HB

1.(59) HBW.Un transistor bipolar cu βF = 100 este polarizat cu VCC = 9V si RC =3KΩ (vezi figura). Cu un voltmetru se masoara VCE = 3V. Cat este curentul de colector?

A) 1mA

B) 4mA

C) 2mA

D) 3mA

1.2) (60)In ce regim de functionare este tranzistorul din figura: A) RANB) blocareC) RAID) saturatie1.2) (61)Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si RB sunt date):A) numai un voltmetru de tensiune continuaB) numai un voltmetru de tensiune alternativeC) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuuD) un ampermetru de curent continuu2.(62) HBW.Un transistor bipolar cu βF = 100 este polarizat cu VCC = 9V si RC =6KΩ (vezi figura). Cu un voltmetru se masoara VCE = 3V. Cat este curentul de colector?

A) 1mA

B) 4mA

C) 2mA

D) 3mA

2.2) (60)In ce regim de functionare este tranzistorul din figura: A) RANB) blocareC) RAID) saturatie2.2) (61)Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si RB sunt date):A) numai un voltmetru de tensiune continuaB) numai un voltmetru de tensiune alternativeC) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuuD) un ampermetru de curent continuu3.(63) HBW.Un transistor bipolar cu βF = 100 este polarizat cu VCC = 9V si RC =2KΩ (vezi figura). Cu un voltmetru se masoara VCE = 3V. Cat este curentul de colector?

A) 1mA

B) 4mA

C) 2mA

D) 3mA

3.2) (60)In ce regim de functionare este tranzistorul din figura: A) RANB) blocareC) RAID) saturatie3.2) (61)Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si RB sunt date):A) numai un voltmetru de tensiune continuaB) numai un voltmetru de tensiune alternativeC) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuuD) un ampermetru de curent continuu4.(64) HBW.Un transistor bipolar cu βF = 100 este polarizat cu VCC = 9V si RC =1,5KΩ (vezi figura). Cu un voltmetru se masoara VCE = 3V. Cat este curentul de colector?

A) 1mA

B) 4mA

C) 2mA

D) 3mA

4.2) (60)In ce regim de functionare este tranzistorul din figura: A) RANB) blocareC) RAID) saturatie4.2) (61)Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si RB sunt date):A) numai un voltmetru de tensiune continuaB) numai un voltmetru de tensiune alternativeC) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuu

D) un ampermetru de curent continuu5.(159) În schema din figură se măsoară tensiunea alternativă în baza tranzistorului 4.4mV iar tensiunea alternativă de la generator 10mV. Tensiunea continua în colectorul tranzistorului este 5V fata de masa, iar BF=B0=100. Tensiunea alternativă pe R7 este:

A) 90,9mV B) 100.9mV C) 190,9mV D) 80,9mV6.(160) În schema din figură se măsoară tensiunea alternativă în baza tranzistorului 4.4mV iar tensiunea alternativă de la generator 10mV. Tensiunea continua în colectorul tranzistorului este 5V, iar BF=B0=100. Tensiunea alternativă în emitorul tranzistorului este:

A) 100mV B) 509mV C) 1V D) 0V

                                                                                 HC

1.(167) Se da graficul din fig. Tranzistorul se comporta ca o rezistenta comandata in tensiune in:

A) Zona B;B) Ambele zone; C) Zona A; D) La limita dintre cele doua zone. 2.(168) Parametrul k depinde de: A) Geometria portii tranzistorului MOS;B) De curentul de drena; C) De tensiunea de prag; D) De tipul semiconductorului.3.(169) Comanda tranzistorului MOS se realizeaza in: A) Curent; B) Tensiune; C) Si in curent si in tensiune; D) In drena.4.(171) Un tranzistor nMOS cu VT=2V si kn=1mA/V2 are poarta si sursa legate la masa. Curentul de drena al tranzistorului este:A) ID=2mA; B) ID=1mA; C) ID=0mA; D) ID=4mA.5.(186) Un tranzistor MOS se utilizeaza ca amplificator polarizat in: A) Regiunea liniara; B) Saturatie; C) In blocare; D) La limita dintre regiunea liniara si saturatie

6.(187) La semnal mic si joasa frecventa si in curent continuu, curentul de poarta al unui tranzistor MOS este practic: A) dependent de regimul de polarizare al tranzistorului; B) zero; C) creste cu tensiunea de poarta; D) depinde de tensiunea de prag.7.(173) Pentru un tranzistor n-MOS cu canal indus, ID=0 când:A) VGS < VT; B) VGS > VT; C) VDG=0; D) VDS = VGS. 8.(180) Un nMOS este plasat in saturatie in conexiune sursa comuna si atacat la intrare cu un semnal de inalta frecventa Impedanta masurata in poarta acestuia va fi:A) infinitaB) de natura capacitivaC) de natura inductivaD) 09.(178) In tabel sunt date potentialele (Volti iar 0este potentialul masei) masurate pe electrozii unui MOS cu canal n cu factorul k=1mA/V2,VT=1,8Vsi λ=0,01/V S G D 0 2 5 Transistorul este:A) in saturatieB) in blocareC) in zona activa(cvasiliniara)D) in zona de rezistenta variabila10.(179) In tabel sunt date potentialele (Volti) masurate pe electrozii unui MOS cu canal n cu factorul k=1mA/V2 VT=1,8V si λ=0,01/V S G D 0 2 0,15 Transistorul este:A) in saturatieB) in blocareC) in zona activa(cvasiliniara)D) in zona de rezistenta variabila11.(181) Tensiunea VT la nMOS este: A) granita intre blocare si conductieB) tensiunea de saturatieC) tensiunea de strapungereD) tensiunea de prag12.(182) Tensiunea VT la nMOS este: A) VGS pentru care curentul ID devine foarte micB) VGS pentru care curentul ID devine maximC) VDS pentru care curentul ID devine foarte micD) VDS pentru care curentul ID devine maxim                                                                          HD

