Guía Laboratorio Electronica I 2012

7/23/2019 Gua Laboratorio Electronica I 2012

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REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELAMINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSAUNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITCNICA

DE LA FUERZA ARMADA NACIONALU.N.E.F.A. NCLEO MARACAY

COORDINACIN DE INGENIERA DE TELECOMUNICACIONES

GUA PRCTICA

LABORATORIO DE ELECTRNICA I

ABRIL DE 2010

Actualizado por:Dra. Mara del Pilar Prez


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LABORATORIO DE ELECTRNICA I Coord. Ing. de TelecomunicacionesUNEFA Ncleo Maracay

PRCTICA N 1

CIRCUITOS CON DIODOS (RECORTADORES)

Objetivo: Verificar experimentalmente el comportamiento de los diodos en circuitos

recortadores.

Materiales: 1N4007 ( 1N4004), Diodo Zener entre 3,6 V y 6 V de 1 W, Resistores varios.

Pre-Laboratorio:

- Obtenga de la Hoja de Datos de los diodos seleccionados los valores de los diodos

dados por el fabricante y explique lo que cada uno de ellos especifica.- Simule todos los circuitos del procedimiento de la prctica y grafique Vo y la curva

caracterstica de transferencia Vo vs. Vi.

Procedimiento:

1. Monte el siguiente circuito:

Figura 1

- Coloque los controles del

generador de funciones en:

Vi = senoidal f = 200 Hz

- Aumente la amplitud y observe lo

que sucede en Vo.

- Para amplitud media, fotografe la

seal observada y mida los valores pico de la seal.

- Grafique Vo vs. Vi en el


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Vi+Vo

-V

Vi


osciloscopio. Para ello, tome Vo en el canal 2, Vi en el canal 1 y coloque el control de

presentacin XY. Vare la amplitud y fotografe lo observado para amplitud mxima.

- De quienes dependen los valores

pico de la seal final? Justifique.

- Invierta el diodo (en media

amplitud) y mida los valores pico; grafique en el osciloscopio Vo vs. Vi y fotografe lo

observado.

- Justifique el por qu de las

diferencias entre los grficos anteriores.

- Sustituya el diodo por el diodo

zener y repita todos los pasos anteriores. Analice y concluya.


Figura 2

- Coloque los controles del generador de funciones en:

Vi = senoidal f = 200 Hz Amplitud = media- Mida los valores pico de Vo;

- Grafique Vo vs. Vi en el osciloscopio y fotografe lo observado en Vo y Vo vs. Vi.

- De quines dependen los valores pico de la seal final? Justifique.

- Invierta el diodo y repita el paso anterior.

- Justifique las diferencias entre los grficos anteriores.


Figura 3


2


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+Vo

-

Vi


- Ajuste Vi a amplitud mxima y f =

200 Hz.

- Ajuste V a 0 voltios. Observe Vo y

comience a aumentar V. Observe lo que sucede para V = 4 voltios.

- Mida los valores pico de Vo y

grafique Vo vs. Vi

- Vare la fuente, observe y anote lo

sucedido, fotografe la forma de onda de Vo y Vo vs. Vi (para V = 4 V). Justifique.

- Repita el procedimiento anterior

para el Circuito de la figura N 4

- Observe que slo se invirtieron la

fuente VDC y el diodo.

Figura 4


generador de funciones en:

Ajuste Vi a amplitud mxima y f = 200 Hz.

- Grafique Vo y compare con la

seal de entrada Vi.

- Invierta el diodo y dibuje lo

observado.

- Justifique el por qu de las

diferencias entre los grficos anteriores.- Para la posicin inicial del diodo

grafique Vo vs. Vi colocando en osciloscopio en XY, graficando Vo en el canal 2 y

Vi en el canal 1.

- Fotografe lo observado. Justifique

las diferencias entre las grficas obtenidas entre los dos circuitos. Concluya.


