AE Trece Predavanje Compatibility Mode

Embed Size (px)

DESCRIPTION

School work

Citation preview

  • ANALOGNA ELEKTRONIKAANALOGNA ELEKTRONIKA

    Tree predavanjeTree predavanjeVanr. prof. dr Abdulah Akamovi, dip.ing.el.

    1

  • Radna taka i radna prava Radna taka i radna prava tranzistora u pojaavau u spoju ZEtranzistora u pojaavau u spoju ZE

    R1 Rc

    Ec

    C

    2

    eg

    Rg

    R2 Re

    Rp

    C

  • Istosmjerni reimIstosmjerni reim

    R1 Rc

    Ec

    1 1 2 2

    2 2

    1 2

    0,6

    c

    be e e

    b

    b c e

    c b

    c c c e e ce

    be

    E I R I RI R U I RI I II I II IE I R I R UU V

    = +

    = +

    = +

    + =

    =

    = + +

    =

    3

    R2 Re

    1( ) ( )

    0,

    0,

    c c c e ce c c e ce

    cce c cz

    c e

    c ce c

    E I R R U I R R U

    EU tranzistor u zasienju I IR R

    I tranzistor ne vodi U E

    +

    = + + + +

    = = =+

    = =Uce

    Ic

    UceQ

    IcQ

    Icz

    Ec

  • Zagrijavanje tranzistoraZagrijavanje tranzistora

    Tranzistor u linearnom reimu disipira snagu.

    ( )

    2 0

    ce c

    c c c e ce

    c cece

    c e

    c ce

    P U IE I R R U

    E UP U

    R RE UdP

    =

    = + +

    =

    +

    = =

    10

    15

    20

    25 Ic(mA)

    P(mW)

    4

    Navedena snaga se u vremenu prevodi u toplotu koju je potrebno dodatno odvoditi(montiranjem tranzistora na hladnjak) u okolni prostor. Za odvoenje toplote potrebna jerazlika temperatura tranzistora i okoline, T. Porast temperature tranzistora (TT) u odnosu natemperaturu okoline (T0) je proporcionalan disipiranoj snazi Pc i toplinskom otporu K.

    2

    max

    2 0

    , ,

    2 2( ) 4( )

    c ce

    ce c e c e

    c c cce c

    c e c e

    E UdPdU R R R R

    E E EU I PR R R R

    = =

    + +

    = = =

    + +-5

    0

    5

    0 2 4 6 8 10 12

    Ec (V)

    0

    (1 1000) /T cT T T K P

    K C W = =

    =

  • Toplinski bijegToplinski bijeg

    2

    :

    : ( )

    1

    ce c

    c

    ce

    c

    ce ce

    c c c e ce

    c cec

    c e

    c

    Kriva snage P U IPI

    UdI P

    dU URadna prava E I R R U

    E UI

    R RdI

    =

    =

    =

    = + +

    =

    +

    = Uce

    Ic

    Q(UceQ, IcQ)

    5

    1cce c e

    dIdU R R

    =

    +Uce

    2

    2

    max

    :

    , ( )

    :

    ( ) ( )

    , ,

    2( ) 2 4( )

    cece c ce c c e

    c e

    c c c e c c e

    c c cc ce

    c e c e

    Poslije izjednaenja dobijenih koeficijenata se dobijeU

    P U I U I R RR R

    Uvrtavanjem u radnu pravu dobijemoE I R R I R R

    E E EI U P P

    R R R RMaksimum snage se dobije u ta

    = = = ++

    = + + +

    = = = =

    + +

    ki gdje se dodiruju radna prava i kriva snage

  • Ako sada pretpostavimo da je radna taka uQ1, porast temperature e dovesti dopoveanja Ic to e radnu taku udaljavati odkrive snage odnosno smanjivati zagrijavanjetranzistora, odnosno smanjiti struju Ic te ese ista vratiti u Q1:

    -dolo je do samoregulacije.

    Ako je radna taka u Q2 pri porastutemperature raste Ic, te se radna takapribliava krivoj snage i ukoliko u krugu nepostoje reaktivne komponente kretanjeradne take e uvijek biti ispod krive snage.

    Ic

    Q1

    Q2

    6

    radne take e uvijek biti ispod krive snage.

