INSTITUTUL NAÞIONAL DE CERCETARE-DEZVOLTARE PENTRU …site.roinno.ro/data/pdf/ca/369.pdf · structuri complexe: fenomene fotoelectrice în materiale semiconductoare ºi heterostruc-turi,

Scurt istoric

Institutul Naþional de Cercetare-Dezvoltarepentru Fizica Materialelor (INCDFM, Bucureºti)s-a înfiinþat în 1977 prin unirea unor laboratoareaparþinând Institutului de Fizicã (IFB) Bucureºti(fondat în 1956) aflat sub egida AcademieiRomâne ºi a Institutului de Fizicã Atomicã (IFABucureºti) (fondat în 1949). Denumirea veche ainstitutului a fost Institutul de Fizicã ºiTehnologia Materialelor, iar numele actual afost acordat în 1996, dupã o procedurãnaþionalã de acreditare. În perioada de început,activitatea a fost focalizatã pe cercetareafundamentalã în domeniul fizicii materieicondensate, obþinându-se în special rezultatenoi ºi importante în aria semiconductoriloramorfi. Ulterior, au fost depuse eforturi majoreîn domeniul cercetãrii aplicate, a tehnologiilor ºidispozit ivelor bazate pe noi materialeavansate.

Actualmente, INCDFM se dedicã, prinact ivi tãþ i le sale, domeniului cercetãri ifundamentale ºi aplicate, cu precãdere în ariilefizicii stãrii solide ºi ale ºtiinþei materialelor.INCDFM s-a dezvoltat ca un CENTRU DEEXCELENÞÃ pentru cooperare internaþionalã(proiecte ºi reþele C-D cu suport al UniuniiEuropene, acorduri bilaterale) ºi pentru formareºi educaþie academicã (cursuri de pregãtirepentru studenþi, masteranzi, doctoranzi,cercetãtori post-doc etc) ºi acþioneazã ca unactor major în cercetarea interdisciplinarã dindomeniul ºtiinþei materialelor.

INCDFM finanþeazã cea mai mare parte acercetãrilor sale prin Programele Naþionale deC-D (Program Nucleu, PNCDI, CEEX etc),promovate de Autoritatea Naþionalã deCercetare ªtiinþificã (ANCS) din cadrulMinisterului Educaþiei ºi Cercetãrii (MEC)

Totuºi, o parte importantã din activitateainstitutului se desfãºoarã printr-un numãr degranturi academice ºi proiecte finanþate de UE.

Patrimoniu- clãdiri 3- suprafaþã totalã teren 11.196 mp- suprafaþã construitã 3.248 mp

Domenii de activitate

A. Activitãþi de cercetare-dezvoltare, codCAEN 73/731/7310:În cadrul Planului Naþional pentru cercetare-

dezvoltare inovare, inst i tutul naþ ionalefectueazã:

cercetare fundamentalã de bazã ºi orientatãrealizate în scopul creºterii niveluluicunoºtinþelor în domeniul fizicii stãriicondensate ºi al ºtiinþei materialelor, compo-nentelor ºi dispozitivelor noi, speciale(supraconductoare, semi-conductoare,ionice, feroelectrice, magnetice, piezoce-ramice etc.);cercetare aplicativã pentru realizarea demodele experimentale, standuri, platforme ºistaþii-pilot, precum ºi tehnologii generice curol de suport pentru cercetãrile aplicative dinmai multe ramuri de vârf: electronicã,automaticã, telecomunicaþii, informaticã,electrotehnicã, aviaþie etc.).

Direcþii principale de cercetare / specializãri

1. Materiale avansate pentru aplicaþii speciale:sinteza ºi creºterea compuºilor intermetaliciII-VI ºi III-V, materiale ºi dispozitive demicrounde.

2. Fizica temperaturilor joase ºi supraconduc-tivitate: supraconductori de temperaturã Tcînaltã (preparare, proprietãþi magnetice ºi detransport, dinamica vortexurilor).

3. Fizica materialelor semiconductoare ºistructuri complexe: fenomene fotoelectriceîn materiale semiconductoare ºi heterostruc-turi, investigarea transportului de sarcinã ºia capcanelor în materiale masive ºi straturisubþiri semiconductoare.

4. Magnetismul stãrii solide: magnetism ºimateriale magnetice (procese de crista-lizare, interacþii magnetice, structuri deneechilibru, sisteme cu frustrare de spin,nanofaze), faze cristaline metastabile; aliajeicosaedrale.

5. Sisteme cu dimensionalitate redusã:structuri cuantice, transport cuantic înstructuri disipative, mezoscopicã, efect Hallcuantic, tunelare în heterostructuri semi-conductoare, sisteme ºi nanostructuri cudimensionalitate redusã.

INC

DFM

33

Director General înperioada 1998-2008Dr. ªtefan Frunzã

Bucureºti - Mãgurele, P.O. Box MG-7, RO-76900 Telefon: 021-369.0185; Fax: 021-493.0267

E-mail: [email protected]: www.infim.ro

INSTITUTUL NAÞIONAL DECERCETARE-DEZVOLTARE PENTRU FIZICA MATERIALELOR

Resurse umane

Total personal 265

În activitatea de 219cercetare-dezvoltare

Cu studii superioare 175

Cercetãtori 172

din care

Cercetãtor ºtiinþific I 47

Cercetãtor ºtiinþific II 20

Cercetãtor ºtiinþific III 30

Cercetãtor ºtiinþific 26

Asistent de cercetare 49ºtiinþificã

Doctori 98

Director General Dr. Lucian Pintilie

6. Opticã ºi spectroscopie: studii SERS aleunor composite bazate pe nanoparticule decarbon în polimeri, tranziþii de fazã, feno-mene de ancorare ºi de suprafaþã în cristalelichide, fotoluminiscenþa materialelor micro-ºi nanostructurate.

7. Materiale oxidice: investigarea ceramicilorsemiconductoare bazate pe titanat de bariupentru termistori PTC ºi pe manganiþi pentrutermistori NTC, studiul proprietãþilorpiezolectrice ale materialelor masive ºistraturilor subþiri de PZT.

8. Structura ºi dinamica materiei condensate:investigaþi i TEM ale unor materialenanostructurate, supraconductori de tempe-raturã criticã ridicatã, straturi subþiri feroelec-trice, straturi ultradure, ceramici avansate,structuri magnetice complexe investigateprin spectroscopie Mössbauer, sintezasolvotermalã a oxizilor de fier ºi titan.

