JAJS479 絶縁型5V全二重/ 半二重RS-485トランシーバ · PDF file絶縁型5v全二重/ 半二重rs-485トランシーバ特長 4000vpeakの絶縁耐圧、560-vpeakviorm

絶縁型5V全二重 / 半二重RS-485トランシーバ

特　長 4000VPEAKの絶縁耐圧、560-Vpeak VIORM

— UL1577, IEC60747-5-2（VDE 0884, Rev.2）,IEC61010-1, IEC60950-1 and CSA 承認。

バス･ピンESD保護

— バス･ピンとGND2間で16kV HBM

— バス･ピンとGND1間で6kV HBM

単位負荷を1/8に軽減し、1つのバスで最大256ノードに対応

TIA/EIA RS-485に適合

最大20Mbpsの信号速度

過熱保護

Low Bus容量 - 16pF（typ）

50kV/µs（typ）の過渡耐量フェイルセーフ･レシーバ（バスのオープン、ショート、アイドルに対応）

3.3V入力は5Vトレラント

アプリケーションセキュリティ･システム

化学製品製造

工場自動化

モーター制御/動作制御

HVACおよびビル自動制御ネットワーク

ネットワーク化されたセキュリティ･ステーション

概　要ISO3080とISO3086は、絶縁型全二重差動ライン･ドライバお

よびレシーバで、ISO3082とISO3088は、TIA/EIA 485/422アプリケーション向けの絶縁型半二重差動ライン･トランシーバです。これらのデバイスは、グランド･ループが存在しないため長い

送信ラインに適しており、また大きな同相モード電圧範囲が可能です。このデバイスの対称絶縁バッファは、バスライン･トランシーバと論理レベル･インターフェイスの間で2500Vrmsの絶縁性能を60秒間維持することが実証されています。I/Oにつながれたラインは、さまざまな原因により発生した

電気的ノイズの影響を受けます。大きなノイズやある程度ノイズが継続した場合、トランシーバや近接する敏感な回路に損傷がおよぶ可能性があります。絶縁型デバイスを使用することで保護機能が大幅に向上し、高価な制御回路に損傷がおよぶリスクを下げることができます。ISO3080、SO3082、ISO3086、およびISO3088は、–40～85

での使用に適合します。

JAJS479

参考資料

ISO3080, ISO3086ISO3082, ISO3088

www.tij.co.jp

この資料は、Texas Instruments Incorporated（TI）が英文で記述した資料を、皆様のご理解の一助として頂くために日本テキサス･インスツルメンツ（日本TI）が英文から和文へ翻訳して作成したものです。資料によっては正規英語版資料の更新に対応していないものがあります。日本TIによる和文資料は、あくまでもTI正規英語版をご理解頂くための補助的参考資料としてご使用下さい。製品のご検討およびご採用にあたりましては必ず正規英語版の最新資料をご確認下さい。TIおよび日本TIは、正規英語版にて更新の情報を提供しているにもかかわらず、更新以前の情報に基づいて発生した問題や障害等につきましては如何なる責任も負いません。

SLOS581D 翻訳版

最新の英語版資料http://www.ti.com/lit/gpn/iso3080

1

2

34

5

6

7

8 9

1011

12

1314

1516

R

RE

D

GND1

nc

Vcc2

B

A

nc

GND2

DE

DW PACKAGE

Vcc1

GND1 GND2

GND2GND1

function diagram

D

RB

A

13

12

DE

6

5

3

4RE GA

LVA

NIC

ISO

LAT

ION

ISO3082, ISO3088

1

2

34

5

6

7

8 9

1011

12

1314

1516

R

RE

D

GND1

Y

Vcc2

B

Z

A

GND2

DE

DW PACKAGE

Vcc1

GND1 GND2

GND2GND1

DE 5

D6

R 34

RE

Y

Z

B

A14

11

12

13

function diagram

NG

AL

VA

NIC

ISO

LATI

O

ISO3080, ISO3086

ISO3080 全二重 200 kbps

ISO3086 全二重 20 Mbps

ISO3082 半二重 200 kbps

ISO3088 半二重 20 Mbps

http://www.ti.com/lit/gpn/iso3080

2

絶対最大定格 (1)