    Uce

    Q2

    Radnu taku treba birati tako da Uce bude manje

    od Ec/2

    Ukoliko u krugu postoje reaktivnekomponente dinamika radna prava moeimati vei nagib od statike te e pripozicioniranju radne take u Q2 radna takapremaiti krivu snage i nastaviti kretanje utom smjeru to e dovesti do pregaranjatranzistora.Ovaj efekat se zove TOPLINSKI BIJEG.

  • Proraun pojaavaaProraun pojaavaa

    max

    Pr :1. , ( , )

    :

    ,

    22. ,

    ,

    cQ ceQ

    cceQ cQ cQ

    c e

    c ceQc e

    ceQ

    oraun pojaavaaBira se radna taka po struji ili naponu I U

    tako da budu zadovoljeni usloviEU I U P

    Po osnovu izabrane struje odrede se R RE U

    R RI

    + =

    Ic

    IcQ

    Icz A

    Q

    7

    c epri tome seodnos R i R bira priblin

    1 2

    1 2

    21 2

    1 1 22

    3. ,

    4.

    ,(1 ) ( )

    cQb

    be

    b e ce

    oiznosueljenog naponskog istosmjernog pojaanja

    IZatim seodredi I kao

    Na kraju seodrede R i R izR RE U

    RI uz uslov R R R R

    RR R RR

    +

    = + ++

    + +

    UceUceQEc

    B

  • Primjer 13. Neka je Ec=10V, =50, Pmax=50mW. Potrebno je odrediti vrijednosti otpora.

    max

    1 2

    / 2 5

    10

    500

    100400

    200

    ce c

    cce

    c ceQ

    cQ

    e

    c

    cQb

    U E VP

    I mAU

    E UR R

    I

    RR

    II A

    = =

    = =

    + = =

    = =

    = =

    8

    1

    2 2

    2

    1

    200

    (1 )(1 )

    516965

    b

    be e b

    e beb b

    I A

    E U R IR

    R UI IR R

    uz usvojeno R kdobijemo R

    = =

    +=

    + + +

    =

    =

  • Nestabilnost radne take tranzistoraNestabilnost radne take tranzistora

    Promjena temperatureSa promjenom temperature mijenja se inverzna struja zasienja pn spoja. Kod tranzistora su dva pn

    spoja, u aktivom reimu jedan direktno polarisan, drugi inverzno, spoj BC. Sa promjenomtemperature mijenja se njegova inverzna struja zasienja Ico (struja kolektora pri otvorenomemiteru, o - Open). U baznom krugu mijenja se napon Ube koji odreuje ulaznu karakteristikutranzistora (struju Ib). Promjena ovog napona je priblino 2,3mV/C.

    Starenje tranzistoraParametri tranzistora se mijenjaju starenjem, kao posljedica degradacije kristala, promjeneParametri tranzistora se mijenjaju starenjem, kao posljedica degradacije kristala, promjene

    raspodjele primjesa, promjene geometrije pn podruja.

    Promjena napona napajanja

    Varijacija parametara tranzistora istog tipa pri proizvodnjiFaktor strujnog pojaanja u spoju sa zajednikim emiterom se kao kataloki podatak nalazi u dosta

    irokom opsegu, zbog nemogunosti precizne kontrole proizvodnog procesa.

    ZraenjaAko se elektroniki sklop u radu nalazi u prostoru sa intenzivnim zraenjima doi e do promjene

    karakteristika tranzistora usljed djelovanja zraenja na pn spojeve tranzistora.

    9

  • Stabilizacija radne take tranzistoraStabilizacija radne take tranzistora

    Na promjenu radne take najvei uticaj ima temperatura. Usljed promjene temperature mijenjaju se: Ic0, Ube,

    Zato je promjena radne take izraena kroz promjenu struje kolektora funkcija tri promjenjive:

    Promjena struje Ic se moe prikazati kao totalni diferencijal ove funkcije, tj.