9. Microstructura defectelor în materiale solide,investigarea la scarã atomicã prin tehnicimicrostructurale (HRTEM), ESR/EPR ºispectroscopie opticã a defectelor înmateriale solide masive ºi nanostructurate,studiul variaþiei proprietãþilor de materialinduse de defecte în solide ordonate ºiparþial dezordonate.

Structura organizatoricã

Institutul este organizat în 9 laboratoareconform direcþiilor principale de cercetaremenþionate anterior ºi un compartimentadministrativ ºi economico-financiar.

OFERTA DE CERCETARE-DEZVOLTARE ªI SERVICII

Laboratoare acreditate: 0

Servicii-Colaborãri

Materiale ºi dispozitivesinteza ºi creºterea monocristalelor decompuºi intermetalici semiconductori (III-V,II-VI), compuºi oxidici ºi aliaje Heussler; sinteza supraconductorilor cu temperaturãde tranziþie joasã ºi înaltã; compuºi magnetici noi de tip hard ºi soft ºinanosisteme compozite; senzori de gaz bazaþi pe heterojoncþiunimetal oxid;

sinteza chimicã ºi electrochimicã acompozitelor bazate pe polimeri conductoriºi nanoparticule de carbon; piezoceramici ºi componente pentrutraductori ultrasonici; straturi subþiri feroelectrice; materialemultiferoice ºi compozite; nanofire ºi nanotuburi obþinute prin metoda„template”;materiale obþinute prin metode de preparareneconvenþionale (melt spinning, sintezamecanochimicã, sinterizare asistatã decâmp electric, r.f. sputtering etc);materiale sinterizate supraconductoare deMgB2 obþinute prin sinterizarea asistatã decâmp electric.

Caracterizarecaracter izarea complexã e lec t r icã ,feroelectricã ºi fotoelectricã a materialelor ºistructurilor semiconductoare, a materialeloroxidice ºi multistraturilor;investigarea fenomenelor fotoelectrice, aproprietãþilor piroelectrice, a mecanismuluide conducþie electricã; caracterizareadetectorilor IR;proprietãþi de transport ºi magnetice alesupraconductorilor de temperaturã înaltã;caracterizarea magneticã complexã astraturilor subþiri, a nanoparticulelor, aferofluidelor ºi a materialelor nanogranularesau policristaline; caracterizarea materialelor cu constantãdielectricã ridicatã în domeniul de frecvenþã1-18GHz; investigaþii EXAFS ºi XANES: structurilocale, stare chimicã, legaturã chimicã;mãsurãtori structurale de suprafaþã prinmetode XPS (ESCA);“Surface Enhanced Raman Spectrocopy”(SERS) aplicatã la studiul straturilor subþiri(polimeri conductori, nanotuburi de carbon,composite carbonice); mãsuratori de difracþie X: determinãristructurale (compoziþie fazicã, dimensiunimedii de cristalite, parametri de retea etc.);caracterizare structuralã, morfologicã ºicompoziþionalã a materialelor (CTEM/-HRTEM, EDS ºi SEM); investigaþii prin spectroscopie Mössbauer ºimãsurãtori magnetice în sisteme cuinteracþii competitive;caracterizare ESR (în banda X ºi K) ale unorizolatori, semiconductori, catalizatori, sitemoleculare, biomolecule;investigarea fenomenelor de transportelectric, fototransport ºi trapping înnanomateriale ºi structuri; spectroscopie de absorbþie ultraviolet-vizibil-infraroºu apropiat (UV-VIS-NIR); spectroscopie de fotoluminescenþã,cathodo-luminescenþã, termo-luminescenþãºi spectroscopie de emisie în timp real.

Modelaremodelare electromagneticã 3-D a unordispozitive RF ºi de microunde prinutilizarea metodei FDTD; modelarea ºi simularea proprietãþilor

34 Bucureºti - Mãgurele, P.O. Box MG-7, RO-76900 Telefon: 021-369.0185; Fax: 021-493.0267


INC

DFM

Volum activitate de cercetare-dezvoltare (RON)Anul Venituri de la buget Venituri din alte surse Total venituri2003 4.288.902 327.320 4.616.2222004 7.534.575 470.465 8.005.0402005 9.448.548 723.865 10.172.4132006 19.547.525 1.267.019 20.814.5442007 28.354.071 2.450.977 30.805.048

Resurse financiare atrasedin contracte interne din contracte internaþionale (euro)

2003 54.162 70.4292004 52.775 102.2902005 507.311 55.174 2006 139.718 188.349 2007 219.988 126.571

spectrale, de transport ºi magnetice ale unorsisteme mesoscopice; modelarea ºi simularea cineticii de defecteîn materiale iradiate pe bazã de siliciu.

Activitate desfãºuratã pe programe interne ºi internaþionale

Programe interne (cu numãr de proiecte)ORIZONT2000(30); NUCLEU(6); CERES(49);MAT-NANTECH(8);INVENT(4); RELANSIN(5);MENER(2); CORINT(5); GRANTURI (56);VIASAN (1); CALIST(3); PARTENERIATE(10);IDEI(6); CAPACITATI(4).

Cele mai importante proiecte finalizate subconducerea INCD (intern)1. CERES 17/2003 – „E lec t ron ica º i

spintronica în sisteme mezoscopice ºimoleculare” .

2. CERES 4-98/2004 – „Cercetarea mate-rialelor magnetice composite de tip hard-soft”.

3. MATNANTECH:151(309)/2003 – „Materialesemiconductoare oxidice nanostructuratepe bazã de titanat de bariu dopat pentrusenzori termosensibili”.

4. MATNANTECH:181(309)/2003 – „Materialepiezoceramice nanostructurate”.

5. MATNANTECH 160 /2003 – „Senzor degaze - SENGAZ”.

6. INVENT: 119-1/2003 – „Diversificareaproducþiei de componente electronice prinimplementarea comutatorilor optoelectronici”.

7. RELANSIN – „Optimizarea procedeelor deobþinere a componentelor optice pentrulaseri de putere cu CO2”.

8. CERES 3-117/2003 – „Procese de luminis-cenþã în structuri oxidice dezordonatepentru memorii tridimensionale”.

9. CERES 3-90 /2003 – „Transferul energeticºi lumioniscenþa în nanofire de CdS dopatãcu ioni de mangan ºi cupru”.

10.CERES 3-112/2003 „Materiale cu efectmagnetorezistiv: sintezã ºi caracterizare”.