VALUE 単位

VCC 電源電圧 (2) VCC1, VCC2 –0.3 ～ 6

VO 任意のバスI/O端子における電圧値 –9 ～ 14

VIT 電圧入力、過渡パルス、A、B、Y、Z（100Ω、図11を参照） –50 ～ 50

VI D、DE、REピンにおける電圧入力 –0.5 ～ 7

IO レシーバの出力電流 ±10

バス･ピンおよびGND1 ±6JEDEC Standard 22、 Test Method A114-C.01人体モデル（HBM）バス･ピンおよびGND1 ±16

すべてのピン ±4静電気放電 ESD

JEDEC Standard 22、 Test Method C101

デバイス帯電モデル（CDM）

±1すべてのピン

マシン･モデル（MM） ANSI/ESDS5.2-1996 ±200

TSTG 動作接合部温度 –65 ～ 150

V

V

V

V

mA

kV

kV

V

°CTJ 最大ジャンクション温度 150 °C

（1）絶対最大定格以上のストレスは、致命的なダメージを製品に与えることがあります。これはストレスの定格のみについて示してあり、このデータシートの「推奨動作条件」に示された値を越える状態での本製品の機能動作は含まれていません。絶対最大定格の状態に長時間置くと、本製品の信頼性に影響を与えることがあります。（2）差動I/Oバス電圧を除くすべての電圧値は、回路のグランド端子を基準とし、またピーク電圧値です。

推奨動作条件 MIN TYP MAX 単位

VCC1 ロジック回路側電源電圧 (1) 3.15 5.5 V

VCC2 バス側電源電圧 (1) 4.5 5 5.5 V

VVOC いずれかのバスI/O端子における電圧値 A, B –7 12

VIH “High”レベル入力電圧

2 VCCD, DE, RE V

VIL “Low”レベル入力電圧 0 0.8

VID 差動入力電圧 Bを基準にしたA

ダイナミック（ISO3086）図14参照

–12 12V

RL 差動入力抵抗 54 60 Ω

ドライバ –60 60IO 出力電流 mA

レシーバ –8 8

TJ 動作接合部温度 –40 85 °C

（1）5V動作の場合、VCC1またはVCC2は4.5V～5.5Vの範囲で規定されます。3.3V動作の場合、VCC1は3.15V～3.6Vの範囲で規定されます。

電源電流推奨動作条件範囲内での動作です（特に記述のない限り）

パラメータ測定条件 MIN TYP MAX 単位

RE（0VまたはVCC）、DE（0VまたはVCC1） 3.3V VCC1 8ICC1 ロジック回路側電源電流 mA

RE（0VまたはVCC）、DE（0VまたはVCC1） 5V VCC1 10

ICC2 バス側電源電流 RE（0VまたはVCC）、DE（0V）、無負荷 15 mA

静電気放電対策ESDはこの集積回路にダメージを与えることがあります。テ

キサス･インスツルメンツ社は、全ての集積回路に適切なESD対策が行われることを推奨します。この適切な取扱いや取付け手順が守られない場合には、素子にダメージを与えることがあります。

3

ドライバの電気的特性推奨動作条件範囲内での動作です（特に記述のない限り）


IO = 0 mA,無負荷 3 4.3 VCC

RL = 54 Ω,図1を参照 1.5 2.3差動出力電圧の大きさ | VOD | V

RL = 100 Ω (RS-422),図1を参照 2 2.3

Vtest（–7V～+12V）, 図2を参照 1.5

差動出力電圧の大きさの変化量

–0.2 0 0.2 V∆|VOD| 図1および図2を参照

定常状態の同相モード出力電圧

1 2.6 3VOC(SS)