1.(5) HDu Se da circuitul de mai jos pe care s-au masurat VD =0,6V, R1=0,8kΩ. Curentul prin dioda este:

A) 3mA

B) 2mA

C) 1mA

D) 4mA

1.2) (6)Dioda este relizata din:A) SiB) GeC) GaAsD) SiC1.2) (7)Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul din figura are valoarea (curentul rezidual al diodei I0=1nA):A) VD=-3VB) VD=3VC) VD=2VD) VD=-2V2.(8) HDu Se da circuitul de mai jos pe care s-au masurat VD =0,7V, R1=2,3kΩ. Curentul prin dioda este:

A) 3mA

B) 2mA

C) 1mA

D) 4mA

2.2) (9)Dioda este relizata din:A) SiB) GeC) GaAsD) SiC2.2) (10)• Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul din figura are valoarea (curentul rezidual al diodei I0=1nA):A) VD=-3VB) VD=3VC) VD=2VD) VD=-2V3.(11) HDu Se da circuitul de mai jos pe care s-au masurat VD =0,6V, R1=0,8kΩ. Curentul prin dioda este:

A) 3mA

B) 2mA

C) 1mA

D) 4mA

3.2) (12)Dioda este relizata din:A) SiB) GeC) GaAsD) SiC3.2) (13)Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul din figura are valoarea (curentul rezidual al diodei I0=1nA):A) VD=-3V

B) VD=3VC) VD=2VD) VD=-2V4.(53) HD.Circuitul de masura pentru dioda folosit in laborator este dat in figura (unde : Rk>>Rsn ). Cum se obtine Ri(rezistenta dinamica a diodei) ?

A) Se masoara valorile efective Vd si Vs ; se deduce: Id=(Vs-Vd) / Rsn si apoi Ri=Vd / Id

B) Se masoara Vd si se deduce: Id=Vd / Rsn si apoi Ri=Vd / Id

C) Se masoara Vs si se deduce: Id=Vs / Rsn si apoi Ri=Vs / Id

D) Se masoara Vd ,Vs,VD si se deduce: Id=(VD -Vd) / Rsn si apoi Ri=Vs / Id

4.2) (54)Condensatorul C∞A) serveste la separarea galvanica a circuitului de generatorul de semnalB) se comporta ca scurtcircuit pentru un semnal alternativ de joasa frecventa.C) se comporta ca un intrerupator pentru semnalul alternativ de joasa frecventaD) este capacitatea interna a generatorului de semnal4.2) (55)PSF- ul diodei D din figura este determinat de:A) ED si RK

B) ED , RK si Rsn

C) ED , RK si Vg

D) ED , RK , Vg si Rsn

5.(136) Se da circuitul din figura. Daca potentiometrul RV1 are cursorul in pozitia de jos, curentul prin dioda D1 este:

A) (V1-VD1)/R1;B) ((V1-VD1)/R1)-(VD1/RV1);

C) 0;D) V1/R1.6.(139) Se da urmatorul circuit, in care potentiometrul RV1 are cursorul in pozitia de sus. Curentul prin dioda D1 este:

A) 0;B) (Vcc-VR1)/R1;C) ((Vcc-VR)/R1)-VR/RV1;D) Vcc/R1.7.(138) In circuitul din figura potentiometrul RV1 are cursorul in pozitia de sus. Curentul prin dioda D1 este:

A) (V1-VD1)/R1;B) ((V1-VD1)/R1)-(VD1/RV1);C) 0;D) V1/R1.8.(144) HDu Se da circuitul de mai jos pe care s-au masurat VD =0,2V, R1=2kΩ. Potentiometrul are cursorul in pozitia de sus.Curentul prin dioda este: 

A) 2mA;B) 1mA;C) 2,2mAD) 2,4mA

                                                                          LB

1.(14) LB Cine produce limitarea semnalului ( sinusoidal) la etajul de amplificare cu transistor bipolar:A) Functionarea tranzitorului in RAN;B) Intrarea tranzistorului in saturatie sau blocare;C) Valorile mari ale factorului βF

D) Valorile mici ale factorului βF

2.(21) LB Cum trebuie sa fie rezistanta de intrare a voltmetrului (RV) pentru masurarea corecta a tensiunii la bornele unui circuit, care are rezistenta de intrare ri.A) RV=ri