    0( , , )c c beI f I U =

    I I I

    Za praktine primjene umjesto totalnog diferencijala posmatraju se parcijalni izvodi po svakoj promjenjivoj koji se oznaavaju kao S, S1 i S2:

    10

    00

    c c cc c be

    cb be

    I I IdI dI dU dI U

    = + +

    0

    1

    2

    c

    c

    c

    be

    c

    dISdIdISUdISd

    =

    =

    =

  • Uticaj temperature na iznos IUticaj temperature na iznos Ico co , U, Ubebe i i 0

    100( ) ( ) 2

    T T

    s sI T I T

    =

    Eksperimentalna mjerenja su pokazala da se inverzna struja zasienja u okolini sobnetemperature priblino udvostruava na svakih 10 C

    Analiza promjene napona Ube sa promjenomtemperature pokazuje da se isti mijenja za 2,3 mVpo stepenu C (opada sa porastom temperature). Zapraktine proraune uzima se 2mV, tj:

    2beU mV C

    11

    2beU mV CT

    *Preuzeto iz: Radivoje uri, Osnovi elektronike, 2010.

    Analiza promjene koeficijenta strujnogpojaanja sa promjenom temperaturepokazuje da se isti mijenja za 0,7%.

    / 0,7% CT

    =

  • Inverzna struja zasienjaInverzna struja zasienja

    Inverzna struja zasienja Ico koja se pojavljuje kao posljedica djelovanja termike energije idovodi do proticanja struje na pn spoju kao struje manjinskih nosilaca. Ova struja ima uticajana rad tranzistora u smislu temperaturne osjetljivosti istog, te je pri toj analizi treba uzeti uobzir. U aktivnom podruju spoj kolektor emiter je inverzno polarisan te se ova struja razmatra iobiljeava se kao Ico (o open emiter).

    12

    '

    '

    e c b

    c c co

    c e

    I I I

    I I I

    I I

    = +

    = +

    =Ib

    Ic

    Ie

    Ico

    1 1

    1 1

    coc b

    b coe

    II I

    I II

    = +

    = +

    1

    = +(1 )(1 ) (1 )

    c co b

    e b co

    I I II I I

    = + +

    = + + +

  • IIcc=f(I=f(Icoco,U,Ubebe,,))R1

    R2

    Rc

    Re

    Ec

    1 1 2 2

    2 2

    1 2

    (1 )

    c

    be e e

    b

    b c e

    c co b

    E I R I RI R U I RI I II I II I I

    = +

    = +

    = +

    + =

    = + +

    1 1

    12 2

    1 1

    c be e e

    be ee b

    e c co

    E I R U I RU R

    I I IR R

    I I I

    = + +

    = + +

    + +=

    13

    11 1 1

    2 2

    1 2 1 21 2 1 1

    2 2 2

    (1 )

    ( ) ( ) (1 )1 1

    ec be e c co be e e

    e ebe c co c co

    R RR R RE U I I I U I R

    R RR R R R R RR R R RU I I I I

    R R R

    += + + + + =

    + ++ ++ += + +

    11 21

    2 2

    1 1

    2

    1( )1( )

    1

    ec be e co

    ce

    e

    R RR RE U R R IR R

    IR R R RR

    + + + + +

    =

    ++ +

    +

  • S=dIS=dIcc/dI/dIcoco

    11 21

    2 2

    1 1

    2

    11

    1( )1( )

    1

    ( )(1 )

    ec be e co

    c

    eco coe

    ee

    R RR RE U R R IdI R RdS

    R R RdI dI RR

    R RR R

    R R R R R R

    + + + + +

    = = =+

    + + +

    + ++ + +

    14

    11 1 2 22

    1 21 1 1 1 2 2

    2

    ( )(1 ) ( , , , )(1 ) (1 )1

    ee e

    ee e e

    e

    R RR R R R R RR f R R R

    R R R R R R R R RRR

    + ++ + +

    = = =

    + + + ++ ++

  • RR22, R, Ree00

    RcR1

    Ec

    15

    2

    11

    2, 0 1 1

    2

    lim ( ) 11

    e

    ee

    c

    R R ecoe

    R RR R

    dI RSR R RdI RR

    + +

    = = = ++ +

    +

  • RRee00

    11

    20 1 1

    2

    lim ( ) 11

    e

    ee

    c

    R ecoe

    R RR R

    dI RSR R RdI RR

    + +

    = = = ++ +

    +

    RcR1

    Ec

    16

    2 1R +R2

  • RR22

    RcR1

    Ec

    2

    11

    2

    1 1

    2

    11

    lim ( )1

    1Re(1 ) (1 )(1 )