図3を参照 V定常状態の同相モード出力電圧の変化量

–0.1 0.1∆VOC(SS)

ピーク･ツー･ピークの同相モード出力電圧

0.5 VVOC(pp) 図3を参照

II 入力電流 0VまたはVCC1におけるD, DE, VI –10 10 µA

ISO3082 レシーバ入力電流を参照 ISO3088

VYまたはVZ = 12V、 VCC = 0Vまたは5V、 DE = 0V

ハイ･インピーダンス出力電流

1IOZISO3080 他の入力は

0VµAISO3086 VYまたはVZ = –7V、

VCC = 0Vまたは5V、 DE = 0V

–1

VAまたはVB = –7V 他の入力は 0V

IOS 短絡出力電流 –200 200 mAVAまたはVB = 12 V

CMTI 同相モード過渡耐量図12および図13を参照 25 50 kV/µs

ドライバのスイッチング特性推奨動作条件範囲内での動作です（特に記述のない限り）


ISO3080/82 0.7 1.3tPLH, 伝播遅延 ns

µstPHL ISO3086/88 25 45

ISO3080/82 20 200PWD(1) パルス･スキュー（斜行） (|tPHL – tPLH|) 図4を参照 ns

ISO3086/88 3 7.5

ISO3080/82 0.5 0.9 1.5 µstr, tf

差動出力信号の立ち上がり時間と立ち下がり時間 ISO3086/88 7 15 ns

伝播遅延、ハイ･インピーダンスから “High”レベル出力伝播遅延、ハイ･インピーダンスから “Low”レベル出力

50% Vo 2.5 7ISO3080/82 µstPZH, 90% Vo 1.8

tPZL 図5および図6を参照、 DE（0V）

ISO3086/88 25 55

伝播遅延、“High”レベルからハイ･インピーダンス出力伝播遅延、“Low”レベルからハイ･インピーダンス出力

ISO3080/82 95 225nstPHZ,

tPLZ ISO3086/88 25 55

（1）パルス･スキューとも呼ばれます。

4

パラメータ測定情報

図 1. ドライバVODの測定回路と電流方向

0or I I

VI

VCC1

DEA

B

VOB VOA

VOD

IOA

IOB

GND 1

GND 1 GND 2

VCC1

GND 2

図 2. ドライバVOD（同相モード負荷の測定回路）

375 Ω

60 Ω+

VOD–

D

DE

GND 2

VCC2

A

B–7V to12V

0 or3 V

375 Ω

レシーバの電気的特性推奨動作条件範囲内での動作です（特に記述のない限り）


正の入力スレッショルド電圧

VIT(+) IO = –8 mA –85 –10 mV

負の入力スレッショルド電圧

VIT(–) IO = 8 mA –200 –115 mV

Vhys ヒステリシス電圧（VIT+ – VIT–） 30 mV

VCC1–3.3V VCC1 3.1VID = 200mV、IO = –8mA、図7を参照

0.4VOH “High”レベル出力電圧 V5V VCC1 4 4.8

3.3V VCC1 0.15 0.4VID = –200 mV、IO = 8 mA、図7を参照

VOL “Low”レベル出力電圧 V5V VCC1 0.15 0.4

IO(Z) ハイ･インピーダンス出力電流 VI = –7～12V、その他の入力 = 0V –1 1 µA

VAまたはVB = 12V 0.04 0.1

VAまたはVB = 12V、VCC = 0 0.06 0.13II バスの入力電流他の入力は0V mA

VAまたはVB = –7 V –0.1 –0.04

VAまたはVB = –7 V、VCC = 0 –0.05 –0.03

IIH “High”レベル入力電流、RE VIH = 2 V –10 10 µA

IIL “Low”レベル入力電流、RE VIL = 0.8 V –10 10 µA