11.CERES 3-67/2003 – „Generarea ºicaracterizarea agregatelor nanometrice deC60 în solvenþi nucleofili”.

12.CERES 3-124/2003 – „Structuri multistratdin fosfaþi de calciu ca acoperiri bioactive îndomeniul implanturilor osoase”.

13.CERES 4-24/2004 – „Efecte de dezordine ºiinterferenþã în sisteme 2D cu câmpmagnetic”.

14.CERES 4-40/2004 – „Materiale ºi structuripentru spintronicã bazate pe asocieream e t a l e l o r m a g n e t i c e º i asemiconductorilor”.

15.CERES 4-91/2004 – „Fenomene specificeîn materiale nanocompozite auto-asamblatecu proprietãþi magnetice deosebite”.

16.CEEX 28/2005 – „Structuri semiconduc-toare modificate cu straturi auto-asamblatedin clasa sulfurilor metalice ºi a tiolilor”.

Programe internaþionale (cu numãr de proiecte)

Proiecte UE: 2 proiecte + 3 burse, CERN: 1proiect, 7 proiecte în acorduri guvernamentale,peste 40 de proiecte în cooperãri bilaterale.

Cele mai importante proiecte finalizate subconducerea INCD (internaþional)1. Network of Excel lence, Framework

Programme 6: „Molecular Approach toNanomagne ts and Mu l t i f unc t i ona lMaterials”. (MAGMAnet)

2. NATO Collaborative linkage grant: „Novelnanostructured materials for sensorapplications”. Partners: Aristotel Universityof Thessaloniki (Grece), Universite duMaine, Le Mans (France) , 2004 – 2006.

3. Project CERN - RD50 Radiation HardSemiconductor Devices for Very HighLuminosi ty Col l iders. Par tners: 56universities and research institutes fromEurope, USA, etc.

4. FP6 Project NMP2-CT-2004-505834CONCORDE (CA): „Co-ordination ofnanostructured catalytic oxides researchand development in Europe”. Coordinator:Consejo Superior de InvestigacionesCientificas (ICPCSIC), Spain.

5. Collaboration research project betweenNIMP, Romania and University of NewSouth Wales, Sydney, Australia, 2006: „NewRF and microwave devices”.

6. Collaboration research project betweenNIMP, Romania and Materials ScienceInstitute, Barcelona, Spain, 2005-2009:„Hybrid materials based on conductingorganic polymers (COP) and semicon-ducting and metallic nanoparticles synthesis,characterization and applications”.

7. Collaboration research project betweenNIMP, Romania and Geselleschaft furSchwerionnenforschung, (Germany), 2007-2010: „Defects produced in alkali halidecrystals by heavy ion irradiation”.

8. International Network „Polar Electro-ceramics – POLECER”, Contract: G5RT-CT-2002-05024 (2002-2007).

9. Collaboration research project betweenNIMP, Romania and Institute of MaterialsPhysics and Chemistry of Strasbourg,„Surface-Interface Group. (2005-2007):Growth, processing and characterization ofZnO nanostructures”.

10.Collaboration research project betweenNIMP, Romania and University of Antwerp,EMAT Laboratory Antwerp, Belgium, (2005-2009): „Nano-structured multifunctionaloxide materials: the role of the localstructure on their physical and chemicalproperties”.

11.Project number 359/01.06.2007 Theme No05-2-1040-2001/2009 with JINR-Dubna,2007- 2009: “Comparative investigations ofmagnetic colloid systems by means of muonand Mössbauer spectroscopy”.

12.Bilateral cooperation agreement withDepartment of Physics, Aristotle University ofThessaloniki, Greece, 2007-2009: “Magneticnanostructures by self-organization”.

13.Bilateral cooperation agreement withDepartment of Physics, University ofLeicester, UK: “Core-shell nanoclusters foradvanced applications”.

14.Bilateral cooperation agreement with Institutfor Matematiske Fag, Aalborg Universitet,

INC

DFM

35Bucureºti - Mãgurele, P.O. Box MG-7, RO-76900 Telefon: 021-369.0185; Fax: 021-493.0267


Denmark: “Nonlinear and time dependenttransport in nanostructures”.

Participare la consorþii, reþele, platforme tehnologice

Reþe le in te rna þ iona le : POLECER,CONCORDE, COST; GOSPEL (GeneralOlfaction and Sensing Projects on a EuropeanLevel) - Network of Excellence (NoE) - FP6;Platforme tehnologice: EUMAT; Materiale Multi-functionale Micro ºi Nanostructurate-3MN; Reþelenaþionale: MINAMATNET, NANOSCALE- CONV.

REZULTATE ALE ACTIVITÃÞII DE CERCETARE-DEZVOLTARE

Produse, tehnologii, prototipuri

Produse noi - cca 50, din care:rezonatori dielectrici din material de tip ZSTºi BNT;filtre pentru microunde;aliaje semimagnetice ºi magnetice cuconcentraþii diferite de metal volatil;materiale supraconductoare din sistemul Bi-Sr-Ca-Cu-O dopate cu Li;filme polimerice dopate cu metale tranziþio-nale pentru prelucrarea opticã a informaþiei;materiale organice semiconductoare,cristaline pure ºi dopate (dinitrobenzen,benzil, fluoren) cu potenþiale aplicaþii opticeºi electronice; nitrurã cubicã de bor cu stabil i tatetermomecanicã înaltã pentru prelucraremecanicã la viteze foarte mari;ferite spinelice mixte ternare, de tipul A1-

xBxFe2O4, unde A = Ni ºi B = Co, Zn, cudimensiuni de particulã micronice ºisubmicronice;traductoare de ultrasunete de putere pentrudiverse aplicaþii;termistoare NTC pentru controlul ºimãsurarea temperaturii;plachete piezoceramice pentru actuatori dedeplasare finã;ultratermostat pe bazã de materialemagnetice termosensibile; elemente active piezoceramice pentrutraductoare de ultrasunete; antenã elicoidalã pe frecventa de 900 MHzpentru focoase de proximitate;antenã dielectricã pe 1000 MHz pentrucomunicaþii fãrã fir;oscilator în banda 2-4GHz cu material tipZST, în tehnologie microstrip; rezonatori dielectrici din material BZT.

