РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ «ТЕОРИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ»

Томск – 2005 I. Oрганизационно-методический раздел

1. Цель курса

Познакомить магистрантов с принципами моделирования точечных дефектов в полупро-водниках. Спецкурс базируется на следующих курсах: физика твердого тела, физика полу-проводников, теория групп, дефекты в полупроводниках.

2. Задачи учебного курса

Показать взаимосвязь структуры и свойств дефектов. Излагаются основные методы при-меняемые для рачета электронного энергетического спектра кристаллов с дефектами. Под-робно обсуждается влияние симметрии и типа химической связи на структуру локального спектра дефекта в полупроводниках. Особое внимание уделяется полупроводниковым кри-сталлам с алмазоподобной структурой.

3. Требования к уровню освоения курса

После изучения курса студенты должны знать основные подходы к изучению локализо-ванных состояний связанных с дефектами. Понимать влияние дефектов на физические про-цессы пртекающие в полупроводниках.

II. Содержание курса 1. Темы и краткое содержание

№ Тема Содержание 1. Введение 2. Геометрическая конфи-

гурация точечных де-фектов

Симметрия дефектов и теория групп. Пример вакансии в ре-шетке алмаза. Экспериментальное определение симметрии дефекта.

3. Мелкие уровни Приближение эффективной массы в теории мелких уровней. Донорно-акцепторные пары. Экспериментальное наблюдение мелких уровней.

4. Глубокие уровни Моделирование глубоких уровней в полупроводниках. Метод сильной связи: вакансия, примесь замещения, междоузельный атом. Метод функций Грина. Значеия энергий глубоких уровней некоторых алмазоподобных кристаллов

5. Учет корреляционного взаимодействия

Самосогласование, многоэлектронные эффекты и более слож-ные теории глубоких уровней.

Примерная тематика рефератов, курсовых работ

III. Распределение часов курса по темам и видам работ

Аудиторные занятия (час) в том числе №

пп Наименование

темы Всего часов лекции семинары лаборатор.

занятия

Самостоя-тельная работа

1 Введение 2 2

2 Геометрическая конфигурация точечных дефектов

2 2

3 Мелкие уровни 2 2 4 Глубокие уровни 6 6 4 5 Учет

корреляционного взаимодействия

4 4 2

ИТОГО 22 16 6 IV. Форма итогового контроля Зачет V. Учебно-методическое обеспечение курса

1. Рекомендуемая литература (основная):

1. А.М. Стоунхэм, Теория дефектов в твердых телах, М.: Мир, 1978. (В двух томах: т.1 - 569 с., т.2 - 357 с.).

2. А. Милнс, Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках, М.: Мир, 1977. 562 с. 3. М. Лано, Ж. Бургуэн, Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. М.: Мир, 1984.

263 с. 4. Точечные дефекты в твердых телах. Сб. статей: Пер. с англ. М.: Мир, 1979. 379 с.

Автор Чалдышев Виктор Александрович, к.ф.-м.н., доцент