RID 差動入力抵抗 A, B 48 kΩ

テスト入力信号は1.5MHz、振幅1Vppの正弦波です。 CDはA～B間で計測されました。

CD 差動入力容量 7 pF

レシーバのスイッチング特性推奨動作条件範囲内での動作です（特に記述のない限り）

パラメータ MIN TYP MAX 単位測定条件

tPLH, tPHL 伝播遅延 90 125ns

ns

PWD(1) パルス幅歪 |tPHL – tPLH| 図8を参照 4 12

tr, tf 出力信号の立ち上がり時間と立ち下がり時間 1

tPZH, 伝播遅延、“High”レベルからハイ･インピーダンス出力伝播遅延、ハイ･インピーダンスから“High”レベル出力

図9を参照、 DE（0V）

22 nstPZL

tPHZ, 伝播遅延、ハイ･インピーダンスから“Low”レベル出力伝播遅延、“Low”レベルからハイ･インピーダンス出力

図10を参照、 DE（0V）

22 nstPLZ

（1）パルス･スキューとも呼ばれます。

注：特に記述のない限り、テスト回路は半二重デバイス（ISO3082およびISO3088）に対するものを示しています。全二重デバイスに対しては、ドライバ出力ピンがYおよびZとなります。

5

Input I I

VI

VCC1

DEA

B

VOB VOA

VOD

IOA

IOB

GND2GND1

GND1 GND2

VOC

27 Ω

VOC

B V B

V AA

VOC(SS)OC(p-p)V

27 Ω

Generator: PRR= 100 kHz, 50 % dutycycle, t r < 6ns, t f <6 ns,ZO = 50 ΩInput

図 3. ドライバ同相モード出力電圧の測定回路と波形

図 4. ドライバ･スイッチングの測定回路と電圧波形

VOD

50 Ω

D

A

B

DEVCC1

VIInput

Generator

Generator: PRR =100 kHz, 50 % dutycycle,t r < 6ns, t f <6 ns,ZO = 50 Ω

3 V

tftr

tPLHtPHL

10%

90%VOD

VI

90%

10%

VOD(H)

VOD(L)

includes fixture andinstrumentation capacitance

LC 50%50%GND 1

R = 54±1%

L Ω C = 50 pF±20%

L

50% 50%

図 5. ドライバの“High”レベル出力のイネーブル/ディスエーブル時間の測定回路と電圧波形

InputGenerator 50 Ω

3V if testing A output,0V if testing B output

S1

CLincludes fixture andinstrumentation

capacitance

D

A

DE

50% 50%

3 V

VOHtPZH

tPHZ

50%90%

0 V

VO

VI3 V or 0 V

VI

GND 1

VO

C = 50 pF ±20%L

R = 110±1%

L Ω

Generator PRR = 50 kHz, 50% duty cycle,t <6ns, t <6ns, Z = 50r f O Ω

0 V~~


6

50%

VOH

tPZH tpHZ

50%

3 V

90%

VI

VO

0 V

50%

VCC


RA

B

C includes fixtureLand instrumentation

capacitance

RE

VI

VO

CL= 15 pF±20%

S11 kΩ1.5 V

0 V

Generator:PRR=100 kHz, 50%duty cycle ,r <6ns, t f <6ns, ZO = 50 Ωt

±1%

図 9. レシーバのイネーブル測定回路と波形、データ出力“High”

