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Diodo Schottky

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Diodo Schottky

Diodo Schottky

hernandez aguirre Edgarhernandez rojas maricelasalazar Sanchez aldo fernandoDefinicinEldiodo Schottky , es un dispositivosemiconductorque proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa

Construccin de un diodo SchottkyEl diodo schottky se construye mediante la unin de un material tipo n como el silicio y un metal. Los metales pueden ser molibdeno, platino, cromo o tungsteno

CaractersticasEn ambos materiales, el electrn es el portador mayoritario por lo que los huecos son insignificantes. Por lo tanto, los electrones en el material tipo n fluyen de inmediato hacia el metal adjunto.

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El intenso flujo de electrones hacia el metal crea una regin cerca de la superficie de la unin; una barrera superficial entre los dos materiales, la cual impide que fluya mas corriente.M-nBarrera de superficial

La polarizacin en directa como se muestra en la figura en el cuadrante positivo, reducir la resistencia de la barrera negativa por la atraccin del potencial positivo aplicado de los electrones de esta regin

En la regin de polarizacin inversa, la corriente Is se debe principalmente a los electrones que estn en el metal y pasan al semiconductor. A temperatura ambiente se tiene una corriente Is en el intervalo de los micro amperes y en el de mili amperes en dispositivos de alta potencia.El voltaje pico inverso de los diodos schottky suele ser significativamente menor que el de una unidad de unin p-n. En general para una unidad de 50A, el voltaje pico inverso del diodo schottky por lo comn es 50V comparado con 150V de dispositivos p-n. Un diodo schottky comn a una temperatura de 25C puede tener un valor nominal de 50A con un voltaje en directa de 0.6V y un tiempo de recuperacin de 10nS. En cambio, un dispositivo p-n a la misma temperatura con el mismo limite de corriente 50A, puede tener una cada de voltaje de 1.1V y un tiempo de recuperacin de 30nS. Por lo cual, en trminos de potencia el que tiene una mayor eficiencia y tiempo de recuperacin es el diodo schottky.Al no haber portadores minoritarios a un nivel apreciable en el diodo schottky da por resultado un tiempo de recuperacin en inversa de niveles significativamente mas bajos. Por lo general el diodo schottky trabaja de forma efectiva a frecuencias prximas a los 20GHz, donde el dispositivo debe cambiar de estado a una velocidad muy alta.

Aplicaciones

DesventajasEl diodo Schottky tiene poca capacidad de conduccin de corriente en directo

El diodo Schottky no acepta grandes voltajes de polarizacin inversa