Prototipuri - 16, din care:prototip de celulã etanºã (din teflon) pentrumãsurãtori de opticã neliniarã;prototip de diodã Schottky cu GaAs sensi-bilã în domeniul radiaþiilor vizibile ºi infraroºuapropiat (la temperatura camerei);pozistor pe bazã de BaTiO3 dopat, pentrusenzori de temperaturã utilizat la tensiuni mari;prototip de componentã opticã laser pe bazãde GaAs;structurã de diodã Schottky pe bazã deGaAs;

componente optice perfecþionate pentrulaseri de putere cu CO2 ;prototip de senzor inteligent de IR; structuri funcþionale gradate din straturi dehydroxyapatitã pe t i tan bioactive ºibiocompatibile; structuri metal semiconductor de tip diodãSchottky pe bazã de GaAs; structuri funcþionale hemocompatibile dinfilme de carbon de tip diamant depuse petitan; celulã electrochimicã etanºã pentrumãsurãtori optice la interfeþe solid-lichid;structuri FBAR (film bulk acoustic resona-tors) de 1.6 GHz cu filme piezoelectrice denitrurã de aluminiu depuse prin pulverizaremagnetron; dispozitiv ºi procedeu de obþinere a fosfuriide galiu (GaP) la presiuni mari; filtru Wien pentru selecþia nanoparticulelor înfuncþie de dimensiuni.

Tehnologii - cca 40, din care

tehnologie de laborator pentru obþinerea lapresiuni mari (30-40 atm.) de aliaje ºicompuºi intermetalici conþinând compo-nente volatile;tehnologie de realizare a materialelor de tipZST ºi a filtrelor cu rezonatori dielectrici dinmateriale ZST;tehnologie de realizare a filtrelor trece bandãîn tehnologie microstrip pe substrat ZST; tehnologie de realizare a materialelorradioabsorbante în banda 4¸18 GHz; tehnologie de realizare a rezonatorilordielectrici din material BZT; tehnologii de realizare a materialelornanostructurate ºi a structurilor cuanticesemiconductoare ºi semiizolatoare;tehnologie de preparare a structurilorgradate osteointegratoare de hidroxiapatitãprin pulverizare magnetron;tehnologie de obþinere a structurilorhemocompatibile prin depunere chimicãasistatã de plasmã;prepararea de nanofire semiconductoareprin metoda „template“;stabilirea condiþiilor de sintezã hidrotermalãa unor medii cristaline magnetice de tipmagnetitã cu substituþii de Mn;metodologia de testare ºi detectarepreliminarã a unor gaze toxice, în vedereastabilirii selectivitãþii ºi sensibilitãþii de detecþiea lor în anumite domenii de concentraþie;tehnologia de obþinere a materialelorpiezoceramice prin procese de activaremecanochimicã.

Transfer tehnologic - cca 10, din care

tehnologie de realizare a materialelor de tipZST ºi a filtrelor cu rezonatori dielectrici dinmateriale ZST - IPI Curtea de Argeº ºi S.C.ARMTECH S.A. Curtea de Argeº;traductor de ultrasunete de putere pentruîndepãrtarea depunerilor din schimbãtoarelede cãldurã utilizate în petrochimie - SCRUPS SA PETROBRAZI, ASTRA Ploieºti;traductor US de putere pentru petrochimie -

INC

DFM



SC RUPS SA, PETROBRAZI, Prahova;senzori de temperaturã cu coeficient termicpozitiv pe bazã de BaTiO3 semiconductor,IPEE Curtea de Argeº;senzor de temperaturã de tip pozistor folositîn dispozitive de tensiuni mari, IPEE Curteade Argeº.

Brevete

Cereri de brevet: 16Cerere Brevet nr. A00717/2004 – «Metodade evaluare a dimensiunilor ºi poziþieicristalitelor în straturi subþiri policristaline deCdS», Autor: I. Nazarenco;Cere re Breve t n r. A00900 /2004 –«Comutator Optoelectronic Acordabil»,Autor: I. Nazarenco;Cerere Brevet nr. A00968/2004 – «Montaj ºimetodã pentru controlul proceselor decreºtere a cristalelor semiconductoare»,Autori: C. Negrilã, A. Iuga, R. Ghiþã, M.Cernea, C. Logofãtu, A.S.Manea, M.F.Lãzãrescu;Cerere Brevet nr. A00158/2004 – «TraductorUS piezoceramic pentru prevenireadepuner i lo r pe pere þ i i i n te r io r i a ischimbãtoarelor de caldurã», Autori: C.Miclea, C. Tãnãsoiu, M. Cioangher;Cerere brevet nr. A/00929/2004 – «Sistemde pompaj uscat ºi de sustentaþie bazat peevacuare folosindu-se discuri rotitoare demare turaþie», Autor: C. M. Teodorescu;Cerere brevet nr. A/00930/2004/2004 –«Cuptor cu încalzire rezistivã directã prindouã tuburi conductoare concentrice.Utilizarea acestui cuptor ca sursã denanoparticule prin destindere adiabaticã»,Autor: C. M. Teodorescu; Cerere Brevet nr. A/00827/2005 – «Celulãelectrochimicã etanºã pentru mãsurãtorioptice la interfeþe solid/lichid», Autori: M. F.Lãzãrescu, R. Ghiþã, S. A. Manea,C.Logofãtu , C. Negrilã, F. Ungureanu; Cerere Brevet nr. A00243/2006 – «Procedeuºi aparat pentru producerea de microlentilecalcogenice», Autori: M.Popescu, F. Sava,A. Lorinczi, S. Micloº, D. Savastru, M.Mustaþã, R. Savastru;Cerere Brevet nr. A00263/2006 – «Metodãde pasivare a suprafeþelor semiconduc-toare», Autori: M. F. Lãzãrescu, V.Lãzãrescu,M. Gartner, R. Ghiþã, E. Volanschi; Cerere Brevet nr. A00584/2006: «Procedeude obþinere a structurilor de tip Schottky pesubstrat de GaAs», Autori: M. F. Lãzãrescu, R.Ghiþã, C. Logofãtu , C. Negrilã , S. A. Manea; Cerere Brevet nr. A00710/2006: «Metodã,celulã ºi montaj de mãsurã pentrudeterminarea birefringenþei optice a crista-lelor lichide, în funcþie de temperaturã»,Autori: T. Beica, S. Frunzã, I. Zgurã, R.Moldovan, A. Dinescu;Cerere Brevet nr. A00736/2006: «Procedurãde obþinere a structurii senzitive tipTiO2/GaAs», Autori: M. Cernea, R. Ghiþã, C.Negrilã; Cerere Brevet nr. A00941/2006: «Materialsensibil la gazul metan ºi senzor de prag