InputGenerator

1.5 V

C includes fixture andLinstrumentation capacitance

A

B

R VOVI

RE

50 Ω

Generator: PRR=100 kHz, 50% duty cycle,

r< 6ns, t f < 6ns, ZO = 50 Ωt

50% 50%

3 V

VOH

VOLtftr

tPLHtPHL

10%

90%50% 50%

0 V

VO

VI

C = 15 pF±20%

L

図 8. レシーバ･スイッチングの測定回路と電流波形

VID

IO

A

B

R

I B

IA

VIC

VA

VBVBVA+

2

VO

図 7. レシーバの電圧と電流


3 V or0 V

S1

3V

D

A

BDE

VI C includes fixture andLinstrumentation

capacitance

Generator:PRR=50kHz,50% duty cycle,

r< 6ns, tf < 6ns, ZO = 50 Ωt

0 V if testing A output,3 V if testing B output

50%

3V

VOL

tPZL tPLZ

10%

VO

VI

5V

50%

50%C = 50 pF ±20%L

R = 110±1%

L Ω

0 V


図 6. ドライバの“Low”レベル出力のイネーブル/ディスエーブル時間の測定回路と電圧波形

GND2

7


VCC


RA

B

C includes fixtureLand instrumentation

capacitance

RE

VI

VO

CL= 15 pF ±20%

S1

0 V

1.5 V

Generator: PRR =100 kHz, 50%dutycycle,r <6ns, tf <6ns,ZO= 50 Ωt

50%

3 V

0 V

VI

VCC

VOL

tPZL tPLZ

VO

50%

50%10%

1 k ±1%Ω

図 10. レシーバのイネーブル測定回路と波形、データ出力“Low”

A

B

Pulse Generator15 s duration1% duty cyclet , t 100 ns

µ

≤r f

R

注：この試験は、耐性をテストするためだけに行われます。 R出力でのデータ安定性は指定されません。

D+_

RE

DE

0V

3V

100 ±1%Ω

図 11. 過渡過電圧測定回路

D

R

DE

RE

54 Ω

GND1

VTEST

GND2

A

B

GND1S1

2 V

0.8 V

V or VOH OL 1 kΩ

CL = 15 pF(includes probe and

jig capacitance)

V or VOH OL

VCC1 VCC2C = 0.1 F1%

µ±

C = 0.1 F ± 1%µ

図 12. 半二重同相モード過渡耐量の測定回路

8


図 13. 全二重同相モード過渡耐量の測定回路

D

DE

RE

54 Ω

GND1

VTEST

GND2

A

B

GND1

S 1

1.5 V or0 V

0 V or1.5 VZ

Y

2 V

0.8 V

C = 0.1 F1%

µ±

C = 0.1 F ±1%µ

VCC1 VCC2

1 kΩ

54 Ω

CL = 15 pF(includes probe and

jig capacitance)

V or VOH OL

V or VOH OL

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20Signaling Rate - Mbps

V-

Dif

fere

nti

al In

pu

t V o

ltag

e -

pk

ID

DEVICE INFORMATION

図 14. ISO3086の推奨最小差動入力電圧　対　信号レート

製品情報

9

パッケージ特性推奨動作条件範囲内での動作です（特に記述のない限り）

パラメータ (1) 測定条件 MIN TYP MAX 単位

最小端子間空間距離 L(I01) 最小エア･ギャップ（クリアランス） 8.34 mm

パッケージ面最小端子間空間距離 L(I02) 最小外部トラッキング（沿面距離） 8.1 mm

トラッキング抵抗（比較トラッキング指数） CTI DIN IEC 60112 / VDE 0303 Part 1 ≥175 V

最小内部ギャップ（内部クリアランス）絶縁距離 0.008 mm

入出力間、VIO = 500V、デバイスの2つの端子間の両側のすべてのピン

RIO 絶縁抵抗 >1012 Ω

CIO バリア容量（入出力間） VI = 0.4 sin (4E6πt) 2 pF

CI 対グランド入力容量 VI = 0.4 sin (4E6πt) 2 pF

（1）クリアランスと沿面距離の要件は、アプリケーション固有の装置絶縁標準に従って適用する必要があります。基板設計では沿面距離およびクリアランスを慎重に保持し、プリント基板上のアイソレータの実装用パッドによってそれらの距離が短くならないよう注意する必要があります。

「絶縁に関する用語」の項に示される測定手法に従い、プリント基板上の沿面距離とクリアランスは等しくなります。プリント基板上に溝やリブを付けることで、これらの仕様値を大きくすることができます。

