inverter (typical)switching losses IGBT-Inverter (typical)switching losses IGBT-Inverter (typical)switching losses IGBT-Inverter (typical)EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)V•Š = ±15 V, I† = 35 A, V†Š = 600 VV•Š = ±15 V, I† = 35 A, V†Š = 600 VV•Š = ±15 V, I† = 35 A, V†Š = 600 VV•Š = ±15 V, I† = 35 A, V†Š = 600 V

R• [Â]

E [mJ]

0 20 40 60 80 100 120 1400

2

4

6

8

10

12

14

EÓÒ, TÝÎ = 125°CEÓËË, TÝÎ = 125°CEÓÒ, TÝÎ = 150°CEÓËË, TÝÎ = 150°C

Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.transient thermal impedance IGBT-invertertransient thermal impedance IGBT-invertertransient thermal impedance IGBT-invertertransient thermal impedance IGBT-inverterZÚÌœ™ = f (t)ZÚÌœ™ = f (t)ZÚÌœ™ = f (t)ZÚÌœ™ = f (t)

t [s]

ZÚÌœ™ [K/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,01

0,1

1

10

ZÚÌœ™ : IGBT

i: rÍ[K/W]: Í[s]:

1 0,051 0,0005

2 0,118 0,005

3 0,412 0,05

4 0,469 0,2

τ

Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)I† = f (V†Š)I† = f (V†Š)I† = f (V†Š)I† = f (V†Š)V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 12 Â, TÝÎ = 150°CV•Š = ±15 V, R•ÓËË = 12 Â, TÝÎ = 150°CV•Š = ±15 V, R•ÓËË = 12 Â, TÝÎ = 150°CV•Š = ±15 V, R•ÓËË = 12 Â, TÝÎ = 150°C

V†Š [V]

I† [A]

0 200 400 600 800 1000 1200 14000

7

14

21

28

35

42

49

56

63

70

77

I†, ModulI†, Chip

Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)forward characteristic of diode-inverter (typical)forward characteristic of diode-inverter (typical)forward characteristic of diode-inverter (typical)forward characteristic of diode-inverter (typical)IŒ = f (VŒ)IŒ = f (VŒ)IŒ = f (VŒ)IŒ = f (VŒ)

VŒ [V]

IŒ [A]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

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Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)switching losses diode-inverter (typical)switching losses diode-inverter (typical)switching losses diode-inverter (typical)switching losses diode-inverter (typical)EØþÊ = f (IŒ)EØþÊ = f (IŒ)EØþÊ = f (IŒ)EØþÊ = f (IŒ)R•ÓÒ = 12 Â, V†Š = 600 VR•ÓÒ = 12 Â, V†Š = 600 VR•ÓÒ = 12 Â, V†Š = 600 VR•ÓÒ = 12 Â, V†Š = 600 V

IŒ [A]

E [mJ]

0 10 20 30 40 50 60 700,0

1,0

2,0

3,0

4,0

5,0

EØþÊ, TÝÎ = 125°CEØþÊ, TÝÎ = 150°C

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)switching losses diode-inverter (typical)switching losses diode-inverter (typical)switching losses diode-inverter (typical)switching losses diode-inverter (typical)EØþÊ = f (R•)EØþÊ = f (R•)EØþÊ = f (R•)EØþÊ = f (R•)IŒ = 35 A, V†Š = 600 VIŒ = 35 A, V†Š = 600 VIŒ = 35 A, V†Š = 600 VIŒ = 35 A, V†Š = 600 V

R• [Â]

E [mJ]

0 20 40 60 80 100 120 1400,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

EØþÊ, TÝÎ = 125°CEØþÊ, TÝÎ = 150°C

Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.transient thermal impedance diode-invertertransient thermal impedance diode-invertertransient thermal impedance diode-invertertransient thermal impedance diode-inverterZÚÌœ™ = f (t)ZÚÌœ™ = f (t)ZÚÌœ™ = f (t)ZÚÌœ™ = f (t)

t [s]

ZÚÌœ™ [K/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,1

1

10

ZÚÌœ™ : Diode

i: rÍ[K/W]: Í[s]:

1 0,09 0,0005

2 0,206 0,005

3 0,554 0,05

4 0,499 0,2

τ

Durchlasskennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch)Durchlasskennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch)Durchlasskennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch)Durchlasskennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch)forward characteristic of diode-rectifier (typical)forward characteristic of diode-rectifier (typical)forward characteristic of diode-rectifier (typical)forward characteristic of diode-rectifier (typical)IŒ = f (VŒ)IŒ = f (VŒ)IŒ = f (VŒ)IŒ = f (VŒ)

VŒ [V]

IŒ [A]

0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,40

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 150°C

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Ausgangskennlinie IGBT-Brems-Copper (typisch)Ausgangskennlinie IGBT-Brems-Copper (typisch)Ausgangskennlinie IGBT-Brems-Copper (typisch)Ausgangskennlinie IGBT-Brems-Copper (typisch)output characteristic IGBT-brake-chopper (typical)output characteristic IGBT-brake-chopper (typical)output characteristic IGBT-brake-chopper (typical)output characteristic IGBT-brake-chopper (typical)I† = f (V†Š)I† = f (V†Š)I† = f (V†Š)I† = f (V†Š)V•Š = 15 VV•Š = 15 VV•Š = 15 VV•Š = 15 V

V†Š [V]

I† [A]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,00

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

Durchlasskennlinie der Diode-Brems-Chopper (typisch)Durchlasskennlinie der Diode-Brems-Chopper (typisch)Durchlasskennlinie der Diode-Brems-Chopper (typisch)Durchlasskennlinie der Diode-Brems-Chopper (typisch)forward characteristic of diode-brake-chopper (typical)forward characteristic of diode-brake-chopper (typical)forward characteristic of diode-brake-chopper (typical)forward characteristic of diode-brake-chopper (typical)IŒ = f (VŒ)IŒ = f (VŒ)IŒ = f (VŒ)IŒ = f (VŒ)

VŒ [V]

IŒ [A]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

TÝÎ = 25°CTÝÎ = 125°CTÝÎ = 150°C

NTC-Temperaturkennlinie (typisch)NTC-Temperaturkennlinie (typisch)NTC-Temperaturkennlinie (typisch)NTC-Temperaturkennlinie (typisch)NTC-temperature characteristic (typical)NTC-temperature characteristic (typical)NTC-temperature characteristic (typical)NTC-temperature characteristic (typical)R = f (T)R = f (T)R = f (T)R = f (T)

T† [°C]

R[Â]

0 20 40 60 80 100 120 140 160100

1000

10000

100000

RÚáÔ

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Schaltplan / circuit diagram

ϑ

Gehäuseabmessungen / package outlines

Infineon

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Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

Terms & Conditions of usage

The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application.

This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics.

Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes.

Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you.

Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

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