pentru detecþia metanului», Autori: M.Popescu, A. Lorinczi, F. Sava, A. Tomescu,C. Simion, S. Micloº, D. Savastru, I. N.Mihãilescu, G. Socol, E. Axente; Cerere Brevet nr. A00942/2006: «Dispozitivºi procedeu de obþinere a fosfurii de galiu(GaP) la presiuni mari», Autori: M. F.Lãzãrescu, R. Ghiþã, S. A. Manea, C.Logofãtu, C. Negrilã; Cerere brevet nr. A/00471/ 04.07.2007:«Compozite pe baza de Fe-Cu pentrumagneþi anizotropi ºi procedeu de obþinere»,Autori: Kappel W., Romalo D. , Codescu M.M., Stancu N., J. Pintea, G. Filoti, V.Kuncser. M. Vãleanu, F. Lifei, G. Schinteie;Cerere de brevet nr. A2007-00825/2007:«Senzor selectiv pentru ioni de plumb însoluþii apoase.», Autori: M. Popescu, A.Lorinczi, F. Sava, E. Apostol, G. Socol.

Brevete acordate de OSIM, EPO,WIPO: 11În þarã: 7

Brevet Nr. 120105/30.08.2005:«Material absorbant cu reflexieredusã pentru banda X» Autori: C.Angelescu, M. Negoºanu, A.Ioachim, M.I. Toacsen, R.I. Coca,F. Farcaº, E. Nitis, N. Iordache, M.Petrescu, M. Petriºor;B reve t OS IM /2002 N r.119897/2005: «Procedeu dedepunere în vid de straturibiocompatibile, pe aliaj magnetic de tipNdFeB ºi magneþi acoperiþi rezultaþi» Autori:M. C. Bunescu, M. Vãleanu, M. Trupinã; Brevet nr. 119458 B1/2004: «Procedeucalcotermic de obþinere a titanatului debariu», Autori: M. Cernea, D. Neacºu, M. F.Lãzãrescu, A. S. Manea, C. Logofãtu; Brevet nr.119709 B1/2004: «Procedeupentru purificarea oxidului de lantan»,Autor i : C.Dan, C.D.Mateescu, M.F.Lãzãrescu, A.S. Manea;Brevet nr. 121493 B1/2007: «Dispozitiv ºimetodã de detecþie ºi monitorizare îni n f r a roºu a pa r t i cu l e l o r î nsuspensie în aer sau alte gaze ºi aumiditãþii în materiale granulare»,Autori: L. Pintilie, I. Matei, E.Penþia, I. Surdu, R. A. Nicolau;Brevet acordat prin Hotararea6/081/30.07/2008 (cerere A/ 200600710/15.09.2006): «Metodã,celulã ºi montaj de mãsurã pentrudeterminarea birefringenþei optice acristalelor lichide, in funcþie detemperaturã», Autori:T. Beica,S.Frunzã, R. Moldovan, I. Zgurã, A.Dinescu.

În strãinãtate: 4Brevet Japonia, Nr. 3622147, 3.12.2004:«Centri de fixare a vortexurilor în straturiHTS obtinuti prin insule nanometrice ºitehnologia de fabricatie», Autori: H. Ihara ºiA. Criºan;Deutsche Patentanmeldung 10 2004 044558.3 , (2004) : «Verbesserung derEigenschaften von Gunn-Dioden», Autori: A.Förster, S. Montanari, H. Lüth, M. I. Lepºa;

INC

DFM





Publicaþii

Lucrãri publicate în reviste cotate ISI 873(din care cele mai citate)

1. The (hkl) dependence of diffraction-line broadening caused by strain andsize for all Laue groups in Rietveld refinement , Popa, NC, Journal ofAppplied Crystallography 31, (2) 176-180 (1998), 94 citãri;

2. Electron-Spin-Resonance study of Tl atom defects in KCl and relativisticmany-body analysis of the hyperfine structure, Goovaerts, E; Aandriessen,J; Nistor, SV, et al., Physical Review B 24 (1) 29-50 (1981), 89 citãri;

3. Host/guest interactions in nanoporous materials.1. The embedding ofchiral salen manganese(III) complex into mesoporous silicates, FrunzaL, Kosslick H, Landmesser H, Hoft E, Fricke R, Journal of MolecularCatalysis A- 123 (2-3): 179-187 (1997), 79 citari;

4. Nanocrystalline diamond films: Transmission electron microscopy andRaman spectroscopy characterization, Nistor, LC; VanLanduyt, J;Ralchenko, VG, et al., Diamond and Related Materials 6 (1) 159-168(1997), 78 citãri;

5. Polyaniline and carbon nanotubes based composites containing wholeunits and fragments of nanotubes , Baibarac, M; Baltog, I; Lefrant, S, etal., Chemistry of Materials 15 (21), 4149-4156 (2003), 56 citãri;

6. Texture in Rietveld refinement, Popa, NC, Journal of ApppliedCrystalography 25 (5), 611-616 (1992), 56 citãri

7. SERS spectra of polyaniline thin films deposited on rough Ag, Au andCu. Polymer film thickness and roughness parameter dependence ofSERS spectra, Baibarac, M; Cochet, M; Lapkowski, M, et al., SyntheticMetals, 96 (1) 63-70 (1998), 52 citãri;

8. Growth and characterisation of low-temperature grown GaN with high Fedoping, H. Akinaga, S. Nemeth, J. De Broek, L. Nistor, H. Bender, G.Borghs, H. Ofuchi and M. Oshima, Appl. Phys. Lett. 77, (26), 4377-4379(2000), 50 citari;

9. Structural properties of some conducting polymers and carbonnanotubes investigated by SERS spectroscopy, Lefrant, S; Baltog, I.; dela Chapelle, ML, et al., Synthetic Metals 100 (1), 13-27 (1999), 46 citãri;

10.Microstructural studies of nanocrystalline CeO2 produced by gascondensation, Guillou, N; Nistor, LC; Fuess, H, et al., NanostructuredMaterials 8 (5), 545-557 (1997), 45 citãri;

Lucrari publicate în reviste din fluxul principal de publicaþii 162(din care cele mai citate)

