Upload
doanque
View
236
Download
6
Embed Size (px)
Citation preview
РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ «ТЕОРИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ»
Томск – 2005 I. Oрганизационно-методический раздел
1. Цель курса
Познакомить магистрантов с принципами моделирования точечных дефектов в полупро-водниках. Спецкурс базируется на следующих курсах: физика твердого тела, физика полу-проводников, теория групп, дефекты в полупроводниках.
2. Задачи учебного курса
Показать взаимосвязь структуры и свойств дефектов. Излагаются основные методы при-меняемые для рачета электронного энергетического спектра кристаллов с дефектами. Под-робно обсуждается влияние симметрии и типа химической связи на структуру локального спектра дефекта в полупроводниках. Особое внимание уделяется полупроводниковым кри-сталлам с алмазоподобной структурой.
3. Требования к уровню освоения курса
После изучения курса студенты должны знать основные подходы к изучению локализо-ванных состояний связанных с дефектами. Понимать влияние дефектов на физические про-цессы пртекающие в полупроводниках.
II. Содержание курса 1. Темы и краткое содержание
№ Тема Содержание 1. Введение 2. Геометрическая конфи-
гурация точечных де-фектов
Симметрия дефектов и теория групп. Пример вакансии в ре-шетке алмаза. Экспериментальное определение симметрии дефекта.
3. Мелкие уровни Приближение эффективной массы в теории мелких уровней. Донорно-акцепторные пары. Экспериментальное наблюдение мелких уровней.
4. Глубокие уровни Моделирование глубоких уровней в полупроводниках. Метод сильной связи: вакансия, примесь замещения, междоузельный атом. Метод функций Грина. Значеия энергий глубоких уровней некоторых алмазоподобных кристаллов
5. Учет корреляционного взаимодействия
Самосогласование, многоэлектронные эффекты и более слож-ные теории глубоких уровней.
Примерная тематика рефератов, курсовых работ
III. Распределение часов курса по темам и видам работ
Аудиторные занятия (час) в том числе №
пп Наименование
темы Всего часов лекции семинары лаборатор.
занятия
Самостоя-тельная работа
1 Введение 2 2
2 Геометрическая конфигурация точечных дефектов
2 2
3 Мелкие уровни 2 2 4 Глубокие уровни 6 6 4 5 Учет
корреляционного взаимодействия
4 4 2
ИТОГО 22 16 6 IV. Форма итогового контроля Зачет V. Учебно-методическое обеспечение курса
1. Рекомендуемая литература (основная):
1. А.М. Стоунхэм, Теория дефектов в твердых телах, М.: Мир, 1978. (В двух томах: т.1 - 569 с., т.2 - 357 с.).
2. А. Милнс, Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках, М.: Мир, 1977. 562 с. 3. М. Лано, Ж. Бургуэн, Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. М.: Мир, 1984.
263 с. 4. Точечные дефекты в твердых телах. Сб. статей: Пер. с англ. М.: Мир, 1979. 379 с.
Автор Чалдышев Виктор Александрович, к.ф.-м.н., доцент