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Vi


2.4. Monte el siguiente circuito:

Figura 5

- Ajuste Vi a amplitud mxima y f =

200 Hz.

- Vare V1 y V2 y observe lo que

sucede en Vo; mida los valores pico para V1 = 4 voltios y V2 = 6 voltios.

- Grafique en el Osciloscopio Vo vs.

Vi; vare las fuentes, observe lo que sucede y anote los resultados.

- Fotografe las formas de onda

obtenidas para Vo y Vo vs. Vi.

Post-Laboratorio:

- Responda detalladamente cada una de las preguntas sugeridas en el procedimiento

de la prctica

- Compare los grficos simulados con los obtenidos en la prctica, analice y

concluya.


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PRCTICA N 2

CIRCUITOS CON DIODOS (RECTIFICADORES)

Objetivo: Verificar experimentalmente el comportamiento de los diodos en la accin de

rectificar la seal de entrada en media onda y onda completa.

Materiales: 1N4007 ( 1N4004), Resistores varios, transformador de toma central.

Pre-Laboratorio:

- Simule todos los circuitos del procedimiento de la prctica y grafique Vi y Vo.

- Calcule los valores DC de voltajes y corrientes en la carga y en los diodos para

cada uno de los circuitos de la prctica.

- Mida en la simulacin, todos los valores DC de voltajes y corrientes en la carga y en

los diodos para cada uno de los circuitos de la prctica.

Procedimiento:


Figura 1

- Coloque los controles delGenerador de Funciones en:

Vi = 5V (Senoidal) F=200Hz

- Grafique Vo y compare con la

seal de entrada Vi. Fotografe Vo y Vi.

- Mida el voltaje DC y la corriente


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+Vo-

D2

+

-

Vi 5V/200Hz 10K~


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DC que circula por la carga y por el diodo. Compare con los calculados y simulados

en el pre-laboratorio.

- Mida el voltaje de pico inverso

(VPI) que aparece en el diodo, comprelo con el valor pico de V i.

- Invierta el diodo y fotografe lo

observado en Vo y en Vi.

- Justifique por qu existen

diferencias entre los grficos anteriores.

- Para la posicin inicial del diodo,

grafique Vo vs. Vi colocando el Osciloscopio en XY, y graficando Vo en el Canal 2

y Vi en el Canal 1.

- Fotografe lo observado. Concluya.


Figura 2


Generador de Funciones en:

Vi = 6 voltios (senoidal) F =200 HZ- Observe la seal que aparece en R.

(Vr) y comprela con la de V i. Fotografe Vo y Vi.

- Mida el voltaje DC de la carga Vr y

compare con el calculado y simulado en el pre-laboratorio.

- Mida el voltaje de pico inverso


6

+

Ir

D3

D2 D4

D1

+

-

Vi 6V/200Hz

Vr

1K


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(VPI) que aparece en cada diodo, comprelo con el valor pico de V i.

- Mida IR (en DC); mida la corriente

DC que circula por cada diodo y comprela con IR. y con los valores calculados y

simulados en el pre-laboratorio.

- Mida VR y desconecte una rama

del puente (por ejemplo D3).

- Mida VR nuevamente y comprelo

con el primer valor tomado.

- Explique lo que sucede con VR al

desconectar una rama del circuito.

- Explique la operacin de este

circuito e indique qu relacin existe entre las corrientes IR e ID.


Figura 3


Generador de Funciones en:

Vi = 6 voltios (senoidal) F =200 HZ

- Grafique Vo y comprela con el

valor pico de Vs. Fotografe Vo y Vs.

- Sustituya el D1 por un corto e

indique qu sucede a Vo.- Mida el voltaje DC de la carga Vo y

comprelo con el calculado y simulado en el pre-laboratorio.

- Mida el VPI que aparece en cada

diodo, comprelo con el valor pico de Vs.