B) RV>>ri

C) RV poate avea orice valoareD) RV<i3.(29) LB.Prin reprezentare la scară logaritmică a caracteristicii IC(VBE) s-a pus în evidenţăA) dependenţa liniară IC(VBE); B) dependenţa pătratică IC(VBE); C) dependenţa exponenţială IC(VBE); D) dependenţa logaritmică IC(VBE); 4.(51) LB Conductanta de transfer (panta) a tranzistorului s-a masurat:A) la bipolar in RAN si MOS in saturatie;B) la bipolar in saturatie si MOS in saturatie;C) la bipolar in saturatie si MOS in zona liniara;D) la bipolar in RAI si MOS in zona liniara5.(56) LB. Circuitul din figura modeleaza: 

A) tranzistorul bipolar in current alternativB) tranzistorul bipolar in regim dinamicC) nMOS in current alternativD) nMOS in regim dinamic.6.(58) LB.Transistorul Q1 are gm=40KΩ-1 si este conectat in regim dinamic ca in figura. Precizati conexiunea si castigul in tensiune (Av=Vo/Vi ;Vo si Vi valori efective) daca RL=10KΩ : 

A) Conexiune EC si Av=400 ;B) Conexiune BC si Av=400 ;C) Conexiune CC si Av=400 ;D) Conexiune CC si Av=1 ;7.(65) LB.Care este linia de program SPICE care face analiza in curent alternativ a circuitului amplificator pentru cresterea frecventei de la 10Hz la 10MHz cu pas decadic?A) .AC DEC 10 10 10 MegB) .DC 10 10 10 MegC) .DC DEC 10 1 10MegD) .AC DEC 10 10Meg 18.(66) LB Care este modelul SPICE pentru o rezistenta de valoare 2kΩ plasata intre nodul 2 si nodul 1?A) U1-2 = 2K * I1-2

B) I1-2 = U1-2 * 2KC) U1-2 = I1-2 / 2KD) I1-2 =I0 * exp [qU1-2 / nkT - 1]9.(69) LB.castigul β0 esteA) Parametru static al nMOSB) Parametru static al tranzistorului bipolarC) Parametru dinamic al nMOSD) Parametru dinamic al tranzistorului bipolar10.(75) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele potentiale (exprimate in volti) pe electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este potentialul de referinta)

E 0B 0,7C 0,1Regimul de lucru este: A) RANB) RAIC) saturatieD) blocare11.(76) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele potentiale (exprimate in volti) pe electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este potentialul de referinta)

E -0,7B 0C 0,7Regimul de lucru este: A) RANB) RAIC) saturatieD) blocare12.(77) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele potentiale (exprimate in volti) pe electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este potentialul de referinta)

E -0,7B 0C -0,6Regimul de lucru este: A) RANB) RAIC) blocareD) saturatie13.(78) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele potentiale (exprimate in volti) pe electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este potentialul de referinta)

E -2,7B -2C 0Regimul de lucru este: A) RANB) RAIC) blocareD) saturatie14.(79) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele potentiale (exprimate in volti) pe electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este potentialul de referinta)

E 1B 0,7C 0Regimul de lucru este: A) RANB) RAIC) saturatieD) blocare15.(80) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele potentiale (exprimate in volti) pe electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este potentialul de referinta)

E 0B -2C -1Regimul de lucru este: A) RAIB) RANC) blocareD) saturatie16.(81) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele potentiale (exprimate in volti) pe electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este potentialul de referinta)

E 1B 0C 1Regimul de lucru este: A) RANB) RAIC) blocareD) saturatie17.(82) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele potentiale (exprimate in volti) pe electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este potentialul de referinta)

E 2B 0,6C 0Regimul de lucru este: A) RAIB) RANC) blocareD) saturatie18.(155) În schema din figură se măsoară tensiunea continuă cu multimetrul în baza tranzistorului 0,75V iar tensiunea continuă pe emitor 100mV. Curentul de colector este: 

A) IC= 1mA B) IC= 2mA C) IC=3mAD) IC=4mA19.(156) În schema din figură se măsoară tensiunea continuă cu multimetrul în baza tranzistorului 0,75V iar tensiunea continuă pe emitor 100mV. Tensiunea in colectorul tranzistorului fata de masa este:

A) VC= 5V B) VC= 10V C) VC= 14V D) VC= 15V

                                                                 LC

1.(38) LC Un transistor nMOS amplifica in regim dinamic pentru:A) |VDS|≥|VGS-VT|B) |VDS|≤|VGS-VT|C) VGS=VT

D) VDS=VGS=0V2.(131) LC Curentul ID la un tranzistor nMOS cu canal indus: A) scade la creşterea concentraţiei de impurităţi a substratuluiB) creşte la creşterea concentraţiei de impurităţi a substratuluiC) scade cu tensiunea de poarta la VGS>VT D) creste cu tensiunea de poarta la VGS>VT 3.(164) Rezistenta de iesire a circuitului din fig. este:

A) RL;B) RD;C) RD//RL;D) RS. 4.(161) Se da circuitul din figura. Denumirea etajului realizat cu tranzistor MOS este:

A) Grila comuna; B) Sursa comuna; C) Drena comuna; D) Sarcina distribuita5.(162) Pentru circuitul din fig. rezistenta de intrare este:

A) RG1;B) RG2; C) RG1 // RG2; D) ∞. 6.(163) Amplificarea circuitului din fig. este:

A) -gm∙RD; B) -gm∙RL; C) -gm∙(RD//RL); D) gm∙(RD//RL).7.(165) Se da circuitul din figura. Prin inlaturarea condensatoruluiC∞ din sursa tranzistorului amplificarea:

A) Creste; B) Nu se modifica; C) Scade; D) Se dubleaza8.(166) Pentru tranzistorul din fig. se cunosc: VT=2V, kn=1mA/V2. Rezistorul R are valoarea de 4kΩ.P.s.f.-ul tranzistorului din fig. este:

A) ID=4mA; VGS=4V; VDS=8V; B) ID=2mA; VGS=4V; VDS=4V; C) ID=1mA; VGS=2V; VDS=2V; D) ID=3mA; VGS=5V; VDS=5V

                                                                         LD

1.(26) LD La nivele mari de curent caracteristica curent-tensiune pentru o joncţiune pn este :A) liniară

B) logaritmicăC) exponenţialăD) o dreaptă verticala2.(27) LD Purtătorii minoritari într-o joncţiune sunt:A) goluri in regiunea p, electroni în regiunea n;B) electroni in regiunea p, goluri în regiunea n;C) purtători care se deplasează în direcţie contrară câmpului electric;D) doar goluri deoarece mobilitatea lor e mai mică decât a electronilor3.(28) LD Care este linia SPICE de descriere a diodei D1N4148 intre nodurile 1 si 0 unde 1 este anod si 0 este catod iar 2 nodul comun cu rezistenta de polarizare ?A) D1 1 0 D1N4148;B) D1N4148 0 1 D;C) D1 1 2 0 D1N4148;D) D1N4148 0 1 2 D.4.(39) LDV Caracteristica ID - VD a unei diode are reprezentarea din figura alaturata. Zona de conductie directa este: 

A) IIB) IC) II si IIID) III5.(40) LDV Caracteristica ID - VD a unei diode are reprezentarea din figura.Zona de blocare este : 

A) II

B) IC) II si IIID) III6.(41) LDV Caracteristica ID - VD a unei diode are reprezentarea din figura alaturata. Zona de strapungere este: 

A) IIB) IC) II si IIID) III7.(43) LDV Caracteristica ID - VD a unei diode are reprezentarea din figura alaturata. Zona de polarizare inversa este: 

A) IIB) IC) II si IIID) III8.(57) LD Parametrii rezultati în urma simulării cu modelele “dioda” şi “dioda2” sunt:A) Rs si I0;B) Rs si n;C) I0 si n;D) Rs , I0 si n ;9.(67) LD O dioda semiconductoare pn este polarizata in invers si are un curent rezidual I0 Tensiunea de strapungere se masoara, la un curent invers egal cu: A) 10I0

B) I0

C) I0 / 10D) I0 / 10010.(70) LD Tensiunea masurata la bornele unei diode redresoare este 5V Dioda este polarizata : A) in conductieB) in blocareC) fie in conductie fie in blocareD) fie in strapungere fie in conductie11.(71) LD Tensiunea masurata la bornele unei diode redresoare este 0,7V Dioda este polarizata : A) in conductieB) in blocareC) fie in strapungere fie in blocareD) fie in strapungere fie in conductie12.(72) LD Curentul masurat printr-o o dioda este de 5mA Dioda este polarizata : A) in conductieB) in blocareC) fie in strapungere fie in blocareD) fie in strapungere fie in conductie13.(73) LD Curentul masurat printr-o o dioda este de 5nA Dioda este polarizata : A) in conductieB) in blocareC) fie in strapungere fie in blocareD) fie in strapungere fie in conductie14.(74) LD O dioda electroluminiscenta emite lumina cand este:A) polarizata direct (in conductie)B) polarizata invers in blocareC) polarizata invers in strapungereD) nu este polarizata.15.(115) LD Se doreste folosirea intr-un circuit electronic a unei diode semiconductoare cu functie de redresare.Pentru a avea un randament mare vom alege:A) dioda D4 deoarece are un n mai micB) dioda BA159 deoarece are o tensiune de strapungere mareC) dioda BS550 deoarece are RS micD) dioda DSIM deoarece are o tensiune mare de deschidere16.(124) LD Modelul analitic faţă de modelul numeric pentru o joncţiune pn este: A) mai putin folositB) mai precisC) mai clar in sensul evidentierii modului cum fiecare parametru influenţează caracteristica curent-tensiuneD) mai simplu17.(125) LD Lăţimea regiunii de sarrcină spaţială pentru o joncţiune pn:

A) scade cu creşterea tensiunii de polarizare inversaB) scade cu creşterea tensiunii de polarizare directaC) creşte cu creşterea tensiunii de polarizare directa D) este o constantă de material18.(126) LD Jonctiunea pn are: A) 2 regiuni neutre p şi nB) o regiune de trecere (de golire) şi o regiune neutră nC) o regiune de trecere (de golire) şi o regiune neutră pD) o regiune de trecere (de golire) şi 2 regiuni neutre p si n19.(127) LD O joncţiune pn cu NA=1018 cm-3 , ND=1016 cm-3 este: A) simetricaB) asimetricaC) abruptaD) compensata20.(128) LD Pentru o joncţiune pn cu NA=1018 cm-3 , ND=1016 cm-3 : A) regiunea de golire se extinde mai mult in zona pB) regiunea de golire se extinde numai in zona pC) regiunea de golire se extinde in mod egal intre zonele p si nD) regiunea de golire se extinde practic numai in zona n21.(129) LD La creşterea tensiunii aplicate la bornele joncţiunii în polarizare directă concentraţiile de purtători minoritari la marginile RSS: A) cresc în zona p, scad în zona nB) cresc în zona p, cresc în zona nC) scad în zona p, scad în zona nD) scad în zona p, cresc în zona n22.(130) LD Extracţia optimală de parametri se foloseşte la determinarea parametrilor de model pentru un dispozitiv electronic deoarece: A) este uşor de implementat, putându-se realiza prin calcule analiticeB) determină fiecare parametru separat şi nu ia în considerare dependenţele dintre parametrii de modelC) se iau în consideraţie toate interdependenţele dintre parametrii de modelD) foloseşte un algoritm care este întotdeauna convergent23.(132) LD Creşterea raportului între capacitatea maximă şi capacitatea minimă pentru o diodă varicap folosită într-un circuit oscilant LC determină: A) scăderea factorului de calitate Q al circuituluiB) modificarea inductanţei bobinei L din circuitul oscilantC) modificarea tensiunii de polarizare inversă a diodeiD) creşterea domeniului de frecvenţe în care poate fi folosit circuitul oscilant24.(133) LD Analizând pe grafic curentul total pentru o diodă semiconductoare polarizată direct cu o tensiune de valoare foarte mică putem afirma: A) are valoare foarte mare, deoarece joncţiunea e polarizată directB) are valoare foarte mică

C) creşte şi depinde liniar de tensiunea aplicatăD) nu depinde de tensiunea aplicată25.(140) Se da circuitul:

A) curentul prin dioda cu Ge e mai mare decat curentul prin dioda cu Si.B) curentul prin dioda cu Ge e mai mic decat curentul prin dioda cu Si.C) curentii prin cele doua diode sunt egali fiindca diodele sunt in paralel.D) curentii prin cele doua diode sunt 0.26.(141) Se da circuitul: 

A) curentul prin dioda cu Ge e mai mare decat curentul prin dioda cu Si.B) curentul prin dioda cu Ge e mai mic decat curentul prin dioda cu Si.C) curentii prin cele doua diode sunt egali fiindca diodele sunt in paralelD) curentii sunt 0 prin cele doua diode

                                                                           LEGH

1.(4) Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul din figura are valoarea (curentul rezidual al diodei I0=1nA):A) VD=-3VB) VD=3VC) VD=2VD) VD=-2V2.(6) Dioda este relizata din:A) SiB) GeC) GaAsD) SiC

3.(7) Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul din figura are valoarea (curentul rezidual al diodei I0=1nA):A) VD=-3VB) VD=3VC) VD=2VD) VD=-2V4.(9) Dioda este relizata din:A) SiB) GeC) GaAsD) SiC5.(10) • Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul din figura are valoarea (curentul rezidual al diodei I0=1nA):A) VD=-3VB) VD=3VC) VD=2VD) VD=-2V6.(12) Dioda este relizata din:A) SiB) GeC) GaAsD) SiC7.(13) Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul din figura are valoarea (curentul rezidual al diodei I0=1nA):A) VD=-3VB) VD=3VC) VD=2VD) VD=-2V8.(33) Curentul continuu prin R` este:A) IR`=VCC/R`B) IR`=VCC-VCE/R`C) IR`=0D) IR`=VCC-VBE/R`9.(34) Rezistenta RB a fost inclusa in circuit pentru masurarea:A) Curentului de bazaB) Tensiunii VBB

C) Tensiunii VBE

D) Valorii efective a tensiunii Vi

10.(36) In schema prezentata in figura divizorul de tensiune R1,R2 determina:A) curentul de baza IB

B) potentialul din baza lui QC) βF

D) potentialul emitorului.11.(37) Rezistenta RC este folosita pentru masurarea:A) Tensiunii VCE

B) Tensiunii VBE

C) Tensiunii VCC

D) Curentului IC

12.(54) Condensatorul C∞A) serveste la separarea galvanica a circuitului de generatorul de semnalB) se comporta ca scurtcircuit pentru un semnal alternativ de joasa frecventa.C) se comporta ca un intrerupator pentru semnalul alternativ de joasa frecventaD) este capacitatea interna a generatorului de semnal13.(55) PSF- ul diodei D din figura este determinat de:A) ED si RK

B) ED , RK si Rsn

C) ED , RK si Vg

D) ED , RK , Vg si Rsn

14.(60) In ce regim de functionare este tranzistorul din figura: A) RANB) blocareC) RAID) saturatie15.(61) Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si RB sunt date):A) numai un voltmetru de tensiune continuaB) numai un voltmetru de tensiune alternativeC) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuuD) un ampermetru de curent continuu16.(134) O dioda Zener al caror marcaje s-au sters e conectata intr-un circuit pentru trasarea caracteristicii curent-tensiune. Dupa cateva masuratori caracteristica arata ca in figura. Dioda este:

A) in polarizare inversa in regiunea de strapungere;B) in polarizare inversa in regiunea de blocare;C) in polarizare directa in regiunea de strapungere;

D) in polarizare directa.17.(135) O dioda care are marcajul sters se masoara cu ohmetrul. Rezistenta indicata de ohmetru este de 10kohm intr-un sens si de 1000kohm in celalalt sens. Putem afirma:

A) Borna B1 e catodul, borna B2 e anodul;B) Borna B1 e anodul, borna B2 e catodul;C) Terminalele diodei nu se pot afla cu acest procedeu;D) Dioda este din siliciu.