IEC 60664-1 定格表パラメータ測定条件仕様

基本絶縁グループ材料グループ IIIa

定格電源電圧 ≤ 150 VRMS I-IV

設置分類定格電源電圧 ≤ 300 VRMS I-III

定格電源電圧 ≤ 400 VRMS I-II

イネーブル入力（DE）

出力(1) 入力 (D)VCC1 VCC2

Y/A Z/B

PU PU H H H L

PU PU L H L H

PU PU X L hi-Z

PU PU X オープン hi-Z

hi-Z

hi-Z

PU PU オープン H H L

PD PU X X hi-Z

PU PD X X hi-Z

PD PD X X hi-Z

hi-Z

hi-Z

hi-Z

表 1. ドライバ機能表（1）

差動入力イネーブル出力 VCC1 VCC2 VID = (VA – VB) (RE) (R)

PU PU –0.01 V ≤ VID L H

PU PU –0.2 V < VID < –0.01 V L ?

PU PU VID ≤ –0.2 V L L

PU PU X H hi-Z

PU PU X オープン hi-Z

PU PU オープン L H

表 2. レシーバ機能表（1）

PU PU 短絡 L H

PU PU アイドル（終端）バス L H

PD PU X Z

PU PD X

X

L H

（1）ドライバ出力ピンは、全二重デバイスではYおよびZ、半二重ではAおよびBです。

（1） PU = パワーアップ、PD = パワーダウン、H = “High”レベル、L = “Low”レベル、 X = 無関係、hi-Z = ハイ･インピーダンス（オフ）、？ = 不定

10

パラメータ MIN TYP MAX 単位

安全な入力、出力、または電源電流

θJA = 168°C/W, VI = 5.5 V, TJ = 170°C,IS DW-16 157 mATA = 25°C

TS 最大ケース温度 DW-16 150 °C

安全制限の制約値は、絶対最大定格の表に規定されている絶対最大接合部温度です。接合部温度は、アプリケーション･ハードウェアに実装されているデバイスの消費電力と接合部大気間熱インピーダンスによって決まります。熱特性の表に記載されている接合部大気間熱抵抗の仮定値は、JESD51-3, LowEffective Thermal Conductivity Test Board for Leaded SurfaceMount Packagesの基板に実装されたデバイスの値であり、控え目に見積もられています。消費電力は、推奨最大入力電圧と電流との積です。接合部温度は、消費電力と接合部大気間熱抵抗の積を周囲温度に加えたものになります。

IEC安全制限値安全制限は、入力または出力回路の障害発生時に絶縁障壁の

損傷を防止することを目的としています。入出力障害が発生した場合、グランドまたは電源への抵抗が低下するため、電流制限を行わないと、消費電力の増加によってダイの過熱および絶縁障壁の損傷につながり、結果として2次的なシステム障害を引き起こす可能性があります。

IEC 60747-5-2 絶縁特性(1)

推奨動作条件範囲内での動作です（特に記述のない限り）

パラメータ測定条件仕様単位

最大動作絶縁電圧 VIORM 560 V

方法b1、VPR = VIORM × 1.875、 100%製品テスト、t = 1s、部分放電 < 5pCVPR 入出力間テスト電圧 1050 V

VIOTM 過渡過電圧 t = 60 s 4000 V

RS 絶縁抵抗 VIO = 500 V at TS >109 Ω

汚染度 2

（1）気象等級40/125/21

規格情報 VDE CSA UL

Approved under CSA Component 1577 Component Recognition Programで認定済み

IEC 60747-5-2で認定済み Acceptance Notice (1)