- Mida IR (en DC); mida la corriente


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D2

D1

TX1

+

-

Vi

6V/200Hz10K

- Vo +

+Vs-+Vs-

IR


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DC que circula por cada diodo y comprela con IR. y con los valores calculados y

simulados en el pre-laboratorio.

- Explique la operacin de este

circuito e indique la diferencia entre el mismo y el montado en la experiencia 2.

Post-Laboratorio:


de la prctica

- Compare los grficos y valores calculados y simulados en el pre-laboratorio con los

obtenidos en la prctica, analice y concluya.


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PRCTICA N 3

EL DIODO ZENER COMO REGULADOR DE VOLTAJE - FUENTE DEALIMENTACIN REGULADA CON DIODO ZENER

Objetivo: Verificar experimentalmente el comportamiento del Diodo Zener como regulador

de voltaje y emplearlo en el diseo de una fuente de alimentacin regulada.

Materiales: Diodo Zener del voltaje que indique el docente para el diseo, Resistores

varios. Valores comerciales ms cercanos para los dispositivos calculados en el diseo.

Pre-Laboratorio:

- Realice los clculos sugeridos en el procedimiento 1 de la prctica. Recuerde

asumir el valor comercial ms cercano al calculado y determine la potencia de los

resistores y diodos que emplear.

- Simule el circuito del procedimiento 1 de la prctica y obtenga todos los valores de

corrientes y voltajes DC que corresponda de acuerdo al caso que corresponda.

- Disee una fuente de alimentacin regulada con Diodo Zener como la mostrada en

el procedimiento 2, segn las caractersticas y restricciones dadas por el instructor

de laboratorio. Estas restricciones pueden incluir: variacin IL de la corriente de

carga, variacin de RL, (que soporte la condicin de circuito abierto), etc.

- Simule la fuente de alimentacin regulada con Diodo Zener diseada y mida paracada caso representado por las restricciones del diseo los voltajes y corrientes DC

correspondientes.

Procedimiento:


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1. Diodo Zener como regulador de voltaje.

Atendiendo a las caractersticas del Zener adquirido y con relacin al circuito mostrado

en la figura 1:

Figura 1

(Va variable, RL variable)- Obtenga el valor de Rs de tal forma que su diodo Zener soporte variaciones de una

fuente de alimentacin no regulada denominada Va y variaciones de RL.

Asumiendo Vamax = 3Vz y RL min = 470, calcule Vamin y RLmax de acuerdo

con las caractersticas del diodo Zener y tomando en cuenta sus condiciones

bsicas de seguridad.

- Una vez obtenidos los valores, monte el circuito y mida Va, IR, IZ, IL y VZ, para cada

uno de los casos siguientes:a) Vamax, RLmax

b) Vamax, RLmin

c) Vamin, RLmax

d) Vamin, RLmin

- Determine cules de esos casos son los ms extremos y por qu

- Compare los valores obtenidos con los calculados y simulados previamente,

concluya sobre las condiciones de trabajo idneas para que un diodo Zener actecomo regulador de voltaje, as como tambin sobre lo criterios prioritarios a tomar

en cuenta en este diseo.

2. Fuente de Alimentacin regulada con Diodo Zener.

- Monte la fuente de alimentacin regulada con diodo zener mostrada en la figura 2 y


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VzZENER

RL

Rs

+

Va

IR

IZ

IL

+


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diseada en el pre-laboratorio de la prctica

ZENER

+

CRL

Rs

60 Hz

Vin

-110/110V N:a

Figura 2

Una vez montado el diseo, realice todas las mediciones de los parmetros de

corriente y voltaje. Comprelos con los tericos y con los simulados.

Nota:

- Tomar en cuenta las potencias disipadas (en teora) y usar valores comerciales.

Post-Laboratorio:


de la prctica

- Compare los valores calculados y simulados en el pre-laboratorio con los obtenidos

en la prctica, analice y concluya.