1. Direct observation of electron self-trapping in PbCl2 crystals, Nistor, SV;Goovaerts, E; Schoemaker, D Physical Review B 48 (13), 9575-9580(1993), 44 citãri;

2. Ni-Zn ferrite nanoparticles prepared by ball milling, Nicoara, G; Fratiloiu,D; Nogues, M, et al., International Symposium on Metastable,Mechanically Alloyed and Nanocrystalline Materials (ISMANAM-96),MAY 20-24, 1996 Rome Italy, Synthesis and Properties of MechanicallyAlloyed and Nanocrystalline Materials, Pts. 1 and 2 (ISMANAM-96) 235,145-150 (1997), 40 citãri;

3. Preparation of barium hexaferrite by a hydrothermal method – structureand magnetic properties, Barb, D; Diamandescu, L; Rusi, A, et al.,Journal of Materials Science 21 (4), 1118-1122 (1986), 35 citãri;

4. Vortex unbinding and layer decoupling in epitaxial Bi2Sr2Ca2Cu3O10+ thinfilms, L. Miu, P. Wagner, U. Frey, A. Hadish, D. Miu, and H. Adrian, Phys.Rev. B 52, 4553 (1995), 33 citãri;

5. Competition between ferroelectric and semiconductor properties inPb(Zr0.65Ti0.35)O-3 thin films deposited by sol-gel , Boerasu, I; Pintilie,L; Pereira, M, et al., Journal of Applied Physics 93 (8) 4776-4783 (2003),28 citãri;

6. Growth and characterization of PbS deposited on ferroelectric ceramics,Pintilie, I; Pentia, E; Pintilie, L, et al., J Journal of Applied Physics 78(3) 1713-1718 (1995), 24 citãri;

7. Ferroelectric properties of Pb1-3y/2Lay(Zr0.4Ti0.6)O-3 structures withLa concentration gradients, Boerasu, I; Pintilie, L; Kosec, M, AppliedPhysics Letters 77 (14), 2231-2233 (2000), 23 citãri;

8. Intrinsic ferroelectric properties of strained tetragonal PbZr0.2Ti0.8O3obtained on layer-by-layer grown, defect-free single-crystalline films ,Vrejoiu, I; Le Rhun, G; Pintilie, L, et al., Advanced Materials 18 (13)1657 (2006 ), 19 citãri.

Lucrari publicate în volumele unor conferinþe ºtiinþifice 1207internaþionale cu recenzori (din care cele mai citate)

1. Scanning force microscopy and electron microscopy studies of pulsedlaser deposited ZnO thin films: application to the bulk acoustic waves(BAW) devices, Verardi, P; Nastase, N; Gherasim, C, et al., Symposiumon Growth, Characterisation and Applications of Bulk II-VIs, at the E-MRS Spring Conference, Jun. 16-18, 1998 Strasbourg, France, Journalof Crystal Growth 197 (3), 523-528 (1999);

2. 2.Pulsed laser deposition of hydroxyapatite thin films on Ti-5A1-2.5Fesubstrates with and without buffer layers, Nelea, V; Ristoscu, C;Chiritescu, C, et al., Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society, May 30-Jun 02, 2000 Strasbourg, France, AppliedSurface 1-4127-131 (2000);

3. Developments for radiation hard silicon detectors by defect engineering- results by the CERN RD48 (ROSE) Collaboration , Lindstrom, G;Ahmed, M; Albergo, S, Pintilie L, Pintilie I et al., International Workshopon Semiconductor Pixel Detectors for Particles and X-rays, Jun 05-08,2000 Genoa, Italy, Nuclear Instruments & Methods in Physics ResearchSection A – Accelerators Spectrometers Detectors and AssociatedEquipment 465 (1) 60-69 (2001);

4. Radiation hard silicon detectors - developments by the RD48 (ROSE)collaboration, Lindstrom, G; Ahmed, M; Albergo, S, Pintilie L, Pintilie I etal. 4th International Symposium on Development and Application ofSemiconductor Tracking Detector, MAR 22-25, 2000 Hiroshima Japan,Nuclear Instruments & Methosd in Physics Research Section A –Accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment 466(2), 308-326 (2001);

5. Field effect controlled photorezistors based on chemically deposited PbSfilms, E.Pentia, L.Pintilie, I.Matei, I.Pintilie, Mat. Res. Soc. Symp.Proc.,vol. 692, H9.10.1, (2002);

6. Light emission and absorption in selectively grown SiGe diodes,T.Stoica, L.Vescan, B. Holländer, Proc.Conference ICSI3: ThirdInternational Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures, Eds.Derek Houghton, March 2003, Santa Fe NM, USA;

7. Gas sensing properties of mixed Fe2O3 - SnO2 nanoparticles preparedunder hydrothermal conditions, A. Tomescu, R. Roescu, I. Dumitriu, D.Tarabasanu-Mihaila, Proc. IEEE CN 04TH8748, Int. Semicond. Conf.CAS 2004, 1 109-112 (2004);

8. Radiation Effects and Defects in Cubic Boron Nitride. A PromisingMultifunctional Material for Severe Environment Conditions, S. V. Nistor,Invited lecture la „The 2004 Fall Materials Research Society Meeting”,Nov. 29 - Dec. 2, 2004, Boston, U.S.A;

9. Mechanico-chemical interaction of single-walled carbon nanotubes withdifferent host matrices evidenced by SERS spectroscopy andphotoluminescence, S. Lefrant, M. Baibarac, I. Baltog, C. Godon, J. Y.Mevellec, L. Mihut, Microtehnologies for the New Millenium, Sevilla,Spain, 9-11 May 2005, Proceedings of SPIE, 5838, 105, 2005;

10.Influence of crystal growth technology on the tolerance to radiation ofsilicon for detectors at future accelerators, S. Lazanu, I.Lazanu,M.L.Ciurea, Proc. 2004 Int. Semicond. Conf., IEEE Catalog Number04TH8748, p. 419-422;

Cãrþi ºtiinþifice publicate în edituri recunoscute din þarã 2

1. Dielectric ceramic from nanoparticles of barium titanate, Ecaterina,Andronescu, Marin Cernea, Dana Neacsu, Ed. Politehnica-Press,Bucharest, 2004;

2. Elemente introductive în fizica solidului, S.Constantinescu, ValahiaUniversity Press, 2005.

INC

DFM

Internationale Patentanmeldung PCT WO2004/061990 A2, (2004): «Schichtenfolge (füreine Gunn Diode oder einen Gunn-Oscilla-tor)», Autori: A. Förster, M. Lepºa, J. Stock;Deutsche Patent 102 61 238 A1, (2004):«Schichtenfolge (für eine Gunn Diode odereinen Gunn-Oscillator)», Autori: A. Förster,M. Lepºa, J. Stock.