    ee

    c

    R ecoe

    e

    R R R RdI RS

    R R RdI RR

    RR R

    RR R

    + +

    = = =

    + ++

    ++= + = +

    + +

    17

    RcR1

    Re

    11(1 ) (1 )(1 ) 1e

    e

    RR RR

    = + = +

    + + + +

    0

    2

    4

    6

    8

    10

    12

    14

    16

    18

    20

    0 50 100 150 200

    S

    R1/Re

    (=20)

  • Spoj sa djeliteljem u krugu baze i RSpoj sa djeliteljem u krugu baze i Ree

    R1

    R2

    Rc

    Re

    Ec

    Rc

    Rt

    Ec

    Re

    Et

    2 1 2

    1 2 1 2,t c t

    R R RE E R

    R R R R= =

    + +

    t b t be e eE I R U I R= + ++ = 1

    t b t be e eE I R U I RI

    = + +

    +

    18

    R2 Re Re

    1R(1 ) (1 )(1 ) 1

    t

    c t e e

    tco t e

    e

    RdI R RS

    RdI R RR

    ++

    = = + = ++ + + +

    (1 )(1 ) (1 )

    b c e

    c co b

    e b co

    I I II I II I I

    + =

    = + +

    = + + +

    1

    1 1

    cb co

    e c co

    II I

    I I I

    +=

    + +=

    (1 ) (1 ) (1 )t t e et c co be c co

    R R R RE I I U I I

    + + += + +

    1( )1( )

    1

    t be e t co

    ct

    e

    E U R R II

    R R

    + + +

    =

    ++

    +

  • Primjer 14. Odrediti faktor stabilnosti S i promjenu struje Ic pri promjeni temperature od25C do 75C za tranzistor koji pri 25C ima Ico 0,1nA i =50 ako je:a) R1/Re=100, R2b) R1/Re= 10 , R2c) R1/Re=0,1 , R2

    Rjeenje:Struja Ico na 75 C iznosi:

    a)Faktor stabilnosti S iznosi:

    75 259 5 910(75 ) (25 ) 2 0,1 10 2 3,2 10 3,2co coI C I C nA

    = = = =

    11 R+

    19

    Sada je:

    Analogno za

    b)

    c)

    1

    1

    1 1 100Re(1 ) 51 34,1151 1001

    c

    co

    e

    RIS

    R IR

    + +

    = + = = =+ + +

    34,11 3,2 108,8c coI S I nA nA = = =

    9,3 3,2 29,76c coI S I nA nA = = =

    9,3 3,2 3,51c coI S I nA nA = = =

  • S1=dIS1=dIcc/dU/dUbebe

    11 21

    2 2

    1 1

    2

    1 2

    1( )1( )

    1

    ( )(1 )

    ec be e co

    c

    ebe bee

    R RR RE U R R IdI R RdS

    R R RdU dI RR

    R RR R R

    + + + + +

    = = =+

    + + +

    +

    + +

    20

    2 1 21 2

    1 1 1 1 2 2

    2

    ( )(1 ) ( , , , )(1 ) (1 )1

    ee e e

    e

    R R R f R R RR R R R R R R R RRR

    + += = =

    + + + ++ ++

  • RezimeRezime

    Izbor statike radne take je vrlo vaan kod projektiranja pojaala

    Maksimum iskoritenja promjene ulaznog napona, bez generiranjaizoblienje zahtjeva pozicioniranje radne take na sredini radneprave

    Na stabilnost radne take najvei uticaj ima temperatura

    Usljed promjene temperature mijenjaju se Ico, Ube, Usljed promjene temperature mijenjaju se Ico, Ube, Porastom temperature raste Ico, udvostrui se na svakih 10 C

    Porastom temperature smanjuje se Ube, 2mV po C

    Toplinski efekat ograniava poziciju radne take na iznos do Ec/2 poUce

    Uvoenje Re otpora e znaajno stabilizirati radnu taku, ali esmanjiti i strujno i naponsko pojaanje, poveati ulazni otpor

    21