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PRCTICA N 4

POLARIZACIN Y ESTABILIZACIN DE ETAPAS AMPLIFICADORAS CON BJT

Objetivo: Estudiar las tcnicas de polarizacin y estabilizacin de amplificadores con BJT,

observando en cada caso la variacin de la ubicacin del punto Q por efecto de la

temperatura y reemplazo de transistores.

Materiales:

Q1 = 2N3904, Q2 = 2N2222. Resistores varios, Potencimetros, capacitores de 10f, cautn.

Pre-Laboratorio:

- Obtenga de la Hoja de Datos de los BJT 2N3904 y 2N2222 la curva de mxima

potencia, as como tambin las curvas caractersticas de entrada y de salida de

cada transistor.

- Para los circuitos mostrados en las figuras 1, 2 y 3, si Vcc = 15 V, obtenga el valor

de R para obtener la mxima excursin simtrica para Q1

- Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1, 2 y 3, ajuste el valor de Vs hasta

obtener el mximo nivel de salida sin distorsin y grafique las seales de entrada

y salida. Mida Vbe, Vce e Ic en DC, grafique la recta de carga de cada circuito y

seale sobre ella el punto Q de operacin.

- En los circuitos diseados sustituya a Q1 por Q2 y repita el procedimiento

presentado en el apartado anterior.

Procedimiento:


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1. Polarizacin Fija

Monte el circuito de la figura 1

1. Ajuste la frecuencia de Vs a 1KHz y vare la amplitud de la misma para obtener el

mximo nivel de Vsalida sin distorsin en el osciloscopio. Fotografe las seales de

entrada y de salida. Bajo estas condiciones mida en DC los valores de Ic, Vbe y

Vce, grafique la recta de carga del circuito y seale sobre ella el punto Q de

operacin.

2. Aplique calor al BJT durante dos minutos teniendo cuidado de no tocar su cobertura

y manteniendo los resistores alejados de la fuente de calor. Observe en la pantalla

del osciloscopio la seal de salida del amplificador. Fotografela y comprela con la

obtenida en el paso 1. En el momento exacto de retirar el elemento calrico, mida

en DC los valores de Ic, Vbe y Vce, comprelos con los obtenidos en el paso 1 y

seale sobre la recta de carga este nuevo punto Q.

3. Reemplace el transistor Q1 por Q2 y repita los pasos 1 y 2.

2. Polarizacin Colector a Base (por Retroalimentacin del Colector):

- Para el circuito de la figura 2 repita los pasos 1, 2 y 3 de la experiencia anterior.


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3. Polarizacin por Divisor de Tensin:

- Para el circuito de la figura 3 repita los pasos 1, 2 y 3 de la primera experiencia.

Post-Laboratorio:

- Para cada circuito compare las seales de salida fotografiadas en prctica y los

puntos Q sealados en las rectas de carga para: Q1, Q1 con calor, Q2 y Q2 con

calor.


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- Analice y concluya sobre el efecto del calor y de la variacin de (de transistor) en

relacin con el empleo de los tres circuitos empleados en la prctica.

- Analice y concluya sobre el circuito ms eficiente para polarizar un BJT. Justifique.


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PRCTICA N 5

POLARIZACIN Y ESTABILIZACIN DE ETAPAS AMPLIFICADORAS CON JFET

Objetivo: Estudiar las tcnicas de polarizacin y estabilizacin de amplificadores con JFET,

observando en cada caso la variacin de la ubicacin del punto Q por efecto de la

temperatura y reemplazo de transistores.

Materiales:

Q1 = 2N5454, Q2 = 2N5457 (es posible sustituir cualquier JFET por el MPF102) Resistores

varios, Potencimetros, capacitores de 10f, cautn.

Pre-Laboratorio:

- Obtenga de la Hoja de Datos de los JFETs las curvas caractersticas de entrada y

de salida para cada transistor, as como tambin los valores Idss y Vp.