Brevete premiate«Material absorbant cu reflexie redusã înbanda X», Autori: A. Ioachim, M. I. Toacsãn,R.I. Coca, Angelescu, M. Negoºanu, F.Farcaº, E. Nitis, N. Iordache, M. Petrescu,M. Petriºor. (Brevet nr. 120105/ 30.09.2005)– invenþie medaliatã cu argint la a 52a ediþiea World Exhibition of Innnovation, Researchand New Technology, EUREKA 2003,Bruxelles, Belgia;«Material sensibil la gazul metan ºi senzorde prag pentru detecþia metanului», Autori:M. Popescu, A. Lorinczi, F. Sava, A.Tomescu, C. Simion, S. Micloº, D.Savastru, I. N. Mihãilescu, G. Socol, E.Axente (Cerere Brevet nr. A00941/2006 ) –Medalie de aur la Inventica 2007, Geneva.

Organizarea de manifestãri ºtiinþificeinterne ºi internaþionale

Manifestãri ºtiinþifice internaþionale:14(exemple reprezentative):

7th International Conference on Frontiers ofPolymers and Advanced Materials (ICFPAM-7), May 22-25, 2003, Bucharest, Romania;4th Romanian Conference on AdvancedMaterials – (ROCAM 2003), September 15-18, 2003, Constanta, Romania;5th International Balcan Workshop on AppliedPhysics, July 2004, Constanta, Romania;2nd CONCORDE Workshop, 18-19 th

February 2005, Belfast, Northern Ireland; 2nd International Workshop on Amorphousand Nanostructured Chalcogenides,June20-24,2005, Sinaia, Romania;6th International Balkan Workshop onApplied Physics – (IBWAP’2005), 5-7 July,Constanta, Romania;In ternat ional spec ia l ized workshop„BN2006-Sinaia”, 17-20 September 2006,Sinaia, Romania;International Roundtable on Advanced WideBand Gap Materials for Radiation Detection

– (MATRAD 2007), 17-20 June, 2007,Sinaia, Romania; 3rd International Conference on Amorphousand Nanostructured Chalcogenides (ANC-3), July 3-7, 2007, Braºov, RomaniaInternational Workshop „Exotic States inMater ials with Strongly CorrelatedElectrons” September 7-10, 2007, Sinaia,Romania.Satelite Workshop „Local disorder atnanoscale” organized in the frame ofDISCRYS - CEEX Project, nr. 7/2005, atthe Fifth Conference PIM 2007, September20-22, 2007, Cluj-Napoca, România.

Manifestãri ºtiinþifice interne: 20 (exemplereprezentative):

ARM-3 „New Research Trends in MaterialScience”, September 12-13, 2003, Constanþa;National Conference in Physics (CNF2004),9-11 Septembrie 2004, Piteºti;Simpozion National „Inginerie ºi nanoºtiinþe”23 Aprilie 2004, UPB, Bucureºti; 4th National Conference „New ResearchTrends in Materials Science” ARM-4, Sept 4-6, 2005, Constanþa;14th National Conference on Physics (CNF2005), Sept 13-17, 2005, Bucureºti;5th Romanian Conference on AdvancedMaterials, (ROCAM 2006), September 11-14th, 2006, Bucureºti-Magurele.

Participãri cu rezultate semnificative la târguri ºi expoziþii

7 medalii de aur, 2 medalii de argint, 1 debronz, trei diplome

CONRO 2003 – Locul I ºi Diploma deExcelenþã în Cercetare, CERES-2003,«Studiul materialelor piezoceramice avansateºi a structurilor composite», pentru produsul«Traductoare piezoceramice de US pentruprevenirea depunerilor calcaroase pe pereþiiinteriori ai schimbatoarelor de caldurã dinpetrochimie»;CONRO 2004 – Locul I cu Diploma deExcelenþã în Cercetare ºi Medalie;International Trade Fair - See TomorowToday, Hanover 2004, «High IntensityUltrasound Piezoceramic Transducer»;Salonul International de Invenþii, Geneva 2008– Medalie de aur, aprilie 2008, «Compositesbases sur Fe-Cu pour des aimantsanisotropes: procede pour en obtenir»;

INC

DFM



Cãrþi ºtiinþifice publicate în edituri recunoscute din strãinãtate 8

1. Studies of High Tem Superconductors, L. Miu, Vol.42, Chapter 6, 139-168, Nova Sci. Pub., NY (Ed. A. V. Narlikar) (2002);

2..Host – Guest Systems Based on Nanoporous Crystals, L. Frunzã,Chapter 5, pages 84-102, Willy - VCH GmbH and Co. (Ed. by F. Laeri, F.Schüth, U. Simon, M. Werk), 2002;

3. „Structure, defects and electronic properties of amorphous semiconductors”,Chapter 1 in „Photo-induced Metastability in Amorphous Semiconductors”,M. Popescu, Ed. A.V. Kolobov, Wiley-VCH, Germany, p 1-22, (2003);

4. Crystallite Size and Residual Strain/Stress Modeling in RietveldRefinement, Chapter 5 in book: „Diffraction Analysis of the Microstructure

of Materials” pages 124-145, D.Balzar, N.C.Popa, Springer Verlag, 2004;5. New Developments in Crystal Growth Research, P. Badica and K.

Togano, Chapter 2, 38-74 Nova Sci. Pub., NY (Ed. G. V. Karas)(2005);

6. Vortex Physics and Flux Pinning, L. Miu, Vol. 48, Chapter 2, 49-70, Nova.Sci. Pub., NY (Ed. A. V. Narlikar) (2005).

7. Advanced University Physics, M. S. Rogalski, S.B.Palmer, 2nd Edition,1024 pag., Chapman & Hall/CRC 2005, ISBN 1584885114.

8. Powder Diffraction: Theory and Practice, Chapter 12, (MicrostructuralProperties: Texture and Macrostress Effects by N. C. Popa), pg. 332-375, Editors Robert Dinnebier and Simon Billinge, Royal Society ofChemistry Publishing, Cambridge, 2008.