                                                                        LEGM

1.(16) Rezistenta dinamica de intrare Ri in tranzistor se determina cu relatia: ( Vi,V,Vg sunt valori efective)A) Ri=Vi/Ib

B) Ri=V/Ib

C) Ri=Vg/Ib

D) Ri=(V-Vi)/Ib

2.(18) Intre valorile efective ale tensiunilor alternative Vg ,V si Vi sunt relatiile: A) Vg=V>Vi

B) Vg=ViC) Vg

D) Vg>V>Vi

3.(20) Tranzistorul Q1 lucreaza pentru orice VCC numai in:A) saturatieB) RANC) RAID) RAN si saturatie4.(23) Intre tensiunile de comanda ale TEC-J cu caracteristicile din figura exista inegalitatile:A) VGS1<VGS2<VGS3

B) VGS1>VGS2>VGS3

C) VGS1<VGS2<VGS3=|VT|

D) VGS1=|VT|<VGS2<VGS3 unde VT este tensiunea de prag a tranzistorului iar VGS1, VGS2,VGS3>05.(117) Pentru masurarea rezistentei dinamice rce=ro a tranzistorului bipolar, generatorul de semnal se plaseaza :A) intre colector si masa si se mentine generatorul de la intrareB) intre colector si masa si se elimina generatorul de la intrareC) numai la intrare D) nu este nevoie de un generator6.(121) Castigul in curent al tranzistorului bipolar βF se determina:A) masurand curentii continuui IC si IB si facand raportul acestor curentiB) masurand curentii continuui IC si IB si facand diferenta acestor curentiC) masurand valorile efective Ic si Ib si facand raportul acestor curentiD) masurand valorile efective Ic si Ib si facand diferenta acestor curenti7.(123) Care din urmatoarele seturi de valori masurate ale tensiunilor continue VBB,VBE si VCE este corect daca tranzistorul din figura este polarizat in RANA) VBB = 3V ; VBE=0,65V ; VCE=4VB) VBB = 0,3V ; VBE=0,65V ; VCE=4VC) VBB = 3V ; VBE=1,5V ; VCE=4VD) VBB = 3V ; VBE=0,65V ; VCE=0,1V8.(174) In tabel sunt date potentialele (Volti) masurate pe electrozii unui MOS cu canal n cu factorul k=1mA/V2 , VT=1,8Vsi λ=0,01/V S G D 0 2 5 IDS are valoarea: A) 18,75μAB) 21 μAC) 1mAD) 1,87μA9.(175) In tabel sunt date potentialele (Volti) masurate pe electrozii unui MOS cu canal n cu factorul k=1mA/V2 VT=1,8V si λ=0,01/V S G D 0 2 0,15 IDS are valoarea: A) 1mAB) 18,75μAC) 1,87μAD) 21μA

                                                                      MB

1.(15) MBu. In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul tranzistorului bipolar • Cum se masoara in regim dinamic curentul de baza Ib prin Q1 pe schema din figura? 

A) Se masoara tensiunea bornele rezistentei RB cu un voltmetru de curent continuu dupa care se imparte la valoarea acestei rezistente

B) Cu un miliampermetru de curent alternativ serie cu RB

C) Se masoara tensiunea la bornele rezistentei RB cu un voltmetru de curent alternativ dupa care se imparte la valoarea acestei rezistente.D) Se masoara cu un voltmetru de curent alternativ succesiv potentialele fata de punctul de masa la terminalele rezistentei RB apoi se imparte diferenta dintre cele doua valori obtinute la valoarea acestei rezistente.1.2) (16)Rezistenta dinamica de intrare Ri in tranzistor se determina cu relatia: ( Vi,V,Vg sunt valori efective)A) Ri=Vi/Ib

B) Ri=V/Ib

C) Ri=Vg/Ib

D) Ri=(V-Vi)/Ib

2.(17) MBu. In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul tranzistorului bipolar Cum se masoara in regim dinamic curentul de baza Ib prin Q1 pe schema din figura? 

A) Se masoara tensiunea bornele rezistentei RB cu un voltmetru de curent continuu dupa care se imparte la valoarea acestei rezistente

B) Cu un miliampermetru de curent alternativ serie cu RB

C) Se masoara tensiunea la bornele rezistentei RB cu un voltmetru de curent alternativ dupa care se imparte la valoarea acestei rezistente.

D) Se masoara cu un voltmetru de curent alternativ succesiv potentialele fata de punctul de masa la terminalele rezistentei RB apoi se imparte diferenta dintre cele doua valori obtinute la valoarea acestei rezistente.2.2) (18)Intre valorile efective ale tensiunilor alternative Vg ,V si Vi sunt relatiile: A) Vg=V>Vi

B) Vg=ViC) Vg

D) Vg>V>Vi

3.(19) MB.Un tranzistor bipolar este polarizat ca in figura de la sursa VCC = const. cu temperatura.• Daca se incalzeste tranzistorul se modifica:

A) numai IC

B) numai VBE

C) IC, VBE, VCE

D) βF

3.2) (20)Tranzistorul Q1 lucreaza pentru orice VCC numai in:A) saturatieB) RANC) RAID) RAN si saturatie4.(32) MBV.In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul tranzistorului bipolar Cum se determina curentul continuu IC in circuitul din figura? 

A) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/R`

B) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/RC

C) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/R`

D) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/RC

4.2) (33)Curentul continuu prin R` este:A) IR`=VCC/R`B) IR`=VCC-VCE/R`C) IR`=0D) IR`=VCC-VBE/R`5.(35) MBV.In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul tranzistorului bipolar Cum se determina curentul continuu IC in circuitul din figura? 

A) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/R`

B) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/RC

C) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/R`

D) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/RC

5.2) (36)In schema prezentata in figura divizorul de tensiune R1,R2 determina:A) curentul de baza IB

B) potentialul din baza lui QC) βF

D) potentialul emitorului.6.(116) MBu. In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul tranzistorului bipolar Cum se masoara in regim dinamic curentul de baza Ib prin Q1 pe schema din figura? 

A) Se masoara tensiunea bornele rezistentei RB cu un voltmetru de curent continuu dupa care se imparte la valoarea acestei rezistente

B) Cu un miliampermetru de curent alternativ serie cu RB

C) Se masoara tensiunea la bornele rezistentei RB cu un voltmetru de curent alternativ dupa care se imparte la valoarea acestei rezistente.D) Se masoara cu un voltmetru de curent alternativ succesiv potentialele fata de punctul de masa la terminalele rezistentei RB apoi se imparte diferenta dintre cele doua valori obtinute la valoarea acestei rezistente.6.2) (117)Pentru masurarea rezistentei dinamice rce=ro a tranzistorului bipolar, generatorul de semnal se plaseaza :A) intre colector si masa si se mentine generatorul de la intrareB) intre colector si masa si se elimina generatorul de la intrareC) numai la intrare D) nu este nevoie de un generator7.(118) MBV.In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul tranzistorului bipolar Cum se determina curentul continuu IC in circuitul din figura? 

A) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/R`

B) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/RC

C) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/R`

D) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/RC

7.2) (34)Rezistenta RB a fost inclusa in circuit pentru masurarea:A) Curentului de bazaB) Tensiunii VBB

C) Tensiunii VBE

D) Valorii efective a tensiunii Vi

8.(119) MBV.In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul tranzistorului bipolar Cum se determina curentul continuu IC in circuitul din figura? 

A) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/R`

B) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/RC

C) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/R`

D) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/RC

8.2) (37)Rezistenta RC este folosita pentru masurarea:A) Tensiunii VCE

B) Tensiunii VBE

C) Tensiunii VCC

D) Curentului IC

9.(120) MBV.In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul tranzistorului bipolar Cum se determina curentul continuu IC in circuitul din figura? 

A) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/R`

B) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/RC

C) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/R`

D) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/RC

9.2) (121)Castigul in curent al tranzistorului bipolar βF se determina:A) masurand curentii continuui IC si IB si facand raportul acestor curentiB) masurand curentii continuui IC si IB si facand diferenta acestor curentiC) masurand valorile efective Ic si Ib si facand raportul acestor curentiD) masurand valorile efective Ic si Ib si facand diferenta acestor curenti10.(122) MBV.In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul tranzistorului bipolar Cum se determina curentul continuu IC in circuitul din figura? 

A) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/R`

B) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/RC

C) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/R`

D) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/RC

10.2) (123)Care din urmatoarele seturi de valori masurate ale tensiunilor continue VBB,VBE si VCE este corect daca tranzistorul din figura este polarizat in RAN

A) VBB = 3V ; VBE=0,65V ; VCE=4VB) VBB = 0,3V ; VBE=0,65V ; VCE=4VC) VBB = 3V ; VBE=1,5V ; VCE=4VD) VBB = 3V ; VBE=0,65V ; VCE=0,1V11.(145) În circuitul din figură potenţiometrul VR1 are capătul dinspre masă al potcoavei rezistive întrerupt. Tranzistorul are BF=300, VBE=0.6V în RAN, VCesat=0.2V Curentul de colector este:

A) zeroB) 31,48mAC) 15,74mAD) 1mA12.(146) În circuitul din figură potenţiometrul VR1 are cursorul întrerupt. Tranzistorul are BF=300, VBE=0.6V în RAN, VCesat=0.2V . Curentul de colector este: 

A) zeroB) 31,48mAC) 15,74mAD) 1mA13.(147) În circuitul din figură potenţiometrul VR1 are capătul dinspre +V1 al potcoavei întrerupt. Tranzistorul are BF=300, VBE=0.6V în RAN, VCesat=0.2V Curentul de colector este:

A) zero B) 31,48mA C) 15,74mA D) 1mA 14.(148) În circuitul din figură potenţiometrul VR1 are capătul dinspre masa al potcoavei întrerupt. Tranzistorul are BF=300, VBE=0.6V în RAN, VCesat=0.2V. Tensiunea colector-emitor este:

A) 0V B) 0.2V C) 15V D) 7.6V 15.(149) În circuitul din figură potenţiometrul VR1 are cursorul întrerupt. Tranzistorul are BF=300, VBE=0.6V în RAN, VCesat=0.2V. Tensiunea colector-emitor este:

A) 0V B) 0.2V C) 15V D) 7.6V16.(150) În circuitul din figură potenţiometrul VR1 are capătul dinspre +V1 al potcoavei întrerupt. Tranzistorul are BF=300, VBE=0.6V în RAN, VCesat=0.2V. Tensiunea colector-emitor este:

A) 0VB) 0.2V C) 15V D) 9.3V17.(151) În circuitul din figură joncţiunea bază-emitor a tranzistorului e scurtcircuitată. Celaltă joncţiune este functionala. Tensiunea pe colectorul tranzistorului este:

A) 0VB) 0.2VC) 15VD) 7.6V18.(152) În circuitul din figură joncţiunea bază-colector a tranzistorului este scurtcircuit. Celaltă joncţiune este functionala. Tensiunea pe colectorul tranzistorului este:

A) 0VB) 7.8VC) 15VD) 0.6V19.(153) În circuitul din figură joncţiunea bază-emitor a tranzistorului, este întreruptă. Celaltă joncţiune este functionala. Tensiunea pe colectorul tranzistorului este:

A) 0VB) 0.2V C) 15V D) 9.3V20.(154) În circuitul din figură joncţiunea bază-colector a tranzistorului este întreruptă. Celaltă joncţiune este functionala. Tensiunea pe colectorul tranzistorului este:

A) 0V B) 0.2V C) 15V D) 9.3V 21.(157) În schema din figură se măsoară tensiunea continuă cu multimetrul în baza tranzistorului 1.65V iar tensiunea continuă pe cursorul potenţiometrului 1.683V. Ştiind că BF=300 curentul continuu de colector este:

A) IC= 3.3mA B) IC= 6.6mA C) IC=9.9mA D) IC=10mA22.(158) În schema din figură se măsoară tensiunea continuă cu multimetrul în baza tranzistorului 1.65V iar tensiunea continuă pe cursorul potenţiometrului 1.683V. Rezistenţa între cursorul potenţiometrului şi masă daca se neglijeaza curentul de baza este:

A) 10KΩ B) 18,7KΩ C) 22.5KΩ D) 50.237KΩ

                                                                      MC

1.(185) Pe circuitul din fig. se fixeaza un p.s.f. care sa asigure saturatia tranzistorului MOS. Se reglează amplitudinea semnalului de la generator astfel încât să se obţină vgs=5mV. Se masoara tensiunea vds in doua cazuri: a)Pentru RD=R12+RJ22=2kohm rezulta vds=100mVrms; b)Pentru RD=R12+RJ22=10kohm rezulta vds=430mVrms. rd este: 

A) rd =50kΩ;B) rd =100kΩ; C) rd =25kΩ; D) rd =10kΩ.2.(184) Pentru tranzistorul din fig. se cunosc: VT=2V, kn=1mA/V2 . Daca dioda zener este in stabilizare (VZ=6V) iar tranzistorul este saturat, curentul prin tranzistor este:

A) ID=4mA; B) ID=8mA; C) ID=6mA; D) ID=2mA

                                                                          MCZ

1.(183) Pe circuitul din fig. s-au masurat tensiunile: vO=100mVrms si vg=5mVrms.Amplificarea in tensiune este:

A) AV=10;B) AV=50; C) AV=500;D) AV=20

                                                              MDZ

1.(44) MDV. In schema de stabilizator simplu prezentata in figura R=1kΩ iar D are: Vz =6V si Iz min =2mA. Sarcina minima (RL min ) pana la care circuitul stabilizeaza tensiunea de iesire are valoarea:

A) 0,5kΩB) 0,125kΩC) 0,8kΩD) 1,25kΩ2.(45) MDV. In schema de stabilizator simplu prezentata in figura R=1kΩ iar D are: Vz =2V si Iz min =2mA. Sarcina minima (RL min ) pana la care circuitul stabilizeaza tensiunea de iesire are valoarea:

A) 0,5kΩB) 0,125kΩC) 0,8kΩD) 1,25kΩ3.(46) MDV. In schema de stabilizator simplu prezentata in figura R=1kΩ iar D are: Vz =8V si Iz min =2mA. Sarcina minima (RL min ) pana la care circuitul stabilizeaza tensiunea de iesire are valoarea:

A) 0,5kΩB) 0,125kΩC) 0,8kΩD) 1,25kΩ4.(47) MDV. In schema de stabilizator simplu prezentata in figura R=1kΩ iar D are: Vz =10V si Iz min =2mA. Sarcina minima (RL min ) pana la care circuitul stabilizeaza tensiunea de iesire are valoarea:

A) 0,5kΩB) 0,125kΩC) 0,8kΩD) 1,25kΩ5.(142) In circuitul din figura curentul prin dioda Zener este:

A) Iz=0B) Iz=(Vcc-V)/R2C) Iz=IoD) IZ=((Vcc-V)/R2)-ID1.6.(143) In circuitul din figura curentul prin dioda Zener este:

A) Iz=0;B) Iz=((Vcc-V)/R2)-IoC) Iz=Io;D) Iz=((Vcc-V)/R2)-ID1.

Postată acum 11th January 2012 de Cass