- Para los circuitos mostrados en las figuras 1 y 2, si Vdd = 15 V, obtenga el valor deRs para obtener la mxima excursin simtrica para Q1.

- Simule cada uno de los circuitos, ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo

nivel de salida sin distorsin y grafique las seales de entrada y salida. Mida Vgs,

Vds e Id en DC, grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el

punto Q de operacin.

- En los circuitos diseados sustituya a Q1 por Q2 y repita el procedimiento

presentado en el apartado anterior.

Procedimiento:


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1. Polarizacin Fija

Monte el circuito de la figura 1

1. Ajuste la frecuencia de Vs a 1KHz y vare la amplitud de la misma para obtener el

mximo nivel de Vsalida sin distorsin en el osciloscopio. Fotografe las seales de

entrada y de salida. Bajo estas condiciones mida en DC los valores de Id, Vgs y

Vds, grafique la recta de carga del circuito y seale sobre ella el punto Q de

operacin.

2. Aplique calor al JFET durante dos minutos teniendo cuidado de no tocar su

cobertura y manteniendo los resistores alejados de la fuente de calor. Observe en la

pantalla del osciloscopio la seal de salida del amplificador. Fotografela y

comprela con la obtenida en el paso 1. En el momento exacto de retirar el

elemento calrico, mida en DC los valores de Id, Vgs y Vds, comprelos con los

obtenidos en el paso 1 y seale sobre la recta de carga este nuevo punto Q.

3. Reemplace el transistor Q1 por Q2 y repita los pasos 1 y 2.

2. Polarizacin por Divisor de Tensin:


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- Para el circuito de la figura 2 repita los pasos 1, 2 y 3 de la primera experiencia.

Post-Laboratorio:

- Para cada circuito compare las seales de salida fotografiadas en prctica y los

puntos Q sealados en las rectas de carga para: Q1, Q1 con calor, Q2 y Q2 con

calor.

- Analice y concluya sobre el circuito ms eficiente para polarizar un JFET, dada su

variabilidad en sus parmetros Idss y Vp. Justifique.

- Analice y concluya sobre el efecto del calor en los JFET, comprelos con los BJT.


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PRCTICA N 6

DISEO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS A BAJA FRECUENCIA Y PEQUEASEAL CON BJT

Objetivo: Disear amplificadores a baja frecuencia y pequea seal con BJT, verificando las

caractersticas de funcionamiento de las distintas configuraciones de amplificadores.

Materiales: 2N3904 2N2222, Resistores varios, Potencimetros, capacitores de 10f.

Pre-Laboratorio:

- Disee un circuito amplificador con BJT en configuracin emisor comn (E-C) de la

figura 1, para una ganancia de voltaje Av = Vo/Vb que indique su instructor.

- Disee un circuito amplificador con BJT en configuracin seguidor de emisor (C-C)

de la figura 2, para una impedancia de entrada Ri = Vb/Ii que indique su instructor.

- Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1 y 2. Mida: Vbe, Vce e Ic en DC y

grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el punto Q de

operacin. Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin

distorsin y grafique las seales de entrada (Vb) y salida (Vo). Mida adems: Av,

Ai, Ri y Ro.


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Figura 1 Figura 2


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Procedimiento:

1. Amplificador con BJT en configuracin Emisor Comn (E-C)

- Monte el circuito de la figura 1 diseado en el pre-laboratorio y mida los parmetros

DC de polarizacin del transistor, (Vbe, Vce e Ic). De acuerdo con esta medicin,

indique en qu regin de operacin (activa, corte o saturacin) se encuentra

trabajando este transistor y por qu.

- Si su transistor se encuentra en las regiones de corte o saturacin, ajuste los

valores del circuito hasta llevarlo a la regin activa. Ej. Vbe 0,6 V, Vce Vcc/2 e

Ic 0.

- Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin. Midaen el osciloscopio los valores pico de Vo y Vb y obtenga la ganancia de voltaje del

amplificador. Fotografe Vo y Vb en conjunto.

- Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vb. Analice y concluya.

- Mida los parmetros: Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y

Resistencia de salida Ro (ver observaciones).

2. Amplificador con BJT en configuracin Seguidor de Emisor (C-C)


DC de polarizacin del transistor, (Vbe, Vce e Ic). De acuerdo con esta medicin,

indique en qu regin de operacin (activa, corte o saturacin) se encuentra

trabajando este transistor.

- Si su transistor se encuentra en las regiones de corte o saturacin, ajuste los

valores del circuito hasta llevarlo a la regin activa.

- Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin. Midaen el osciloscopio los valores pico de Vo y Vb y obtenga la ganancia de voltaje del

amplificador. Fotografe Vo y Vb en conjunto.

- Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vb. Analice y concluya.


Resistencia de salida Ro (ver observaciones).


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Post-Laboratorio:

- Compare los valores obtenidos mediante clculos y simulaciones con los obtenidos

en la prctica.

- Compare los parmetros Av, Ai, Ri, Ro y fase de ambas configuraciones y

concluya.

OBSERVACIONES

Las mediciones se hacen en AC, a una frecuencia tal que la ganancia permanezcaconstante alrededor de la frecuencia de medicin, o dicho de otra forma, a frecuencias

medias (f 1KHz).

MTODOS PARA LA MEDICIN DE LOS PARMETROS DE UN CIRCUITO

AMPLIFICADOR

Ganancia de tensin Av=Vo/Vb.

Es importante tener claro los lugares donde hay que medir las tensiones para poder obtener

la ganancia deseada. Si se desea obtener la ganancia Vo/Vs, es necesario medir Vs delgenerador de seales en circuito abierto, de tal forma que se pueda medir solamente Vs, sin

la carga del circuito

Resistencia de entrada, Ri=Vb/is

Un posible mtodo para hallar Ri es a travs de la medicin con carga y sin carga de Vb:

a)Mida Vs. Para lograr esto, haga una medicin en vaco de Vs (tensin de la fuente de

seales sin carga).

b)Mida Vb con cargac)De la ecuacin Vb= Vs * Ri/(Ri + Rs), despeje Ri.

Rs es la resistencia del generador (50 )

Ganancia de corriente Ai=io/ib

No es normal medir la corriente con un ampermetro en circuitos de naturaleza resistiva,

pues es mucho ms sencillo medir la tensin y luego dividirla entre el valor de la resistencia.


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a)Obtenga io como io=Vo/Rc

b)Obtenga hie a travs de la expresin: Ri= Rb * hie/(Rb + hie) , Rb= R1* R2 /(R1 + R2)

c)Obtenga ib como ib=Vb/hie y luego haga el cociente io/ib=Ai

Resistencia de salida Ro, resistencia de Thevenin entre

colector y tierra

A pesar que el procedimiento terico para medir la resistencia de

salida es aplicar una fuente de tensin Vk entre colector y tierra,

con la entrada cortocircuitada y luego hacer el clculo del cociente

entre Vk e ik, donde ik es la corriente que circula por la fuente Vk, resulta ser poco prctico.

Si el amplificador se puede representar como el circuito de la figura, a travs de la medicin

de la tensin de colector Vc, con carga y sin carga, se puede determinar Ro siguiendo el

procedimiento:

a)Mida Vo en AC a travs de la tensin de colector en vaco (Sin RL)

b)Cargue el circuito con una resistencia conocida RL entre colector y tierra (colocndole el

capacitor Cc) y mida de nuevo la tensin de colector Vc en AC

c)Despeje Ro, de la ecuacin: Vc= Vo* RL/ (Ro + RL)


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PRCTICA N 7

DISEO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS A BAJA FRECUENCIA Y PEQUEASEAL CON JFET

Objetivo: Disear amplificadores a baja frecuencia y pequea seal con JFET, verificando

las caractersticas de funcionamiento de las distintas configuraciones de amplificadores.