Salonul Internaþional „Inventica” de la Bruxellesîn 2007 – Medalie de aur 2007, pentru«Procedeu ºi aparat pentru producerea demicrolentile calcogenice»;Salonul Internaþional „Inventica” de laBruxelles în 2007 – Medalie de aur 2007,pentru «Material sensibil la gazul metan ºisenzor de prag pentru detecþia metanului»;Salonul Internaþional de invenþii de la Genevaîn 2007 – Prof. Dr. Mihai Popescu aprimit Diploma specialã a Agenþiei pentruInvenþii a Republicii Moldova; Salonul Internaþional de Invenþii de la Zagrebîn 2007 – Medalie de aur 2007, pentru«Procedeu ºi aparat pentru producerea demicrolentile calcogenice»;Salonul Internaþional de Invenþii de la Zagrebîn 2007 – Medalie de aur 2007, pentru«Material sensibil la gazul metan ºi senzor deprag pentru detecþia metanului»;Salonul Internaþional de Invenþii ºi TehnologiiNoi „Inventika” de la Bucureºti în 2007 –Medalie de argint, pentru «Procedeu ºi aparatpen t ru p roduce rea de m ic ro len t i l ecalcogenice»;Salonul Internaþional de Invenþii ºi TehnologiiNoi „Inventika” de la Bucureºti în 2007 –Medalie de bronz 2007, pentru «Materialsensibil la gazul metan ºi senzor de pragpentru detecþia metanului»;Salonul Internaþional de Invenþii de laVarºovia în 2007 – Medalie de argint 2007,pent ru «Procedeu º i aparat pent ruproducerea de microlentile calcogenice».

Entitãþi din infrastructura de transfertehnologic implementate: 0

Afilieri naþionale ºi internaþionale

Societatea Japonezã de Fizicã Aplicatã:2Societatea japonezã de Criogenie:1Societatea Americanã de Fizicã: 2Societatea Germanã de Fizicã: 3Societatea Europeanã de Fizicã: 8Materials Research Society -USA:3Institute of Electrical Engineers (II) UKInternational Organization on CrystalGrowth:1SPIE:3Benelux EPR Group: 1Clubul Humboldt: 5ASRO:2Societatea Românã de Creºterea Cristalelor-ªtiinþa Materialelor: 8Societatea Românã de Fizicã: 25Societatea Românã de Biomateriale: 4Societatea Românã de Chimie: 8Societatea Românã de Catalizã: 12Societatea Românã de Optoelectronicã: 4Fundaþia HORIA HULUBEI: 8Alianþa Românã pentru Hidrogen ºi Celule deCombustie: 4NEXUS: 4Academia de ªtiinþe Tehnice din România: 2Asociaþia Generalã a Inginerilor din România:23 experþi evaluatori proiecte (ComisiaEuropeanã, Bruxelles) în cadrul FP6 alComisiei Europene

Poveºti de succes

1. INCDFM în topul cercetãrii din „CarteaAlbã a Cercetãrii din România”

La începutul lunii aprilie 2006, site-ul www.ad-astra.ro a publicat „Cartea Alba a Cercetãrii dinRomânia” reprezentând rezultatele unui proiectcare inventariazã numãrul de articole ISIpublicate de unitãþi de cercetare româneºti îndiverse domenii, în perioada 2001-2005.

În clasamentul general, INCDFM ocupã locul7 dupã 4 universitãþi, IFIN-HH ºi Institutul deChimie Macromolecularã «Petru Poni»(Academia Românã). În cazul institutelornaþionale ocupã locul 2, dupã IFIN-HH, cu un totalde 584 de articole publicate în intervalulmenþionat. Normarea la personalul de cercetarear conduce însã, în mod evident, la ocupareadetaºatã a primului loc. Într-adevãr, înclasamentul universitãþilor, prima clasatã(Universitatea «Alexandru Ioan Cuza» din Iaºi)are o ratã de 25,6 articole publicate în 2006 ºi de18,2 articole în 2005 la 100 de cadre didactice.Luând drept comparaþie anul 2005 ºi un personalde cercetare de cca 160 de cercetãtori, INCDFMare o ratã de 84,1 articole publicate în 2005 la100 de cercetãtori, ceea ce înseamnã de aproapecinci ori productivitatea ºtiinþificã a celei mai bineclasate universitãþi din þarã.

Aceastã statisticã poate fi evident extinsã ºiîn cazul întregii perioade 2001-2005, darconcluzi i le rãmân în esenþã aceleaºi .Productivitatea ºtiinþificã reflectatã prin publicaþiiîn ultimii 5 ani aratã cã INCDFM are o ratã depeste 3,5 ori mai mare decât urmãtoareainstituþie de cercetare din clasament.

Din consultarea datelor puse recent ladispoziþie de ANCS în rapoartele de acreditarerezultã cã institutul nostru este pe primul loc în

categoria institutelor naþionale (INCD).

2. Journal of Optoelectronics and AdvancedMaterials

INCDFM împreunã cu INOE-2000 editeazã,începând din 1999, o revistã ºtiinþificã lunarã, deprestigiu, Journal of Optoelectronics andAdvanced Materials. Factorul de impact acrescut extraordinar de rapid la valoarea 1.183(în 2005). În martie 2006, revista s-a situat peprimul loc în lume în domeniul ªtiinþeiMaterialelor (Materials Science) în ceea cepriveºte rata de creºtere a factorului de impact(ISI-Thomson, March 2006). Editorul ªef alrevistei este Dr. Mihai A. Popescu. Dr. M.Popescu a luat premiul „The Stanford R.Ovshinsky Prize” pentru excelenþã în domeniulmaterialelor necristaline („Non-crystallinecalcogenides”) în 2004.

În ianuarie 2007, Dr. M. Popescu a fondatnoua revistã lunarã de comunicãri rapide:Optoelectronics and Advanced Materials –Rapid Communications în co-editare INCDFM –INOE 2000. Revista este acceptatã, în ianuarie2008, în bazele de date ISI, începând cu primulnumãr de apariþie.

INC

DFM



Documents

INSTITUTUL NAÞIONAL DE CERCETARE-DEZVOLTARE PENTRU …site.roinno.ro/data/pdf/ca/369.pdf · structuri complexe: fenomene fotoelectrice în materiale semiconductoare ºi heterostruc-turi,