ファイル番号：40016131 ファイル番号：220991 ファイル番号：E181974

（1）UL 1577に従って製品テスト済み（3000 VRMS以上、1秒間）

11

熱特性推奨動作条件範囲内での動作です（特に記述のない限り）


Low-K熱抵抗 (1) 168θJA 接合部 - 大気間 °C/W

High-K熱抵抗 96.1

θJB 接合部 - 基板間熱抵抗 61 °C/W

θJC 接合部 - ケース間熱抵抗 48 °C/W

VCC1 = VCC2 = 5.25 V, TJ = 150°C, CL = 15 pF,PD デバイス消費電力 220 mW

50%デューティ･サイクルの20MHz方形波を入力

（1）リード付き表面実装パッケージに対するEIA/JESD51-3のLow-KまたはHigh-K熱測定定義に従って測定しています。

図 15. IEC 60747-5-2に従ったDW-16のθJC熱ディレーティング曲線

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

0 50 100 150 200T - Case Temperature - °CC

Saf

ety

Lim

itin

g C

urr

ent

- m

A

V = V = 5.5 VCC1 CC2

12

D and RE Input DE Input

16 V

16 V

VCC

Input

A Input

16 V

16 V

VCC

Input

B Input

36 kΩ

3.3V R Output

36 kΩ180 kΩ

36 kΩ

180 kΩ36 kΩ

1 MΩ

Input

VCC1VCC1

500 Ω

1 MΩ

Input

VCC1 VCC1

500 Ω

VCC1

VCC1VCC1

6.4 Ω 11 Ω

4 Ω 5.5 Ω

5V R Output

Y and Z Outputs

16 V

16 V

Output

VCC

等価回路図

13

OrderableDevice

Status (1) PackageType

PackageDrawing

Pins PackageQty

Eco Plan (2) Lead/Ball Finish

MSL Peak Temp (3) Samples

(Requires Login)

ISO3080DW ACTIVE SOIC DW 16 40 Green (RoHS& no Sb/Br)

Call TI Level-2-260C-1 YEAR Request Free Samples

ISO3080DWG4 ACTIVE SOIC DW 16 40 Green (RoHS& no Sb/Br)


ISO3080DWR ACTIVE SOIC DW 16 2000 Green (RoHS& no Sb/Br)

CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR Contact TI Distributoror Sales Office

ISO3080DWRG4 ACTIVE SOIC DW 16 2000 Green (RoHS& no Sb/Br)

CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR Contact TI Distributoror Sales Office






Call TI Level-2-260C-1 YEAR Contact TI Distributoror Sales Office



















パッケージ情報製品情報

(1) マーケティング･ステータスは次のように定義されています。

ACTIVE：製品デバイスが新規設計用に推奨されています。

LIFEBUY：TIによりデバイスの生産中止予定が発表され、ライフタイム購入期間が有効です。

NRND：新規設計用に推奨されていません。デバイスは既存の顧客をサポートするために生産されていますが、TIでは新規設計にこの部品を使用することを推奨していません。

PREVIEW：デバイスは発表済みですが、まだ生産が開始されていません。サンプルが提供される場合と、提供されない場合があります。

OBSOLETE：TIによりデバイスの生産が中止されました。

(2) エコ･プラン - 環境に配慮した製品分類プランであり、Pb-Free（RoHS）、Pb-Free（RoHS Expert）およびGreen（RoHS & no Sb/Br）があります。最新情報および製品内容の詳細については、http://www.ti.com/productcontentでご確認ください。

TBD：Pb-Free/Green変換プランが策定されていません。

Pb-Free (RoHS)：TIにおける“Lead-Free”または“Pb-Free”（鉛フリー）は、6つの物質すべてに対して現在のRoHS要件を満たしている半導体製品を意味します。これには、同種の材質内で鉛の重量が0.1％を超えないという要件も含まれます。高温で半田付けするように設計されている場合、TIの鉛フリー製品は指定された鉛フリー･プロセスでの使用に適しています。

Pb-Free (RoHS Exempt)：この部品は、1）ダイとパッケージの間に鉛ベースの半田バンプ使用、または 2）ダイとリードフレーム間に鉛ベースの接着剤を使用、が除外されています。それ以外は上記の様にPb-Free（RoHS）と考えられます。