Materiales: MPF102 2N5454, Resistores varios, Potencimetros, capacitores de 10f.

Pre-Laboratorio:

- Disee un circuito amplificador con JFET en configuracin fuente comn de la figura

1, para una ganancia |Av|= 2, RL=1k, VDD=20V

- Disee un circuito amplificador con JFET en configuracin seguidor de fuente de la

figura 2, para una impedancia de entrada que indique su instructor.

- Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1 y 2. Mida: Vgs, Vds e Id en DC y

grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el punto Q de

operacin. Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin

distorsin y grafique las seales de entrada (Vg) y salida (Vo). Mida adems: Av,

Ai, Ri y Ro.

Procedimiento:Actualizado por:

Dra. Mara del Pilar Prez

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Figura 1 Figura 2


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1. Amplificador con JFET en configuracin Fuente Comn.

- Monte el circuito de la figura 1 diseado en el pre-laboratorio y mida los parmetrosDC de polarizacin del transistor, (Vgs, Vds e Id).

- Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin. Mida

en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vg y obtenga la ganancia de voltaje del

amplificador. Fotografe Vo y Vg en conjunto.

- Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vg. Analice y concluya.


Resistencia de salida Ro.

2. Amplificador con JFET en configuracin Seguidor de Fuente.


DC de polarizacin del transistor, (Vgs, Vds e Id).

- Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin. Mida

en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vg y obtenga la ganancia de voltaje del

amplificador Av, Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y Resistencia

de salida Ro. Fotografe Vo y Vg en conjunto.

- Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vg. Analice y concluya.

Post-Laboratorio:

- Compare los valores obtenidos mediante clculos y simulaciones con los obtenidos

en la prctica.

- Compare los parmetros Av, Ai, Ri, Ro y fase de ambas configuraciones yconcluya.

- gm=gmo.(ID/Idss); gmo=2.Idss / Vp

-

PRCTICA N 8


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ESTUDIO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS EN CONFIGURACIN CASCODE CONBJT Y CON JFET

Objetivo: Verificar experimentalmente las caractersticas de etapas amplificadoras en

etapas cascode con BJT y con JFET.

Materiales

- 2 transistores BJT 2N2222.

- 2 transistores JFET MPF102.

- Potencimetros varios, resistores varios, capacitores varios.

Pre-Laboratorio:

- Para el circuito de la figura 1, determine el valor de R para que los BJT posean una

corriente de colector igual a 10 ma.

- Para el circuito de la figura 2, determine el valor de R para que los JFET posean

una corriente de drenador igual a 6 ma.

- Realice las simulaciones de los dos circuitos, colocando en Vs la amplitud mxima

que no genere distorsin a la salida y obtenga cada uno de los valores solicitados

en el procedimiento de la prctica.

Procedimiento:

Monte cada uno de los circuitos mostrados en las figuras 1 y 2 y en el laboratorio obtenga:

- El punto Q de cada transistor (en DC).

- La ganancia de tensin: Vout/Va, Va/Vin, Vout/Vin (en AC).

- La ganancia de corriente: Iout/Ic, Ic/Iin, Iout/Iin (en AC).

- Grafique las seales de entrada y de salida


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Post Labortorio

- Compare todos los valores obtenidos mediante clculos y simulaciones del pre-

laboratorio con los obtenidos en la prctica. Analice y concluya.

- Compare las ganancias de tensin y corriente de cada cascode y obtenga una

aplicacin de esta configuracin.

- De acuerdo a los resultados obtenidos, esta configuracin sirve como amplificador

de potencia, tensin o corriente? Justifique su respuesta.

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Figura1

Figura 2

Documents

Guía Laboratorio Electronica I 2012