Green (RoHS & no Sb/Br)：TIにおける“Green”は、“Pb-Free”（RoHS互換）に加えて、臭素（Br）およびアンチモン（Sb）をベースとした難燃材を含まない（均質な材質中のBrまたはSb重量が0.1％を超えない）ことを意味しています。

(3) MSL、ピーク温度 -- JEDEC業界標準分類に従った耐湿性レベル、およびピーク半田温度です。

重要な情報および免責事項：このページに記載された情報は、記載された日付時点でのTIの知識および見解を表しています。TIの知識および見解は、第三者によって提供された情報に基づいており、そのような情報の正確性について何らの表明および保証も行うものではありません。第三者からの情報をより良く統合するための努力は続けております。TIでは、事実を適切に表す正確な情報を提供すべく妥当な手順を踏み、引き続きそれを継続してゆきますが、受け入れる部材および化学物質に対して破壊試験や化学分析は実行していない場合があります。TIおよびTI製品の供給者は、特定の情報を機密情報として扱っているため、CAS番号やその他の制限された情報が公開されない場合があります。

TIは、いかなる場合においても、かかる情報により発生した損害について、TIがお客様に1年間に販売した本書記載の問題となった TIパーツの購入価格の合計金額を超える責任は負いかねます。

14

*All dimensions are nominal

Device PackageType

PackageDrawing

Pins SPQ ReelDiameter

(mm)

ReelWidth

W1 (mm)

A0(mm)

B0(mm)

K0(mm)

P1(mm)

W(mm)

Pin1Quadrant

ISO3080DWR SOIC DW 16 2000 330.0 16.4 10.75 10.7 2.7 12.0 16.0 Q1

ISO3082DWR SOIC DW 16 2000 330.0 16.4 10.75 10.7 2.7 12.0 16.0 Q1

ISO3086DWR SOIC DW 16 2000 330.0 16.4 10.75 10.7 2.7 12.0 16.0 Q1

ISO3088DWR SOIC DW 16 2000 330.0 16.4 10.75 10.7 2.7 12.0 16.0 Q1

テープおよびリール･ボックス情報

REEL DIMENSIONS TAPE DIMENSIONS

QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE

Pocket Quadrants

ReelDiameter

Reel Width (W1)

User Direction of Feed

Q1 Q2 Q1 Q2

Q3 Q4 Q3 Q4

K0

A0

B0

P1

Cavity

A0B0K0WP1

Dimension designed to accommodate the component widthDimension designed to accommodate the component lengthDimension designed to accommodate the component thicknessOverall width of the carrier tapePitch between successive cavity centers

Sprocket Holes

W

パッケージ･マテリアル情報

15

*All dimensions are nominal

Device Package Type Package Drawing Pins SPQ Length (mm) Width (mm) Height (mm)

ISO3080DWR SOIC DW 16 2000 358.0 335.0 35.0

ISO3082DWR SOIC DW 16 2000 358.0 335.0 35.0

ISO3086DWR SOIC DW 16 2000 358.0 335.0 35.0

ISO3088DWR SOIC DW 16 2000 358.0 335.0 35.0

TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS

パッケージ･マテリアル情報

16

(SLOS581D)

A. 寸法はすべてミリメートルです。 B. 本図は予告なく変更することがあります。 C. ボディ寸法には、0.15mmを超えるモールド･フラッシュや突起は含まれません。 D. JEDEC MS-013 variation AAに準拠。

注：

DW（R-PDSO-G16） PLASTIC SMALL-OUTLINE PACKAGE

メカニカル･データ

IMPORTANT NOTICE

Documents

JAJS479 絶縁型5V全二重/ 半二重RS-485トランシーバ · PDF file絶縁型5v全二重/ 半二重rs-485トランシーバ 特 長 4000vpeakの絶縁耐圧、560-vpeakviorm

JAJS479 絶縁型5V全二重/ 半二重RS-485トランシーバ · PDF file絶縁型5v全二重/ 半二重rs-485トランシーバ特長 4000vpeakの絶縁耐圧、560-vpeakviorm